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DE1768284U - Flaechengleichrichter bzw. -transistor. - Google Patents

Flaechengleichrichter bzw. -transistor.

Info

Publication number
DE1768284U
DE1768284U DES17749U DES0017749U DE1768284U DE 1768284 U DE1768284 U DE 1768284U DE S17749 U DES17749 U DE S17749U DE S0017749 U DES0017749 U DE S0017749U DE 1768284 U DE1768284 U DE 1768284U
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode material
transistor according
auxiliary
auxiliary body
rectifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DES17749U
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES17749U priority Critical patent/DE1768284U/de
Publication of DE1768284U publication Critical patent/DE1768284U/de
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Description

  • 2'läcis enBe i~hri cht er bzw. ~r, ansistor.
  • Für die Herstellung von Flächengleichrichtern oder-transistoren ist es bekannt geworden, das Blektrodenmaterial für die Erzeugung des glektrodenkörpers vor der thermischen Behandlung der Anordnung für die Legierungsbildung zwischen dem Elektrodenmaterial und dem Halbleitermaterial auf den Halbleiterkörper frei aufzulegen. Wird in einem solchen Falle die thermische Behandlung durchgeführt, so wird beim SchmelzflUssigwerden des Elektrodenmaterials dessen Oberflächenspannung wirksam und dieses Material bei einer größeren Flächenausdehnung der Elektrode mehr oder weniger zur Form eines Tropfens zusammengezogen. Für gewisse Zwecke ist daher die Anwendung eines solchen Verfahrens des freien Legieren des Elektrodenmaterials nicht möglich, weil sich große Elektrodenformen nicht herstellen lassen. Andererseits sind jedoch vielfach große Elektrodenformen an Halbleitern erwünscht, weil sich auf diese Weise größere Leistungen beherrschen lassen. In einem solchen Falle wäre es aber erwünscht, eine Freilegierung durchführen zu können, weil auf diese Weise gewisse. Nachteile in Fortfall kommen, die sonst bei der Auskristallisation nach der Legierungsbildung an dem legierten Halbleiterkörper in Erscheinung treten können in Form. von Gitterbaufehlstellen, die in unerwünschter Weise eine Rekombination der Ladungsträger verschiedener Polareitet begünstigen könner.
  • Die vorliegende Neuerung hat einen verbesserten Aufbau der lektrodenmaterialkörper bereits bei ihrem Auflegen auf die Oberfläche des Halbleiters für den Legierungsprozeß zum Gegenstand, wodurch Elektroden mit großer Flächenausdehnung und eindeutig vorbestimmter Form an einem solchen Halbleiter geschaffen werden, indem diese Form bereits während des Legierungsprozesses zwischen dem Elektrodenmaterial und dem Halbleiter aufrechterhalten wird.
  • Das Wesen der Neuerung besteht hierfür in einem solchen Aufbau der auf dem Halbleiterkörper für die Durchführung des Legierungsprozesses und für die Anbringung der Elektrode angeordneten Elektrodenmateria@@nordnungen, daß gleichzeitig auf der freien Oberfläche eines formenmäßig vorbestimmten Elektrodenmaterialkörpers in einer Randzone ein Hilfskörper aufgelegt wird, der im schmelzflüssigen Zustand des Elektrodenmaterials bei der Legierungsbildung dieses Materials mit dem Halbleiterkörper als fester Körper eine gute Adhäsion mit diesem Blektrodenmaterial eingeht und dabei dessen Oberflächenspannung entgegenwirkt, um auf diese Weise die vorbestimmte Form des frei auf-
    gelegtenjlektrodenmaterialkörpers aufrechtzuerhalten.
    Die Neuerung ist sowohl anwendbar für jlektrodenformen, die nur
    einen in sich geschlossenen Umfang haben, also auch für solche, bei denen mehrere Ränder vorhanden sind, wie z. B. bei einer Kreisringform. Je nach der in dem einzelnen Fall vorliegenden Flächenausdehnung der elektrode kann entweder in einem solchen letzteren Falle ebenfalls nur ein Hilfskörper an einem der Ränder benutzt werden, oder es können in einem solchen Falle dann auch mehrere Hilfskörper angewendet werden, wobei der eine in einer äußeren Randzone des lektrodenmaterialkörpers aufgelegt ist bzw. wird und der andere dann in einer inneren Randzone. Im Falle der Benutzung mehrerer solcher Hilfskörper bedarf es dann jeweils je einer besonderen Anordnung des einzelnen Hilfskörpers. Dieser Vorgang läßt sich dadurch vereinfachen, daß bei Anwendung mehrerer Hilfskörper diese unmittelbar zu einem mechanischen Ganzen vereinigt werden. Werden in diesem Sinne z. B. ein äußerer und ein innerer Hilfskörper benutzt, so können diese durch Anwendung einiger Stege zwischen diesen beiden Hilfskörpern unmittelbar zu einem einheitlichen Ganzen vereinigt werden, so daß die räumliche Einrichtung dieser Hilfskörper auf den lektrodenmaterialkörper sich sehr einfach gestaltet.
