DE1514593C - Steuerbares Halbleiterbauelement - Google Patents

Description

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Steuerbare Halbleiterbauelemente mit einem scheibenförmigen einkristallinen Halbleiterkörper und mit vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, von denen die beiden äußeren Zonen und ihre Kontaktelektroden schichtförmig auf den beiden Flachseiten des Halbleiterkörpers angeordnet sind und bei dem eine Steuerelektrode für die innere Zone in einer Aussparung in der benachbarten "äußeren Zone angeordnet ist, sind z. B. aus der deutschen Auslegeschrift 1132 247 bekannt.

Der ältere Vorschlag in dem deutschen Patent 1261603 betrifft ein steuerbares Halbleiterbauelement mit einem scheibenförmigen einkristallinen Halbleiterkörper und mit vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, von denen die beiden äußeren injizierenden Zonen und ihre Kontaktelektroden flächenhaft auf den beiden Flachseiten des Halbleiterkörpers angeordnet sind und bei dem eine im Verhältnis zu diesen Kontaktelektroden kleinflächige Steuerkontaktelektrode für die eine innere Basiszone in einer Aussparung in der ihr benachbarten äußeren Zone angeordnet ist. Der ältere Vorschlag besteht darin, daß die Fläche der der kontaktierten inneren Zone benachbarten äußeren Zone mindestens einen langgestreckten und die durch die äußere Zone an der Oberfläche getrennten Teile der inneren Zone verbindenden Einschnitt aufweist, in dem die kontaktierte innere Zone an die Oberfläche tritt, und daß die kontaktierte innere Zone an ihrer nicht kontaktierten Oberfläche eine Dotierungskonzentration von mehr als 3 · 10¹⁷ cm"³ hat.

Die Erfindung bildet ein derartiges steuerbares Halbleiterbauelement weiter. Sie betrifft ein steuerbares Halbleiterbauelement mit einem scheibenförmigen einkristallinen Halbleiterkörper und mit vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, von denen die beiden äußeren Zonen und ihre Kontaktelektroden schichtförmig auf den beiden Flachseiten des Halbleiterkörpers angeordnet sind, bei dem eine Steuerkontaktelektrode für die eine innere Zone in einer Aussparung in der benachbarten äußeren Zone angeordnet ist, bei dem die der kontaktierten inneren Zone benachbarte äußere Zone in Scheibenebene mindestens einen langgestreckten Einschnitt aufweist, in dem die kontaktierte innere Zone an die Oberfläche des Halbleiterkörpers tritt, und bei dem die kontaktierte innere Zone an der nicht kontaktierten Oberfläche des Halbleiterkörpers eine Dotierungskonzentration von mehr als 3 ·10¹⁷αη-^:> hat.

Die Erfindung besteht darin, daß jeder Einschnitt in der äußeren Zone von der Aussparung für die Steuerkonlaktclektrode räumlich getrennt angebracht ist und eine Länge von der Größenordnung der linearen Abmessungen der äußeren Zone in Scheibenebene aufweist.

Durch diese Ausbildung läßt sich die Herstellung des Thyristors nach dem älteren Vorschlag vereinfachen, und /war unter grundsätzlicher Beibehaltung der günstigen Wirkungsweise des Thyristors nach dem älteren Vorschlag, die im folgenden näher erläulcrt wird.

