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DE1226147B - Magnetkernspeichervorrichtung - Google Patents

Magnetkernspeichervorrichtung

Info

Publication number
DE1226147B
DE1226147B DEN21746A DEN0021746A DE1226147B DE 1226147 B DE1226147 B DE 1226147B DE N21746 A DEN21746 A DE N21746A DE N0021746 A DEN0021746 A DE N0021746A DE 1226147 B DE1226147 B DE 1226147B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
core
auxiliary
line
magnetic
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN21746A
Other languages
English (en)
Inventor
Wijnand Johannes Schoenmakers
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1226147B publication Critical patent/DE1226147B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • G11C11/06007Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
    • G11C11/06014Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Digital Magnetic Recording (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
H03k
Deutsche KL: 21 al - 36/16
Nummer: 1226147
Aktenzeichen: N 21746 VIII a/21 al
Anmeldetag: 23. Juni 1962
Auslegetag: 6. Oktober 1966
Die Erfindung bezieht sich auf eine Magnetkernspeichervorrichtung mit Speicherkernen aus magnetischem Material, das Remanenz aufweist, und mit !Wenigstens zwei Gruppen von Leitungen zum Auswählen und Antreiben der Magnetkerne. S . Bei einer solchen bekannten magnetischen Speichervorrichtung sind die gleichzeitig den Leitungen den;, ersten und der zweiten Gruppe zugeführten Impulse je an mit den Leitungen gekoppelten Speicherkernen aus magnetischem Material mit rechteckiger Hystereseschleife wirksam, wobei der an der Kreuzungsstelle der Leitung der ersten Gruppe und der Leitung der zweiten Gruppe angebrachte Kern durch beide Impulse magnetisiert wird. Die Stärke des durch einen Impuls in einem Kern erzeugten, magnetischen Feldes darf die Koerzitivkraft nicht überschreiten, während die Stärke des magnetischen Feldes in dem durch beide Impulse magnetisierten Kern die Koerzitivkraft überschreiten muß, um den Remanenzzustand dieses Kernes ändern zu können. Die ao zulässige Impulsstärke ist bei diesen Speichern verhältnismäßig gering, so daß die Schaltzeit, d. h. die Zeit, während welcher der Kern unter der Steuerung beider Impulse seinen Remanenzzustand ändert, verhältnismäßig lang ist. ; Während der Ablesung von Remanenzzuständen eines Kernes in einem solchen bekannten Speicher unter der Steuerung von zwei Impulsen kann ein bereits gelesener Kern ein Ausgangssignal liefern, das von dem Verhältnis zwischen der Sättigungsinduktix» und der Remanenzinduktion abhängig ist, während ein noch nicht gelesener Kern unter der Steuerung eines Impulses ein Ausgangssignal liefern kann, das über die allen Kernen gemeinsame Ableseleitung auftritt und das von dem Verhältnis zwischen der Induktion bei einer magnetischen Feldstärke gleich d@$ Hälfte der Koerzitivkraft und der Remanenziriduktion abhängig ist. Um die beiden möglichen A,u.sgangssignale gleichzeitig auf ein Mindestmaß !^abzusetzen, werden bei den bekannten Speichern magnetische Materialien verwendet, deren Rechteckverhältnis, d. h. das Verhältnis zwischen der Sättigungsinduktion und der Induktion des in entgegengesetztem Sinne durch ein Megnetfeld der halben Koerzitivkraft magnetisierten Kernes dem Wert 1 möglichst näherkommt.
Zur Kompensation der unzureichenden Rechteckigkeit der Hystereseschleife von Magnetkernen mit hoher Remanenz und damit zur Neutralisierung von Störsignalen ist es bekannt, jedem Magnetkern einen Hilfskern mit hoher Remanenz bzw. verhältnismäßig geringer Remanenz zuzuordnen, wobei im Magnetkernspeichervorrichtung
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter:
Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Als Erfinder benannt:
Wijnand Johannes Schoenmakers,
Eindhoven (Niederlande)
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 27. Juni 1961 (266 427)
letzten Fall einem solchen Hilfskern mehrere Magnetkerne mit hoher Remanenz zugeordnet sein können. ; Demgegenüber ist es Zweck der Erfindung, einen Speicher eingangs erwähnter Art zu schaffen, bei dem die Schaltzeit der Kerne erheblich kürzer ist und Kerne anwendbar sind, die aus einem magnetischen Material bestehen, das Remanenz aufweist, wobei keine Anforderungen an das Rechteckverhältnis des Materials gestellt werden.
Die Magnetkernspeichervorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, daß jeder Speicherkern in entgegengesetzten Richtungen gekoppelt ist mit zwei durch Parallelschaltung zu einer einzigen Leitung einer ersten Gruppe vereinigten Hilfsleitungen, welche1 jede mit einem Hilfskern aus magnetisch sättigbarem Material gekoppelt sind, wobei der Leitung der ersten Gruppe unipolare Stromimpulse zugeführt werden, welche in zwei die zwei Hilfsleitungen durchfließende Teilströme aufgespalten werden, welche den Speicherkern in entgegengesetzten Richtungen magnetisieren, wobei jeder Hilfskern mit einer durch einen Vormagnetisierungsstrom durchflossenen Leitung der zweiten Gruppe verbunden ist, welche der magnetischen Wirkung der gegebenenfalls durch einen Teilstrom durchflossenen Hilfsleitung entgegenwirkt und den Hilfskern im Sättigungsbereich einstellt, und wobei Mittel vorhanden sind zur wenigstens teilweisen Aufhebung der Vormagnetisierung des einen oder
