[go: up one dir, main page]

DE1293335B - Schaltungsanordnung fuer kontaktlose Steuerbausteine - Google Patents

Schaltungsanordnung fuer kontaktlose Steuerbausteine

Info

Publication number
DE1293335B
DE1293335B DES102572A DES0102572A DE1293335B DE 1293335 B DE1293335 B DE 1293335B DE S102572 A DES102572 A DE S102572A DE S0102572 A DES0102572 A DE S0102572A DE 1293335 B DE1293335 B DE 1293335B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
output
circuit
gate
circuit arrangement
control modules
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DES102572A
Other languages
English (en)
Other versions
DE1293335C2 (de
Inventor
Dipl-Phys Ebbe
Rohloff
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DE1966S0102572 priority Critical patent/DE1293335C2/de
Priority to CH179467A priority patent/CH458544A/de
Priority to NL6702141A priority patent/NL6702141A/xx
Priority to US621334A priority patent/US3506844A/en
Priority to AT238967A priority patent/AT269293B/de
Priority to GB12005/67A priority patent/GB1160589A/en
Priority to SE3586/67A priority patent/SE333190B/xx
Priority to FR1559599D priority patent/FR1559599A/fr
Publication of DE1293335B publication Critical patent/DE1293335B/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1293335C2 publication Critical patent/DE1293335C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
    • H03K19/084Diode-transistor logic
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/018Coupling arrangements; Interface arrangements using bipolar transistors only
    • H03K19/01806Interface arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