  • Im Rahmen der grundsätzlichen Neuerung können verschiedene Lösungswege beschritten werden. So kann der Elektrodenmaterialkörper mit dem in seiner Randzone bzw. seinen Randzonen aufgelegten Hilfskörper zunächst als ein getrennter selbständiger Körper in Form eines mechanischen Ganzen hergestellt werden, welches dann auf die Halbleiteroberfläche an der ordnungsgemäßen Stelle aufgelegt wird, bevor die thermische Behandlung der Anordnung für die Legierungsbildung mit dem Halbleitermaterial stattfindet. Nach einer anderen Lösung kann ein vorbereiteter Elektrodenmaterialkörper in seine ordnungsgemäße Lage an den Halbleiterkörper gebracht werden und auf ihn in seiner Randzone der Hilfskörper aufgelegt werden. Bei dem Schmelzflüssigwerden des Elektrodenmaterialkörpers zu Beginn der thermischen Behandlung für die Legierungsbildung wird dann ebenfalls die Adhäsion zwischen dem flüssig gewordenen Elektrodenmaterialkörper und dem festbleibenden Hilfskörper bzw. Hilfskörpern wirksam, so daß also die erwünsche Form des flüssig gewordenen Elektrodenmaterialkörpers erhalten bleibt und dieser sich nicht z. B. zu der Form eines Tropfens o. dgl. durch die Oberflächenspannung des Materials zusammenziehen kann, weil dieser durch die Adhäsionswirkung zwischen dem Hilfskörper und dem flüssigen Elektrodenmaterial entgegengewirkt wird.
  • Es gelingt also auf diese Weise, einen Elektrodenkörper in großer Flächenausdehnung unter eindeutiger Erhaltung einer vorbestimmten Form für diesen an einem Halbleiterkörper anzubringen und eine Legierungsbildung mit dem Halbleiterkörper mittels eines an sich frei aufgelegten Elektrodenmaterialkörpers über eine große gegenseitige Berührungsfläche mit dem Halbleiterkörper durchzuführen.
  • Handelt es sich um die Erzeugung von Elektroden sehr großer Flächenausdehnung, so kann es sich erfindungsgemäß als zweckmäßig erweisen, mehrere einander umschließende Körper oder zwischen je zwei Hilfskörpern an der inneren oder äußeren Randzone noch weitere Zwischenkörper als Hilfskörper im Sinne der Erfindung zu benutzen.
  • Es kann sich erfindungsgemäß gegebenenfalls auch als zweckmäßig erweisen, einen äußeren oder einen inneren Ring in der Randzone des Elektrodenmaterialkbrpers zu benutzen und von diesem z. B. radial nach innen oder nach außen sich erstreckende Stege ausgehen ! zu lassen.
  • Wird der Hilfskörper lose auf den Elektrodenmaterialkörper aufgelegt, so kann es sich für seine schnelle und einfache Einrichtung in seiner Lage gegenüber dem Elektrodenmaterialkörper als zweckmäßig erweisen, den einen der Form des anderen bzw. beide einander in ihrenFormen derart anzupassen, daß sie beim Zusammenbringen einen gegenseitigen Formschluß bzw. einen gegenseitigen Eingriff eingehen. So können z. B. für diese Zwecke an dem einen der Körper entsprechende Vorsprünge und an dem anderen entsprechende Kerben vorgesehen werden.
  • Als geeigneter Werkstoff für den Aufbau des Hilfskörpers können z. B. Molybdän, Tantal, Wolfram oder Eisen benutzt werden.
  • Außerdem kann es sich bei einem solchen losen Auflegen des Hilfskörpers auf den Elektrodenmaterialkörper als zweckmäßig erweisen, den Hilfskörper an der gegenseitigen Berührungsfläche des Elektrodenmaterial-körpers mit einem besonderen Überzug aus einem solchen Werkstoff zu versehen, welcher bei der thermischen Behandlung der Halbleiteranordnung bereits in den schmelzflüssigen Zustand über-
    geht, bevor der eigentliche Elektrodenmaterialkörper in diesen
    übergeht. Es findet auf diese Weise dann bereits eine sichere
    \
    gegenseitige Benetzung zwischen dem aufgelegten Hilfskörper und
    dem eigentlichen Elektrodenmaterialkörper statt, bevor der letzte-