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des anderen zu einem Speicherkern gehörigen Hilfs- der zweiten^Griippe '-.gekoppelt. Ebenfalls-sind die kernes, derart, daß ein durch die mit diesem Hilfs- Wicklungen 22 der Ktrne Ceiner Speicherkolonne kern gekoppelte Hilfsleitung fließender Teilstrom in mit der gleichen Steuerleitung der zweiten Gruppe dem Kern dem Stromdurchgang entgegenwirkende gekoppelt. In dem Beispiel sind die Wicklungen 21 Flußänderungen hervorruft und ein der Leitung der 5 -ψιά'^Ι -miteinanler in ELeihe geschaltet und in Reihe ersten Gruppe zugeführter' unipolarer Stromimpuls an die betreffenden Steuerleitungen angeschlossen. · vorwiegend durch die andere Hilfsleitung fließt und In der Zeichnung ist eine mit allen Speicherkernen den Speicherkern in den gewünschten Remanenz- gekoppelte TDeseleitung einfachheitshalber wegzustand einstellt. ' " gelassen. Diese Leitung kann auf bekannte, hier nicht
Ein Vorteil dieser Vorrichtung besteht darhV'daß io interessierende Weise mit allen-Kernen gekoppelt und die den Leitungen der ersten Gruppe zugeführten an einen Verstärker angeschlossen werden, der an Impulse unabhängig von der Richtung, in der die dem Zeitpunkt, wenn der Remanenzzustand eines Impulse die Kerne magnetisieren müssen, die gleiche Kernes abgelesen wird, empfindlich gemacht wird.
Reiehtung haben können und die -Sehaltzeit der mit Die Wirkungsweise des Speichers ist folgende. Die den Leitungen der zweiten Gruppe gekoppelten Kerne 15 Torschaltungen 17 und 18 sind normalerweise in dem zum Überführen von dem magnetisch gesättigten Zu- leitenden Zustand und führen den Strom von den stand in den magnetisch ungesättigten Zustand in- Stromquellen 19-und-20 nach .den an die Torschalfolge der dabei auftretenden, geringen Flußänderun- tungen. angeschlossenen Leitungen der zweiten gen sehr kurz ist. Gruppe. Dieser Strom magnetisiert die Kerne 3 und 4
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der 20 bis in. den Bereich der magnetischen Sättigung. In
Zeichnung näher erläutert. · '. ■*- F i g. 2a ist die idealisierte magnetische Kennlinie der
Fig. 1 zeigt, ein Beispiel eines magnetischen Spei- Kerne 3: und 4 veranschaulicht, welche die Beziehung
chers nach der Erfindung, und zwischen der Induktion und dem Strom durch eine
F i g. 2 zeigt einige magnetische Kennlinien zur Wicklung. andeutet. Der Strom durch die Wicklun-
Erläuterung des in F ig. 1 dargestellten Beispiels·. 25 gen 21 und 22 ist z.B. gleich Z1, so daß die Induk-
' In Fig. 1 bezeichnen K1 bis K9 Kerne aus"magne- tion in den flach verlaufenden Teil der Kennlinie
tischem Material, das Remanenz aufweist. Jeder der eingestellt wird. Die Änderung der Induktion infolge
Speicherkerne ist mit zwei Hilf sleitungen H1 und H2 einer Änderung der Stromstärke ist in diesem Falle
gekoppelt, die in Reihe mit Wicklungen 1 bzw. 2 besonders gering, so daß die Wicklungen 1 und 2
der Kerne 3 -und-4- aus magnetisch sättigbarem Mate- 30 eine niedrige Selbstinduktion aufweisen. Die Kerne 3
rial in Reihe geschaltet sind.. Die beiden Reihenschal- - und 4'und die darauf angebrachten Wicklungen sind
tungen der Leitung H1 und der Wicklung 1 un<J der gleich bemessen,, so daß ein dem Verbindungspunkt
Leitung H2 und der Wicklung 2 sind in bezug auf der Wicklungen 1 und 2 zugeführter Stromimpuls
eine Kopplung mit einem Speicherkern in entgegen- sich in zwei gleiche Teile aufspaltet, von denen ein
gesetztem Sinne parallel geschaltet. 35 Teil durch die Wicklung 1 und die Hilfsleitung H1
Der Speicher enthält weiter eine erste Gruppe von «■- und der andere Teil durch die Wicklung 2 und die
Steuerleitüngen S^bis 7, an die die Impulsquellen 8 Hilf sleitung H2 'fließt. Die Hilf sleitungen. H1 und H2
bis 10 angeschlossen sind, und eine zweite Gruppe sind in entgegengesetztem Sinne mit den Speicher-
von Steuerleitungen 11 bis 16. Die zweite Gruppe ist kernen gekoppelt, so daß die magnetischen Wirkun-
in zwei Untergruppen geteilt, welche die Leitungen 40 gen des Stroms durch die Hilfsleitungen sich gegen-
11 bis 13 bzw. .14 bis 16 enthalten. Die Leitungen . seitig ausgleichen. Die beiden Stromimpulse treffen
der Untergruppen sind über die Torschaltungen 17 an dem Verbindungspunkt der. Hilfsleitungen H1
bzw. 18 an die Gleichstromquellen 19 bzw, 20 an- und H2 zusammen und fließen: gemeinsam nach dem
geschlossen. Verbindungspunkt der Wicklungen 1 und 2 der
-; Die Speicherkerne K3 bis K9 sind an Kreuzungen 45 nächstfolgenden Kerne 3 und 4 in der gleichen
stellen von Leitungen der ersten Gruppe und Leitun- Speicherreihe.
gen der zweiten Gruppe angeordnet und bilden auf Wird die Selbstinduktion einer der Wicklungen 1
diese Weise eine zweidimensionale Matrix von oder 2 größer gemacht, so verteilt sich der dem Ver-
Speicherelementen. Die Kerne an den Kreuzungs- bindungspunkt der. beiden Wicklungen zugeführte
