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DE1590768B2 - Verfahren zur Herstellung einer zu sammenhangenden dünnen, metalleitenden Widerstandsschicht auf einem isolieren den Tragkörper - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer zu sammenhangenden dünnen, metalleitenden Widerstandsschicht auf einem isolieren den Tragkörper

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Publication number
DE1590768B2
DE1590768B2 DE1590768A DE1590768A DE1590768B2 DE 1590768 B2 DE1590768 B2 DE 1590768B2 DE 1590768 A DE1590768 A DE 1590768A DE 1590768 A DE1590768 A DE 1590768A DE 1590768 B2 DE1590768 B2 DE 1590768B2
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DE
Germany
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metal
support body
resistance layer
metal areas
areas
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DE1590768A
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English (en)
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DE1590768A1 (de
DE1590768C3 (de
Inventor
Douglas Eugene Lood
John Langley Hermosa Beach Rogers
Rueben Spencer Spriggs
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp
Original Assignee
TRW Inc
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Publication date
Application filed by TRW Inc filed Critical TRW Inc
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Publication of DE1590768B2 publication Critical patent/DE1590768B2/de
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer zusammenhängenden dünnen, metalleitenden Widerstandsschicht auf einem isolierenden Tragkörper durch zunächst durchgeführtes Niederschlagen von Metallbereichen auf dem Tragkörper.
Es ist bereits ein Verfahren der erwähnten Art nach der deutsehen Patentschrift 870 433 bekannt, bei welchem die gewünschte Hochohmigkeit durch Bildung von poröseren (neben kompakteren) Schichtbereichen herbeigeführt wird, wobei vorher angebrachte Metallbereiche als »Keime« dienen.
Bei der Herstellung von dünnen Widerstandsschichten kann die Materialdicke der metalleitenden Schicht nicht beliebig gering gemacht werden. Vom Gesichtspunkt der Unempfindlichkeit, der Beständigkeit der Kennwerte sowie der Reproduzierbarkeit ist ein solcher Widerstand am günstigsten, bei welchem — bei vorgegebener Länge des stromleitenden Weges sowie vorgegebenem leitendem Querschnitt — beide Querschnittsdimensionen möglichst gleich groß sind und nicht die eine Dimension (Schichtdicke) sehr klein gegenüber der anderen Dimension (Schichtbreite) ist. ao Bei gleichmäßiger Verteilung einer metalleitenden dünnen Widerstandsschicht auf die Fläche des isolierenden Tragkörpers kann diese Forderung nicht ausreichend erfüllt werden, wenn sehr hohe Widerstandswerte gefordert werden. Bei einer anderen Kategorie von Widerstandselementen, beispielsweise nach der USA.-Paientschrift 3 052 573, ist die Widerstandsschicht nicht metalieitend, sondern besteht vielmehr aus einem halbleitenden Material. Derartige Widerstandsschichten sind jedoch hinsichtlich zufriedenstellender Alterungsbeständigkeit problematisch und werden auch nicht als dünne Widerstandsschichten, sondern in verhältnismäßig großer Dicke hergestellt. Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines gegenüber dem an erster Stelle abgehandelten bekannten Verfahren weitergebildeten Verfahrens, das ohne den Zwang zur Inkaufnahme unerwünschter Eigenschaften die Herstellung hochohmiger, metalleitender Dünnschichtwiderstandselemente ermöglicht. Erreicht wird dies durch die Gesamtheit der folgenden Verfahrensschritte:
a) Die Metallbereiche werden in geringer Größe, dicht benachbart, aber mechanisch und elektrisch voneinander getrennt und aus leicht oxydierbarem Metall aufgebracht;
b) alle frei liegenden Oberflächen der Metallbereiche werden mit einer nichtleitenden Oxidschicht versehen ;
c) senkrecht zu der Oberfläche des Tragkörpers wird die Widerstandsschicht mit überall gleicher Dichte auf und zwischen die oberflächenisolierten Metallbereiche aufgedampft, und zwar in einer Dicke, die geringer ist als die der Metallbereiche.
Das erfindungsgemäße Verfahren führt in technisch
fortschrittlicher Weise zu einer Vielzahl verästelter Stromwege von verhältnismäßig großer Schichtdicke, weiche hinsichtlich Alterungsbeständigkeit und Rauscheffekt ein sehr günstiges Verhalten zeigen.
