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DE1299712B - Schaltungsanordnung zum fremdpotentialfreien Pruefen eines aus n Zeilen und m Spalten bestehenden Leitungsvielfaches und eines daran angeschlossenen Speichers nach Art eines íÀ1 aus níÂ-Codesignalpruefers - Google Patents

Schaltungsanordnung zum fremdpotentialfreien Pruefen eines aus n Zeilen und m Spalten bestehenden Leitungsvielfaches und eines daran angeschlossenen Speichers nach Art eines íÀ1 aus níÂ-Codesignalpruefers

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Publication number
DE1299712B
DE1299712B DE1967S0110604 DES0110604A DE1299712B DE 1299712 B DE1299712 B DE 1299712B DE 1967S0110604 DE1967S0110604 DE 1967S0110604 DE S0110604 A DES0110604 A DE S0110604A DE 1299712 B DE1299712 B DE 1299712B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
lines
line multiple
magnetic core
memory
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE1967S0110604
Other languages
English (en)
Inventor
Jaeger
Dipl-Ing Manfred
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DE1967S0110604 priority Critical patent/DE1299712B/de
Publication of DE1299712B publication Critical patent/DE1299712B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q3/00Selecting arrangements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Description

  • Die Hauptpatentanmeldung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zum fremdpotentialfreien Prüfen eines aus n Zeilenleitungen und m Spaltenleitungen bestehenden Leitungsvielfaches nach Art eines »1 aus n«-Codesignalprüfers. Bei dieser Schaltungsanordnung ist parallel zu den Leitungen eines Leitungsvielfaches eine Prüfleitung angeordnet, die über Dioden und über Prüfwiederstände mit jeder Leitung des Leitungsvielfaches verbunden ist und über die ein von der Anzahl der erregten Leitungen abhängiger Prüfstrom fließt. Ferner ist eine Vergleichsschaltung vorhanden, die einen Magnetkern mit rechteckförmiger Hystereseschleife enthält, der über eine erste Wicklung durch den Prüfstrom in einer Richtung erregt und über eine zweite Wicklung durch Vergleichsstromimpulse in der entgegengesetzten Richtung erregt wird.
  • Da bei dieser Schaltungsanordnung die Prüfleitung, deren Strom -der Vergleichsschaltung zugeführt wird, parallel zu den Leitungen des Leitungsvielfaches liegt, stellt die Vergleichsschaltung eine zusätzliche Belastung der Leitungen des Leitungsvielfaches dar. Außerdem sind hier zusätzliche Maßnahmen zu ergreifen, um sicherzustellen, daß unabhängig von der ohmschen Belastung, die der Magnetkern während der Ummagnetisierung darstellt, während des ganzen Ummagnetisierungsvorganges immer der erforderliche Ummagnetisierungsstrom fließt. So kann z. B. der Prüfstrom der Vergleichsschaltung über einen in Basisgrundschaltung betriebenen Transistorverstärker zugeführt werden, der ausgangsseitig mit der Vergleichsschaltung verbünden ist und einen derart hohen Ausgangswiderstand aufweist, daß der Prüfstrom in der Prüfleitung von dem durch die Vergleichsschaltung gebildeten Widerstand unabhängig ist.
  • Die im folgenden beschriebene erfindungsgemäße Schaltungsanordnung weist den Vorteil auf, daß die Vergleichsschaltung keine zusätzliche Belastung für die Leitungen des Leitungsvielfaches darstellt, also auch keine zusätzlichen Maßnahmen zur Vermeidung der hierdurch möglichen Nachteile zu ergreifen sind. Eine derartige Schaltungsanordnung ist außerdem zur Lösung einer Aufgabe geeignet, die weitergeht als die Aufgabe, die durch die in der Hauptpatentanmeldung erfaßte Schaltungsanordnung gelöst wird. Bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung wird nämlich zusätzlich zur Prüfung der Leitungen des Leitungsvielfaches eine Prüfung auf den fehlerlosen Betrieb des Speichers vorgenommen, dessen Auswahlleitungen an die Leitungen des Leitungsvielfaches angeschlossen sind. Es können hierbei sowohl solche im Speicher auftretenden Fehler, die sich in der Unterbrechung einer seiner Auswahlleitungen äußern, als auch solche erkannt werden, die sich darin äußern daß auch bei Fehlen eines Ansteuersignals für den Speicher einzelne Auswahlleitungen in fehlerhafter Weise dauernd leitend miteinander verbunden sind. Bei einem in Matrixform aufgebauten Speicher kann dies z. B. auch beim Durchlegieren der zwischen den Spaltenleitungen und Zeilenleitungen des Speichers angeordneten Entkopplungsdioden der Fall sein.
