DE1619999A1

DE1619999A1 - Vorrichtung zum thermischen Behandeln von scheibenfoermigen Koerpern fuer Halbleiterzwecke

Info

Publication number: DE1619999A1
Application number: DE19671619999
Authority: DE
Inventors: Albert Walther
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Siemens Corp
Priority date: 1967-04-07
Filing date: 1967-04-07
Publication date: 1970-03-26
Also published as: GB1181935A; FR1565732A; NL6800202A; US3519798A

Description

Vorrichtung sun thermisehen Belianäoln von, scheibenförmigen

Körpern für HaITaI ext er zv/e elco .

Zum Herstellen von Halbleiterbauelmenten wird häufig das als Epitaxie bekannte Verfahren angewendet. Dieses Verfahren besteht darin» daß man scheibenförmige Halbleiterkristalle, insbesondere" Einkristalle, auf eine hohe, jedoch unterhalb des Schmelzpunktes des Halbleiters liegende Temperatur aufheizt und gleichzeitig über die Scheiben ein Reaktionsgas hinvregleitet, welches bei. der Temperatur der Scheiben den

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betreffenden Halbleiter auf den Scheiben in vorzugsweise einkristallinen Zustand niederschlägt. Die Beheizung der Halbleiterscheiben erfolgt vornehmlich auf elektrischen V/ege, indcn z.B. diese Scheiben während den Abstfheidovorganges nit einen aus hitzebeständigen, leitenden Material bestehenden, von einen elektrischen Heizstrom durchflosscnen Träger und Heiser in direkter Berührung oder über eine isolierende Zwischenschicht in mittelbaren Kontakt gehalten werden. ITatürlich sind auch andere Beheisungsarten möglich. Als Reaktionsgas verwendet nan aus verschiedenen bekannten Gründen zweckmäßig eine Halogeii- oder Halogen-Hydrid-Verbindung des darzustellenden Elementes. Dieser aktive Bestandteil wird zweckmäßig nit '.Vasserstoff, gegebenenfalls auch nit einen Inertgan, verdünnt. Häufig werden auch dotierende Zusätze in definierter Konsentration zunReaktionsgas angewendet.

Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen durch Epitaxie werden hohe Gleichmäßigkeiten der abgeschiedenen Schichten bezüglich ihrer Stärken und Dotierungen erlangt. Eine der hierfür notwendigen Voraussetzungen ist eine äußerst gleichmäßige Aufheizung der zu behandelnden Halbleiterscheiben. Diesen Problenwird in unserer Patentanmeldung 9/493/840 (eingereicht an- .........,.) mit den Titel "Vorrichtung zun thermischen Behandeln von schelbenförnigen Körpern für Halbleiterzwecke" Rechnung getragen. Dies geschieht gemäß jener Annoldung bei einer Vorrichtung sun thermischen Behandeln von

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scheibenförmigen Körpern für Halbleiterzwecke, bei der die zu ■behandelnden Scheiben an Boden eines Behandlungsraumes angeordnet sind und durch eine unterhalb dieses Bodens befindliche, fluchenhaft ausgedehnte und mit ihrer Oberseite sich parallel zu den su behandelnden Scheiben erstreckende- Heizvorrichtung· auf die Behandlungoteinperatur erhitzt werden, indem ein . swisehen Heizvorrichtung und den Boden des Behandlungsgefäßes angeordneterj mindestens in seinem mittleren Teil sich parallel zun Eoden des Eehandlungogefäßes erstreckender .Temperaturausgleichükbrper, insbesondere Tenperaturausgleichsplatte, derart aufgobaiit ist, daß der diesen mittleren Teil des Temperaturausgleiehskärpers durchsetsende axiale (d.h. in Richtung von der Heizvorrichtung zu den zu behandelnden Scheiben ,gerichtete, V/ärmefluß im Zentrum dieses Tenperaturausgleichskorpers eine stärkere Behinderung als an seinem Rande erfährt, v/ahrend der radiale, von innen nach αϊßen orfolgende V/ärraefluß im Temperaturausgleichskörper durch mindestens -stellenweise vorgesehene Maßnahmen eine Behinderung erfährt.