Der vorangehend unter a) genannte Verfahrensschritt läßt sich in Anlehnung an bekannte technische Verfahren durchführen, wie es beispielsweise der USA.-Patentschrift 2 296 616 zu entnehmen ist, wo das Zerreißen einer Aluminiumoxidschicht durch Erhitzen einer Unterlage beschrieben ist, um lichtempfindliche Schichten herzustellen.
Metallische Träger vor Aufbringung der Widerstandsschicht ähnlich dem unter b) genannten Verfahrensschritt mit einer Oxidschicht zu versehen, ist aus der USA.-Patentschrift 3 165 672 an sich bekannt.
Die Erfindung ist nachstehend an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 einen isolierenden Tragkörper für ein Widerstandselement nebst darauf aufgebrachten nicht in Berührung stehenden Metallbereichen in Draufsicht, Fig. 2 einen Schnitt längs der Linie 2-2 von Fig. 1,
Fig. 3 den Tragkörper von Fig. 2, 2 nach Aufbringen einer nichtleitenden Oxidschicht auf die frei liegenden Oberflächen der Metallbereiche in einer Darstellung ähnlich Fig. 2,
Fig. 4 den Tragkörper nebst mit Oxidschichten versehenen Metallbereichen gemäß Fig. 3 nach Aufdampfen einer Widerstandsschicht zwischen die oberflächenisolierten Metallbereiche, in Draufsicht ähnlich Fig. 1,
Fig. 5 einen Schnitt längs der Linie 5-5 von Fig. 4 nebst einer zugeordneten elektrischen Überwachungsschaltung.
Das erfindungsgemäße Verfahren geht von einem plattenförmigen isolierenden Tragkörper 12 aus, der beispielsweise aus Quarzglas oder oxydiertem Silizium bestehen kann.
Im Vakuum, vorzugsweise in einem Hochvakuum von etwa 10~6 Torr, werden zunächst Metallbereiche 10 in geringer Größe, dicht benachbart, aber mechanisch und elektrisch voneinander getrennt und aus leicht oxydierbarem Metall, insbesondere Blei oder Aluminium, aufgebracht, wobei der Niederschlag der Metallbereiche 10 vorzugsweise im Hochvakuum bei etwa 10-6 Torr erfolgt.
Alsdann werden alle frei liegenden Oberflächen der Metallbereiche 10 mit einer nichtleitenden Oxidschicht 16 versehen. Zu diesem Zweck kann der Tragkörper 12, wenn bereits das Niederschlagen der Metallbereiche im Hochvakuum innerhalb eines Evakuierungsbehälters erfolgte, in diesem Evakuierungsbehälter belassen werden, wobei jedoch zur Bildung der Oxidschicht das Hochvakuum auf ein Feinvakuum mit Luft- oder Sauerstoff-Partialdrücken von einigen ΙΟ"6 Torr reduziert wird. Der Tragkörper 12 selbst wird während des Oxydationsvorganges vorzugsweise auf etwa 2000C erhitzt.
Abschließend wird senkrecht zu der Oberfläche des Tragkörpers 12 eine Widerstandsschicht 18, 20 mit überall gleicher Dicke auf die oberflächenisolierten Metallbereichen 10 (Widerstandsschichtbereiche 18) und zwischen die oberflächenisolierten Metallbereiche 10 (Widerstandsschichtbereiche 20) aufgedampft, und zwar in einer Dicke, die geringer ist als diejenige der Metallbereiche 10. Als Material für die Widerstandsschicht 18, 20 wird zweckmäßig Chrom oder eine
ίο Mischung aus Chrom und Siliziummonoxid verwendet. Die Aufbringung der Widerstandsschicht 18, 20 erfolgt bei dem beschriebenen Beispiel nach Abpumpen des für die Oxidschichtbildung verwendeten Feinvakuums im Hochvakuum.
Zum Aufbringen der metalleitenden Widerstandsschicht 18, 20 wird der Tragkörper 12 erwärmt, und zwar auf eine Tragkörper-Temperatur von etwa 300° C, wenn als Material für die Metallbereiche 10 Blei verwendet wird, und auf eine Tragkörper-Temperatur von etwa 500°C, wenn als Material für die Metallbereiche 10 Aluminium verwendet wird.
Als Ergebnis des erfindungsgemäßen Verfahrens ergibt sich ein Tragkörpergemäß Fig. 4 und 5, bei welchem lediglich die Bereiche 20 der Widerstandsschicht wirksam sind, indem sie eine Vielzahl zusammenhängender verästelter Stromwege von verhältnismäßig hohem Widerstand bilden, während die Bereiche 18 der Widerstandsschicht unwirksam sind, da beim Aufdampfen der Widerstandssschicht 18, 20 die vertikal zu dem Tragkörper 12 verlaufenden Flanken 22 der mit der Oxidschicht 16 versehenen Metallbereiche 10 nicht beschichtet werden und daher an ihrer Oberfläche nichtleitend bleiben.
Eine Überwachungsschaltung umfaßt eine Batterie 24, einen Schutzwiderstand 26 sowie einen Strommesser 28 und kann nach anfänglichem Aufbringen einer dünnen Widerstandsschicht 18, 20 an die Endbereiche des Tragkörpers 12 angeschlossen werden, worauf der weitere Niederschlag der Widerstandsschicht 18, 20 fortgesetzt werden kann, bis der Strommesser 28 einen vorgegebenen Stromwert und damit einen vorgegebenen Widerstandswert des nach dem Verfahren erhaltenen Widerstandselements anzeigt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