Häufig ist an einer der beiden inneren Zonen eines Thyristors eine als Steuer- oder Zündelektrode bezeichnete Kontaktelektrode angebracht, mit deren Hilfe sich ein Strom, der das Zünden des Thyristors, d. 1). den Übergang vom nichtleitenden in den leitenden Zustand, bewirkt, durch den zwischen der kontaktierten inneren Zone und der benachbarten äußeren Zone befindlichen pn-übergang schicken läßt. Durch passende Wahl der Dicken der genannten Zonen sowie Höhe und Verlauf ihrer Dotierungskonzentration kann der zum Zünden erforderliche Steuerstrom auf eine ,erträgliche Höhe begrenzt werden. Im Gegensatz zu diesem beabsichtigten Zünden kann bei höheren Betriebstemperaturen ein unerwünschtes spontanes Durchzünden (Kippen) infolge eines erhöhten Leckstromes in Vorwärtsrichtung des Thyristors, d. h. in der Sperrichtung seines mittleren pn-Uberganges, auftreten, und zwar unter gewissen Umtsänden schon bei einem wesentlich niedrigeren Spannungswert als dem der Spannung für das Durchzünden eines mittleren pn-Überganges mit niedrigem Leckstrom bei einer nur wenig über Raumtemperatur liegenden Betriebstemperatur. Ferner können Thyristoren infolge eines raschen Spannungsanstieges an dem mittleren pn-übergang spontan durchzünden, weil infolge des raschen Aufbaues des Raumladungsgebietes ein so großer Strom durch den zwischen der mit der Zündelektrode versehenen inneren Zone (Basis) und der benachbarten äußeren Zone (Emitter) befindlichen pn-übergang fließt, daß der für das Zünden notwendige Grenzstromwert je Flächeneinheit überschritten wird.. Die obenerwähnte günstige Wirkungsweise des Thyristors nach dem älteren Vorschlag besteht nun darin, daß die vorstehend geschilderten Nachteile nur in abgeschwächtem Grad oder überhaupt nicht auftreten, so daß der Thyristor auch bei verhältnismäßig raschem Anstieg der angelegten Vorwärtsspannung gegen spontanes Durchzünden sperrt und seine Sperrfähigkeit in Durchlaßrichtung auch bei höheren Betriebstemperaturen im wesentlichen erhalten bleibt. Das läßt sich nach einer neuen Erkenntnis damit erklären, daß Einschnitte nach dem älteren Vorschlag wie ein Nebenschluß zur steuerbaren Emitter-Basis-Strecke des Thyristors wirken. Bekanntlich läßt sich durch einen Nebenschluß der Wirkungsgrad eines Emitters herabsetzen; schaltet man nämlich beispielsweise einen Widerstand parallel zur Emitter-Basis-Strecke eines Transistors, so wird hierdurch seine Stromverstärkung herabgesetzt. Dementsprechend kann man durch einen Nebenschluß von der Art des älteren Vorschlags bei einem Thyristor erreichen, daß er auch bei steilem Spannungsanstieg nicht vorzeitig durchzündet und bei höheren Betriebstemperaturen ähnlich hohe Vorwärtspannungen wie bei Raumtemperatur sperrt.

An Hand der Zeichnung, in der ein Ausführungsbeispiel eines steuerbaren Halbleiterbauelementes nach der Erfindung dargestellt ist, wird im folgenden die Erfindung näher erläutert. In

F i g. 1 ist das Querschnittsprofil eines Thyristors schematisch dargestellt;

F i g. 2 veranschaulicht die verschiedenen Halbleiterzonen in einem vergrößerten Ausschnitt aus Fig.l;in

F i g. 3 ist ein Teil des Thyristors nach F i g. 1 vergrößert wiedergegeben;

■ F i g. 4 zeigt die obere Flachseite desselben Thyristors, von oben gesehen, und

F i g. 5 in gleicher Sicht eine abgeänderte Ausführungsform des Thyristors nach den Fig. 1 bis 4.

In F i g. i bezeichnet 2 eine erste beispielsweise η-leitende innere Zone. An diese Zone schließt sich

