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DE1519851B2 - Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen nach dem Flammenschmelzverfahren - Google Patents

Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen nach dem Flammenschmelzverfahren

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Publication number
DE1519851B2
DE1519851B2 DE19661519851 DE1519851A DE1519851B2 DE 1519851 B2 DE1519851 B2 DE 1519851B2 DE 19661519851 DE19661519851 DE 19661519851 DE 1519851 A DE1519851 A DE 1519851A DE 1519851 B2 DE1519851 B2 DE 1519851B2
Authority
DE
Germany
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melt
crystal
flame
height
level
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19661519851
Other languages
English (en)
Other versions
DE1519851A1 (de
Inventor
Kenichi; Saito Seiichi; Tokio Shiroki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Publication of DE1519851A1 publication Critical patent/DE1519851A1/de
Publication of DE1519851B2 publication Critical patent/DE1519851B2/de
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/08Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
    • C30B11/10Solid or liquid components, e.g. Verneuil method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • C30B29/26Complex oxides with formula BMe2O4, wherein B is Mg, Ni, Co, Al, Zn, or Cd and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co, or Al
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Description

1 2
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Her- gemessen. Da die Wandung des Muffelzylinders eine Stellung von Einkristallen nach dem Flammen- gewisse Wärmekapazität hat, können sich Inhomoschmelzverfahren mit einer Kristallzieheinrichtung, genitäten und kurzzeitige Störungen der Strahlung einem . Ziehmotor für die Höhenverstellung des der Schmelze nicht auf die Messung auswirken, weil wachsenden, innerhalb eines Muffelzylinders angeord- 5 hierdurch die Temperatur der Innenwandung des neten Einkristalls, an dessen oberem Ende sich die Muffelzylinders nicht beeinflußt wird.
Schmelze befindet, und mit einem Thermoelement, Ausgedehnte Versuche haben gezeigt, daß die
das in Abhängigkeit vom Höhenstand der Schmelze Regelung schnell anspricht und den Kristallkopf so auf den Ziehmotor einwirkt, daß der Höhenstand gleichmäßig nachführt, so daß die Homogenität des gleichbleibt. ίο gezogenen Rubinkristalls merklich größer als bei
Nach dem Flammenschmelzverfahren läßt man ein einem Rubineinkristall ist, der nach einer bekannten feinkörniges Rohmaterial in eine Sauerstoff-Wasser- Verfahrensweise hergestellt ist.
stoff-Flamme oder in einen Plasmastrahl herabtrop- Die Erfindung ist im folgenden im Zusammenhang
fen, damit das Rohmaterial schmilzt und sich auf mit der Herstellung eines Rubineinkristalls erläutert, einem Sockel aus feuerfestem Stoff anhäuft; man 15 Selbstverständlich ist die Erfindung auch bei entkann dabei mit oder ohne Keimkristall arbeiten. ' sprechenden Kristallzieheinrichtungen für Ein-
Die deutsche Auslegeschrift 1 198 323 beschreibt kristalle anderer Zusammensetzung anwendbar,
eine Vorrichtung zum Herstellen von Kristallen nacn Die Erfindung wird unter Bezugnahme auf eine
dem Flammenschmelzverfahren, wo der gebildete bevorzugte Ausführungsform an Hand der Zeichnung Einkristall aus der Flammenzone nach oben abgezo- 20 erläutert. Es zeigt
gen wird. Die Regelung der Abzugsgeschwindigkeit Fig. 1 eine schematische Darstellung der wesent-
erfolgt durch Messung der Schmelzzone an den Kri- liehen Bauteile einer Kristallzieheinrichtung unter stall mit Hilfe einer lichtelektrischen Einrichtung. Da Anwendung des Flammenschmelzverfahrens und
die Strahlung der Schmelze an den Kristallkopf star- F i g. 2 eine Kennlinie der Temperatur des Muffel-
ker als die Strahlung der Flamme ist, läßt sich damit 25 Zylinders in Abhängigkeit von dem Höhenstand des die Schmelzzone erfassen. Kristallkopfes.
Die schweizerische Patentschrift 383 011 beschreibt In Fig. 1 erkennt man einen wachsenden Rubinein Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von einkristall 1, einen Sockel 2 aus feuerfestem Stoff zum Halbleitermaterial. Auch dabei wird die Schmelzzone Halten des wachsenden Einkristalls, einen Motor 4 lichtelektrisch erfaßt und danach die Höhenverstel- 30 zum Antrieb eines Getriebes 3 für das Anheben und lung des Einkristalls geregelt. Absenken des Sockels, ein Pt-Pt/Rh-Thermoele-