    re in den schmelzflüssigen Zustand übergeht, so daß also eine große Sicherheit gewährleistet ist, indem der Elektrodenmaterialkörper nicht unter dem Hilfskörper wegfließen kann, sobald er flüssig wird. Als geeignetes Material für einen solchen Überzug an dem bzw. den Hilfskörpern eignet sich z. B. Zinn. Es wird sich jedoch als zweckmäßig erweisen, nicht nur einen einschichtigen Überzug vorzusehen, sondern diesen Überzug aus mehreren Schichten herzustellen, wenn ein Überzugwerkstoff zwar mit einem der beiden Werkstoffe des Elektrodenmaterials und des Hilfskörpers eine gute Benetzung eingeht, jedoch nicht gleichzeitig mit beiden. Es kann sich daher z. B. als zweckmäßig erweisen, wenn als Werkstoff für den oder die Hilfskörper Molybdän benutzt wird und als Elektrodenmaterial an dem Halbleiter Indium, eine Schichtenfolge aus Gold, Zinn und Zinn-Indium-Legierung als Schichtensystem an dem Hilfskörper vorzusehen.
  • Die Erfindung ist sowohl anwendbar bei einer Kreisringform der Elektrode, als auch ebensogut bei anderen Flächenumfangsformen für den Elektrodenkörper, wie z. B. einer viereckigen oder einer elliptischen. Es besteht jeweils nur die Bedingung, daß an den Randzonen des Elektrodenkörpers ein Körper aufgelegt ist, der durch seine Adhäsion gegenüber dem Halbleitermaterial für die Erhaltung der Flächenform desselben im schmelzflüssigen Zustand sorgt und dabei einen von ihm nicht bedeckten, frei liegenden 2 enteil des Elektrodenmaterialkörpers einschließt. Diese Eigenschaft und Bauform des Hilfskörpers ergibt auch noch den weiteren Vorzug, daß das Schmelzflüssigwerden bzw. die Zustandsform des Elektrodenmaterials gut überwacht werden kann und durch den Körper der eigentliche Elektrodenmaterialkörper nur eine ganz geringe Gewichtsbelastung erfährt, was bei gewissen Fertigungsverfahren solcher Halbleiteranordnungen von Bedeutung sein kann.
  • Einige beispielsweise Ausführungen für die Anwendung der Erfindung veranschaulichen die Figuren der Zeichnung.
  • In den beiden einander entsprechenden Rissen nach den Figuren 1 und 2 der Zeichnung bezeichnen 1 den Halbleiterkörper, 2 den Elektrodenmaterialkörper und 3 den auf diesen aufgelegten Hilfskörper.
  • Wie bereits ausgeführt, kann dieser Hilfskörper entweder bereits vor dem Auflegen des Elektrodenmaterialkörpers 2 auf den Halbleiter mit jenem zu einem einheitlichen Ganzen vereinigt worden sein, oder # erst auf den lose auf den Halbleiterkörper aufgelegten Elektroden4
    materialkörper ebenfalls lose aufgelegt werden, wobei er für einen
    gegenseitigen Formschluß mit Kerben 5 versehen werden kann, mit
    er
    denenVin entsprechende Vertiefungen an dem Elektrodenmaterialkörper
    eingesetzt wird. Bei der thermischen Behandlung der Anordnung ver-
    hindert der Hilfskörper 3 durch seine Adhäsion mit dem Elektroden-
    materialkörper, daß dessen flüssigwerdendes Material sich merklich durch die Oberflächenspannung nach innen zusammenziehen kann, so daß also praktisch die Berührungsfläche zwischen dem Elektrodenmaterialkörper und dem Halbleiterkörper in der vorbestimmten Form erhalten bleibt.
  • In dem weiteren Ausführungsbeispiel nach den einander entsprechenden Rissen der Figuren 3 und 4 bezeichnet wieder 1 den Halbleiterkörper.
  • Auf diesen ist in diesem Falle ein Elektrodenmaterialkörper 2 von Kreisringform aufgelegt bzw. aufgebracht. Als Hilfskörper, welcher durch seine Adhäsionswirkung die Form des flüssigwerdenden
    Elektrodenmaterialkörpers aufrechterhält,'sind in diesem Falle
    zwei Ringe a und. 3b benutzt, von denen der eine an dem inneren
    Rand und der andere an dem äußeren Rand der Kreisringform des Elektrodenmaterialkörpers angeordnet ist. Beim Schmelzflüssigwerden des Elektrodenmaterialkörpers 2 sorgen-also beide Ringe 3a und 3b für die Erhaltung der Elektrodenform in der bereits erläuterten Weise durch die auftretende Adhäsionswirkung entgegen der Oberflächenspannung, die an dem schmelzflüssigen Material wirksam ist. In dem Grundriß nach Fig. 4 sind gleichzeitig noch mit gestrichelten Linien Stege 4 eingetragen, die gegebenenfalls zwischen den beiden Ringen 3a und 3b benutzt werden können, damit, wie bereits ausgeführt, die Ringe 3a und 3b über die Stege zu einem mechanischen Ganzen vereinigt als solches auf den Elektrodenmaterialkörper aufgelegt bzw. mit diesem vereinigt werden können.
  • Die Erfindung ist anwendbar bei allen Halbleitern, die mit Diamantgitter@kristallisieren, wie insbesondere z. B. Germanium, Silizium und Zweistoffverbindungen, deren eine Komponente vorzugsweise der III. Gruppe und deren andere der V. Gruppe des periodischen Systems angehören und Verwendung finden sollen für die Herstellung von p-n-Gleichrichtern oder n-p-n-bzw. p-n-p-Transistoren.
  • 4 Figuren 8 Ansprüche