  • Während bei dem durch die Hauptpatentanmeldung erfaßten Ausführungsbeispiel Prüfstrom und Vergleichsstromimpuls in einem derartigen Verhältnis zueinander stehen, daß der Magnetkern der Vergleichsschaltung vom einen Sättigungszustand in den anderen immer dann ummagnetisiert wird, wenn an einer der Leitungen eines Leitungsvielfaches Arbeitspotential liegt und das dann abgegebene Ausgangssignal zum Unwirksamschalten einer -vorher aktivierten Alarmschaltung dient, sind bei der nachstehend beschriebenen erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung Prüfstrom- und Vergleichsstromimpulse auf andere Art aufeinander abgestimmt, so daß sich auch bei der Signalisierung eines Fehlers andere Vorgänge abspielen. Eine Ummagnetisierung des Magnetkernes der Vergleichsschaltung findet hier nämlich erst dann statt, wenn an keiner der Leitungen des Leitungsvielfaches Arbeitspotential liegt. Es wird hier also erst bei Vorliegen dieses fehlerhaften Betriebszustandes, den man bekanntlich als Unvollständigkeit bezeichnet (s. auch deutsche Patentschrift 1044 897), durch das Ausgangssignal der Vergleichsschaltung eine sich vorher im Ruhezustand befindliche Alarmschaltung in Gang gesetzt. Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung ist dadurch gekennzeichnet, daß für die Prüfung auf Unvollständigkeit der Leitungen des Leitungsvielfaches und für die zusätzliche Prüfung des Speichers, an dessen Auswahlleitungen die Leitungen des Leitungsvielfaches angeschlossen sind, unter Einsparung der zu den Leitungen des Leitungsvielfaches parallelen Prüfleitung und der mit ihr verbundenen Dioden und Widerstände die Leitungen des Leitungsvielfaches direkt mit der ersten Wicklung des Magnetkernes verbunden sind, daß der über diese Wicklungen fließende Strom sich zum einen Teil aus sowohl über die Auswahlleitungen des Speichers als auch über die Leitungen des Leitungsvielfaches fließende Ströme, zum anderen Teil aus nur über die Leitungen des Leitungsvielfaches fließende Ströme zusammensetzt und gleichzeitig als Prüfstrom ausgenutzt wird und zusammen mit den Vergleichsstromimpulsen den Magnetkern derart beeinflußt, daß dieser nur bei Unvollständigkeit der Betriebszustände der Leitungen des Leitungsvielfaches bzw. bei Unterbrechung der Auswahlleitungen des Speichers von dem einen in den anderen Sättigungszustand ummagnetisiert wird.
  • Auch diese Schaltungsanordnung kann dahingehend ausgestaltet werden, daß zusätzlich zur Prüfung auf Unvollständigkeit eine Prüfung auf Mehrdeutigkeit möglich ist, wobei unter Mehrdeutigkeit bekanntlich derjenige Betriebszustand verstanden wird, in dem mehrere der Leitungen des Leitungsvielfaches Arbeitspotential führen. Hierzu ist eine Wicklung eines zweiten Magnetkernes an die mit einer ersten Gruppe von Auswahlleitungen des Speichers verbundenen Leitungen des Leitungsvielfaches und eine Wicklung eines dritten Magnetkernes an die mit einer zweiten Gruppe von Auswahlleitungen des Speichers verbundenen Leitungen in der Weise angeschlossen, daß der zweite und der dritte Magnetkern von demjenigen Teil des über die Leitungen des Leitungsvielfaches fließenden Stromes beeinflußt werden, der nicht über die Leitungen des Speichers fließt und vom einen Sättigungszustand in den anderen immer nur dann ummagnetisiert werden, wenn Mehrdeutigkeit vorliegt.
