DE1769860A1 - Vorrichtung zum Ziehen von versetzungsfreien Halbleitereinkristallstaeben - Google Patents
Vorrichtung zum Ziehen von versetzungsfreien HalbleitereinkristallstaebenInfo
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Description
68/2663
Torrichtung zum Ziehen von vereetzungsfreien Halbleiter-
einkristallstttben
Di· Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Ziehen ron vereetzungsfreien
Halbleitereinkristallstäben nach der Czochralskymethode
mit einem das Schneizgnt aufnehmenden, durch einen
widerstandsbeheizten Strahlungsofen aufheizbaren Schmelztiegel.
Tn der Halbleitertechnik gewinnt die Herstellung ron Planarbauelementen
immer mehr Bedeutung. Dazu ist es notwendig, daß dünne Halbleiterschiehten aus Germanium oder Silicium durch
epitakt!sehe Aufwachsprozesse hergestellt werden. Zur Herstel-
109846/1735
lung dieser epitaktisehen Schichten werden SubetrmtkSrper rerwendet,
die sich durch eine definierte elektrische Leitfähigkeit und höh·
Kristallperfektion auszeichnen. Diese Substratkristalle lassen sich an besten durch Ziehen aus der Schneise herstellen.
Für das störungsfreie Aufwachsen βυΐtaktischer Schichten ist also
innerlichst ungestörtes Substratmaterial erwünscht. Die Ver set Bungedichten sollen möglichst niedrig sein. Thermische Yerepannungen
sind die Hauptursach· für die Entstehung dieser Yersetsungen.
Es 1st also beim Ziehen dieser Kristalle τοη großer Wichtigkeit, daß einmal die Wärmemenge, die über die Phaaengrenxe in den
W Kristall gelangt, und andererseits die freiwerdende Brstarrungswärme
gut abgeführt werden. Außerdem muß die Abkühlung des Kristalle so
Tor sich gehen, daß keine wesentlichen Vorspannungen la Kristall
selbst auftreten können.
Ziel der rorllegenden Erfindung ist, die die Temperaturrerhältnlsse in der Schneise und im Kristall beeinflussenden Apparatekonstanten so aufeinander abaustimmen, daß keine wesentlichen
Yerspannungen auftreten und dadurch die VersetxungsAlchte im
gezogenen Kristall möglichst niedrig gehalten werden kann. Ss
muß dafür gesorgt werden, daß während das Kristallslehnroseseeβ
•in· Torwiegend axial nach oben durch das Yolueen des Kristalls
fc gerichteter Wärmeflui erzielt wird.
Dies wird nach der Lehre der Erfindung durch eine Krlstallaleh-Torrlchtung erreicht, die dadurch gekennzeichnet 1st, dal ein
■it einem Strahlungsechuteeylinder umgebener, topffirmiger
Strahlungsofen angeordnet 1st, der die Tiegelwandungen allseitig umeohlieft, dal am oberen Rand des Schmelztiegelβ eine
ringförmig·, dem Innendurchmesser des Tiegels unt den !uferen Abmessungen der Strahlungstohutisyllnder angepalte. In der
Höh· kontinuierlich rersehiebbare Blende angebracht lat und
daß eine Kelmhalt«rung rerwendet 1st, die mit einer gekühlten
Ziehw·!!· gekoppelt 1st.
109846/1736
V ".JiIlHISM: »■■'■,!".■ .eWSTil.'!? £■!'
176986Q
In einer Weiterbildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, zur Erzielung einer geringen Wärmekapazität einen glockenförmigen,
relativ dünnwandigen Tiegel aus Graphit zu verwenden, in dem ein dünnwandiger Tiegel aus Quarz eingesetzt wird, der
das Schmclzgut enthält. Dabei hat es sich als zweckmäßig erwiesen,
wenn sich die Dicke der Tiegelwandung des Graphittiegels am oberen Rand zu der Dicke am Boden wie 1:3 verhält.
Gemäß einem besonders günstigen Ausführungsbeispiel besteht der topfförroige Strahlungsofen aus Graphit und ist in der
üblichen T/cisc mit Schlitzen versehen, so da3 ein iaäanderförmigcr
Stromverlauf resultiert, der insbesondere in den Bodenlammellen eine größere Heizleistung bewirkt. J]s kann aber
auch eine solche Anordnung gewählt werden, bei derder widerst
and sbeheizte Strahlungsofen aus zwei Teilen, nämlich einem i
zylindrischen Teil und einem flachen Bodenteil, besteht,die ebenfalls in der entsprechenden Weise geschlitzt sind.