Durch solche liaßnahmen -"wird- die Gleichmäßigkeit der Aufheizung der zu behandelnden Halbleiterscheiben gewährleistet, rieben dieser Grleichmäßigkoit der Aufheizung spielt jedoch eine möglichst gleichmäßige Zufuhr an Behandlüngsgäs zxx der zu behandelnden Sclieibenobe^flache eine wichtige Rolle. Dies gilt sowohl für Epitaxieanlagen, also Vorrichtungen, bei denen HaIbleitermaterial in einkristallinem Zustand auf erhitzte Sub-

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stratscheiben niedergeschlagen v/ird, als auch für Dotierungsanlagen, bei denen Halbleiterkristalle durch ein dotierende Eigen schaft en aufweisende α Gas in gleichmäßiger V/eise, beispielsweise zur Erzeugung von Oberflächenzonen von entgegengesetztem Leitungstyp, dotiert werden sollen.

Eine diesen Zweck dienende Vorrichtung ist in den deutschen Patentanmeldungen S 95 244 IVc/i2c \PA "65/2056) und S 94 785 IVc/12c (,PA 64/3156) vorgeschlagen. Diese Anmeldungen befassen sich bevorzugt mit einer besonders zweckmäßigen Ausgestaltung der Gaszufuhr bzw. Gasabfuhr einer der epitaktischen Beschichtung; von Halbleiterscheiben dienenden Vorrichtung. Jedoch ist gerade in der Patentanmeldung S 94 785 noch weiteren, der gleichmäßigen Gaszufuhr sowie der gleichmäßigen Erhitzung der Substratscheiben dienenden Maßnahmen gedacht. Beispielsweise ist in dieser Patentanmeldung darauf hingewiesen, daß sich.durch das Beheizen des Bodens des aus Quarz bestehenden Reaktionsgefäßes dieser Boden durchbiegen kann, insbesondere wenn es sich um die epitaktische Beschichtung von Scheiben aus Halbleitermaterial mit hohen Arbeitstemperaturen, z.B. Silicium,handelt _y was zwangsläufig zu einen Ungloichmäßigwerden der Temperatur der zu beschichtenden Scheiben als auch der Gaszufuhr "führen kann.

Zur Beseitigung jenes !fachteiIs v/ird in gener älteren Anmeldung vorgeschlagen, von unten her gegen den Boden des die

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zu. beschichtendeii Scheiben tragenden, aus Quarz .bestehenden Reaktionsgefäßes einen Gasdruck einwirken zu lassen, der dem im Reaktionsgefäß herrschenden Grasdruck und dem Gewicht des Bodens gerade das Gleichgewicht hält. Die dort vorgeschlagene Losung sieht deshalb einen abgeschlossenen, das flächenhaft ausgedehnte Heizelement und gegebenenfalls eine Semperaturausgleiehsplatte enthaltenden neizraumes vor, dessen oberer Abschluß unmittelbar ,durch den die zu behandelnden Halbleiterscheiben tragenden Boden des Behandlungsgefäßes gebildet ist. Auf diese V.^reice wird die Einstellung eines dem Druck im Reaktionpgefäß gleichen Gasdruckes-im Heizraum (vornehmlich unter Verwendung eines inerten, eine Oxydation des Heizelementes und der sich erwärmenden Seile behindernden Gases) ermöglicht. \

Die in jener älteren Patentanneldung beschriebene Lösung des genannten Problemes ist jedoch in mancherlei Beziehung noch unbefriedigend. Insbesondere kann eine nur unter erheblichem technischen Aufwand vermeidbare Ungleichheit der Gasdrücke in dem Beheizerraum und den Behandlungsgefäß auch zu einem Durchbiegen des Quarzbodens des Behandluhgsgefäßes nach oben führen* Die Polgen eines durchgebogenen Bodens des Reaktionsgefäßes sind starke Temperaturschy/ankungen am Ort der zu behandelnden Scheiben, gestörte Gass^trönungsverhält- ■ nisse im Reaktionsraum und damit schwankende Schicht- oder Dptierungsstärken.·