  • Aufbau und Funktionsweise der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung werden nun an Hand einer Figur näher erläutert. Der bei dem dort dargestellten Ausführungsbeispiel vorgesehene Speicher ist in Matrixform aufgebaut und weist als Auswahlleitungen Zeilenleitungen und Spaltenleitungen auf. Demgemäß enthält das zu überprüfende Leitungsvielfach die Zeilenleitungen L 11 bis L 1 n und die Spaltenleitungen L 21 bis L 2 rc. An diese Leitungen des Leitungsvielfaches wird dadurch Arbeitspotential angelegt, daß die Transistoren, die mit ihren Hauptstromstrekken in die Leitungen eingefügt sind, in den leitenden Zustand gesteuert werden. Die in die Spaltenleitungen des Leitungsvielfaches eingefügten Transistoren 2 T 1 bis 2 T n sind aus weiter unten erläuterten Gründen von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp wie die in die Zeilenleitungen des Leitungsvielfaches eingefügten Transistoren 1 T 1 bis 1 T n.
  • Die Zeilenleitungen des Leitungsvielfaches L 11 bis L 1 n sind an die Zeilenleitungen z 1 bis z sa des Speichers und die Spaltenleitungen L 21 bis L 2 h des Leitungsvielfaches an die Spaltenleitungen s1 bis sn des Speichers angeschlossen. Jede Zeilenleitung des Speichers ist mit jeder seiner Spaltenleitungen jeweils über die Reihenschaltung einer Diode D und einer Spule L, von denen hier nur einige dargestellt sind, verbunden. Wenn sowohl eine Zeilenleitung als auch eine Spaltenleitung des Speichers über die entsprechenden Spaltenleitungen und Zeilenleitungen des Leitungsvielfaches angesteuert werden, wird eine der Dioden D des Speichers durchlässig, und über eine der Spulen L fließt ein Strom. Jede der Spulen ist in individueller Kombination mit bestimmten von mehreren, hier nicht dargestellten Ausgangsleitungen induktiv gekoppelt, so daß ein Stromfluß durch diese Spulen das Auftreten von Arbeitspotential auf bestimmten der Ausgangsleitungen zur Folge hat. Durch Ansteuern einer bestimmten Spaltenleitung und einer bestimmten Zeilenleitung des Speichers kann also jeweils ein bestimmtes, fest eingespeichertes Programmwort, das durch die Kombination von Arbeits- und Ruhepotential auf den Ausgangsleitungen dargestellt ist, ausgelesen werden.
  • Zur Prüfung der Leitungen des Leitungsvielfaches auf Unvollständigkeit bzw. zur Prüfung der Auswahlleitungen des Speichers auf Unterbrechung dient der Magnetkern Mk 1. Eine erste Wicklung W 11 dieses Magnetkernes liegt in der gemeinsamen Emitterzuleitung der Transistoren 1 T 1 bis 1 T n. Sie könnte jedoch genausogut in der gemeinsamen Emitterzuleitung der Transistoren 2T1 bis 2Th eingefügt sein. Der über die Wicklung W 11 fließende Strom wird als Prüfstrom ausgenutzt. Er beeinflußt den Magnetkern Mk 1 in entgegengesetzter Magnetisierungsrichtung wie die der zweiten Wicklung W12 dieses Magnetkernes zugeführten Vergleichsstromimpulse. Der Magnetkern Mk 1 weist außerdem noch die Wicklung W13, der die Rückstellimpulse zugeführt werden, und die Ausgangswicklung W 1 a auf, von der aus die Ausgangs- ; Signale an eine hier nicht dargestellte Alarmschaltung weitergegeben werden.
