DE1521465C3 - Verfahren zur Herstellung von texturlosem polykristallinen Silicium - Google Patents

Description

sammensetzung des Reaktionsgasgemisches abhängt. Unter dem Ausdruck »beginnende Siliciumcarbidbildung« ist zu verstehen, daß geringe röntgenographisch eben noch nachweisbare Mengen Siliciumcarbids zusammen mit Silicium aus dem Reaktionsgasgemisch abgeschieden werden. Von einem spontanen Einsetzen der Siliciumcarbidbildung unter den genannten Reaktionsbedingungen kann jedoch nicht die Rede sein.

Vorteilhafterweise wird ein Reaktionsgas verwendet, welches ein Gemisch aus Wasserstoff oder Inertgas und einer gemischten, d. h. Kohlenstoff und Silicium enthaltenden Halogenverbindung, wie beispielsweise CH₃SiHCl₂, enthält, oder aber, es wird ein Reaktionsgas verwendet, das aus einem Gemisch von Wasserstoff oder Inertgas und Halogenverbindungen oder Halogenidhydriden von Silicium und Kohlenstoff besteht, beispielsweise ein Gemisch aus Wasserstoff, SiHCl₃ und CH₂Cl₂. Bei einer speziellen Aüsführungsform des Verfahrens gemäß der Erfindung wird das Volumenverhältnis der Ausgangsverbindungen so gewählt, daß der Anteil der siliciumhaltigen Verbindung ein Vielfaches der kohlenstoffhaltigen Verbindung beträgt, beispielsweise bei Verwendung von SiHCl₃ und CH₂Cl₂ ein Verhältnis von 10:1. Auf Grund der hohen Aktivierungsenergie der SiIiciumcarbidbildungsreaktion wird bei der thermischen Zerlegung von Organochlorsilanen, beispielsweise CH₃SiHCl₂, unterhalb eines bestimmten Temperaturbereiches, z. B. bei etwa 1000° C, praktisch reines Silicium, oberhalb eines bestimmten Temperaturbereiches, bei etwa 1300° C, praktisch reines Siliciumcarbid abgeschieden. In dem dazwischenliegenden Bereich ist es je nach den Versuchsbedingungen möglich, Silicium gemeinsam mit Siliciumcarbid aus der Gasreaktion zu gewinnen. An Stelle der Chlorverbindung können selbstverständlich auch andere Halogenverbindungen, wie beispielsweise SiBr₄ oder CHBr₃, verwendet werden.

Als Unterlage eignen sich Körper von beliebiger geometrischer Form, insbesondere Plättchen oder Scheiben aus hitzebeständigem Material, beispielsweise aus isolierenden Stoffen, wie Korund, Geräteporzellan oder Quarz aus Metallen, wie beispielsweise Molybdän, Tantal od. dgl., oder auch aus Halbleiterstoffen, wie beispielsweise Siliciumcarbid oder Silicium.

; Zur Herstellung dünner, trägerfreier Schichten eignet sich insbesondere Quarzglas als Unterlage, das anschließend an die Beschichtung mit konzentrierter Flußsäure abgelöst werden kann.

Die Abscheidung wird zweckmäßigerweise bei einer Temperatur von 1000 bis 1200° C, vorzugsweise bei 1050 bis 1150° C, durchgeführt.

Es wurde festgestellt, daß das durch gleichzeitige Abscheidung von Silicium und Siliciumcarbid hergestellte texturlose, polykristalline Silicium in vielen Eigenschaften weitgehend denen des einkristallinen Siliciums entspricht. Es läßt sich daher nach den in der Halbleitertechnik bekannten Methoden, wie Ätzen, Oxydieren, Legieren, Diffundieren,' Kontaktieren weiterverarbeiten, so daß es für eine Vielzahl art sich bekannter Halbleiterbauelemente wie Transistoren, Gleichrichter od. dgl. verwendet werden •kann. Derartige Siliciumschichten lassen sich beispielsweise nach den bekannten Methoden der Planartechnik weiterverarbeiten. Die Möglichkeit, nach xjem. Verfahren gemäß der Erfindung Schichten von beliebiger geometrischer Formgebung herzustellen, ist besonders für die Herstellung von Festkörperschaltkreisen von Vorteil. Außerdem läßt sich dieses Material zur Herstellung von druckabhängigen Bauelementen, beispielsweise Dehnungsmeßstreifen, Mi-_: krofone u. dgl. anwenden, da es auf Grund der Richtungsunabhängigkeit der elektrischen Eigenschaften nicht notwendig ist, Kristalle bestimmter kristallographischer Orientierung herzustellen -— außerdem

