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DE1226148B - Elektronische Schaltanordnung fuer Spannungssignale mit kleinem Schwankungsbereich - Google Patents

Elektronische Schaltanordnung fuer Spannungssignale mit kleinem Schwankungsbereich

Info

Publication number
DE1226148B
DE1226148B DEE27014A DEE0027014A DE1226148B DE 1226148 B DE1226148 B DE 1226148B DE E27014 A DEE27014 A DE E27014A DE E0027014 A DEE0027014 A DE E0027014A DE 1226148 B DE1226148 B DE 1226148B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
switching
emitter
chopper
gates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEE27014A
Other languages
English (en)
Inventor
Roger Loyen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Direction General de lArmement DGA
Gouvernement de la Republique Francaise
Original Assignee
Direction General de lArmement DGA
Gouvernement de la Republique Francaise
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Direction General de lArmement DGA, Gouvernement de la Republique Francaise filed Critical Direction General de lArmement DGA
Publication of DE1226148B publication Critical patent/DE1226148B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/62Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/38DC amplifiers with modulator at input and demodulator at output; Modulators or demodulators specially adapted for use in such amplifiers
    • H03F3/387DC amplifiers with modulator at input and demodulator at output; Modulators or demodulators specially adapted for use in such amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/62Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • H03K17/6257Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors with several inputs only combined with selecting means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Elektronische Schaltanordnung für Spannungssignale mit kleinem Schwankuilgsbereich Die Erfindung betrifft eine elektronische Schaltanordnung zur übertragung von Spannungssignalen mit kleinem Schwankungsbereich, d. h. von Signalen, deren Amplitude in einem Bereich zwischen -100 und + 100 Millivolt mit Bezug auf ein Bezugspotential veränderbar ist, auf eine einzige Leitung, mit mehreren Gattern, deren Eingängen die verschiedenen Spannungssignale zugeführt werden und deren Ausgänge gemeinsam mit der einzigen Leitung verb,unden sind, welche Gatter normalerweise gesperrt sind, jedoch aufeinanderfolgend im Zyklus durch periodische Schaltsignale geöffnet werden. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß jedes Gatter mindestens einen Zerhackertransistor aufweist, an dessen Emitter-Kollektor-Strecke das zu übertragende Spannungssignal geführt ist, während der Basis dieses Transistors ein gegebenenfalls transformiertes Schaltsignal zugeführt wird, das aus einer Folge von Einzelimpulsen besteht, welches die Kollektor-Emitter-Strecke öffnet und sperrt, und daß in den Kollektor-Emitter-Kreis des Zerhackertransistors der verschiedenen Gatter eine Primärwicklung eines allen Gattern gemeinsamen Ausgangsübertragers geschaltet ist, und dessen Sekundärwicklung mit der einzigen Ausgangsleitung verbunden ist.
  • Mit Hilfe der erfindungsgemäßen Schaltanordnung wird der Vorteil erzielt, daß auf eine einzige Leitung mit einer zwischen null und mehreren tausend Schaltungen je Sekunde liegenden Folge eine bestimmte Anzahl veränderlicher elektrischer Spannungen mit einem kleinen Schwankungsbereich geschaltet werden kann, der eine maximale Schwankungsamplitude von etwa ± 100 Millivolt aufweist.
  • Andererseits ermöglicht die Verwendung eines Ausgangsübertragers mit gesonderten Primärwicklungen für jeden Eingangskreis die Vermeidung jeder galvanischen Verbindung zwischen den Eingangskreisen.
  • Nachfolgend wird eine beispielsweise Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltanordnung in Verbindung mit dem Schaltbild näher beschrieben.
  • #Die erfindungsgemäße Schaltanordnung besitzt eine bestimmte Anzahl von Gattern 10, 20 ... 30, deren Eingang die Spannungssignale SI:, S2 ... Sn zugeführt werden, deren Amplitude in einem Bereich von - 100 bis + 100 Millivolt. mit Bezug auf ein Bezugspotential * (Masse) schwänken kann. Die Zahl der Gatter ist gleich der Zahl der Spannungssignale, die auf eine einzige Ausgangsleitung 1 geschaltet werden sollen.
  • Die Gatter 10, 20 ... 30 sind normalerweise . ge- sperrt und können aufeinanderfolgend und im Zyklus durch Schaltsignale C 1, C 2 ... C n geöffnet werden. Diese Schaltsignale werden je durch Folgen von EinzelinippIsen mit konstanter Frequenz (beispielsweise von 40 kHz) gebildet, die von einem Taktgeber 2 abgegeben werden, welche Folge von Impulsen C 1, C 2 ... Cn im Laufe der aufeinanderfol-' genden Zeitperioden des Zyklus des Taktgebers auftreten.