  • Bei der Prüfung auf Unvollständigkeit des Betriebszustandes der Leitungen des Leitungsvielfaches bzw. auf Unterbrechung der Leitungen des Speichers spie- ; len sich folgende Vorgänge ab: Bei fehlerlosem Betrieb der Leitungen des Leitungsvielfaches führt eine der Zeilenleitungen positives Potential und eine der Spaltenleitungen des Leitungsvielfaches negatives Potential, was jeweils durch Leitendmachen des betreffenden Transistors 1T1 bis 1 T n bzw. 2T1 bis 2 T fa zustande gebracht wird. Hierdurch wird die zwischen der betreffenden angesteuerten Zeilenleitung und Spaltenleitung des Speichers liegende Diode D durchlässig. Der durch die Wicklung W 11 des Ma- i gnetkernes Mkl fließende, als Prüfstrom ausgenutzte Strom setzt sich dann zusammen aus einem ersten Teilstrom, der nur über die Leitungen des Leitungsvielfaches, d. h. also von dem mit der Wicklung W 11 verbundenen Anschluß positiven Potentials einer Betriebsstromquelle über die Hauptstromstrecke eines der Transistoren 1 T 1 bis 1 T n, einen der Widerstände R 11 bis R 1 n und einen der Kollektorwiderstände R 11 bis R 1 n fließt, und aus einem zweiten Teilstrom, der von dem positiven Pol der Spannungsquelle über die Hauptstromstrecke einer der Transistoren 1 T 1 bis 1 T n, eine Spalte und :eine Zeile und die dazwischenliegende Reihenschaltung von Diode und Spule und schließlich über die Hauptstromstrecke einer der Transistoren 2 T 1 bis 2 T h fließt. Die Amplitude dieses durch die Wicklung W 11 fließenden Stromes bzw. die Windungszahl der Wicklung W 11 sind so gewählt, daß dieser als Prüfstrom ausgenutzte Strom und die den Kern über die Wicklung W12 in entgegengesetzter Magnetisierungsrichtung beeinflussenden Vergleichsstromimpulse sich so weit kompensieren, daß eine Ummagnetisierung des Kernes aus dem Magnetisierungszustand, der vor dem Prüfvorgang durch Zuführen eines Rückstellimpulses über die Wicklung W 13 hergestellt wurde, nicht möglich ist. Erst bei Unvollständigkeit des Betriebszustandes der Leitungen des Leitungsvielfaches, d. h. also wenn trotz Ansteuerung einer der Transistoren 1T1 bis 1 T ta und 2T1 bis 2 T n sich nicht jeweils eine Spaltenleitung und eine Zeilenleitung des Leitungsvielfaches Arbeitspotential führt oder wenn der Stromfluß durch den Speicher infolge der Unterbrechung einer seiner ausgewählten Leitungen bzw. der dazwischenliegenden Reihenschaltung von Diode und Spule unterbrochen ist, reicht die Amplitude des durch die Wicklung W 11 fließenden Stromes nicht mehr aus, die Vergleichsstromimpulse in genügender Weise zu kompensieren. Die Vergleichsstromimpulse sind daher nun in der Lage, den Magnetkern Mkl von dem durch die Rückstellimpulse eingestellten Sättigungszustand in den anderen Sättigungszustand umzumagnetisieren. Hierdurch wird in der Ausgangswicklung Wal ein Ausgangsimpuls induziert, der eine hier nicht dargestellte Alarmschaltung aktiviert, die daraufhin ein Alarmsignal abgibt.
  • Für die zusätzliche Prüfung auf Mehrdeutigkeit der Betriebszustände der Leitungen des Leitungsvielfaches sind ein zweiter Magnetkern Mk2 und ein dritter Magnetkern Mk3 vorgesehen. Der zweite Magnetkern Mk2 dient zur Prüfung von Mehrdeutigkeit der Betriebszustände der Zeilenleitungen L11 bis L 1 h des Leitungsvielfaches. Er wird über eine Wicklung W21 von einem Teil der über die Leitungen L 11 bis L 1 n des Leitungsvielfaches fließenden Stromes beeinflußt. Da die Wicklung W21 in der gemeinsamen Kollektorzuleitung der Transistoren 1T1 bis 1 T h liegt, wird der Magnetkern Mk 2 nur von demjenigen Teil des über die Leitungen L 11 bis L 1 n des Leitungsvielfaches fließenden Stromes beeinflußt, der nicht über die Auswahlleitungen des Speichers fließt. Der Magnetkern MIc2 trägt außerdem noch die Wicklung W23, der über die Leitung lr Rückstellimpulse zugeführt werden, und die Ausgangswicklung W 2 a. Wenn eine der Leitungen L 11 bis L 1 n leitend ist, fließt durch die Wicklung W21 des Magnetkernes Mk 2 ein Strom, der den Magnetkern in entgegengesetzter Richtung magnetisiert wie der über die Wicklung W23 zugeführte Rückstellimpuls. Die Windungszahl der Wicklung W21 ist jedoch so gewählt, daß bei Vorhandensein von Arbeitspotential an nur einer der Leitungen L 11 bis L 1 n der Strom nicht ausreicht, den Magnetkern von dem einen Sättigungszustand in den anderen umzumagnetisieren. Erst wenn Mehrdeutigkeit vorliegt, d. h. also wenn an mehr als einer der Leitungen L 11 bis L 1 n Arbeitspotential liegt, also der doppelte oder mehrfache Strom durch die Wicklung W21 fließt, kann der Magnetkern Mk2 in den anderen Sättigungszustand ummagnetisiert werden. Hierdurch wird in seiner Ausgangswicklung W2a ein Ausgabeimpuls erzeugt, der in entsprechender Weise wie beim Ummagnetisieren des Kernes Mkl eine Alarmschaltung zur Abgabe eines Alarmsignals veranlaßt.