stellen einer Leitung der ersten Gruppe und Leitun- 50 Impuls in zwei ungleiche.. Teile. Die magnetische
gen der zweiten Gruppe bilden eine Speicherreihe* Wirkung der Ströme durch die Hilfsleitungen H1
Die Antiparallelschaltungen der mit den Speicher- und H2 auf die damit gekoppelten Speicherkerne
kernen einer Speicherreihe gekoppelten Hilfsleitung gleichen sich in diesem Falle nicht aus, so daß der
gen sind mit der gleichen Steuerleitung der ersten Speicherkern in -einer bestimmten Richtung magnetic
Gruppe gekoppelt. In dem Beispiel sind die Anti- 55 siert und der Remanenzzustand entsprechend ein-
Parallelschaltungen miteinander in Reihe geschaltet gestellt wird. Wenn die Wirkung des Stroms durch
und in Reihe an die betreffende Steuerleitung ange^- die Hilfsleitung H1 vorherrscht, wird der Kern z. B.
schlossen. ' in den positiven Remanenzzustand geführt, und wenn
Die Kerne 3 und 4 aus magnetisch sättigbarein die Wirkung des Stroms durch die Hilfsleitung H2 Material sind mit den Wicklungen 21 bzw. 22 ver- 60 vorherrscht, gelängt er in den negativen Remanenzsehen, die mit verschiedenen Steuerleitungen verr zustand. Um einen bestimmten Speicherkern, z. B. schiedener Untergruppen der zweiten Gruppe ge- den Kern K2 in einen bestimmten, z. B. positiven koppelt sind. Die Speicherkerne und die zugehörigen Remanenzzustand - zu führen, wird gleichzeitig ein Kerne 3 und 4, die an den .Kreuzungssteilen einer Impuls an die Leitung 5 und-an einer Steuerklemme Leitung der zweiten Gruppe und der Leitungen der 65 der Torschaltung 17 zugeführt, wodurch der Strom ersten Gruppe angebracht sind, bilden eine Speicher- --„ durch die Leitung 12 sich impulsförmig in einen kolonne. Die Wicklungen 21 der Kerne 3 einer Sp'eir Wert zQ umwandelt, der dem Knickin der in F i g. 2 a cherkolonne sind mit der gleichen Steuerleitun^ dargestellten magnetischen Kennlinie -des Kernes 4
entspricht. Es tritt dabei keine Induktionsänderung auf, so daß die Schaltzeit des Kernes 4 sehr gering ist. Der Impuls der Leitung 5 wird über die Antiparallelschaltung der mit dem Kern K1 gekoppelten Hilfsleitungen H1 und H2 an den Verbindungspunkt der Wicklungen 1 und 2 an der Kreuzungsstelle der Leitungen 12 und 15 mit der Leitung 5 zugeführt. Der Strom teilt sich über die Wicklungen 1 und 2, wpbei der größte Teil durch die Wicklung 1 fließt, da der durch die Wicklung 2 fließende Strom den Kern 4 entmagnetisiert längs des steilen Teiles der magnetischen Kennlinie, so daß die Wicklung 2 eine hohe Selbstinduktion hat, welche dem Stromdurchgang entgegenwirkt. Die magnetische Wirkung des Stroms durch die Hilfsleitung H1 übertrifft die Wirkung des Stroms durch die Hilfsleitung H2, und der Kern K2 wird in den positiven Remanenzzustand geführt. Die Einstellung des negativen Remanenzzustandes erfolgt auf entsprechende Weise, indem ein Impuls einer Steuerklemme der Torschaltung 18 zugeführt wird, ao wodurch die Wicklung 1 eine hohe Selbstinduktion erhält, die dem Stromdurchgang entgegenwirkt. In diesem Falle ist der Strom durch die Hilfsleitung H2 größer als der Strom durch die Hilfsleitung H1, so 1 " der Kern K2 in negativem Sinne magnetisiert
Die Amplitude der Erregung eines Speicherkernes infolge des Unterschieds zwischen den Strömen durch die Hilfsleitungen kann viele Male größer als die Koerzitivkraft gewählt werden, wodurch die Speicherkerne innerhalb sehr kurzer Zeit ihren Remanenzzustand ändern können.
Fig. 2b zeigt eine Hystereseschleife, welche die Beziehung zwischen der Induktion B und dem magnetischen Feld H eines magnetischen Materials veranschaulicht, das sich zur Anwendung in dem Speicher nach der Erfindung eignet. Ein Speicherkern aus einem solchen Material hat die zwei Remanenzzastände P und N. Gemäß der eingangs gegebenen Definition ist das Rechteckverhältnis des Materials gleich dem Verhältnis zwischen der Sättigungsinduktion Bs und der Induktion B1 bei Erregung in entgegengesetztem Sinne durch ein magnetisches Feld —|i?c gleich der halben Koerzitivkraft Hc. Fig. 2c zeigt eine idealisierte Hystereseschleife eines magnetischen Materials mit einem Rechteckverhältnis gleich 1, das sich zur Verwendung in bekannten Speichern eignet. Die Erfindung hat somit noch den Vorteil, daß Kerne mit einem stark von dem Wert 1 abweichenden Rechteckverhältnis anwendbar sind und daß die Speicherkerne aus einem billigeren Material hergestellt werden können.
Beim Ablesen des Remanenzzustandes eines Speicherkernes wird dieser in einen bestimmten, z. B.
den negativen Remanenzzustand gebracht, und die Induktionsänderung des Kernes wird durch eine mit allen Kernen gekoppelten Leseleitung untersucht. Ist ein Kern bereits in dem negativen Remanenzzustand, so wird er in negativem Sinne gesättigt, und nach Beendigung der Erregung kehrt die Induktion zurück in den negativen Remanenzzustand. Die dabei auftretenden Induktionsänderungen sind vorzugsweise minimal, so daß magnetische Materialien mit einem dem Wert 1 nahekommenden Verhältnis zwischen der remanenten Induktion und der Sättigungsinduktion bevorzugt werden.