ίο kann die Abscheidung in beliebiger gleichmäßiger Dicke auf verschiedenartigen Unterlagen erfolgen, so daß die geometrischen Abmessungen den Erfordernissen ohne Schwierigkeiten angepaßt werden können. Es ist außerdem im Prinzip möglich, nach dem Verfahren gemäß der Erfindung Silicium in kompakter Form herzustellen, wenn auch das Verfahren für die Herstellung dünner Schichten besonders vorteilhaft ist. Für die Herstellung von kompaktem Silicium bzw. für die Herstellung dickerer Schichten ist dabei dje erheblich größere Aufwachsgeschwindigkeit ohne gleichzeitige Verschlechterung der Materialeigenschaften günstig.

Das nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellte Silicium unterscheidet sich grundsätzlich von dem bei etwa 400 bis 500° C durch thermische Zersetzung von Silanen oder Siliciumsubchloriden in Form von Spiegeln niedergeschlagenen Material. Das bei niedrigen Temperatüren niedergeschlagene Silicium weist an den Korngrenzen der Siliciumkristallite eine Anreicherung von Siliciumoxid auf, die eine erhebliche Beeinträchtigung der elektrischen Eigenschaften bewirkt. Demgegenüber ist in den nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellten Schichten ein Sauerstoffgehalt nicht nachzuweisen, da bei einer Abscheidetemperatur zwischen 1000 und 1200° C der SiO-Partialdruck bereits so groß ist, daß bei der im Reaktionssystem vorliegenden Sauerstoffkonzentration ein Einbau in die sich abscheidenden Schichten nicht mehr möglich ist.

Nähere Einzelheiten der Erfindung werden an Hand der F i g. 1 bis 3 erläutert. ■

In F i g. 1 ist ein stark vergrößertes Gefügebild einer aus texturlosem polykristallinem Silicium bestehenden Schicht dargestellt. Diese Schicht 1 wird aus Siliciumkristalliten 110 gebildet, zwischen denen die Siliciumcarbidpartikeln 120 angeordnet sind.

Durch die gleichzeitige Abscheidung von Silicium und Siliciumcarbid wird erreicht, daß die Siliciumkristallite, die bei der Abscheidung anfallen, ständig durch die eingelagerten Siliciumcarbidpartikeln bzw. durch die bei der Siliciumcarbidabscheidung entstehenden Kohlenstoffeinlagerungen am Weiterwachsen gehindert werden, ohne daß dabei die physikalischen Eigenschaften des abgeschiedenen Siliciums eine merkliche Verschlechterung erfahren. Die Siliciumkristallite sind sehr klein, und außerdem ist ihre kristallographische Orientierung vollkommen willkürlich, so daß in den Schichten eine kristallographisch bedingte Anisotropie irgendwelcher physikalischen Eigenschaften praktisch unmöglich ist. Korngrenzeneffekte, die" sich normalerweise bei den durch Aufdampfen auf eine beliebige Unterlage hergestellten Silciumschichten außerordentlich störend bemerkbar machen, lassen sich bei den aus texturlosem polykristallinem Silicium bestehenden Schichten weitgehend vermeiden. Diese Schichten sind hochglänzend und zeigen — makroskopisch betrachtet — ein völlig isotropes Verhalten. Das

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Verhältnis Silicium zu Siliciumcarbid bzw. Koh- der in Fig. 2 dargestellten. Bei Verwendung von

lenstoff entspricht ungefähr 100:1. Die Korngröße Silicium und Kohlenstoffhalogeniden bzw. Haloge-

der Siliciumkristallite beträgt dabei etwa 10~⁵ bis nidhydriden an Stelle einer Kohlenstoff und Silicium

10~⁷ cm. Die Korngröße der Siliciumpartikeln ist enthaltenden Halogenverbindung, wie dies bei dem

entsprechend kleiner, beispielsweise um den Faktor 5. 5 an Hand der Fig. 2 erläuterten Ausführungsbeispiel

In F i g. 2 ist eine zur Durchführung des Verfahrens beschrieben wurde, ist es vorteilhaft, ein weiteres

gemäß der Erfindung geeignete Apparatur dargestellt. Verdampfergefäß zur Herstellung des Reaktionsgas-

Eine zu beschichtende Unterlage 2 beispielsweise ein gemisches zu verwenden.