Die USA.-Patentschrift 2 692456 beschreibt eine ment 5, das in den Muffelzylinder 7 in einer Höhe Vorrichtung zur Herstellung künstlicher Edelsteine, etwas oberhalb des gewünschten Sollhöhenstandes wo die Kristallbildung in einer Flammenzone erfolgt. der Schmelze im Bereich des Kristallkopfes eingebaut Die gebildeten Einkristalle werden nach unten abge- 35 ist, einen Höhenstandsregler 6 zur Steuerung des Mosenkt. Die Flammenzone und die Schmelze am Kopf tors 4, wodurch derselbe in Abhängigkeit von der der Einkristalle wird auf lichtelektrischem Wege ver- elektromotorischen Kraft des Thermoelements einmessen. geschaltet oder abgeschaltet wird, sowie einen Muf-
Es hat sich gezeigt, daß in der den wachsenden felzylinder7 als Teil der Kristallzieheinrichtung, zu Kristallkopf und damit die Schmelze umgebenden 40 der ferner ein nicht dargestellter Brenner sowie wei-Flamme ein steiler Temperaturgradient herrscht, der tere Teile gehören.
in einer Sauerstoff-Wasserstoff-Flamme bis zu 1000C/ Die Schmelzzone an dem wachsenden Kopf des
cm betragen kann. Die Temperaturverteilung ändert Rubineinkristalls wird durch eine Flamme auf Weißsich damit bei einer Höhenänderung der Schmelze glut erhitzt, so daß sie Wärmestrahlung aussendet,
sehr stark. Dieser Temperaturgradient beeinflußt den 45 Da der den wachsenden Kristallkopf umgebende Lichtweg sehr stark. Hinzu kommen Störungen durch Bereich der Muffelwandung viel stärker von der das pulverförmige Rohmaterial sowie Flackererschei- Strahlung aus der Schmelze als von der Strahlung der nungen infolge des Verbrennungsvorgangs sowie in- Flamme selbst erhitzt wird, worauf bereits hingewiefolge des Herabfallens von Rohmaterial. Dadurch sen, nimmt die thermoelektrische Kraft des in die wird die von der Schmelze ausgesandte Lichtmenge 50 Muffelwandung eingebauten Thermoelements in dem beeinflußt, so daß die Messung dieser Lichtmenge Maße zu oder ab, wie sich die Schmelzzone dem fehlerbehaftet sein kann. Schwankungen der Höhenniveau des Thermoelements nähert bzw. davon Schmelze gegenüber der Sollhöhe bedingen in dem entfernt. Dabei ergibt sich eine eindeutige Entsprefertigen Kristall thermische Spannungen und In- chung der gemessenen Temperatur bzw. der thermohomogenitäten. 55 elektrischen Kraft und dem Höhenstand der Schmelze.
Aufgabe der Erfindung ist die Ausschaltung dieses F i g. 2 zeigt eine Kennlinie der thermoelektrisch
nachteiligen Einflusses von kurzfristigen Schwankun- gemessenen Temperatur in Abhängigkeit von dem gen der Strahlung der Schmelze. Höhenstand der Schmelze auf dem wachsenden Kri-
Diese Aufgabe wird nach der Erfindung dadurch stallkopf, die im Rahmen einer Versuchsreihe beim gelöst, daß das Thermoelement oberhalb des Höhen- 60 Wachstum eines Rubineinkristalls gemessen wurde. Standes der Schmelze in die Innenwand des Muffel- In Fig. 2 ist die thermoelektrische Temperaturzylinders zur Messung der Temperatur dieser Wand anzeige (die der thermoelektrischen Kraft proportioeingebaut ist. nal ist) auf der Ordinate und der Höhenstand des
Die Erfindung greift also zu einer indirekten Tem- Kristallkopfs auf der Abszisse aufgetragen,
peraturmessung, indem die Temperatur der Innen- 65 Der stetige Anstieg dieser Kurve in einer Richtung wandung des Muffelzylinders gemessen wird, die von läßt erkennen, daß die Größe der Wandungstempeder Temperatur der Schmelze abhängt. Es wird nicht ratur hauptsächlich auf die Temperaturstrahlung der unmittelbar die Temperaturstrahlung der Schmelze Schmelze zurückzuführen ist. A und B geben jeweils
den Sollhöhenstand für den wachsenden Kristallkopi und die entsprechende Anzeigetemperatur des Thermoelements an.
Zur Konstanthaltung des Höhenstandes der Schmelze und damit des wachsenden Kristallkopfes S auf einem Sollwerte braucht man lediglich den Höhenstandsregler 6 so einzustellen, daß der Motor 4 erregt wird, wenn die thermoelektrische Kraft des Thermoelements 5 infolge eines Anwachsens des Einkristalls 1 über den Sollhöhenstand A den Wert überschreitet. Infolge der Erregung des Motors 4 von seiten des Höhenstandsreglers 6 aus wird der Sockel 2 abgesenkt. Wenn andererseits der Höhenstand des wachsenden Kristallkopfes unter den Sollwerte absinkt und damit die thermoelektrische Kraft kleiner als der Wert B wird, schaltet der Höhenstandsregler 6 den Motor ab, bis der weiterwachsende Kristallkopf wieder den Sollhöhenstand A erreicht.
Die Ein-Aus-Schaltung des Motors erfolgt während des Kristallwachstums wiederholt, damit die Schmelze am Kopf des Rubineinkristalls immer im wesentlichen auf dem Sollhöhenstand bleibt. Diese Arbeitsweise wird durch die in einer Richtung ansteigende Kennlinie nach F i g. 2 ermöglicht, die eine eindeutige Beziehung zwischen Temperatur und Höhenstand darstellt.