Patentansprüche :
1. Verfahren zur Herstellung einer zusammenhängenden dünnen, metalleitenden Widerstandsschicht auf einem isolierenden Tragkörper durch zunächst durchgeführtes Niederschlagen von Metallbereichen auf dem Tragkörper, gekennzeichnet durch die Gesamtheit der folgenden Verfahrensschritte:
a) Die Metallbereiche (10) werden in geringer Größe, dicht benachbart, aber mechanisch und elektrisch voneinander getrennt und aus leicht oxydierbarem Metall aufgebracht;
b) alle frei liegenden Oberflächen der Metallbereiche (10) werden mit einer nichtleitenden Oxidschicht (16) versehen;
c) senkrecht zu der Oberfläche des Tragkörpers (12) wird die Widerstandsschicht (18, 20) mit überall gleicher Dichte auf und zwischen die oberflächenisolierten Metallbereiche (10) aufgedampft, und zwar in einer Dicke, die geringer ist als die der Metallbereiche (10).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallbereiche im Vakuum niedergeschlagen werden, vorzugsweise bei einem Hochvakuum von etwa 10~6 Torr.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oxidschicht in einem Feinvakuum mit Luft- oder Sauerstoff-Partialdrücken von einigen 10~6 Torr erzeugt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die metalleitende Widerstandsschicht (18, 20) im Hochvakuum aufgebracht wird, vorzugsweise nach Abpumpen eines für die Oxidschichtbildung verwendeten Feinvakuums.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die Metallbereiche (10) Blei oder Aluminium verwendet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Tragkörper (12) während des Oxydationsvorganges erhitzt wird, vorzugsweise auf etwa 2000C.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Blei für die Metallbereiche (10) die metalleitende Widerstandsschicht (18, 20) bei einer Tragkörper-Temperatur von etwa 300° C niedergeschlagen wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Aluminium für die Metallbereiche (10) die metallleitende Widerstandsschicht (18, 20) bei einer Tragkörper-Temperatur von etwa 5000C niedergeschlagen wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die metalleitende Widerstandsschicht (18, 20) Chrom oder eine Mischung aus Chrom und Siliziummonoxid verwendet wird.
DE1590768A 1965-11-15 1966-11-15 Verfahren zur Herstellung einer zusammenhängenden dünnen, metalleitenden Widerstandsschicht auf einem isolierenden Tragkörper Expired DE1590768C3 (de)