Scheibchen aus Geräteporzellan, wird auf einen Heiz- Bei Verwendung von Mischungspartnern, die sich tisch 3 aufgelegt und auf eine Temperatur von bei- io im Dampfdruck nur wenig voneinander unterscheispielsweise 1050° C erhitzt. Bei der Wahl der Unter- den, wie beispielsweise SiHCyCH₂Cl₂; SiCyCHCl₃; lage ist darauf zu achten, daß ihr thermischer Aus- SiBr₄/CHBr₃, kann die Überführung in die Dampfdehnungskoeffizient annähernd dem der abgeschiede- phase auch in einem einzigen Verdampfergefäß er- . nen Schicht entspricht. Außerdem ist es notwendig, folgen.

daß das Material der Unterlage bei der Reaktions- 15 Verwendet man beispielsweise als Reaktionsgas ein temperatur beständig ist, d. h., daß es von den Reak- Gemisch von Wasserstoff, SiHCl₃ und CH₂Cl₂ in tionsgasen bzw. Restgasen nicht angegriffen wird, Der einem Volumenverhältnis von 150:10:1₃ so läßt sich Heiztisch 3 mit der daraufliegenden Unterlage 2 ist in dieses beispielsweise durch Verdampfen aus zwei vereinem Reaktionsgefäß 4 aus Quarz untergebracht. schiedenen Verdampfergefäßen 31 und 32 herstellen. Den unteren Abschluß des Gefäßes bildet der Metall- ao Indem Verdampfergefäß 31 befindet sich dann SiHCl₃ sockel 5, der vorteilhafterweise mit einer in der Figur und in dem Verdampfergefäß 32 CH₂Cl₂ in flüssigem nicht mehr dargestellten Wasserkühlung versehen ist. Zustand. Durch Einhalten einer bestimmten Badtem-Zur Abdichtung des Gefäßes ist ein Dichtungsring 6 peratur in 35 und 36 verdampfen die Halogenverbinvorgesehen. Zur Verbindung des Heiztisches 3 mit düngen und werden mit dem aus dem Vorratsgefäß 33 einer geeigneten Stromquelle dienen die Zuführun- 35 über ein Überdruckventil 34 und die Kühlfalle 37 gegen 7, die isoliert durch den Sockel 5 hindurchgeführt leiteten Wasserstoff vermischt und gelangen durch sind. Die Stutzen 8 und 9 dienen zum Einleiten des den Stutzen 8 in das Reaktionsgefäß 4. Die Menge Reaktionsgasgemisches bzw. zum Ableiten der Rest- der verdampften Halogenverbindungen wird durch gase. Als oberer Abschluß des Reaktionsgefäßes ist die Einstellung der Verdampfungstemperatur geregelt, die plangeschliffene Platte 10 vorgesehen, die die 30 Zur Messung der Strömungsgeschwindigkeit des Repyrometrische Messung der Temperatur der Unter- aktionsgases sind die Strömungsmesser 38, 39 und 40 lage 2 bzw. der Aufwachsschicht 1 ermöglicht. vorgesehen. Es ist günstig, eine Strömungsgeschwin-Das beim Stutzen 8 eintretende Reaktionsgas, bei- digkeit in der Größenordnung von etwa 1 l/min einspielsweise ein Gemisch aus Wasserstoff und einer zustellen. Durch Betätigen der Hähne 41 bis 45 sowie Kohlenstoff und Silicium enthaltenden Halogenver- 35 durch Änderung der Strömungsgeschwindigkeit des bindung, beispielsweise CH₃SiHCl₂, wird im Reak- Wasserstoffs läßt sich eine Variation des Volumentionsgefäß 4 zersetzt. Als Trägergas kann an Stelle Verhältnisses erreichen.

