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DE1212599B - Parametrische Einrichtung fuer sehr kurze elektromagnetische Wellen - Google Patents

Parametrische Einrichtung fuer sehr kurze elektromagnetische Wellen

Info

Publication number
DE1212599B
DE1212599B DES87918A DES0087918A DE1212599B DE 1212599 B DE1212599 B DE 1212599B DE S87918 A DES87918 A DE S87918A DE S0087918 A DES0087918 A DE S0087918A DE 1212599 B DE1212599 B DE 1212599B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
frequency
idling
resonators
waveguide
parametric device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES87918A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr-Ing Walter Heinlein
Dipl-Ing Albert Kuerzl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES87918A priority Critical patent/DE1212599B/de
Publication of DE1212599B publication Critical patent/DE1212599B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F7/00Parametric amplifiers
    • H03F7/04Parametric amplifiers using variable-capacitance element; using variable-permittivity element

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Description

  • Parametrische Einrichtung für sehr kurze elektromagnetische Wellen Die Erfindung bezieht sich auf eine parametrische Einrichtung für sehr kurze elektromagnetische Wellen, insbesondere einen parametrischen Verstärker.
  • Unter parametrische Einrichtungen für sehr kurze elektromagnetische Wellen werden bekanntlich Modulatoren verstanden, die als nichtlineares Element wenigstens eine nichtlineare Reaktanz, beispielsweise eine nichtlineare Kapazität oder eine nichthneare Induktivität haben und die vor allem der rauscharmen Verstärkung oder Frequenztransponierung sehr kurzer elektromagnetischer Wellen dienen.
  • Wesentlich für diese parametrischen Einrichtungen ist, daß sie außer je einer Zuführung für die Pumpenergie und die eigentliche Signalfrequenzenergie noch ein Resonanzgebilde enthalten, welches für die sogenannte Idlingfrequenz in dem Modulator einen Wirkwiderstand bildet. Wesentlich für parametrische Einrichtungen ist im Regelfall ferner, daß das Produkt aus Verstärkung und Bandbreite möglichst groß ist. Die Größe dieses Produktes ist, wie beispielsweise durch G. L. Matthaei, »A situdy of optimum design of wide-band parametric amplifiers and upconverters«, IRE Trans., Vol. MTT-9 (Januar 1961), S. 23 bis 38, bekannt, dadurch günstig beeinflußbar, daß an Stelle eines einzelnen Resonanzkreises für die Idlingfrequenz ein Resonanzgebilde verwendet wird, das ein Reaktanzverhalten hat ähnlich dem eines mehrkreisigen Bandfilters.
  • Die praktische Realisierung derartiger Idlingschaltungen ist indes relativ schwierig, weil sie zu elek# trisch komplizierten Schaltungen führt, die auch räumlich sehr aufwendig sind. Vor allem bei Verwendung einer Kapazitätsdiode als nichtlineare Reaktanz ist dies sehr störend, weil diese räumlich sehr klein iin Vergleich zu der Filterschaltung für den Idlingkreis ist und eine gewünschte Verkopplung von Kapazitätsdiode und Idlingschaltung wesentliche konstruktive Probleme und Schwierigkeiten bringt.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einer parametrischen Einrichtung, die eine Idlinschaltung mit dem Reaktanzverhalten eines mehrkreisigen Bandpaßfilters hat, die Ausgestaltung des die Idlingschaltung und die nichtlineare Reaktanz enthaltenden Teiles.einer parametrischen Einrichtung wesentlich zu vereinfachen.
  • Bei der Erfindung wird von der Eigenschaft einer Leitungsverzweigung Gebrauch gemacht, die darin besteht, daß die elektrische Verkopplung von an verschiedenen Leitungen der Verzweigung angeschaltete Resonatoren untereinander durch Einfügung einer Reflexionsstelle im Verzweigungsbereich so gering bzw. lose gemacht werden kann, daß sich die Resonatoren abstimmungsmäßig fast nicht beeinflussen.
  • Erfmdungsgemäß wird die vorstehend geschilderte Aufgabe dadurch gelöst, daß an eine Leitungsverzweigung, in der die variable Reaktanz angeordnet ist, wenigstens zwei Leitungen angeschaltet sind, die in vorzugsweise abstimmbare Resonatoren für die Idlingfrequenz übergehen und die über die Verzweigung derart lose miteinander gekoppelt sind, daß die einzelnen Resonatoren sich weitgehend unabhängig voneinander im Frequenzbereich der Idlingfrequenz abstimmen lassen.