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Die Erfindung bezieht' sich auf eine Vorrichtung sum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Körpern für HaIbloiterzwecke, insbesondere zun epitaktischen Abscheiden von •Halbleitermaterial, bei der die zu behandelnden Scheiben am Boden eines Behandlungsraumes angeordnet sind und durch eine unterhalb dieses Bodens befindliche, flachenhaft ausgedehnte und mit ihrer Oberseite sich parallel zu den zu behandelnden Scheiben erstreckende Heizvorrichtung auf die Beluvndlungstemperatur erhitzt werden. Die erfindungsgenäßc Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, daß der ebene, aus Siliciumdioxid bestehende, insbesondere eine gleichmaßige "Vand stärke aufweisende Eoden des Behandlungsgefäßes von unten her durch mindestens einen mit ihm in unmittelbarer Berührung gehaltenen, aus thermisch beständigerem IJaterial als SiO₂ bestehenden Stützkörper getragen ist. Vorzugsweise ist dabei vorgesehen, diesen Stürzkörper gleichzeitig als Temperaturausgleichsplatte auszubilden und ihm die Beschaffenheit zu geben, wie sie in der Patentanmeldung 9/493/840 beschrieben ist.

Eine der Erfindung entsprochende Vorrichtung ist in der Zeichnung dargestellt. Die in dei" Figur dargestellte Vorrichtung dient vornehmlich der epitaktischen Beschichtung von Halbleiterscheiben. Es wird jedoch verständlich, daß die dargestellte Apparatur z.B. auch zum Dotieren von Halbleiterscheiben aus der Gasphase verwendet werden kann.

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Der zylindrische Reaktionsraum 1 wird von einem tapfiörnigen Unterteil 2 -und einem zylindrisclienQfeerteil 3 unschloüsen. Diese Teile "bestehen zweckmäßig aus Quarz. Es empfiehlt sich> wenn sämtliche sich während des Betriebes stark erwärmend ο Teile des Behaiidlungsgefäßes, insbesondere der Boden den Reaktionsgefäßes, aus einer im Spektralbereich von 2,6 - 2,8/U möglichst absorptionsfreien SiOp-Sorte bestehen. Oben wird der Eeaktionsraun 1 von einen Deckel 4, z.B. aus Edelstahl, abgeschlossen. Die su beschiehtenden, insbesondere aus nonohristallinem Halbleitermaterial, z.B. Silicium,-bestehenden Scheiben 5 sind am Boden des topfförmigen Unterteils 2 angeordnet. Die Beheisung der Scheiben erfolgt von unten, wobei die ei'forderliche Wärme "von einem stromdurchilossencn Heiselement 6 geliefert wird. Das Unterteil 2 des Reaktionsräumes 1 sowie die Heizvorrichtung 6 befinden sich zweckmäßig in einem gekühlten HeizortOpf 8 aus Ue-tali., Die Zufuhr für das frische Eeaktionsgas oder sonstige Behandlungsgas sowie die Abfuhr des verbrauchten Gases erfolgt zweckmäßig von bzw* nach oben. Zu diesem Zweck sind ein Gaszuführungsrohr 9 central durch den Uetalldeekel 4 und konzentrisch hierzu eiic Anzahl von GasauGtrittBöffnungen 10 vorgesehen. Im Beispielsfalle ist das Gaszuführungsrohr bewegbar im Deckel 4 gelagert. Gleichzeitig ist für eine gasdichte Verbindung zwischen den Rohr 9 und dem Deckel 4 gesorgt. Hierzu dient eine das Rohr 9 ringförmig unschließende Dichtung 11 aus chenisch und thermisch v/iderstandsfähigem elastischem .. . ' .-■'.. ■■■""'..":. ' .. ^:' ~ ■ . -.''■.-·■": - 8 -