  • In entsprechender Weise wirkt der zur Prüfung der Mehrdeutigkeit der Spaltenleitungen L21 bis L 2 n vorgesehene dritte Magnetkern Mk3. Er wird über seine Wicklung W31, die in der Kollektorzuleitung der Transistoren 2 T 1 bis 2 T n liegt, von demjenigen Teil der über die Leitungen L21 bis L2n des Leitungsvielfaches fließenden Stromes beeinflußt, der nicht über die Auswahlleitungen des Speichers SP fließt. Der dritte Kern Mk3 weist entsprechend wie der zweite Kern Mk2 außerdem noch eine Rückstellwicklung W33 und eine Ausgabewicklung W 3 a auf.
  • Zur Kompensation von Störimpulsen, die auch bei Eindeutigkeit des Betriebszustandes der Leitungen des Leitungsvielfaches auftreten, also auch dann, wenn die Magnetkerne Mk2 und Mk3 nur längs des waagerechten Teils ihrer Hystereseschleife ausgesteuert werden, kann noch für jeden dieser Kerne ein Kompensationskern vorgesehen sein. Die Primär-Wicklungen dieser hier- nicht dargestellten Kompensationskerne werden von den Vergleichsstromimpulsen durchflossen. Ihre Sekundärwicklungen sind jeweils mit einer der Ausgabewicklungen der Magnetkerne Mk2 und Mk3 in Reihe geschaltet und haben einen derartigen Wicklungssinn, daß die bei Auftreten von Vergleichsstromimpulsen an ihnen induzierten Impulse den Störimpulsen an den Ausgabewicklungen entgegengerichtet sind und sie kompensieren.
  • Wie schon angegeben, kann mit der vorliegenden Schaltungsanordnung bei der zusätzlichen Prüfung des Speichers SP, an dessen Auswahlleitungen die Leitungen des Leitungsvielfaches angeschlossen sind, nicht nur eine dauernde Unterbrechung der Auswahlleitungen des Speichers bzw. der an sie angeschlossenen Dioden und Spulen erkannt werden, sondern auch eine fehlerhafte dauernde leitende Verbinbindung nicht angesteuerter Auswahlleitungen des Speichers, welche z. B. durch das Durchlegieren einer Diode zustande kommen kann.
  • Zum Erkennen des letztgenannten Fehlers dient ein weiterer Magnetkern Mk4. Über die Wicklung W42 wird dieser Kern von den Vergleichsstromimpulsen beeinflußt. Außerdem sind die Wicklungen 1W41 und 2W41 vorgesehen, die in der gemeinsamen Kollektorzuleitung der Transistoren 1T1 bis 1 T n bzw. in der gemeinsamen Kollektorzuleitung der Transistoren 2T1 bis 2 T n liegen. Ferner trägt der Kern Mk4 noch die Ausgabewicklung W 4 a.