  • Wie der Erfindung zugrunde liegende Untersuchungen gezeigt haben, ist nämlich überraschenderweise trotz der fast vollständigen Entkopplung der einzelnen Idlingresonatoren voneinander noch eine hinreichend starke Kopplung zwischen den einzelnen Resonatoren und dem Stromkreis der nichtlinearen Reaktanz, insbesondere einer Kapazitätsdiode, vorhanden, wenn diese iin Verzweigungsbereich vorgesehen wird.
  • Vorteilhaft werden die einzelnen Resonatoren für die Idlingfrequenz geringfügig gegeneinander verstimmt. Wenigstens einer der Resonatoren für die Idlingfrequenz kann vorteilhaft auch als mehrkreisiges Bandfilter mit einer äußeren Wirklast ausgebildet werden.
  • Eine vorteilhafte Ausgestaltung einer parametrischen Einrichtung nach der Erfindung wird dann erhalten, wenn die Leitungsverzweigung als Parallelverzweigung in Hohlleiterbauweise ausgebildet ist, in die elektrisch parallel zusätzlich die ebenfalls als Hohlleiter ausgebildete Leitung für die Pumpfrequenzzuführung einmündet und in deren Verzweigungspunkt die variable Reaktanz angeordnet ist, die mit einer im Verzweigungszentrum in die Hohlleiter einmündenden Koaxialleitung für die Signalfrequenz verbunden ist. Die lose Kopplung kann hierbei vorteilhaft dadurch erreicht werden, daß im Verzweigungsbereich eine zusätzliche, im Reflexionsverhalten vorzugsweise einstellbare Reflexionsstelle, wie eine Abstimmschraube oder eine Trennwand, für die Wellen von Idlingfrequenz vorgesehen wird. Diese Entkopplung läßt sich für bestimmte Ausführungsformen der Einrichtung auch dadurch einfach realisieren, daß der Feldwellenwiderstand der einzelnen Hohlleitungen für die Idlingresonatoren zumindest ün Verzweigungsbereich sehr niederohmig im Vergleich zum Feldwellenwiderstand üblicher Hohlleiter mit dem Seitenverhältnis von 1: 2 gewählt wird. Letzteres kann unterstützend zu der vorerwähnten Reflexionsstelle oder auch für sich allein zur Entkopplung angewendet werden. Als vorteilhaft hat es sich weiterhin erwiesen, wenn für die einzelnen Hohlleiter solche mit einem flachen Rechteckprofil, insbesondere mit einem Verhältnis von Höhe zu Breite kleiner als 1: 7 vorgesehen sind.
  • Nachstehend wird die Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • F i g. 1 zeigt in Aufsicht einen Schnitt durch einen parametrischen Verstärker für die Verstärkung einer Signalfrequenz, beispielsweise im Frequenzbereich um 4 GHz; F i g. 2 zeigt den gleichen Verstärker in einem Längsschnitt.
  • Die Pumpfrequenz f, liegt für diesen Verstärker bei etwa 12 GHz. Es ergibt sich dann eine Idlingfrequenz fi von etwa 8 GHz und eine Summen frequenz (f, + f,) von etwa 16 GHz.
  • Der Verstärker arbeitet mit einer Kapazitätsdiode 1, die eine Hohlleiterverzweigung senkrecht zur Breitseite durchdringt. In Verlängerung der Kapazitätsdiode 1 mündet in die Hohlleiterverzweigung eine Koaxialleitung ein, die der Zuführung und Entnahme der Signalfrequenz f, dient. Zur Verhinderung eines Entweichens von Pumpenergie und von Idlingenergie über diese Koaxialleitung ist ein Tiefpaß 2 in die Koaxialleitung eingeschaltet.
  • Die Leitungsverzweigung selbst enthält zwei Hohlleiterabschnitte 3, 4 von rechteckigem Querschnitt, die für sich eigentlich einen durchgehenden Hohlleiter bilden und deren Breitenabmessung so groß gewählt ist, daß sich ün Eindeutigkeitsbereich der Hohlleitung darin die Wellen von Idlingfrequenz ausbreiten können.
  • Senkrecht hierzu mündet ein ebenfalls Rechteckquerschnitt aufweisender Hohlleiter 5 für die Zuführung der Pumpenergie mit der Frequenz f, ein. Die Breitenabmessung dieses Hohlleiterabschnitts ist so klein gewählt, daß die Grenzfrequenz des Hohlleitungsabschnittes 5 höher als die Idlingfrequenz ist, jedoch unterhalb der Pumpfrequenz liegt.