an der einen Flachseite eine p-leitende innere Zone 3 an und auf der gegenüberliegenden Flachseite eine weitere p-leitende Zone 4, die einen inneren Teilbereich einer p-leitenden Außenzone bildet. Die p-leitenden Zonen können mittels eines bekannten Diffusionsverfahrens oder eines anderen in der Halbleitertechnik als Epitaxialverfahren bekannten Verfahrens hergestellt sein. Der äußere Teilbereich der p-leitenden Außenzone ist durch Einlegieren eines Akzeptoren enthaltenden Metalls, beispielsweise einer Aluminiumfolie, die die ganze Scheibenfläche bedeckt, hergestellt. Dadurch ist eine hochdotierte p-leitende Rekristallisationsschicht in Gestalt der Zone 5 entstanden, die von einer als Kontaktelektrode dienenden eutektischen Aluminium-Silizium-Legierung 6 bedeckt wird. An dieser ist ein Anschlußkörper 12, der beispielsweise aus Molybdän bestehen kann, angebracht. Die Zonen 4 und 5 bilden zusammen den p-Emitter. An die äußere Flachseite der p-leitenden inneren Zone 3 schließt sich eine . η-leitende Außenzone an, die beispielsweise durch Einlegieren eines Donatoren enthaltenden Metalls hergestellt sein kann. Vorteilhaft wird dazu eine Goldfolie mit etwa 0,5 % Antimongehalt verwendet. Nach Erhitzen bis über die eutektische Temperatur (etwa 370° C) hinaus auf etwa 700° C ist nach Abkühlung eine Rekristallisationsschicht in Gestalt der Zone 7 entstanden, die eine hohe Donatorenkonzentration aufweist und als η-Emitter bezeichnet wird. Die entstandene eutektische Gold-Silizium-Legierung bildet die Kontaktelektrode 8 des η-Emitters. Ihre Gestalt und Dicke sind nach dem vollständigen Einlegieren der Goldfolie durch deren ursprüngliche Gestalt und Dicke eindeutig bestimmt. Sie sei beispielsweise kreisförmig und habe eine Aussparung. Auch die Rekristallisationsschicht und damit die äußere Zone 7 hat infolgedessen Kreisform mit einer Aussparung, in der die p-leitende Zone 3 bis an die Kristalloberfläche reicht. Dort ist diese Zone sperrfrei kontaktiert, z. B. durch Einlegieren einer borhaltigen Goldfolie. Die von dieser mit einer entsprechenden benachbarten Siliziummenge gebildete Legierung hat eine verhältnismäßig kleinflächige Steuerkontaktelektrode 10 erzeugt, die zum Steuern des Gleichrichterelementes dient. Alle Legierungsvorgänge werden zweckmäßig in einem Arbeitsgang vorgenommen.

An die beiden Kontaktelektroden 6 und 8 bzw. die Molybdänscheibe 12 sei über nicht dargestellte Anschlußteile ein Laststromkreis angeschlosesn, der nach Fig. 1 eine Wechselspannungsquelle 13 und einen Verbraucher 14 enthalten kann. Der Steuerkreis, enthaltend eine Steuerspannungsquelle, z. B. eine Batterie 15 und ein Hilfsschaltelement 16, das durch einen Schalter symbolisch angedeutet sei, ist einerseits an der Steuerkontaktelektrode 10 und somit an die p-leitende innere Zone 3 (die p-Basis), andererseits an die benachbarte Kontaktelektrode 8 des η-Emitters angeschlossen. Die Spannungsquelle 15 ist in Durchlaßrichtung des pn-Überganges Z₁ (F i g. 2) zwischen den Zonen 3 und 7 gepolt. Als Durchlaßrichtung, Vorwärtsrichtung oder Kipprichtung des ganzen Bauelementes wird die Stromrichtung vom p-Emitter zum η-Emitter bezeichnet, in welcher der mittlere pn-übergang Z₂ zunächst sperrt, jedoch unter gewissen, oben angegebenen Voraussetzungen kippt, d. h. durchlässig wird. Die entgegen- '·,. gesetzte Stromrichtung, nämlich vom η-Emitter zum p-Emitter, ist die Sperrichtung des Halbleiterbauelementes. Die Sperrspannung liegt dabei im wesentlichen am pn-übergang Z₃. Wird das Hilfsschaltelement 16 synchron zur Wechselspannung von 13 so gesteuert, daß in jeder positiven Halbwelle ein Steuerimpuls der Steuerkontaktelektrode 10 zugeführt und damit ein Strom durch den pn-übergang Z₁ geschickt wird, so fließt im Verbraucherkreis Gleichstrom. Durch Verändern der zeitlichen Lage der Impulse innerhalb des Halbwellenbereiches ist es bekanntlich möglich, den Mittelwert der Gleichspannung zu ändern. Zu Beginn der positiven Halbwelle wird daher der mittlere pn-Ubergang X₂ sperren, und es wird sich um den sperrenden pn-übergang X₂ ein Raumladungsgebiet aufbauen, wie in F i g. 2 durch Schraffur angedeutet ist. Der Strom durch den pn-übergang Z₁ wird sich daher während des Aufbaues des Raumladungsgebietes um den pn-ÜbergangZ₂ zusammensetzen aus einem Sperrstrom und einem kapazitiven Strom, mit dem das Raumladungsgebiet aufgebaut wird und der um so größer ist, je schneller der Aufbau des Raumladungsgebietes stattfindet, also je steiler der Anstieg der angelegten Spannung ist. Die F i g. 3 bis 5 dienen der Erläuterung, wie der Strom durch den pn-übergang Z₁ durch eine Art Nebenschluß vermindert werden kann.