  • Bei intakten Dioden des Speichers SP fließt in der Ruhephase der Schaltungsanordnung, d. h. wenn richtigerweise keiner der Transistoren 1 T 1 bis 1 T n bzw. 2T1 bis 2T n angesteuert ist, über keine der i Wicklungen des Magnetkernes Mk4 ein Strom. Es sind nämlich einerseits die gemeinsamen der Transistoren stromlos, und andererseits treten während dieser Zeitspanne, wie schon angegeben, auch keine Vergleichsstromimpulse auf. Ist jedoch eine der Dioden D des Speichers durchlegiert, so fließt über beide Wicklungen 1 W 41 und 2 W 41 ein Strom, nämlich vom positiven Pol der Betriebsstromquelle über die Wicklung 2W41, einen der Widerstände R21 bis R 2 n, über die durchlegierte Diode, über einen der Widerstände R 11 bis R 1 rc über die zweite Wicklung 1 W 41 des Magnetkernes Mk4 zurück zum negativen Pol der Betriebsstromquelle. Die Windungszahl der Wicklungen 1 W 41 und 2W41 ist so groß, daß der Magnetkern in diesem Falle vom über die Rückstellwicklung W43 eingestellten Sättigungszustand in den entgegengesetzten Sättigungszustand ummagnetisiert wird. Hierdurch wird, wie schon für die anderen Magnetkerne beschrieben, über die Ausgabewicklung W 4 a die Abgabe eines Alarmsignals veranlaßt.
  • Auch während der Arbeitsphase der Schaltungsanordnung, d. h. also, wenn in richtiger Weise eine der Zeilenleitungen bzw. eine der Spaltenleitungen des Leitungsvielfaches Arbeitspotential führt, fließen durch die Wicklungen 1 W 41 und 2 W 41 Ströme, die den Magnetkern Mk 4 in Ummagnetisierungsrichtung beeinflussen. Eine Ummagnetisierung in den anderen Sättigungszustand wird jedoch durch die nun auftretenden Vergleichsstromimpulse verhindert. Der Windungssinn und die Windungszahl der Wicklung W42, über die der Vergleichsstrom den Magnetkern Mk4 beeinflußt, sind nämlich so gewählt, daß die Wirkung der Vergleichsstromimpulse die Wirkungen der Ströme durch die Wicklungen 1 W 41 und 2 W 41 in dazu ausreichendem Maße kompensiert. Es ist hierdurch verhindert, daß trotz fehlerfreien Betriebes während der Arbeitsphase über die Ausgangswicklung W4a des Magnetkernes Mk4 fälschlicherweise die Abgabe eines Alarmsignals veranlaßt wird.

Claims (5)

  1. Patentansprüche: 1. Schaltungsanordnung zum fremdpotentialfreien Prüfen eines aus n Zeilen und in Spalten bestehenden Leitungsvielfaches, bei der parallel zu den Zeilen- und/oder Spaltenleitungen des Leitungsvielfaches eine Prüfleitung angeordnet ist, die über Dioden und über Prüfwiderstände mit jeder dazu parallelen Leitung des Leitungsvielfaches verbunden ist und über die ein von der Anzahl der erregten Leitungen abhängiger Prüfstrom fließt, und bei der eine Vergleichsschaltung vorhanden ist, die einen Magnetkern mit rechteckförmiger Hystereseschleife enthält, der über eine erste Wicklung durch den Prüfstrom in einer Richtung erregt und über eine zweite Wicklung durch Vergleichsstromimpulse in der entgegengesetzten Richtung erregt wird, nach Patentanmeldung P 12 79 086.2-32 (deutsche Auslegeschrift 1279086), dadurch gekennzeichnet, daß für die Prüfung auf Unvollständigkeit der Leitungen (L 11 bis L 1 n; L21 bis L 2 n) des Leitungsvielfaches und für die zusätzliche Prüfung des Speichers (SP), an dessen Auswahlleitungen (z 1 bis z n und s 1 bis s n) die Leitungen (L 11 bis L 1 n, L 21 bis L 2 n) des Leitungsvielfaches angeschlossen sind, unter Einsparung der zu den Leitungen des Leitungsvielfaches parallelen Prüfleitung und der mit ihr verbundenen Dioden und Widerstände die Leitungen des Leitungsvielfaches direkt mit der ersten Wicklung (W11) des Magnetkernes (Mk 1) verbunden sind, daß der über diese Wicklung (W11) fließende Strom sich zum einen Teil aus sowohl über die Auswahlleitungen des Speichers (z l bis z n; s 1 bis s n) als auch über die Leitungen des Leitungsvielfaches (L 11 bis L 1 n; L21 