  • In den HoMeitungsabschnitten 3, 4 sind Abstimmorgane 6, 7 insbesondere in Form von Kurzschlußschiebern vorgesehen, die eine getrennte Einstellung der elektrischen Länge jedes der Hohlleitungsabschnitte 3, 4 ermöglichen.
  • Bei einem ausgeführten parametrischen Verstärker dieser Art hatten die Hohlleiterabschnitte 3, 4 einen Querschnitt von etwa 23 - 5 mm, und der Wellenwiderstand des Tiefpasses 2 betrug etwa 10 9. Damit wirkten die Hohlleiterteile 3, 4, 5 für die Koaxialleitung wie eine Vergrößerung des Außenleiters und damit wie eine näherungsweise konzentrierte Induktivität von etwa 2 nIL Diese Induktivität ist praktisch gerade so groß, daß sie ausreicht, um den Signalfrequenzkreis auf Resonanz für die Signalfrequenz fl abzustimmen. Der Signalfrequenzkreis ist bei dieser Ausführungsform also fest abgestimmt. Der Hohlleiter für die Pumpenergie hatte hierbei eine Höhe von 5 mm und eine Breite von 13 mm.
  • Als Kapazitätsdiode wurde bei- diesem Ausführungsbeispiel eine abrupt dotierte GaAs-Diode verwendet, mit folgenden Daten: Nullpunktkapazität ........... C (0) = 0,362 pF Kontaktpotential ................ 0 = 1,294 V Bahnwiderstand .................. r = 6,6 Ohm Eigeninduktivität ............... LO = 0,7 nH Gehäusekapazität .... G, = 0,28 pF Durchbruchspannung ##ei* 10*#tA)' UD = 15,0 V Die Diode wurde mit einer festen Vorspannung zwischen - 0,6 und - 1,0 V betrieben. Bei - 0,6 V Vorspannung und 4 GIlz Signalfrequenz beträgt die dynamische Diodengüte y Q = 5,3, wenn man mit einem Kapazitätsmodulationsfaktor von y=0,32 rechnet.
  • Zusätzlich ist, von der einen Hohlleiter-Schmalseite des durchgehenden Hohlleiterabschnittes 3, 4 her in den Hohlleiterinnenraum einmündend, noch eine Abstimmschraube 8 vorgesehen, die sich in Richtung auf die Kapazitätsdiode 1 einschrauben läßt und deren Eintauchtiefe t bei einem Durchmesser von etwa 5 mm etwa 7 mm beträgt Diese Abstimmschraube 8 ist wesentlich für die Entkopplung der beiden durch die Hohlleiterabschnitte 3 und 4 gebildeten Resonatoren für die Idlingfrequenz.
  • Der Signalkreis des Verstärkers hat bei diesem Ausführungsbeispiel eine Bandbreite von etwa 400 MHz, bei einer Mittenfrequenz von etwa 3900 MHz. In diesem Frequenzbereich sind, je nach Stellung der Kurzschlußschieber 6, 7, maximale Verstärkungen von 20 db mit 3-db-Bandbreiten von 3 bis 14 MHz gemessen worden.
  • Innerhalb der genannten Signalkreisbandbreite setzt die Signalverstärkung jedesmal dann ein, wenn der Hilfskreis (Resonanzgebilde aus 3 und 4) bei der entstehenden Differenzfrequenz in Resonanz ist. Hat der Hilfskreis - innerhalb der Differenzfrequenz-Bandbreite, die zur Signalkreisbandbreite gehört - zwei verschiedene Resonanzfrequenzen" dann zeigt die Verstärkungskurve über der Frequenz zwei Maxima. Dieser Fall läßt sich beira Ausführungsbeispiel realisieren; denn der Hilfskreis besteht hier aus der Kapazitätsdiode mit dem unterteilten Hohlleiterraum zwischen den beiden Kurzschlußschiebern. Die beiden Resonanzfrequenzen des unterteilten Hohlleiterraumes können weitgehend unabhängig voneinander mit den Kurzschlußschiebein 6 und 7 eingestellt werden.