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Magnetkernspeichervorrichtung mit Speicherkernen aus magnetischem Material, das Remanenz aufweist, und mit wenigstens zwei Gruppen von Leitungen zum Auswählen und Antreiben der Magnetkerne, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Speicherkern in entgegengesetzten Richtungen gekoppelt ist mit zwei durch Parallelschaltung zu einer einzigen Leitung einer ersten Gruppe vereinigten Hilfsleitungen, welche jede mit einem Hilfskern aus magnetisch sättigbarem Material gekoppelt sind, wobei der Leitung der ersten Gruppe unipolare Stromimpulse zugeführt werden, welche in zwei die zwei Hilfsleitungen durchfließende Teilströme aufgespalten werden, welche den Speicherkern in entgegengesetzten Richtungen magnetisieren, wobei jeder Hilfskern mit einer durch einen Vormagnetisierungsstrom durchflossenen Leitung der zweiten Gruppe verbunden ist, welche der magnetischen Wirkung der gegebenenfalls durch einen Teilstrom durchflossenen Hilfsleitung entgegenwirkt und den Hilfskern im Sättigungsbereich einstellt, und wobei Mittel vorhanden sind zur wenigstens teilweisen Aufhebung der Vormagnetisierung des einen oder des anderen zu einem Speicherkern gehörigen Hilfskernes, derart, daß ein durch die mit diesem Hilfskern gekoppelte Hilfsleitung fließender Teilstrom in dem Kern dem Stromdurchgang entgegenwirkende Flußänderungen hervorruft und ein der Leitung der ersten Gruppe zugeführter unipolarer Stromimpuls vorwiegend durch die andere Hilfsleitung fließt und den Speicherkern in den gewünschten Remanenzzustand einstellt.
    In Betracht gezogene Druckschriften:
    Deutsche Patentschrift Nr. 1 009 237;
    USA.-Patentschriften Nr. 2 734182, 2 666 151,
    367.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
    609 669/371 9.66 © Bundesdruckerei Berlin
DEN21746A 1961-06-27 1962-06-23 Magnetkernspeichervorrichtung Pending DE1226147B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL266427 1961-06-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1226147B true DE1226147B (de) 1966-10-06