von Wasserstoff in gleicher Weise Inertgas oder ein Das durch den Stutzen 8 in das Reaktionsgefäß 4 Gemisch aus Wasserstoff und Inertgas verwendet einströmende Reaktionsgas wird an der beheizten werden. Auf der Unterlage 2 scheidet sich bei der 40 Unterlage 2, deren Temperatur pyrometrisch beZersetzung des Reaktionsgases eine dünne Schicht 1 stimmt wird, zersetzt. Es kommt zur Abscheidung aus polykristallinem texturlosem Silicium ab. Diese . einer dünnen hochglänzenden Schicht aus polykristal-Schicht zeigt bei stärkster Vergrößerung die an Hand linem Silicium, deren Aufbau bereits in der Fig. 1 der Fi g. 1 beschriebene Beschaffenheit. beschrieben wurde. Die Abscheidungstemperatur bein dem Verdampfergefäß 11 befindet sich eine 45 trägt bei diesem Ausführungsbeispiel 1150⁰C. Bei Silicium und Kohlenstoff enthaltende Halogenverbin- dieser Temperatur beginnt unter den angegebenen dung, beispielsweise CH₃SiHCl₂, in flüssigem Zu- Reaktionsbedingungen die Abscheidung von Siliciumstand. Die Verdampfungsquote dieser Verbindung carbid merklich zu werden. Dadurch werden gleichwird durch die Temperatur des Heizbades 12 ge- zeitig mit dem Silicium feine Siliciumcarbidpartikeln steuert. Der aus dem Vorratsgefäß 13 über ein Über- 50 abgeschieden, die ein Weiterwachsen der primär andruckventil 14 und die Kühlfalle 15 geleitete Wasser- fallenden Siliciumkristallite verhindern. Auf diese stoff wird mit der aus dem Verdampfergefäß stam- Weise läßt sich die willkürliche Anordnung der SiIimenden Halogenverbindung vermischt. Die Menge ciumkristallite aufrechterhalten, so daß das erhaltene der verwendeten Gase wird durch die Strömungs- Material keine bevorzugten kristallographischenRichmesser 16 und 17 bestimmt. 55 tungen aufweist, wodurch erreicht wird, daß die phy-Die Einstellung des Volumenverhältnisses kann sikalischen Eigenschaften des erhaltenen Siliciums in entweder durch die Einstellung der Temperatur des makroskopischen Bereichen richtungsunabhängig Verdampfergefäßes oder durch Betätigen der Hähne sind. Durch die Zugabe von Dotierungsstoffen bzw. 18 bis 20 geregelt werden. Außerdem kann die Ein- deren Verbindungen zum Reaktionsgas lassen sich stellung des Volumenverhältnisses durch eine Ände- 60 die elektrischen Eigenschaften der erhaltenen Schichrung des absoluten Durchsatzes des Wasserstoffs ten in an sich bekannter Weise modifizieren,
bzw. des als Trägergas verwendeten Inertgases ge- An Stelle der genannten Verbindungen lassen sich regelt werden. Als günstig hat sich beispielsweise ein noch weitere silicium- und kohlenstoffhaltige Verbin-Volumenverhältnis von 10 bis 100 Teilen Wasser- düngen bzw. Gemische aus Silicium- und Kohlenstoff zu einem Teil CH₃SiHCl₂ erwiesen. 65 stoffhalogenverbindungen verwenden. Als Trägergase In F i g. 3 ist eine weitere Anordnung zur Durch- eignen sich außer Wasserstoff Inertgase, insbesondere führung des Verfahrens gemäß der Erfindung dar- Edelgase. Wesentlich ist dabei, daß die Reaktionsbegestellt. Diese Anordnung entspricht im wesentlichen dingungen so eingestellt werden, das gleichzeitig'mit

dem Silicium eine geringe Menge von Siliciumcarbid abgeschieden wird. Die Siliciumxarbidmenge soll dabei eine obere Grenze von etwa 2% nicht überschreiten. Sie kann jedoch durch die Zusammensetzung des Reaktionsgases oder durch die Wahl der Abscheidetemperatur gesteuert bzw. beeinflußt werden. Als Unterlage für die Schichten eignen sich außer den in den Ausführungsbeispielen genannten Materialien praktisch alle bei der Abscheidungstemperatur und bei den herrschenden chemischen Reaktionsbedingungen beständigen Materialien, deren Ausdehnungskoeffizient annähernd mit dem Ausdehnungskoeffizienten des abgeschiedenen Siliciums übereinstimmt.

