DE1043395B - Transistorschalter fuer Wechselstromkreise - Google Patents

Description

DEUTSCHES

Bei den bekannten Anordnungen zum Schalten von Wechselstromkreisen mittels Geichrichtern liegen die Gleichrichter in den beiden Wechselstrom führenden Adern, und die Gleichspannung wird über die Mittelabgriffe der von vor oder hinter den Gleichrichtern liegenden Drosselspulen oder Transformatorenwicklungen angelegt. Diese Anordnungen stellen erhebliche Anforderungen an die Übereinstimmung der verwendeten Gleichrichter, um die Symmetrie des Wechselstromkreises nicht zu verschlechtern. Bei der Steuerung der Eigenschaften der Gleichrichter üblicher Fertigung müssen die Gleichrichter, die sich in jedem möglichen Schaltzustand elektrisch gleich verhalten, durch einen besonderen Auswahlvorgang gefunden werden.

Die Erfindung bezweckt, die Schwierigkeiten zu vermelden, und erreicht dies dadurch, daß zwei Wicklungen eines ersten Übertragers in ihrem Symmetriepunkt über den Kollektor und den Emitter eines symmetrischen Transistors hintereinandergeschaltet sind und daß zwischen der Basis des Transistors und dem Symmetriepunkt der Wicklungen eines zweiten Übertragers zwei Spannungsquellen verschiedener Polung geschaltet sind, die durch den Schalter wahlweise derart an die Basis des Transistors angelegt werden können, daß dieser entweder leitend oder gesperrt ist. Die Erfindung faßt somit die beiden Gleichrichter der bekannten Schaltungen zu einem gemeinsamen Schaltelement zusammen. Zwei sich entsprechende Elektroden der einzelnen Gleichrichter bilden nunmehr eine gemeinsame Elektrode, die in dem Symmetriepunkt von zwei Drosselspulen oder Transistoren liegt. Als neues Schaltelement verwendet die Erfindung einen Transistor, dessen Emitter-Basis-Strecke sich ebenso verhält wie die Kollektor-Basis-Strecke.

Die Schaltung nach der Erfindung hat gegenüber den bekannten Anordnungen den Vorteil, daß nur ein Bauelement benötigt wird, bei welchem die Symmetriebedingungen besonders leicht eingehalten werden können, weil Emitter- und Kollektor des Transistors an einen gemeinsamen Kristallbereich grenzen.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt. Diese zeigt eine Schaltung zur Kopplung zweier Leitungsabschnitte A und B.

Der Übertrager UA verbindet den Leitungsabschnitt A mit der Schaltstrecke C. Der Übertrager UB verbindet den Leitungsabschnitt B mit der Schaltstrecke C. Die an der Schaltstrecke C liegenden Wicklungen UAl und UA2 sind mit dem Emitter bzw. dem Transistorschalter
für Wechselstromkreise

Anmelder:

Telefonbau und Normalzeit G.m.b.H.,
Frankfurt/M., Mainzer Landstr. 134-146

Dipl.-Phys. Richard Volkmann, Seligenstadt (Hess.), ist als Erfinder genannt worden

Kollektor eines Transistors T verbunden. Die entsprechenden Wicklungen UBl und UB 2 des Übertragers UB sind miteinander sowie mit einem Steuerkontakt 6" verbunden. Dieser Steuerkontakt vermag wahlweise eine der Batterien Bl und 52 einzuschalten, welche mit entgegengesetzter Polung an der mit der Basis des Transistors verbundenen Steuerleitung L liegen. Je nach der Lage des Kontaktes S liegt in dem über die Leitungen des Steuerabschnittes C gebildeten Simultanstromkreis eine den Transistor T sperrende oder öffnende Spannung. Ist der Transistor T gesperrt, dann können keine Wechselströme aus dem Leitungsabschnitivi nach dem Leitungsabschnitt B über den Leitungsabschnitt C übertragen werden. Eine Übertragung ist nur möglich, wenn der Transistor T auf Durchlaß geschaltet ist, weil nur in diesem Fall die Übertragerwicklungen UAl und UA2 in Reihe liegen.

Claims (1)

1. Patentanspruch:

   Transistorschalter für Wechselstromkreise, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Wicklungen (UAl, UA2) eines ersten Übertragers (UA) in ihrem Symmetriepunkt über den Kollektor und den Emitter eines symmetrischen Transistors hintereinandergeschaltet sind und daß zwischen der Basis des Transistors und dem Symmetriepunkt der Wicklungen (UBl₁ UB 2) eines zweiten Übertragers (UB) zwei Spannungsquellen (Bl, B 2) verschiedener Polung geschaltet sind, die durch den Schalter (S) wahlweise derart an die Basis des Transistors angelegt werden können, daß dieser entweder leitend oder gesperrt ist.

   Hierzu 1 Blatt Zeichnungen