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erial'.» Sie wird in Iicicpi^lrrull durch 'einen DrucJcrin;: 12 ..'■Qv.-ohl C⁰CCn ο in V/iderlr.r;er i:.- Dce]:ol 4 ;..l,j :.ueh ·;ο^οη dar.· Suloitm^rrolir 9 jcdräol't. ..n der ;.iCr.ns.eitc der; Zuleitung- ^: rohres (nicho den /joVoGcncn Pfeil in. der Uoicl-inuiv;) ::oniion Mittel -.vir^cp-rj rrein,, wß-lche oino Bev:e/];ung do;: Hohreo 9 in Sir.no dor deutsehen P^tentct-nweldur.;: 3 9Ϊ3 24/. lVc/i2c (PA 6!3/205G) tov.-irkoii^ ras Crasaufuhrrolir 9 irrt in-Innern des "Reakti.ensretu.MOο von einer schalenforwii^ nach oben ^ectülptcn Sc3m^J;::inanociiotta 1'5 umgeben und mit ihr starr"verbunden. Diese Manschette dient alα Strahlungsschutz- gegen zu starke Erwärmung des Deckels Außerdem fangt sie die eich bevorzugt am kühleren Deckel 4 bildenden, als Störkeime Wirksamen Partikel ab, wenn die Anordnung für epitaktische Zwecke herangezogen--v/ird. Der Eehandlungsraum, inGbesondere Reaktionsraun, ist, wie bereits bemerkt, zweckmäßig kreiszylindrisch.

Schließlich ist es im Interesse der Reinheit des Reaktionsgases zweckmäßig, wenn für den Pail, daß das Unterteil 2 und der obere Teil "'3 dqs Reaktionsgefäßes voneinander gelöst v/erden können, das G-aszuführungsrohr 9 stets in den unteren Teil 2 hineinragt.

Wie man leicht einsieht, bestehen verschiedene Möglichkeiten, den Boden des Reaktionsgefäßes im Sinne der vorliegenden Erfindung abzustützen. Allgemein ist hierzu aus mechanischen Gründen eine federnde Abstützung vorzuziehen. Der Abstützkörper

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kann zugleich die Funktion einer Semperaturausgleiehsplatte ausüben und entsprechend den Ausführungen der Patentanmeldung 9/493/84O ausgeführt sein, -Diese -Variante ist in'-der Figur 2 dargestellt.

Bei der Ausführung gemäß .Figur 1 liegt der plattenförmige Stützkörper 7, z-.B. aus Graphit, mit seiner Oberseite an der Unterseite des Reaktionsgefilßes 2 satt an. Dieser -platten.-förnige StützkorpiGr v.^!irkt^;.gleich als Teinperaturausgleichsplatte Die Stützplatte, 7Wird ihrerseits von einer Distanzseheibe 7a aus Berry 11 iuraoxid oder einen andern hitzebeständigen Material getragen, die ihrerseits auf der. ebenen Oberseite des aus einen mäander- oder spiralförmigen Leiter\ z.B. aus Kohle oder Graphit, bestehenden Heizelementes 6 aufliegt. Das Heizelenent selbst v/ird federnd abgestützt; hierzu können boispielsv/eise die federnde Eigenschaften aufweisenden Elektroden-Zuleitungen 6a zum HeisJvcrpcr 6 dienen.