  • In der F i g. 3 ist das Feldliniehbild der Differenzfrequenzschwingung ira Hohlleiter und in der F i g. 4 das Ersatzschaltbild des Hilfskreises dargestellt. Wenn die Verstärkungskurve zwei Maxima hat, sind die Abstände d,_ und d2 der beiden Kurzschlußschieber von der Diode um etwa 3 bis 4 mm größer als die halben Hohlleiterwellenlängen-42' bzw. -"2", die zu den beiden Resonanzfrequenzen des I-Elfskreises gehören. (s. F i g. 3). Wenn d., = d. ist, dann ist auch A2'= Al", und die Verstärkungskurve zeigt nur ein Maximum. In diesem Fall ist der Hilfskreis ein entarteter 3-A/,:-Resonator. Infolge der starken Störung, welche die Diode im Hohlleiter darstellt, konzentriert sich die mittlere Halbwelle dieses 3A/,-Resonators im wesentlichen auf einen engen zylindrischenRaum D von etwa 6 mm Durchmesser um die Diode herum. Die ungestörte halbe Hohlleiterwellenlänge der Diffe-,renzfrequenz von 8,6 GHz beträgt dagegen 26,8 mm.
  • Das Ersatzschaltbild des Hilfskreises hat man sich aus zwei (mit Hilfe der Kurzschlußschieber abstimmbaren) Reihenschwingkreisen bestehend zu denken, die zu der gepumpten Diode parallel geschaltet sind (s. F i g. 4). Wegen der Parallelschaltung der beiden .äußeren Reihenresonanzkreise beeinflussen sich die -beiden Resonanzfrequenzen des Hilfskreises gegenseitig nur wenig (R = Diodenscheinwiderstand mit Bahnwiderstandsverlusten).
  • In der F i g. 5 sind als Beispiel fünf Verstärkungskurven gezeigt, welche den Einfluß der beiden gesondert wählbaren Resonanzen des Hilfskreises deutlich erkennen lassen. Es handelt sich hierbei um die Wiedergabe oszillographischer Aufnahmen. Bei der Aufnahme der Oszillogramme war der Kurzschlußschieber 7 festgehalten worden, während mit dem Kurzschlußschieber 6 der Abstand d, von der Diode (s. F i g. 3) in fünf Schritten von 28,3 8 auf 28,70 mm vergrößert wurde.
  • Man erkennt in der Mitte aller Oszillogramme ein Verstärkungsmaximum, das unabhängig von der Stellung des Kurzschlußschiebers 6 bei etwa 3788 MHz auftritt. Die zu diesem Verstärkungsmaximum gehörende Resonanz des Hilfskreises ist durch den Hohlraum zwischen Diode und Kurzschlußschieber 7 bestimmt. Das zweite Verstärkungsmaximum wandert in Abhängigkeit von der Stellung des Kurzschlußschiebers 6 vom linken Figurenrand über die Figurenmitte zum rechten Figurenrand> verschiebt sich also kontinuierlich um etwa 35 MHz nach höheren Frequenzen zu. G bedeutet in den F i g. 5, 6, 7 und 9 die Verstärkung in Dezibelangabe. Die beiden Verstärkungsmaxima lassen sich dicht aneinanderschieben, so daß eine Verstärkungskurve mit der von zweikreisigen Bandfiltern her bekannten »Zweihöckrigkeit« zustande kommt. Je größer die Verstärkungswelligkeit ist, die man zuläßt, um so größer ist die 3-db-Bandbreite der Verstärkung gegenüber der Bandbreite einer einzelnen Verstärkungskurve, die zu einer einzigen Resonanz des Hilfskreises gehört. Bei 3750 MHz Mittenfrequenz und 20 db maximaler Verstärkung wurde z. B. eine Bandbreite von 7,4 MHz im Fall genau übereinstimmender Verstärkungsmaxima erreicht. Bei 20 db maximaler Verstärkung ließen sich 9,4 MHz Bandbreite bei 0,5 db Einsattelung bzw. 11,5 MHz Bandbreite bei 3 db Einsattelung der Verstärkung zwischen den beiden Maxima erzielen.
  • In der F i g. 6 ist eine Zweikreiskurve der Verstärkung mit zwei 20-db-Maxima und einer 2-db-Einsattelung gezeigt. Die 3-db-Bandbreite beträgt hier etwa 14 MHz, entsprechend einem Verstärkungs-Bandbreite-Produkt von etwa 140 MHz.