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen nach dem Flammenschmelzverfahren mit einer Kristallzieheinrichtung, einem Ziehmotor für die Höhenverstellung des wachsenden, innerhalb eines Muffelzylinders angeordneten Einkristalls, an dessen oberem Ende sich die Schmelze befindet, und mit einem Thermoelement, das in Abhängigkeit vom Höhenstand der Schmelze so auf den Ziehmotor einwirkt, daß der Höhenstand gleichbleibt, dadurch gekennzeichnet, daß das Thermoelement (5) oberhalb des Höhenstandes der Schmelze in die Innenwand des Muffelzylinders (7) zur Messung der Temperatur dieser Wand eingebaut ist.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DE19661519851 1965-11-13 1966-11-10 Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen nach dem Flammenschmelzverfahren Pending DE1519851B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6967265 1965-11-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1519851A1 DE1519851A1 (de) 1970-02-26
DE1519851B2 true DE1519851B2 (de) 1970-11-19

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ID=13409554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19661519851 Pending DE1519851B2 (de) 1965-11-13 1966-11-10 Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen nach dem Flammenschmelzverfahren

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DE (1) DE1519851B2 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6041036B2 (ja) * 1982-08-27 1985-09-13 財団法人 半導体研究振興会 GaAs浮遊帯融解草結晶製造装置
CN107236992B (zh) * 2017-07-14 2019-11-29 大连大学 一种焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE594105A (de) * 1959-08-17
US3190728A (en) * 1960-10-27 1965-06-22 Ronette Piezo Electrische Ind Apparatus for melting material by means of a flame of elevated temperature
US3314769A (en) * 1963-05-08 1967-04-18 Union Carbide Corp Arc process and apparatus for growing crystals

Also Published As

Publication number Publication date
CH453311A (de) 1968-06-14
US3446602A (en) 1969-05-27
DE1519851A1 (de) 1970-02-26

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