Eine andere Ausführungsforiri ist in Fig. 2 dargestellt, die nur die zur Stützung und Beheizung erforderlichen Teile sov/ie den Boden des Reaktionsgefäßes mit den aufliegenden Hiilbleitersehoiben zeigt. Die Eesugszeichen der Eloraente^ so\7eit sie bereits in einer Anordnung genäß der Fig. 1 auftauehen, sind die gleichen, v/ie sie in Fig. 1 verv/endet sind. Der ebene Quaraboden des Reaktionsgefäßes 2 mit den an seiner Innen-

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Gcitc aufliegenden Halbleiterscheiben 5 vfird v/iederum von unten durch die anliegende Stützplattc 7 getragen. Die Stützplatto 7 ihrerseits ist als oberer Abschluß einen aus einen Hohlzylinder mit horizontalen Schlitzen bestehenden Federkürpers 14 ausgebildet, der seinerseits nit seinem unteren Rand.auf einer Unterlage, z.B. den Boden des Heizertopfes 0, liegt. Falle der Boden des Heizertopfes wie in diesen Falle gekühlt ist, empfiehlt sich die Anwendung von gut v/ärneisolierenderi Distanzstücken. In der Zeichnung ist die Stutzplattc nit 7, der sie tragende federnde Zylinderkörper, vorzugsweise rais Graphit oder Kohle, nit 14 bezeichnet. 15 sind die genannten Distansstückc. Die zur Erzielung der 'federnden Eigenschaften des Graphithohlaylinders 14 vorgesehenen Schlitze 14a sind horizontal geführt. Statt dessen besteht die Möglichkeit, durch Anwendung eines schraubenlinienförmig geschlitzten Graphitaylindors 14 diesen direkt als Spiralfeder auszugestalten.

Der Stützkörper 7 ist bei einer Vorrichtung gemäß ?ig. 2 in Sinne der Ausführungen der deutschen Patentanmeldung 9/493/Ο4Ο ausgestaltet. Er weist demgemäß eine Ausnehmung mit verschiedenen Graphiteinsatsteilen auf, v.'ie sie in der genannten Patentanmeldung naher beschrieben sind. Auch in diesen Falle v/ird für ein sattes Anliegen des plattenförmigen Stützkörpers an der Unterseite des Bodens dos ReaJctionsge-

fäßes 2 gesorgt.

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3>ie Bilden si onierung des. Sütskorpers 7, %zvr.. eter Kräfte ist eine Angelegenheit cter Erfahrung*. Kks

auch die Pe&er; berechnen* Ein Beispiel wird, aa Sand dier¹= ¥%£.. 5, gebraehi;. Biese stellt die ZyliH&erfecteEr oöiie fen ^feen. . . abschließenden; Deelcel dar, der Jedocii. n©tYipndig ist;;» v?eil .auf ihn unmittelbar der Boden des Eeoldjijpns^ korarrt-. Fig. 3 ,stellt also nur denL g;e.s©iilitz;t;en E dar_r der mit eäner obcxt afeeKLießend'en, Platte dac Keaktionsgefäß in Sinnde der Erfxntlitiiiig trägt»

Sendet nan die in Fig. 2 dargestellte Kesris·triiffeticia am,, iot. die Gefahr eines Durclibiegens des B©&ens; dies ^gefüßes in entgegengesgtsirer Kiehtung, als^ nscii; Qifeeja,, weit-, geilend suGgcsenaltet. Bei einer Kanstrttlrtioa geritiS 1?ig. t muß ßan gediDclx ,darauf aelrten_r daß die als; !! tote. SleJrtrodcnxufiilirung feeiiie tes
sierc-nde Kräfte nacii oben austüfct.

as

Mit Hilfe der Erfindung; gelingt <m_r. d des Bodens des Reaktionsgefäßes lait ©1κ£aeiie^_? v#toend des Betriebes keine besondere Uberwaeihung verlange-ndeii tli au erreielien.

Bereehung des Fedcrkörpers 7ä in Eig; 2: In folgenden soll ein Beispiel für die Berechnung eines solchen Federkörpers gegeben werden.

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Von den gezeichneten Federkörper mit .gegebenen Durchmesser D wird gefordert! daß sich seine Höhe H unter der vorgegebenen Last P uti S verringert.

Die Last P wird je nach Größe auf 2'π - "Einheitsfederelemonte" gleichmäßig verteilt. s/Im nebenstehenden Bild ist m ^ 2)
Der geforderte Federweg S wird durch die Anzahl η der Biegestäbe eines.. "Einheitsfederelementcs¹¹ erreicht.