In der kontaktlosen Steuer- und Regeltechnik ist Reihenschaltung — vorzugsweise in den Schaltkreis es neuerdings üblich, die zum Aufbau der Steuerung integriert — in an sich bekannter Weise eine bezügbenötigten Steuerbausteine in der sogenannten inte- lieh der Betriebsstromversorgung in Sperrichtung gegrierten Schaltkreistechnik auszuführen, besonders polte Diode geschaltet ist, deren Anschluß an den um das Bauvolumen solcher Steuerbausteine, z. B. 5 den Kollektor des einen mit dem Emitter des anderen von Gattern, möglichst klein zu halten und um die Transistors verbindenden Stromleiter in an sich beAusfallraten zu vermindern. Bei dieser integrierten kannter Weise den Ausgang der Schaltungsanordnung Schaltkreistechnik bzw. Festkörperschaltkreistechnik bildet.
ist es weiter üblich, den Ausgang als sogenannten Es wäre zwar möglich, diese Diode auch durch »totem-pole«-Ausgang aufzubauen, d. h. im Aus- io einen Widerstand zu ersetzen; dieser aber würde gangskreis der Schaltkreise zwei mit ihren Schalt- lediglich bei auftretenden Störspannungen die einstrecken in Reihe geschaltete, an der Speisestrom- tretende Signalverzögerung verringern, nicht aber die quelle liegende Transistoren, vorzugsweise Silizium- gleichzeitig auftretende Überspannung beseitigen. Planar-Transistoren, vorzusehen. Derartige integrierte Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung sei nach-Festkörperschaltkreise mit »totem-pole«-Ausgang 15 stehend an Hand von drei Figuren näher erläutert, sind empfindlich gegen Störspannungen. Treten bei- Die F i g. 1 veranschaulicht vier Gatterbausteine G1 spielsweise positive Störspannungen auf einer Ver- bis G4, die je gleichartig, aber auch verschiedenbindungsleitung zwischen dem Ausgang des einen artig aufgebaut sein können; es kann sich um und dem Eingang des folgenden Schaltkreises auf, so Odergatter, Umkehrstufen, Zeitkippstufen oder um ergeben sich am Ausgang der »totem-poleÄ-Schaltun- 20 Undgatter handeln. Das veranschaulichte Gatter G2 gen Überspannungen vom doppelten Wert der Speise- beispielsweise ist ein Undgatter und in allen spannung, was einmal zur Zerstörung der Halbleiter- seinen Schaltungseinzelheiten wiedergegeben Bei bauelemente und zum anderen zu Signalverzögerun- den Gattern G1 und G3 ist lediglich der bei allen gen führen kann, die um ein Vielfaches größer sind Gattern gleichartig aufgebaute Ausgangskreis veranals die kreiseigenen Verzögerungszeiten. 25 schaulicht, und zwar der sogenannte »totem-pole«- Zum Schütze von Transistoren gegen anliegende Ausgang, bei dem jeweils zwei mit ihren Schaltunzulässig hohe Spannungen ist es aus der deutschen strecken in Reihe geschaltete und über einen Wider-Auslegeschrift 1 080 215 bekannt, der Schaltstrecke stand an der Speisestromquelle liegende Siliziumdes Transistors, d.h. der Kollektor-Emitter-Strecke Planar-Transistoren vorgesehen sind. Der AusgangA dieses Transistors, eine Zenerdiode parallel zu schal- 30 des Gatter G1 bzw. der Ausgang B des Gatters G3 ist ten. Weiterhin ist es bei Schaltungen, die im Aus- jeweils in der Reihenschaltung der beiden Transistogangskreis die Reihenschaltung zweier Transistor- ren T2 und T3 an die Verbindungsstelle zwischen Schaltstrecken und eines gemeinsamen Arbeitswider- Emitter des einen und Kollektor des anderen Transtandes aufweisen (totem-pole-Ausgangsschaltung), sistors angeschlossen. In die Reihenschaltung ist häubereits bekannt, zur Vermeidung von Überspan- 35 ng noch die Diode D eingefügt, nungen über die eine Schaltstrecke eine bezüglich Der Ausgang A des Gatters G1 sei im Rahmen der der Betriebsstromversorgung in Sperrichtung gepolte Steueraufgabe mit dem Eingang E2 des Gatter G2 verDiode zu schalten, deren Anschluß an den den KoI- bunden; ebenso sei der Ausgang B des Gatters G3 mit lektor des einen mit dem Emitter des anderen Tran- dem Eingang E des Gatters G4 verbunden. Beim Aufsistors verbindenden Stromleiter den Ausgang der 40 bau solcher Steuerungen ist es nicht immer möglich, Schaltungsanordnung bildet (deutsche Auslegeschrift die nacheinander anzusteuernden Steuerbausteine 1 098 996). auch räumlich, unmittelbar benachbart, nebeneinan-Im Gegensatz zu den vorgenannten bekannten An- der anzuordnen. Vielmehr tritt häufig der Fall auf, Ordnungen befaßt sich die vorliegende Erfindung mit daß der Ausgang eines Steuerbausteins, z. B, des Gatder Aufgabe, Überspannungen und überdies das Auf- 45 ters G1, mit einem Eingang eines räumlich weit enttreten von Signalflußverzögerungen bei hinterein- fernten anderen Steuerbausteins, z. B. des Gatters G2, andergeschalteten Steuerbausteinen mit totem-pole- verbunden werden muß. Nimmt man weiter an, daß Ausgang infolge kapazitiver Kopplungen zwischen die Gatter G1 und G3 in räumlicher Nachbarschaft den Verbindungsleitungen von bzw. zu solchen Bau- innerhalb eines Steuerschrankes untergebracht sind steinen zu verhindern bzw. unwirksam zu machen. 50 und daß deren Ausgänge A bzw. B Eingänge von wei-Demgemäß bezieht sich die Erfindung auf eine ter entfernt liegenden Steuerbausteinen, nämlich die Schaltungsanordnung für kontaktlose, in integrierter Eingänge der Gatter G2 bzw. G4, belegen sollen, so Schaltkreistechnik ausgebaute Steuerbausteine, deren muß eine Verbindungsleitung vom Ausgang A des Ausgangskreis zwei mit ihren Schaltstrecken in Reihe Gatters G1 zum Eingang des Gatters G2 und anderergeschaltete, an der Speisestromquelle liegende Tran- 55 seits eine Verbindungsleitung vom Ausgang B des sistoren in totem-pole-Ausgangsschaltung enthält und Gatters G3 zum Eingang des Gatters G4 verlegt werbei denen der Ausgang des einen Bausteins einer den. In solchen Fällen ist es üblich, die Verbindungs-Bausteingruppe jeweils mit dem Eingang eines fol- leitungen parallel zueinander in einem Kabelbaum genden Bausteins einer weiteren Bausteingruppe über zusammenzufassen. Dann besteht aber eine kapazieine Vieldrahtverbindungsleitung (Kabel) galvanisch 60 tive Kopplung zwischen den beiden Verbindungsverbunden ist. Bei einer solchen Schaltungsanord- leitungen bzw. zwischen den beiden Punkten A, B. nung besteht die Erfindung darin, daß zur Beseiti- Diese kapazitive Kopplung soll in der F i g. 1 durch gung der durch kapazitive Kopplungseinflüsse zwi- den Kondensator C1 angedeutet sein, sehen den einzelnen parallel verlaufenden Verbin- Bei der weiteren Betrachtung mögen zunächst die dungsleitern auftretenden Signalverzögerungen und 65 Dioden D2 in den Gattern G1 und G3 als nicht vorerzeugten Überspannungen jeweils parallel zu der aus handen gelten. Befinden sich die Ausgänge A bzw. B der Schaltstrecke des einen Transistors und dem der Gatter G1 und G3 infolge einer Steuermaßnahme Arbeitswiderstand beider Transistoren bestehenden auf ihren nicht weiter dargestellten Eingangskreis auf
hohem (positiven) Potential, sind also die Transistoren T3 der Gatter G1 und G3 gesperrt, dann würde beim Schalten des Gatters G1 durch eine entsprechende Eingangssteuermaßnahme zum Zeitpunkt ix (F i g. 2) das Potential am Ausgang A des Gatters G1 von -τ Vcc auf 0 Volt absinken und beim Zurückschalten zum Zeitpunkt t2 wieder auf das Betriebspotential + Vcc ansteigen. Wird danach zum Zeitpunkt i3 der Transistor T3 des Gatters G3 durchlässig gesteuert, so sollte das Potential + Vcc am Ausgang B dieses Gatters eigentlich sofort auf 0 Volt absinken und damit das Gatter G4 sperren. Die Spannung am Ausgang B des Gatters G3 folgt aber im Zeitpunkt tt wegen der vorhandenen kapazitiven Kopplung (Kondensator C1) dem Spannungssprung am Ausgang^, geht also kurzzeitig gegen 0 Volt, steigt dann aber wieder rasch auf das Potential + Vcc, wobei sich der Kondensator C1 in der angegebenen Pfeilrichtung über den Widerstand R des Gatters G3 auflädt. Wenn im Zeitpunkt t2 die Spannung am Ausgang A des Gatters G1 — wie zuvor erläutert — auf das Potential Vcc springt, dann erscheint am Ausgang B des Gatters G3 derselbe Spannungssprung. Dieser addiert sieh aber zu der bereits dort vorhandenen Spannung, so daß am Punkt B die doppelte Versorgungsspannung bzw. Betriebsspannung 2 · Vcc erscheint. Diese erhebliche Überspannung kann hoch genug sein, um die Planarstrukturen der Transistoren zu zerstören, was zu Ausfällen führt. Die Ladung am Kondensator C1 kann nämlich nicht abfließen, da vom Punkt B aus betrachtet sämtliche Transistoren und Dioden sperren. Erst zum Zeitpunkt t3, zu welchem der Transistor T3 des Gatters G3 durchgesteuert werden möge, ist eine Entlademöglichkeit für den Kondensator C1 gegeben. An den Ausgängen A und B treten dann die aus Fig. 2 zum Zeitpunkt t2 ersichtlichen Spannungssprünge auf; aber erst dann, wenn die Spannung am Ausgang B nach Entladung des Kondensators C1 zu Null geworden ist, kann das Signal am Ausgang^ den Eingang des Gatters G2 ansteuern, also erst zum Zeitpunkt f4.
Wird dagegen erfindungsgemäß, wie in der F i g. 1 veranschaulicht und in F i g. 3 diagrammatisch dargestellt, jeweils der Gatterausgang A bzw. B über die in Sperrichtung gepolte Diode D2 mit dem Betriebspotential -\-Vcc der Speisespannungsquelle verbunden, so wird, da damit über die Diode D2 Entlademöglichkeiten für den Kondensator C1 geschaffen sind, die Überspannung zum Zeitpunkt t2 auf die Durchlaßspannung der Diode D2 begrenzt und die Signalverzögerung wesentlich vermindert. Um die Entladezeitkonstante für den Kondensator C1 möglichst klein zu halten, ist als Diode D2 eine Diode mit in Durchlaßrichtung möglichst kleinem innerem Widerstand zu wählen.
Da die Diode D2 einerseits an den Bausteinausgang und andererseits an das Betriebspotential +Vcc angeschlossen werden soll, beide Bausteinanschlüsse aber auch außerhalb des Bausteins zugänglich sind, kann der »totem-pole«-Ausgang eines solchen integrierten Schaltkreises jederzeit mit der Diode D2 nachgerüstet werden. Vorteilhaft ist es jedoch, auch die Diode D2 — wie alle anderen Halbleiterelemente— in die Schaltung zu integrieren.