Zur Herstellung dotierter Schichten ist es zweckmäßig, dem Reaktionsgas Dotierungsstoff in entsprechender Konzentration beizufügen. Durch Abscheidung aus einem Gasgemisch aus Wasserstoff und CH₃ · SiHCl₂ in einem Mischungsverhältnis von 50:1 bis 100:1 erhält man bei einem Zusatz von 0,1VoPCl₃ (bezogen auf CH₃ · SiHCl_?) eine n-dotierte Schicht mit einem spezifischen Widerstand von ρ=5 Ohm cm: Die Abscheidung wird bei einer Temperatur von HOO⁰C durchgeführt, wobei die Strömungsgeschwindigkeit 1 I/min beträgt. Als Träger wird eine geschliffene Scheibe aus Geräteporzellan verwendet. Der Ausdehnungskoeffizient des Geräteporzellans beträgt 3 bis 4 · 10~⁶/° C.
Die Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration aus dem Halleffekt ergab bei der entsprechend dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel hergestellten Schicht einen Wert von η = 5 · 10¹⁵ · cm-³. Dieser Wert entspricht einem spezifischen Widerstand

ίο von ρ = 1 Ohm cm. Daraus geht hervor, daß die Abweichung gegenüber dem gemessenen Wert von ρ — 5 Ohm cm verhältnismäßig gering ist. Der Einfluß der Korngrenzen auf den spezifischen Widerstand ist demnach unbedeutend.

is Eine nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellte Diode (Labormuster), deren Kennlinie in Fig. 4 in halblogarithmischer Darstellung wiedergegeben ist, weist eine Dotierung von 4,6 · 10¹⁶ Störatomen χ cm~³ im η-Gebiet und 5 · 10¹⁷ Störatomen χ cmr³ im p-Gebiet auf. Die Durchbruchsspannung beträgt 23 V, der Sperrstrom bei halber Durchbruchsspannung 2,3 · 10~⁷ A, die Stromdichte bei halber Durchbruchsspannung beträgt bei einer Diodenfläche von 0,72 mm 3,2 · 10~⁷ A/mm².

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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Claims (9)

1 _ Λ 2 " ■'■■·■ ■ Patentansprüche· 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, * dadurch gekennzeichnet, daß die. Abscheidung bei

1. Verfahren zum Herstellen von texturlosem einer Temperatur im Bereich von 1000 bis polykristallinem, insbesondere in Form hoch- 1200⁰C, beispielsweise bei 1050 bis 115O⁰C, glänzender dünner Schichten vorliegendem SiIi- 5 durchgeführt wird.

cium für elektrische Bauelemente mit willkürlich

orientierten Siliciumkristalliten, zwischen denen '

feinteilige Siliciumcarbid- und/oder Kohlenstoff- -partikeln eingelagert sind, welches in makro^J

skopischen Bereichen richtungsünabhängige phy- io '
sikalische Eigenschaften aufweist, durch Abschei-

'den aus der Gasphase auf einem beheizbaren Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Träger, dadurch gekennzeichnet, daß Herstellen von texturlosem polykristallinem, insbegleichzeitig jnit dem Silicium Siliciumcarbid aus sondere in Form hochglänzender dünner Schichten einem Wasserstoff oder ein Inertgas, Kohlenstoff, 15 vorliegendem Silicium für elektrische Bauelemente Silicium und ein Halogen enthaltenden Reaktions- mit willkürlich orientierten Siliciumkristalliten, zwigas auf eine Unterlage aus einem unter den Reak- sehen denen feinteilige Siliciumcarbid- und/oder tionsbedingungen beständigen Material abgeschie- Kohlenstoffpartikeln eingelagert sind, welches in maden wird, wobei die Abscheidetemperatur und die kroskopischen Bereichen richtungsunabhängige phy-Zusammensetzung des Reaktionsgemisches auf 20 sikalische Eigenschaften aufweist, durch Abscheiden einen Wert eingestellt wird, bei dem die Silicium- aus der Gasphase auf einen beheizbaren Träger,
carbidbildung eben einsetzt, und daß nur Spuren Aus der USA.-Patentschrift 2 690 409 ist ein Vervon Siliciumcarbid und/oder Kohlenstoff abge- fahren zur Vergütung von Metallteilen bekannt, bei schieden werden, wobei, die Korngröße der SiIi- dem Silicium und Kohlenstoff auch gleichzeitig aus ciumkristallite 10~^s bis 10~⁷ cm beträgt und die 35 der Gasphase niedergeschlagen werden. Dabei findet Korngröße der Siliciumcarbid- und/oder Kohlen- eine Karburierung von Silicium auf der Metalloberstoffpartikeln um den Faktor 5 kleiner ist. . fläche, keine Siliciumkarbidbildung statt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Die bisher bekannten Verfahren zur Herstellung kennzeichnet, daß ein Reaktionsgas verwendet dünner Schichten, bei denen eine Halbleiterschicht wird, das aus einem Gemisch aus Wasserstoff 30 auf einen Isolator aufgedampft wird, zeigen eine oder Inertgas und einer Kohlenstoff und Silicium Reihe von Nachteilen. Die bei diesen Verfahren enthaltenden Halogenverbindung, beispielsweise zwangsweise polykristallin anfallenden Halbleiter-CH₃SiHCl₂, besteht. schichten zeigen vielfach starke Korngrenzeneffekte,