Für die beiden Teile des Strahlungsofens können getrennt regelbare
Wärmequellen verwendet werden.
In einer Weiterbildung des Hrfindungsgednnkens wird eine ringförmige
Blende aus Molybdän verwendet. Sie Blende kann auch aus zwei Hälften bestehen, die in einer Ubene voneinand.der
entfernbar sind. Durch die ringförmige Blende, deren Innendurchmesser nur Y/enig kleiner als der des Schmelztiegels ist
und deren Außendurchmesser den Abmessungen der um den Strahlungsofen
angeordneten Strahlungsschutzzylinder entspricht, ' wird erreicht, daß die Viand des Schmelztiegels so heiß gehalten
v/ird, daß kein Niederschlag von SiO bei Verwendung von Silicium
al3 Halbleitermaterial am Tiegel entsteht.
Me Wärmeabfuhr in axialer Richtung wird über eine Keimhalterung
erreicht, die guten thermischen Kontakt einerseits zum Kristall, andererseits zu einer wassergekühlten Ziehwelle hat,
deren Durchmesser zweckmäßigerweise dem Durchmesser des zu
ziehenden Kristalls angepaßt ist. Die Wärmeableitung wird unterstützt, wenn die Kupplung der Keimhalterung konusförinig
ausgebildet ist.
109846/1735 ~4~
SAD ORIGINAL
PA 9/493/932
Durch die der Erfindung zugrundeliegenden Vorrichtung gelingt es,
in rationeller Weise auch ohne großen Aufwand praktisch versetzungöfreie
Einkristalle mit einem Durchmesser von mehr als 30 mm in guter Ausbeute herzustellen.
Anhand der Figuren 1 und 2, in welcher eine Vorrichtung zum Ziehen eines Halbleiterkristails entsprechend der Lehre der
Erfindung dargestellt ist, sollen weitere Einzelheiten noch näher erläutert v/erden.
Pig.1: In einem glockenförmigen Tiegel 1 aus Graphit, welcher
an seinem oberen Rand eine Wandstärke von ca. 3 mm und an seinem unteren Ende eine Bodenstärke von ca. 10 mm aufweist,
befindet sich in einem Quarztiegel 2 eine mit der entsprechenden Dotierung versehene Siliciumschmelze 3· Der zur Erzielung
einer geringen Wärmekapazität relativ dünnwandig ausgebildete Graphittiegel 1 wird durch einen topfförmigen Strahlungsofen
aus Graphit umgeben, welcher dafür sorgt, daß die Schmelze 3 nicht nur von der Seite, sondern überwiegend von unten erhitzt
wird.
Da der den Quarztiegol 2 enthaltende Tiegel 1 mit dem Schmelzgut
3 nahe dem oberen Rand des Strahlungsofens 4 stehen muß, um den gewünschten Wärßmefluß zu erzielen, ist es notwendig,
die \7and des Quarztiegols 2 so heiß zu halten, daß ein unerwünschter
Niederschlag von SiO am oberen Tiegelrand vermieden wird. Hierzu dient eine ringförmige Blende 5 aus Molybdän,
deren Innendurchmesser nur wenig kleiner als der des Quarztiegels 2 ist. Ihr Außehdurchmesser entspricht dem um den
Strahlungsofen 4 angeordneten Strahlungsschutzzylindern 6 und 7 aus Molybdän. Die ringförmige Blende 5 ist in der Höhe
kontinuierlich verstellbar, was in der Zeichnung durch den Doppelpfeil 8 angedeutet werden soll. Während des Schmolzvorgangs
ist der Tiegel mit einem wegschwenkbaren Molybdändeckel abgedeckt (in der Zeichnung nicht dargestellt). Bei Beginn
des Ziehprozesses sitzt die Blunde 5 den Strahlungszylindern
und 7 dicht auf und verhindert nach Entfernung des Deckels
■ - 5 109846/1735
BAD ORIGINAL
■■■■ ; ■:■ 5' ·.■ /■■■■.
den Ansatz von SiO am Tiegel 2, Bei absinkendem Niveau der
Schmelze.; 3 mit zunehmender Kristallänge "besteht die. Gefahr der
Sublimatbildung nicht mehr; statt dessen erhöht sich die Abstrahlung
von den Tiegelwänden auf den gezogenen Kristall 9» wodurch die Wärmeabfuhr"»- trotz Tiegelnachschub - erschwert
wird, Nach der lehre der Erfindung wird deshalb die Blende in Kombination mit dem Tiegelnachschub nach oben bewegt, so daß
die Rückstrahlung auf die Tiegelwände verringert wird.