Zur Dimensionxerun,g wurde .unter der Voraussetzung,D-^ )> s
ein Berechnungsverfahren ausgearboitet, v/onach foX
Bezeichnung gilt: ' ;

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Hierin bedeutet:

- zulässige Biegespannung"des verwendeten Pedermaterials

E == Elastizitätsmodul des very/endetenFedermat^rials

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.P ~ Belastung der Feder + die Hälfte ihres Eigengewichte£

S ~ der unter der Laut P geforderte Federweg fern;} η ^- Anzahl der Biegestäbe pro Einheitsfederelement m ~ Ansaiii der Einheitsferelcmente (geradzahlig!) 1 = Länge der Biegestäbe fcmj
Bedingung für Gl(i):

di

b = V/andötärka den Federrohres Lern}

~ Hohe der Biegestäbe fern]

- Endstäbe, die das .Federrohr nach oben und unten begrenzen. Ihre Durchbiegung soll vernachlässigter sein gegenüber der von hj_. Deshalb

- Breite der Schlitze zwischen den Bige stäben.

Es mui3 sein:

H ^ Höhe des gesanten Federrohrs

ζ _:h

Die linke Seite der Gl 1 stollt eine Kenngröße des Federrohrs dar, in der festgelegte Bedingungen und Forderungen enthalten sind. Die Konstruktionsgrößen 1 und b sind durch Gl 2 und 3 begrenzt. Die Größen n, ra und h_m sind als Ausgleichsgrößen wählbar.

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Die Gleichungen 4-6 liefern die restlichen Konstrulctionsgrößen. Das Fedorrohr kann gegen Überdehnung geschützt werden, v/enn man für die Endschlitzbreite b = 1 b wählt«

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6 Patentansprüche
3 Figuren

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Claims

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1. Vorrichtung sün tliernfsehen Behandeln von scheibcn-ίϋι-κιΐ·~οη.Körpern für Halbleiterswecke, bei der die zu "behandelnden Scheiben an Boden eines 2ehandlungsrauae^:s-' · angeordnet sind und durch eine unterhalb dieses Bü&ens * befindliche, flächenhaft.-ausgedehnte und mit ihrer Oberseite sich parallel zu den su behandelnden Scheiben er-· streckende Heizvorrichtung auf die Behandlungstemperatur erhitzt wex'den, dadurch gekennseichnot, daß der ebene, aus SiO₂ bestehende, insbesondere eine gleichmäßige V/and stärke aufweisende Boden des Behandlungsgefäßes von unten her durch mindestens einen nit■ «ihn in.unmittelbarer Berührung gehaltenen, ami thermisch beständigerenMaterial als· bestehenden -Stütsk-ürpcx getragen ist*

2. Vori-ichtung nach:Anspruch 1,. dadurch gekennzeichnet, daß dei* Stützkörper federnde Eigonschaften aufweist und/oder federnd getragen ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der den Boden des Behandlungsgefäßes satt anliegende, plattenförnige Stützkörper als Tenperaturaus gleichsplatte ausgebildet ist.

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Unterlagen IAH. ? a I-Mss, a Nr. l Sa« 3 des Andwungsee*. v. 4,9.1967»

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4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet., daß der insbesondere plattenförmige Stützkörper über Distanzstücke aus Berrylliumoxid von der Oberseite den flächonhaft ausgebildeten, seinerseits von federnden Elektrodenzulcitungen gehalterten Heizelementes der Anordnung getragen.v/ird.

. Vorrichtung nach einen der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß der iiisbesondere scheibenförmige Stützkörper den oberen Abschluß eines Hohlzylinders, insbesondere aus Graphit, bildet, dessen Wandung durch mindestens einen Schlitz federnde Eigenschaften erhält.

6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Temperaturausgleichsplatto und Federeler.ent ein möglichst großer Wärmeübergangswiderstand angeordnet ist.

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Leersei f_e