bis L 2 n) fließenden Strömen, zum anderen Teil aus nur über die Leitungen des Leitungsvielfaches (L 11 bis L 1 n; L21 bis L2n) fließenden Strömen zusammensetzt und gleichzeitig als Prüfstrom ausgenutzt wird und zusammen mit den Vergleichsstromimpulsen den Magnetkern (Mk1) derart beeinflußt, daß dieser nur bei Unvollständigkeit der Betriebszustände der Leitungen des Leitungsvielfaches (L 11 bis L 1 n; L21 bis L 2 n) bzw. bei Unterbrechung der Auswahlleitungen (z1 bis z n; s 1 bis s n) des Speichers (SP) von dem einen in den anderen Sättigungszustand ummagnetisiert wird.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Prüfung auf Mehrdeutigkeit der Betriebszustände der Leitungen des Leitungsvielfaches (L 11 bis L 1 n; L21 bis L 2 n) eine Wicklung (W23) eines zweiten Magnetkernes (Mk2) an die mit einer ersten Gruppe von Auswahlleitungen (z1 bis z n) des Speichers (SP) verbundenen Leitungen des Leitungsvielfaches (L 11 bis L 1 n) und eine Wicklung (W31) eines dritten Magnetkernes (Mk 3) an die mit einer zweiten Gruppe von Auswahlleitungen (s1 bis sh) des Speichers verbundenen Leitungen (L21 bis L 2 n) des Leitungsvielfaches in der Weise angeschlossen ist, daß der zweite und der dritte Magnetkern (Mk 2 und Mk 3) von dem Teil des über die Leitungen des Leitungsvielfaches (L 11 bis L 1 n; L21 bis L 2 n) fließenden Stromes, der nicht über die Auswahlleitungen des Speichers (z l bis z n; s 1 bis s n) fließt, beeinflußt werden und vom einen Sättigungszustand in den anderen immer nur dann ummagnetisiert werden, wenn Mehrdeutigkeit vorliegt.
  3. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Speicher (SP) in Matrixform aufgebaut ist und als Auswahlleitungen Zeilen- und Spaltenleitungen (z 1 bis z n und s 1 bis s n) aufweist.
  4. 4. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitungen des Leitungsvielfaches (L 11 bis L 1 n; L 21 bis L 2 n) die Hauptstromstrecken und Arbeitswiderstände (R11 bis R 1 n; R21 bis R 2 n) von Ansteuertransistorverstärkern enthalten, von denen die zur Zeilenansteuerung dienenden Transistoren (1 T 1 bis 1 T n) des einen Leitfähigkeitstyps und die zur Spaltenansteuerung dienenden Transistoren (2T1 bis 2 T n) des anderen Leitfähigkeitstyps enthalten, daß jeweils mit den Kollektoranschlüssen der Transistoren (1 T 1 bis 1 T n; 2 T 1 bis 2 T n) einer der Eingänge (z 1 bis zn; s1 bis sn) des Speichers verbunden ist und daß der in dem gemeinsamen Teil der Emitterzuleitung entweder der einen oder der anderen Art der Verstärker (1 T 1 bis 1 T n; 2 T 1 bis 2 T n) fließende Strom den zur Prüfung der Unvollständigkeit dienenden Magnetkern (Mk1) beeinflußt, und daß der in den gemeinsamen Teilen der Kollektorzuleitungen der Verstärker fließende Strom jeweils einen der zur Prüfung auf Mehrdeutigkeit dienenden Magnetkerne (Mk2, Mk3) beeinflußt.
  5. 5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Prüfung auf dauernde fehlerhafte Verbindungen von Zeilen-und Spaltenleitungen (z l bis z n und s 1 bis s n) des Speichers (SP) ein zusätzlicher Magnetkern (Mk4) vorgesehen ist, der von dem in den gemeinsamen Teilen der Emitterzuleitungen der Transistoren (1 T 1 bis 1 T n; 2T1 bis 2 T n) fließenden Strömen in der einen Magnetisierungsrichtung und von den gleichzeitig mit den Ansteuerimpulsen für die Transistoren auftretenden Vergleichsstromimpulsen in der entgegengesetzten Magnetisierungsrichtung derart beeinflußt wird, und daß nur während des Fehlens eines Vergleichsstromimpulses eine Ummagnetisierung des zusätzlichen Magnetkernes (Mk4) vom einen Sättigungszustand in den anderen möglich ist.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1044897B (de) 1957-01-25 1958-11-27 Siemens Ag Pruefschaltung zur Mehrdeutigkeits- und Vollstaendigkeitspruefung

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