Claims (8)

  1. Schutzansprüche 1. Flächengleichrichter bzw.-transistor mit p-n-Übergang bzw. n-p-n-oder p-n-p-Übergängen, gekennzeichnet durch einen solchen Aufbau der auf dem Halbleiterkörper für die Durchführung des Legierungsprozesses und für die Anbringung der Elektrode angeordneten Elektrodenmaterialanordnung, das auf der freien Oberfläche eines formenmäßig vorbestimmten Elektrodenmaterialkörpers in einer Randzone desselben ein Hilfskörper aufgelegt ist, der im schmelzflüssigen Zustand des Elektrodenmaterials für seine Legierungsbildung mit seinem Halbleiterkörper als fester Körper eine gute Adhäsionswirkung mit dem flüssigen Material eingeht, um der Oberflächenspannung dieses Materials zur Erhaltung der vorbestimmten form acs frei aufgelegten Elektrodenmaterialkörpers entgegenzuwirken.
  2. 2. Flächengleichrichter bzw.-transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Elektrodenmaterialkörper, der an seiner Flächenform einen inneren und einen äußeren Rand ausweist, in beiden Randzonen je ein Hilfskörper aufgelegt ist.
  3. 3. Flächengleichrichter bzw.-transistor nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfskörper bereits vor dem Auflegen ein mechanisches Ganzes bilden.
  4. 4. Fläcbengleichrichter bzw.-transistor nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der oder die Hilfskörfper bereits vor dem Auflegen des lektrodenmaterialkörpers auf den Halbleiter mit dem Elektrodenmaterialkörper zu einem mechanischen Ganzen vereinigt sind.
  5. 5. Flächengleichrichter bzw. -transistor nach Anspruch 1 oder einem der folgenden außer Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der oder die Hilfskörper auf den auf die Halbleiterschicht aufgelegten Blektroaenmaterialkörper lose aufgelegt werden, wobei sie jedoch gegebenenfalls mit diesem einen eingriff bzw. einen Formschluß eingehen können.
  6. 6. Flächengleichric hter bzw.-transistor nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß als Werkstoff für den Aufbau des oder der Hilfskörper Molybdän, Tantal oder Wolfram oder Eisen benutzt werden.
  7. 7. flächengleichrichter bzw. -transistor nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß an der späteren Berührungsfläche des Hilfskörpers mit dem Elektrodenmaterialkörper ein Überzug vorgesehen ist von einem niedrigeren Schmelzpunkt, als ihn das lektrodenmaterial besitzt.
  8. 8. Flächengleichrichter bzw.-transistor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß für die Bildung des Überzuges an dem Hilfskörper ein mehrschichtiges System aus solchen verschiedenen Stoffen in den verschiedenen Schichten benutzt wird, welche jeweils miteinander eine bessere Benetzung eingehen als die Werkstoffe zweier voneinander entfernterer Schichten.
DES17749U 1955-08-05 1955-08-05 Flaechengleichrichter bzw. -transistor. Expired DE1768284U (de)

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