In F i g. 3 ist das Grenzgebiet zwischen der p-leitenden inneren Zone 3, der η-leitenden Außenzone 7 und deren Kontaktelektrode 8 verdeutlicht, und zwar in einem Bereich, der der Steuerkontaktelektrode 10 nicht benachbart ist. Durch das Herstellen der p-leitenden inneren Zone 3 mittels eines Diffusionsoder Epitaxialverfahrens ist erreicht, daß ihre Dotierungskonzentration einen von innen nach außen ansteigenden Verlauf aufweist und daß ihr äußerster Teil von einem hochdotierten niederohmigen Bereich mit einer Dotierungskonzentration von etwa 3 · 10¹⁷ oder höher gebildet wird, der bis an die Oberfläche des Halbleiterkörpers reicht. Mittels eines Diffusionsverfahrens können in dem gewünschten Bereich Oberflächenkonzentrationen von 8 · 10¹⁷ bis 5 · IO¹⁸ cmr³ erzielt werden. Wird ferner das nach dem Legieren häufig angewandte Ätzen des Halbleiterkörpers auf dem Gebiet um die Steuerkontaktelektrode 10 beschränkt, so grenzt dieser niederohmige Oberflächenbereich unmittelbar' an die Kontaktelektrode 8 des η-Emitters. Infolgedessen besteht zwischen der Kontaktelektrode 8 und dem niederohmigen Oberfiächenbereich der inneren Zone 3 kein hochsperrender Übergang, sondern eine leitende, mit verhältnismäßig niedrigem Widerstand behaftete Brücke, über die, mit dünnen Linien angedeutet, Teile des Sperrstromes und des kapazitiven Stromes fließen können.

Besondere Vorteile bietet eine solche Überbrükkung, wenn sie über die ganze Flachseite des Thyristors möglichst gleichmäßig verteilt ist. Das kann, wie beispielsweise aus F i g. 4 ersichtlich, durch Verlängern der Randlinie der äußeren Zone 7 erreicht werden. Da deren Gestalt und Dicke nach dem vollständigen Einlegieren der Donatoren enthaltenden Folie, z. B. einer Gold-Antimon-Folie, durch ursprüngliche Gestalt und Dicke dieser Folie eindeutig bestimmt sind, versieht man sie vor dem Einlegieren mit Einschnitten, beispielsweise mittels einer Schere, so daß nach dem Einlegieren die Kontaktelektrode 8 und die äußere Zone 7 außer der Aussparung für die Steuerkontaktelektrode 10 Einschnitte 11 aufweisen, die sich vom Rande aus nach innen er-

Claims (12)