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DE1590768A1 DE1590768A1 (de) 1970-07-09
DE1590768B2 true DE1590768B2 (de) 1973-11-08
DE1590768C3 DE1590768C3 (de) 1974-06-06

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3462723A (en) * 1966-03-23 1969-08-19 Mallory & Co Inc P R Metal-alloy film resistor and method of making same
US3460026A (en) * 1966-12-16 1969-08-05 Bell Telephone Labor Inc N-port monolithic thin film distributed resistance network
US3634692A (en) * 1968-07-03 1972-01-11 Texas Instruments Inc Schottky barrier light sensitive storage device formed by random metal particles
JPS499570B1 (de) * 1968-11-04 1974-03-05
US3609294A (en) * 1969-10-10 1971-09-28 Ncr Co Thermal printing head with thin film printing elements
BE788894A (fr) * 1971-09-17 1973-01-02 Siemens Ag Couche electriquement conductrice sur base de forte resistivite, procede de fabrication et application d'une telle couchecomme resistance electrique
US3916071A (en) * 1973-11-05 1975-10-28 Texas Instruments Inc Ceramic substrate for receiving resistive film and method of forming chromium/chromium oxide ceramic substrate
JPS52135095A (en) * 1976-05-06 1977-11-11 Nippon Chemical Ind Thinnfilm resistor whose resistive temperature coeficent has been made small
US4407871A (en) * 1980-03-25 1983-10-04 Ex-Cell-O Corporation Vacuum metallized dielectric substrates and method of making same
US4431711A (en) * 1980-03-25 1984-02-14 Ex-Cell-O Corporation Vacuum metallizing a dielectric substrate with indium and products thereof
US5089293A (en) * 1984-07-31 1992-02-18 Rosemount Inc. Method for forming a platinum resistance thermometer
CA1250155A (en) * 1984-07-31 1989-02-21 James A. Ruf Platinum resistance thermometer
FR2586105B1 (fr) * 1985-08-06 1990-08-31 Veglia Circuit conducteur et procede de fabrication de ce circuit
US5015604A (en) * 1989-08-18 1991-05-14 North American Philips Corp., Signetics Division Fabrication method using oxidation to control size of fusible link
US6329899B1 (en) 1998-04-29 2001-12-11 Microcoating Technologies, Inc. Formation of thin film resistors

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2244365A (en) * 1937-02-27 1941-06-03 Rca Corp Electron discharge device
US2168259A (en) * 1937-05-03 1939-08-01 Zeiss Ikon Ag Photoelectrically responsive layer
US2296616A (en) * 1939-02-01 1942-09-22 Gen Electric Electrolytic process of making photosensitive mosaic screens
US2434931A (en) * 1944-12-01 1948-01-27 Bell Telephone Labor Inc Method and apparatus for ionic discharge coating
US2588019A (en) * 1946-06-05 1952-03-04 Rca Corp Monoscope target for pickup tubes
GB686465A (en) * 1950-02-23 1953-01-28 Emi Ltd Improvements relating to the manufacture of mosaic electrodes such as are utilised in television pick-up tubes
US3056937A (en) * 1952-07-19 1962-10-02 Pritikin Nathan Electrical resistor and method and apparatus for producing resistors
US2728693A (en) * 1953-08-24 1955-12-27 Motorola Inc Method of forming electrical conductor upon an insulating base
US2883576A (en) * 1955-04-04 1959-04-21 Gen Electric Thermionic valves
US2976188A (en) * 1955-11-25 1961-03-21 Gen Mills Inc Method of producing a humidity senser
US3205555A (en) * 1961-11-07 1965-09-14 Western Electric Co Methods of making printed circuit components

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Publication number Publication date
DE1590768A1 (de) 1970-07-09
DE1590768C3 (de) 1974-06-06
US3380156A (en) 1968-04-30
CH493909A (de) 1970-07-15

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