Family

ID=19753118

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN21746A Pending DE1226147B (de) 1961-06-27 1962-06-23 Magnetkernspeichervorrichtung

Country Status (5)

Country Link
CH (1) CH402065A (de)
DE (1) DE1226147B (de)
DK (1) DK111271B (de)
GB (1) GB983767A (de)
NL (1) NL266427A (de)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2666151A (en) * 1952-11-28 1954-01-12 Rca Corp Magnetic switching device
US2734182A (en) * 1952-03-08 1956-02-07 rajchman
US2768367A (en) * 1954-12-30 1956-10-23 Rca Corp Magnetic memory and magnetic switch systems
DE1009237B (de) 1953-08-08 1957-05-29 Philips Nv Einrichtung mit einem geschlossenen Kreis aus ferromagnetischem Material mit hoher Remanenz und annaehernd parallelogrammfoermiger Hystereseschleife

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DE1009237B (de) 1953-08-08 1957-05-29 Philips Nv Einrichtung mit einem geschlossenen Kreis aus ferromagnetischem Material mit hoher Remanenz und annaehernd parallelogrammfoermiger Hystereseschleife
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Also Published As

Publication number Publication date
NL266427A (de)
DK111271B (da) 1968-07-15
CH402065A (de) 1965-11-15
GB983767A (en) 1965-02-17

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