strecken, etwa wie in F i g. 4 angegeben. Die Einschnitte in der Folie brauchen nur so breit zu sein, daß ihre Ränder beim Legieren nicht zusammenfließen können. Auf diese Weise geht nicht zu viel wirksame Emitterfläche verloren. Sind die Einschnitte keilförmig, so ergibt sich als zweckmäßig eine mittlere Breite von 0,2 bis 5 mm. Sie liegt vorteilhaft bei etwa 0,5 mm, mit gewissen Toleranzen, also etwa zwischen 0,3 bis 0,8 mm. Die Einschnitte können jedoch auch eine andere Form und/oder eine andere Lage haben. Beispielsweise kann ihre Breite über die ganze Länge konstant sein. Für Thyristoren der zur Zeit üblichen Größe sind 1 bis 8 Einschnitte, insbesondere 3 bis 6 Einschnitte vorteilhaft. Anzahl und Länge der Einschnitte können entsprechend dem größten Abstand gewählt werden, den ein Punkt der kontaktierten inneren Zone 3 von deren Randlinie an der Oberfläche haben darf. Die obere Grenze dieses Abstandes ist durch die Bedingung gegeben, daß der bereits erwähnte, zum vorzeitigen Durchzünden ausreichende Grenzwert von Leck- und Raumladestrom, bezogen auf die Flächeneinheit, bei gegebenen Anforderungen hinsichtlich Höhe und Steilheit der im Betrieb auftretenden Spannungen an keiner Stelle des steuerbaren äußeren pn-Überganges erreicht wird. Soll beispielsweise die äußere Zone 7 des Thyristors mit kreisscheibenförmigem Halbleiterkörper vier Einschnitte erhalten, die sich vom Rande aus nach innen erstrecken, so können die Einschnitte gemäß F i g. 4 in etwa gleichen Kreisbogenabständen angebracht werden. Der Abstand zwischen den Einschnitten, zwischen denen sich die Aussparung für die Steuerkontaktelektrode befindet, kann gegebenenfalls etwas größer sein. Eine Länge größer als etwa ein Drittel des Durchmessers der äußeren Zone 7 könnte kaum noch zu einer Verbesserung beitragen, weil dadurch nur der Abstand der Randlinie von der Flachseitenmitte verkürzt würde. Vorteilhaft ist für einen Thyristor mit kreisscheibenförmigem Halbleiterkörper eine Einschnittlänge von mindestens ein Fünftel bis höchstens etwas mehr als die Hälfte des Durchmessers der Kreisscheibe. Eine einfache Herstellung des Thyristors, insbesondere ein einfaches Zentrieren beim Legieren wird erreicht, wenn die Folie trotz der Einschnitte eine zusammenhängende Fläche bildet. Als besonderer Vorteil der in F i g. 4 und 5 dargestellten Ausführungsformen sei hervorgehoben, daß die innere Zone 3 unterhalb der Einschnitte durch den hochdotierten Oberflächenbereich der inneren Zone 3 niederohmig mit der Steuerkontaktelektrode 10 verbunden ist. Dadurch wird die Steilheit des auf die Zündung folgenden Stromanstiegs erhöht. Nach der F i g. 4 ist diese Verbindung durch den nicht von der äußeren Zone 7 bedeckten Band- und Oberfiächenbereich der inneren Zone 3 und nach der F i g. 5 zusätzlich durch den Oberflächenbereich der inneren Zone 3 unterhalb des Einschnitts 17 hergestellt, der diesen Rand- und Oberflächenbereich mit dem Oberflächenbereich der inneren Zone 3 unterhalb der Aussparung für die Steuerkontaktelektrode 10 verbindet. Die erwähnte Verbindung ist aber nicht in jedem Fall erforderlich; sondern auch solche Einschnitte, die von der η-Emitterzone vollständig umschlossen sind, können bei im übrigen ähnlicher Form und Anordnung wie die der vorstehend beschriebenen Einschnitte die Wirkungsweise eines Thyristors beträchtlich verbessern. Die Wirkung des Einschnittes bzw. der Einschnitte kann noch durch einen dünnen elektrisch leitenden Überzug, welcher die Randlinien der η-Emitterzone, insbesondere an den Einschnitten mit einem Nebenschluß überbrückt, verstärkt werden. Zweckmäßig wird dieser Überzug, z. B. ein aufgedampfter Goldüberzug von weniger als 1 μ, insbesondere von etwa 0,1 μ Dicke, auf die gesamte Oberfläche der Emitterkontaktelektrode auf den sie umgebenden Randstreifen und auf die in den Einschnitten freiliegenden Oberflächenteile der kontaktierten inneren Zone aufgebracht, da er an Stellen, an denen er nicht benötigt wird, nicht schadet. Die vorstehenden Überlegungen gelten entsprechend auch für den Fall vertauschter Leitfähigkeitstypen ρ und n, d. h. für eine pnpn-Zonenfolge mit p-leitender Kernzone. In diesem Fall wird lediglich nicht eine Gold-Antimon-Folie auf eine mit einer Steuerkontaktelektrode versehene p-Basis, sondern eine mit einem oder mehreren Einschnitten versehene Aluminiumfolie auf eine mit einer Steuerkontaktelektrode versehene η-Basiszone auflegiert. Patenansprüche:

1. Steuerbares Halbleiterbauelement mit einem scheibenförmigen einkristallinen Halbleiterkörper und mit vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, von denen die beiden äußeren Zonen (4, 5 und 7) und ihre Kontaktelektroden (6 und 8) schichtförmig auf den beiden Flachseiten des Halbleiterkörpers angeordnet sind, bei dem eine Steuerkontaktelektrode (10) für die eine innere Zone (3) in einer Aussparung in der benachbarten äußeren Zone (7) angeordnet ist, bei dem die der kontaktierten inneren Zone (3) benachbarte äußere Zone (7) in Scheibenebene mindestens einen langgestreckten Einschnitt (11) aufweist, in dem die kontaktierte innere Zone (3) an die Oberfläche des Halbleiterkörpers tritt, und bei dem die kontaktierte innere Zone (3) an der nicht kontaktierten Oberfläche des Halbleiterkörpers eine Dotierungskonzentration von mehr als 3 · 10¹⁷ cm~³ hat, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Einschnitt (11) in der äußeren Zone (7) von der Aussparung für die Steuerkontaktelektrode (10) räumlich getrennt angebracht ist und eine Länge von der Größenordnung der linearen Abmessungen der äußeren Zone (7) in Scheibenebene aufweist.

2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich jeder Einschnitt (11) vom Rand der äußeren Zone (7) nach innen erstreckt.

3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche der der kontaktierten inneren Zone (3) benachbarten äußeren Zone (7) mehrere wenigstens annähernd gleichmäßig über diese Fläche verteilte Einschnitte (11) aufweist.

4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gesamtfläche der der kontaktierten inneren Zone (3) benachbarten äußeren Zone (7) eine zusammenhängende Fläche ist.

5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Einschnitt (11)

eine mittlere Breite von 0,2 bis 5 mm, insbesondere von 0,3 bis 0,8 mm, hat.

6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper eine kreisrunde Scheibe ist und die Länge jedes Einschnittes (11) mindestens ein Fünftel und höchstens die Hälfte des Scheibendurchmessers beträgt.

7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die kontaktierte innere Zone (3) an der Oberfläche des Halbleiterkörpers eine Dotierungskonzentration im Bereich von 8 · 10" bis 5 · 10¹⁸ cm-s hat.

8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Aussparung in der äußeren Zone (7) für die Steuerkontaktelektrode (10) an der inneren Zone (3) die Randlinie der benachbarten äußeren Zone (7) nicht schneidet und durch einen weiteren Einschnitt (17) mit den durch die äußere Zone (7) an der Oberfläche getrennten Teilen der inneren Zone (3) verbunden ist.

9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich auf der Oberfläche der mit Einschnitten versehenen Kontaktelektrode (8) an der äußeren Zone (7), auf dem sie umgebenden Randstreifen der äußeren Zone (7) und auf den in den Einschnitten (11) freiliegenden Oberflächenteilen der kontaktierten inneren Zone (3) ein elektrisch leitender Überzug befindet.

10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzug aus aufgedampftem Gold besteht und weniger als 1 μ, vorzugsweise etwa 0,1 μ, dick ist.

11. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in eine äußere Zone von gegebenem Leitfähigkeitstyp des Halbleiterkörpers eine mit einer Aussparung und mit mindestens einem von der Aussparung räumlich gesondert angebrachten Einschnitt versehene Folie aus einem Werkstoff, welcher einen den entgegengesetzten Leitungstyp bewirkenden Dotierungsstoff enthält, einlegiert wird.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß auf eine äußere p-leitende Zone des Halbleiterkörpers eine mit einer Aussparung und mindestens einem von der Aussparung räumlich gesondert angebrachten Einschnitt versehene Goldfolie mit etwa 0,5% Antimongehalt einlegiert wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen nnp 548/307