  • Die SpannungssignaleS1, S2 ... Sn werden den,' Eingangsklemmpaaren 11 und 12, 21 und 22j 31,ünd#. 32 der jeweiligen Gatter 10, 20, 30 zugäführt. Da! diese Gatter in der gleichen Weise ausgeführt sind's wird nachfolgend nur eines dieser Gatter,- nämlich. das Gatter 10, beschrieben. Dieses Gätter'besitzt inr. wesentlichen zwei Zerhackertransistoren13 und 14;-bei dem dargestellten Beispiel vom pnp-Typ, deren Emitter-Kollektor-Kreise über ein Potentionieter 15 mit Nullabgleich in Reihe -geschaltet sind, wobei zwei Parallelwiderstände 15 a und 15 b'z*ischen den7, Abgriff des Potentionidters 15 und dessen beiden Enden geschaltet sind'. Die Emitter'der Transistoren 13 und 14 sind mit den Eingaiig#klemmen#ll und 12 über' Primärwicklungen 16 und 17 eines gemein-. samenAiisgangsübertragers 3 in Reihenschaltung mit: einem RegelWiderstand 18 verbunden.#Die Sekundärwicklung 4 des Ausgangsübertragers ist mit dem Eingang eines Verstärkers 5 verbunden, der einen Dernodülator'6 speist, dessen Ausgang mit der Leitung 1 verbunden ist. In der gleichen Weise weisen die anderen Gatter 20 ... 30 gleiche Ausgangswicklungspaare. auf, die in der Zeichnung durch einzige Primärwicklungen 23 und 33 dargestellt sind.
  • Die Basiselektroden der. Transistoren 14 und 13 sind durch zwei parallele- Zweige, in denen sich Widerstände.24: und -25 in Reilidnschaltung und Widerstände 26 und 26 a . in Reihenschaltung befinden, miteinander verbunden.
  • Der Verbindungspunkt der Widerstände 24 und 25 ist über einen Widerstand 27 mit dem Abgriff des Potentiometers 15, d. h. mit dem Verbindungspunkt der Widerstände 15a und 15b verbunden. Dieser letztere Verbindungspunkt -ist ferner -mit dem-einen-Endje einer Sekundärwicklung 28 b eines Transformators 28 mit ' Ferritkern verbunden. Das andere Ende der Sekundärwicklung 28 b ist über eine Diode 29 mit dem Verbindungspunkt -zwischen den Widerständen 26 und 26 a verbunden. - Eine zweite Diode 34 ist zur. Sekundärwicklung 28 parallel geschaltet, während ein Kondensator 35 und Widerstand 36 in Parallelschaltung mit den Klemmen der Diode 29 verbunden sind.
  • Die ärwicklung28a des Transformators28, zu der ein Widerstand-37 parallel geschaltet ist, ist an ihrem einen Ende mit einer Quelle positiver Spannung + V über einen Widerstand 38 verbunden und an ihrem anderen Ende mit dem Koll&tor eines npn-Transistors 39. Der Emitter dieses Transistors liegt an Masse, während seine Basis über einen Widerstand 41 mit einer Klemme 42 verbunden ist, welcher das Schaltsignal C 1 zugeführt wird.
  • Die Wirkungsweise des Gatters 10 ist wie folgt. Beim Fehlen des Schaltsignals C 1 ist der Transistor 39 ebenso wie die Transistoren 13 und 14 gesperrt. Das Gatter 10 ist daher gesperrt. Wenn das Signal C 1, welches in diesem besonderen Fall in Form einer Impulsfolge aus positiven Halbwellen auftritt, der Klemme 42 zugeführt wird, wird der Transistor 39 wechselweise leitend und nichtleitend, wobei die Leitungsperioden -den positiven Halbperioden des Signals C 1 entsprechen. In der Primärwicklung 28 a des Transformators 28 fließt daher ein zerhackter Strom, der auf die Sekundärseite des Transformators übertragen wird. Die Dioden 29 und 34 gewährleisten das Abtrennen der positiven Halbwellen des zerhackten Stroms, der durch die Sekundärwicklung 28 b fließt. Dieser Strom wird gleichzeitig den beiden BasiseIektroden der Transistoren 13 und 14 zugeführt und bewirkt daher das wechselweise Arbeiten dieser Transistoren, d. h. ihre aufeinanderfolgende Schaltung in den Leitungszustand und in den Sperrzustand. Der Emitter-Kollektor-Kreis dieser Transistoren und damit die Primärwicklungen 16 und 17 werden daher von einem zerhackten Strom durchflossen, dessen Amplitude von dem Spannungssignal S 1 abhängig ist, welches den Klemmen 11 und 12 zugeführt wird.
  • Die Sekundärwicklung 4 nimmt daher -während des Zeitraums, in welchem das Schaltsignal C 1 auftritt, eine Impulsfolge auf, deren Amplitude von derjenigen des den Klemmen 11 und 12 zugeführten Spannungssignals Sl abhängt. Das von der Sekundärwicklung 4 aufgenommene Signal wird dann dem Verstärker 5 und dem Demodulator 6 zugäährt, welch letzterer ein Demodulationssignal C aufnimmt, das die gleiche Grundfrequenz wie die verschiedenen Schaltsignale Cl ... C n hat. Es werden daher von der einzigen Austrittsleitung 1 aufeinanderfolgende Signale aufgenommen, welche die jeweiligen Eingangssignale Sl ... Sn darstellen.
  • Die Erfindung ist natürlich nicht auf die vorangehend beschriebene und in den Zeichnungen dargestellte Ausführungsform beschränkt, sondern kann innerhalb ihres Rahmens verschiedene Abänderungen erfahren. So kann, wenn bei dem beschriebenen Beispiel zwei Zerhackertransistoren 13 und 14 verwen---det- -werden-, - um -das -- Schaltgeräusch- zu -vermeideneine dem Gatter 10 analoge Schaltung mit einem einzigen Zerhackertransistor vorgesehen werden, wobei die Wirkungsweise zleichbleibt.