Die Wärmeabfuhr in axialer Sichtung erfolgt über eine drehbar
(Pfeil 15) ausgebildete Keimhaiterung 10, die guten, thermischen
Kontakt einerseits zum Kristall 9, andererseits·zu der mit
lTasser gekühlten Ziehwolle 11 hat. Die !»feile 12 zeigen die ·
y/asaerströmungsriehtung an. Der Durchmesser der Ziehwelle 11
wird dem Durchmesser des zu ziehendem Kristalls 9 angepaßt. Die Wärmeableitung in axialer Richtung wird dadurch verbessert,
daß eine Überwurfmutter 13 großer Masse.weit-über die gekühlte
Ziehweile 11 hinaufgreift.
Als Keimkristalle 14 werden versetzungsfreie Kristalle von mehr
als 10 mm 0 verwendet, die es erlauben, auf den üblichen "Hals" beim Ziehen zu verzichten, so daß keine zusätzliche Wärmebremse
entsteht.
Pig. 2 zeigt in Draufsicht, unter Yfeglassung sämtlicher in ι
Pig. 1 btBciiriDbenen Teile den topfförmigen Tiegel 4· ■
Pio Binstollung der bolm Kriatallzifhen sonst noch üblichen
..Parameter «to Ziehge8oHwindigkeit»ROtötion, Tiegelnachöchub
und Schutzgjasatmoophäre erfolgt wie!bei bekannten Verfahren.
14 Patentanpprucho
t figur
t figur
109846/1735 " 6 ~
BAD ORiGIMAL
Claims (13)
1. Vorrichtung zum Ziehen von versetzungsfreien llalbleitercinkristallö.täben
nach der Czochralskymothode mit einem das Schmelzgut aufnehmenden, durch einen widerstandsbeheizten
Strahlungsofen aufheizbaren Schmelztiegel, dadurch gekennzeichnet, daß ein mit einem Strahlungsschutzzylinder umgebener,
topfförmiger Strahlungsofen angeordnet ist, der die Tiogolwandungen allseitig umschließt, daß am oberen Rand
des Schmelztiegels eine ringförmige, dem Innendurchmesser des Tiegels und den äußeren Abmessungen der Strahlungsschutzzylinder
angepaßte, in der Höhe kontinuierlich verschiebbare Blende angebracht ist und daß eine Keimhalterung
verwendet ist, die mit einer gdcühlten Ziehwelle gekoppelt ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein glockenförmiger, relativ dünnwandiger Tiegel aus Graphit
verwendet ist, in den ein dünnwandiger Tiegel aus Quarz eingesetzt wird, der das Schmelzgut enthält.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
Dicke der Tiegelwandung des Graphittiegels am oberen Rand
zu der Dicke am Boden sich wie etwa 1:3 verhält.
4. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche T bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Strahlungsofen aus Graphit
. vorwendet ist. s ΐ
-.■"■■■.-■"■-""■■ " "■ .■ ■ ■ sy.'- ".·'·■ ·. ^
5. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, da0 ein mit Schlitzen versehener
. Strahlungsofen-.-.verwendet ist, so daß ein mäanderföriftiger
Stromverlauf resultiert» der insbesondere in den Bei denlamellen
eine größere Heizleistung bevdrkt. ;■ ;
6. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der widerstandsbeheizte Strahlungs-
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8AD ORIGINAL
ofen aus einem zylindrischen Teil und einen flachen Bodenteil
besteht.
7. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 "bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß sowohl der zylindrische Teil als auch der flache Bodenteil mit entsprechenden Schlitzen
versehen ist.
8. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche I bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß für die beiden Teile des Strahlungsofen getrennt regelbare \7ärmequellen vorgesehen
sind.
9. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß eine aus Molybdän bestehende ringförmige
Blende verwendet ist.
10. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die Blende aus zwei Hälften besteht,
die in einer Ebene voneinander entfernbar sind.
11. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß eine mit Wasserkühlung versehene Ziehwelle verwendet ist.
12. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser der Ziehwclle dem
Durchmesser des zu ziehenden Kristalls angepaßt ist.
13. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 12,
dadurch gelcennzeichnet, daß zwischen Keimhalterung und Ziehwelle
zur Erzielung eines maximalen 'Wärmeübergangs eine . * ■
Konuskopplung verwendet ist, die den Kristall mit einer relativ großen gekühlten Masse in Verbindung bringt.
H. Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 13
109 84 67,1 7.3 5 _ ö _
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gekennzeichnet durch die Verwendung veraetzungsfreler
Kristalle mit einem Durchmesser größer 10 mm als Keimkristalle.
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BAD ORIGINAL
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| DK402869A DK123696B (da) | 1968-07-26 | 1969-07-24 | Apparat til trækning af fejlstedfrie halvlederenkeltkrystalstave. |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3530231A1 (de) * | 1984-08-24 | 1986-02-27 | Sony Corp., Tokio/Tokyo | Vorrichtung zum ziehen von einkristallen |
| DE3743880A1 (de) * | 1986-12-26 | 1988-07-14 | Toshiba Ceramics Co | Siliziumeinkristall-hochziehvorrichtung |
| US5207992A (en) * | 1986-12-26 | 1993-05-04 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Silicon single crystal pulling-up apparatus |
| DE19754961A1 (de) * | 1997-12-11 | 1999-06-17 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zum Halten eines Kristallblockes |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4116642A (en) * | 1976-12-15 | 1978-09-26 | Western Electric Company, Inc. | Method and apparatus for avoiding undesirable deposits in crystal growing operations |
| US4190630A (en) * | 1978-01-03 | 1980-02-26 | Vsesojuzny Nauchno-Isslekovatelsky Institut Monokristallov Stsintillyatsionnykh Materialov I Osobo Chistykh Khimicheskikh Veschestv | Apparatus for pulling single crystals from melt |
| DE3005492C2 (de) * | 1980-02-14 | 1983-10-27 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur Herstellung reinster Einkristalle durch Tiegelziehen nach Czochralski |
| US4390505A (en) * | 1981-03-30 | 1983-06-28 | Mobil Solar Energy Corporation | Crystal growth apparatus |
| US4608473A (en) * | 1982-05-28 | 1986-08-26 | At&T Technologies, Inc. | Modified zirconia induction furnace |
| US4450333A (en) * | 1982-05-28 | 1984-05-22 | At&T Technologies, Inc. | Zirconia induction furnace |
| US4594127A (en) * | 1984-09-17 | 1986-06-10 | General Signal Corporation | Method and apparatus for growing crystals |
| US5180562A (en) * | 1987-10-03 | 1993-01-19 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for pulling monocrystals |
| US6457434B1 (en) * | 2001-02-22 | 2002-10-01 | Rosita de Keersmaeker | Wet/dry tissue dispenser |
| US8263914B2 (en) | 2008-08-27 | 2012-09-11 | AMG IdealCast Corporation | Cartridge heater and method of use |
| CN118745592B (zh) * | 2024-06-25 | 2025-04-15 | 青岛华芯晶电科技有限公司 | 一种传动旋转移动式晶体生长高压炉 |
-
1968
- 1968-07-26 DE DE19681769860 patent/DE1769860A1/de active Pending
-
1969
- 1969-07-24 GB GB3725569A patent/GB1222465A/en not_active Expired
- 1969-07-24 DK DK402869A patent/DK123696B/da unknown
- 1969-07-25 FR FR6925536A patent/FR2013820A1/fr not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3530231A1 (de) * | 1984-08-24 | 1986-02-27 | Sony Corp., Tokio/Tokyo | Vorrichtung zum ziehen von einkristallen |
| DE3743880A1 (de) * | 1986-12-26 | 1988-07-14 | Toshiba Ceramics Co | Siliziumeinkristall-hochziehvorrichtung |
| US5207992A (en) * | 1986-12-26 | 1993-05-04 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Silicon single crystal pulling-up apparatus |
| DE19754961A1 (de) * | 1997-12-11 | 1999-06-17 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zum Halten eines Kristallblockes |
| EP0947612A3 (de) * | 1997-12-11 | 2000-07-12 | Leybold Systems GmbH | Vorrichtung zum Halten eines Kristallblockes |
| US6126746A (en) * | 1997-12-11 | 2000-10-03 | Leybold Systems Gmbh | Device for holding a crystal block |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1222465A (en) | 1971-02-17 |
| FR2013820A1 (de) | 1970-04-10 |
| DK123696B (da) | 1972-07-24 |
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