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- so daß sie für die Herstellung von Halbleiterbauelekennzeichnet, daß ein Reaktionsgas verwendet 35 menten wenig geeignet sind. Andererseits erfordert wird, das aus einem Gemisch aus Wasserstoff die Herstellung einkristalliner Halbleiterschichten oder Inertgas und Halogenverbindungen oder durch epitaktisches Aufwachsen die Verwendung Halogenidhydriden von Silicium und Kohlenstoff einer einkristallinen Unterlage aus gleichem Material besteht, beispielsweise ein Gemisch aus Wasser- bzw. aus einem Material, das den gleichen Gittertyp stoff, SiHCl₃ und CH₂Cl₂. 40 und eine annähernd gleiche Gitterkonstante aufweist.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch ge- Um einerseits den Anforderungen der Halbleiterkennzeichnet, daß das Volumenverhältnis der technik zu genügen und ein Material anzugeben, das Halogenverbindungen so gewählt wird, daß der trotz polykristalliner Struktur Eigenschaften aufweist, Anteil der siliciumhaltigen Verbindung ein Viel- die denen von Einkristallen weitgehend entsprechen, faches des Anteils der kohlenstoffhaltigen Ver- 45 und andererseits die Herstellung eines derartigen Mabindung beträgt, beispielsweise bei Verwendung terials durch Abscheiden aus der Gasphase und von SiHCI₃ und CH₂CI₂ den zehnfachen Wert. Niederschlagen auf einer artfremden willkürlich

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, orientierten Unterlage zu ermöglichen, geht man dadurch gekennzeichnet, daß als Unterlage ein zweckmäßigerweise nach dem Verfahren gemäß der scheiben- oder plattenförmiger Körper aus hitze- 50 Erfindung so vor, daß gleichzeitig mit dem Silicium beständigem isolierendem Material, beispielsweise Siliciumcarbid aus einem Wasserstoff oder ein Inertaus Geräteporzellan, Korund oder Quarzglas, ge- gas, Kohlenstoff, Silicium und ein Halogen enthalwähltwird. tendes Reaktionsgas auf eine Unterlage aus einem

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, unter den Reaktionsbedingungen beständigen Madadurch gekennzeichnet, daß als Unterlage ein 55 terial abgeschieden wird, wobei die Abscheidetempescheiben- oder plattenförmiger Körper aus Metall, ratur und die Zusammensetzung des Reaktionsgasbeispielsweise Molybdän oder Tantal, verwendet gemisches auf einen Wert eingestellt wird, bei dem wird. die Siliciumcarbidbildung eben einsetzt, und daß nur

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, Spuren von Siliciumcarbid und/oder Kohlenstoff abdadurch gekennzeichnet, daß als Unterlage ein 60 geschieden werden, wobei die Korngröße der SiIischeiben- oder plattenförmiger Körper aus Halb- ciumkristalle 10~^s bis 10~⁷ cm beträgt und die Kornleitermaterial, beispielsweise Silicium oder SiIi- größe der Siliciumcarbid- und/oder Kohlenstoffparciumcarbid, verwendet wird. tikeln um den Faktor 5 kleiner ist.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, Um bei dieser Reaktion eine optimale Ausbeute zu dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung trä- 65 erreichen, ist es zweckmäßig, die Abscheidetemperagerfreier Schichten die Unterlage nach Beendi- tür auf einen an die Zusammensetzung des Reaktionsgung des Abscheidevorganges durch Abätzen ent- gasgemisches angepaßten Wert einzustellen, da der fernt wird.

Beginn der Siliciumcarbidabscheidung von der Zu-