Claims (2)

  1. Patentansprüch..e: 1. Elektronische Schaltanordn - u ' ng zur - ÜBerg fragung -von Spannungssignälen mit kleinem Schwankungsbereich, d. h. von Signalen, deren Amplitude in einem Bereich von etwa - 100 bis + 100 Millivolt in bezug auf ein Bezugspotentiäl veränderbar ist, auf eine einzige Leitung. unter Verwendung mehrerer Gatter,' deren Eingängen die verschiedenen Spannungssignale zugeführt werden und deren Ausgänge gemein s--am mit einer einzigen Leitung verbunden sind, wobei die Gatter normalerweise gesperrt sind, jedoch aufeinanderfolgend Iin Zyklus durch periodische Schaltsignale geöffnet werden, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Gatter wenigstens einen Zerhackertransistor (13, 14) # enthält, an dessen Emitter-Kollektor-Strecke das zu übertragende Spannungssignal geführt ist, während der Basis des Transistors ein gegebenenfalls transformiertes, aus einer Folge von Einzelimpulsen bestehendes Schaltsignal zugeführt wird, welches die Kollektor-Emitter-Strecke öffnet und sperrt,-und daß in den Kollekto-r-Emitter-Kreis des Zerhackertransistors der verschiedenen- Gatter eine Primärwicklung (16, 17) eines Ausgangsübertragers (3), der allen Gattern gemeinsam ist, . geschaltet ist und dessen Sekundärwicklung mit der einzigen Ausgangsleitung verbunden ist.
  2. 2. Schaltanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Gatter zwei Zerhackertransistoren enthält, deren Emitter-Kollektor-Strecken in Reihe geschaltet sind. 3. Schaltanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schalttransistor bzw. Zerhackertransistor durch einen lElfstransistor (39) gesteuert wird, dessen Basis das Schaltsignal zugeführt wird, und daß' die Emitter-Kollektor-Strecke dieses lElfstransistors mit der Primärwicklung eines Transformators (28) in Reihe geschaltet ist, dessen Sekundärwicklung (28 b) mit der Basis des Zerhackertransistors gekoppelt ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr. 1044 163, 1043395.
DEE27014A 1963-06-21 1964-05-11 Elektronische Schaltanordnung fuer Spannungssignale mit kleinem Schwankungsbereich Pending DE1226148B (de)

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FR1226148X 1963-06-21

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DEE27014A Pending DE1226148B (de) 1963-06-21 1964-05-11 Elektronische Schaltanordnung fuer Spannungssignale mit kleinem Schwankungsbereich

Country Status (1)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1043395B (de) * 1957-05-31 1958-11-13 Telefonbau Transistorschalter fuer Wechselstromkreise
DE1044163B (de) * 1954-09-30 1958-11-20 Ibm Deutschland Schaltungsanordnung zur Aussiebung zeitlich nacheinander ueber eine Leitung uebertragener Impulse

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1044163B (de) * 1954-09-30 1958-11-20 Ibm Deutschland Schaltungsanordnung zur Aussiebung zeitlich nacheinander ueber eine Leitung uebertragener Impulse
DE1043395B (de) * 1957-05-31 1958-11-13 Telefonbau Transistorschalter fuer Wechselstromkreise

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