  • - Im allgemeinen sind die beiden Verstärkungsmaxima verschieden groß. Dies kann in der Regel auf eine gewisse Unsymmetrie der Anordnung zurückgeführt werden. Die Kopplung der Diode mit den beiden Hohlleiterhalbräumen, die von den Kurzschlußschiebern begrenzt werden, sollte nämlich möglichst gleich sein.
  • Zum Ausgleich derartiger Unsymmetrien hat sich die Symmetrierschraube 8 bewährt, die in der F i g. 2 zu sehen ist. In der F i g. 7 ist die Wirkung dieser Symmetrierschraube 8 an Hand von fünf Oszillogrammen der Verstärkungskurve gezeigt. Die beiden Resonanzfrequenzen des Hilfskreises sind in diesem Fall so weit verschieden gewählt, daß sich die Verstärkungskurve in zwei Glockenkurven von 45 l#IHz Abstand aufspaltet. Eine Variation der Eintauchtiefe t zwischen 5,2 und 4,0 mm der Symmetrierschraube 8 in den Hohlleiter genügt, wie man sieht, um den Unterschied der beiden Verstärkungsmaxima im Bereich ± 3 db zu verändern. Bei Betätigung der Symmetrierschraube verstimmen sich gleichzeitig etwas die beiden Hilfskreisresonanzen, wie aus der F i g. 7 zu erkennen ist, doch ist dies durch Nachstellung der Abstimmorgane 6, 7 im Bedarfsfall korrigierbar.
  • Die für die angegebenen Werte im Verstärker erforderliche Pumpleistung beträgt beim Ausführungsbeispiel 30 bis 100 mW.
  • Das Prinzip der mehrkreisigen Abstimmung des Hilfskreises läßt sich auch auf drei und mehr Resonanzstellen bzw. Kreise erweitern, indem an die Stelle der Symmetrierschraube (s. F i g. 1) die Ab- zweigung eines weiteren Hohlleiters tritt, der ebenfalls mit einem Kurzschlußschieber abgeschlossen ist. Dieser Hohlleiter wird vorteilhaft mit der Diode 1 gleich stark gekoppelt wie die beiden anderen Hohlleiterräume. Auf diese Weise kann das Verstärkungs-Bandbreite-Produkt weiter vergrößert werden.
  • Eine weitere Möglichkeit zur Vergrößerung der Verstärkungsbandbreite im Sinne der Erfindung bietet die Ankopplung einer äußeren Last an die Hilfskreisresonatoren im Sinne einer einstellbaren Bedämpfung der Hilfskreisabschnitte. In der F i g. 8 ist hierzu ein Ausführungsbeispiel eines parametrischen Verstärkers gezeigt. Der grundsätzliche Aufbau entspricht dem nach den F i g. 1 und 2. Dieser parametrische Verstärker ist durch eine äußere Belastung der beiden Resonanzräume des Hilfskreises erweitert. Wie vorstehend bereits ausgeführt, lassen sich den beiden Resonanzfrequenzen des Hilfskreises in eindeutiger Weise die beiden Hohlleiterräume zwischen der Kapazitätsdiode einerseits und den beiden Kurzschlußschiebern 6, 7 zuordnen. In diese beiden Hohlleiterräume taucht gemäß der F i g. 8 von der Schmalseite des Hohlleiters aus je ein Stift 9, 10 von etwa 3 Durchmesser, deren jeder aus wellenabsorbierendem Material, wie Karbonyleisen od. dgl., besteht, ein. Die Eintauchtiefe der Dämpfungsstifte 9, 10 ist mit Schraubenansätzen 11, 12 veränderbar.
  • Mit den beiden Kurzschlußschiebern 6, 7 lassen sich beim Ausführungsbeispiel die beiden Maxima der Verstärkungskurve im Bereich zwischen 3,7 und 4 GHz verschieben. Liegen die beiden Verstärkungsmaxima hinreichend dicht beieinander, so erhält man Verstärkungskurven mit typischer Zweikreis-Charakteristik. Da sich die Belastung der beiden Resonanzräume des Hüfskreises getrennt einstellen läßt, ist es auf einfache Weise möglich, die Größe der beiden Verstärkungsmaxima einander gleich zu machen.