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Schaltungsanordnung für kontaktlose, in integrierter Schaltkreistechnik aufgebaute Steuerbausteine, deren Ausgangskreis zwei mit ihren Schaltstrecken in Reihe geschaltete, an der Speisestromquelle liegende Transistoren in totem-pole-Ausgangsschaltung enthält und bei denen der Ausgang des einen Bausteins einer Bausteingruppe jeweils mit dem Eingang eines folgenden Bausteins einer weiteren Bausteingruppe über eine Vieldrahtverbindungsleitung (Kabel) galvanisch verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß zur Beseitigung der durch kapazitive Kopplungseinflüsse zwischen den einzelnen parallel verlaufenden Verbindungsleitern auftretenden Signalverzögerungen und erzeugten Überspannungen jeweils parallel zu der aus der Schaltstrecke des einen Transistors und dem Arbeitswiderstand beider Transistoren bestehenden Reihenschaltung — vorzugsweise in den Schaltkreis integriert —, in an sich bekannter Weise eine bezüglich der Betriebsstromversorgung in Sperrichtung gepolte Diode geschaltet ist, deren Anschluß an den den Kollektor des einen mit dem Emitter des anderen Transistors verbindenden Stromleiter in an sich bekannter Weise den Ausgang der Schaltungsanordnung bildet.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DE1966S0102572 1966-03-17 1966-03-17 Schaltungsanordnung fuer kontaktlose Steuerbausteine Expired DE1293335C2 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1966S0102572 DE1293335C2 (de) 1966-03-17 1966-03-17 Schaltungsanordnung fuer kontaktlose Steuerbausteine
CH179467A CH458544A (de) 1966-03-17 1967-02-07 Schaltungsanordnung für kontaktlose Steuerbausteine
NL6702141A NL6702141A (de) 1966-03-17 1967-02-13
US621334A US3506844A (en) 1966-03-17 1967-03-07 Circuit device for contact-free integrated circuit control modules
AT238967A AT269293B (de) 1966-03-17 1967-03-13 Schaltungsanordnung für kontaktlose, in integrierter Schaltkreistechnik aufgebaute Steuerbausteine
GB12005/67A GB1160589A (en) 1966-03-17 1967-03-14 Contact-less, Integrated Circuit Components
SE3586/67A SE333190B (sv) 1966-03-17 1967-03-15 Kopplingsanordning foer kontaktfria regleringskomponenter,uppbyggda sasom integrerade kretsar,och med utgangskreten bestaende av tva transistorer
FR1559599D FR1559599A (de) 1966-03-17 1967-03-15