  • Ein Beispiel für eine Verstärkungskurve mit Zweikreis-Charakteristik ist in der F i g. 9 gezeigt. Die maximale Verstärkung beträgt hierbei etwa 20 db, die Bandmittenfrequenz etwa 3878 MHz und die 3-db-Bandbreite etwa 25,6 MHz. Das Verstärkungsbandbreiteprodukt liegt also bei etwa 256 MHz. Die Einsattelung der Verstärkung zwischen den beiden Maxima ist in diesem Fall 1,5 db. Läßt man eine größere Einsattelung zu, dann sind auch größere Verstärkungsbandbreiteprodukte möglich. Die in .diesem Fall züm Beispiel der F i g. 1 gleiche Diode wurde mit -1 V Vorspannung betrieben, und die zusätzliche Hilfskreislast bei zunehmender Pumpleistung wurde so weit vergrößert, daß der Diodenrichtstrom etwa 0,25 tzA betrug. Die Eintauchtiefe der Dämpfungsstifte in den Hohlleiter war bei der dem Oszillogramm zugrunde liegenden Messung für beide Stifte etwa 3,6 mm.
  • Die Bandbreite des Hilfskreises läßt sich noch vergrößern, wenn für den Hilfskreis ein Hohlleiter mit geringerer Grenzfrequenz f, also geringerer Dispersion, verwendet wird. Bezeichnet A die Vakuumwellenlänge, A die Hohlleiterwellenlänge und f die Frequenz, dann gilt nän-dich für die Änderung d-A der Hohlleiterwellenlänge bei einer Frequenzänderung df Hiernach kann die Wellenlängenveränderung d.A bei der Differenzfrequenz 8,5 GEz auf die Hälfte herabgesetzt werden, wenn an Stelle des Hohlleiters .von 22,86 - 5,0 mm Querschnitt mit der Grenzfrequenz 6,6 GI-lz ein Hohlleiter mit einer Grenzfrequenz 5,0 GElz verwendet wird. Die Bandbreite des Hilfskreises läßt sich auf diese Weise etwa um den Faktor 2 vergrößern.

Claims (2)

  1. Patentansprüche: 1. Parametrische Einrichtung, insbesondere parametrische Verstärker für sehr kurze elektromagnetische Wellen mit einer variablen Reaktanz, insbesondere einer Kapazitätsdiode, einer Zuführung für die Pumpenergie und einer Zuführung für die Wellen von Signalfrequenz sowie einem Idlingkreis -mit dem Impedanzverhalten eines mehrkreisigen Bandfilters für die Idlingfrequenz, dadurch gekennzeichnet, daß an eine Leitungsverzweigung, in der die variable Reaktanz angeordnet ist, wenigstens zwei Leitungen angeschaltet sind, die in vorzugsweise abstimmbare Resonatoren für die Idlingfrequenz übergehen und die über die Verzweigung derart lose miteinander gekoppelt sind, daß die einzelnen Resonatoren sich weitgehend unabhängig voneinander im Frequenzbereich der Idlingfrequenzabstimmen lassen.
  2. 2. Parametrische Einrichtung nach Ansprach 1, dadurch gekenn eichnet, daß die Resonatoren für die Idlingfrequenz geringfügig gegeneinander verstimmt sind. 3. Parametrische Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einer der Resonatoren für die Idlingfrequenz für sich als mehrkreisiges Bandfilter ausgebildet ist. 4. Parametrische Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitungsverzweigung als Parallelverzweigung in Hohlleiterbauweise ausgebildet ist, in die elektrisch parallel zusätzlich die ebenfalls als Hohlleiter ausgebildete Leitung für die Pumpfrequenzzuführung einmündet und in deren Verzweigungspunkt die variable Reaktanz angeordnet ist, die mit einer im Verzweigungszentrum in die Hohlleiter einmündenden Koaxialleitung für die Signalfrequenz verbunden ist. 5. Parametrische Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur nur losen Kopplung der in Idlingresonatoren übergehenden Leitungen der Verzweigung im Verzweigungsbereich vorzugsweise im Reflexionsverhalten einstellbare Reflexionsstellen für die Wellen von Idlingfrequenz vorgesehen sind. 6. Parametrische Einrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest die in Idlingresonatoren übergehenden Leitungen der Verzweigung als Hohlleiter mit flachem Rechteckquerschnitt ausgebildet sind. 7. Parametrische Einrichtung nach Ansprach 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Rechteckquerschnitt ein Seitenverhältnis von kleiner als 1: 7 (Höhe zu Breite) hat. 8. Parametrische Einrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest für einen der Idlingresonatoren eine einstellbare Belastung vorgesehen ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1289561B (de) * 1966-09-30 1969-02-20 Siemens Ag Parametrische Einrichtung, insbesondere parametrischer Verstaerker

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