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1966S0102572 DE1293335C2 (de) 1966-03-17 1966-03-17 Schaltungsanordnung fuer kontaktlose Steuerbausteine

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1293335B true DE1293335B (de) 1969-04-24
DE1293335C2 DE1293335C2 (de) 1973-02-01

Family

ID=7524536

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1966S0102572 Expired DE1293335C2 (de) 1966-03-17 1966-03-17 Schaltungsanordnung fuer kontaktlose Steuerbausteine

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3506844A (de)
AT (1) AT269293B (de)
CH (1) CH458544A (de)
DE (1) DE1293335C2 (de)
FR (1) FR1559599A (de)
GB (1) GB1160589A (de)
NL (1) NL6702141A (de)
SE (1) SE333190B (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3657574A (en) * 1970-02-03 1972-04-18 Shell Oil Co Transistor circuit operated in second breakdown mode driving a capacitive impedance
US4329729A (en) * 1980-06-23 1982-05-11 Rca Corporation Side pincushion modulator circuit with overstress protection
US4508981A (en) * 1982-06-28 1985-04-02 International Business Machines Corporation Driver circuitry for reducing on-chip Delta-I noise

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1046175B (de) * 1955-12-31 1958-12-11 Siemens Ag Wechselrichter mit Schalttransistoren
DE1080215B (de) * 1959-06-02 1960-04-21 Philips Nv Schutzschaltung fuer einen Transistor
DE1098996B (de) * 1957-09-30 1961-02-09 Licentia Gmbh Stromrichtungsumkehrfaehige elektronische Schaltanordnung

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3173022A (en) * 1961-06-14 1965-03-09 North American Aviation Inc Overload protected switching circuit
US3230429A (en) * 1962-01-09 1966-01-18 Westinghouse Electric Corp Integrated transistor, diode and resistance semiconductor network
US3229119A (en) * 1963-05-17 1966-01-11 Sylvania Electric Prod Transistor logic circuits

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1046175B (de) * 1955-12-31 1958-12-11 Siemens Ag Wechselrichter mit Schalttransistoren
DE1098996B (de) * 1957-09-30 1961-02-09 Licentia Gmbh Stromrichtungsumkehrfaehige elektronische Schaltanordnung
DE1080215B (de) * 1959-06-02 1960-04-21 Philips Nv Schutzschaltung fuer einen Transistor

Also Published As

Publication number Publication date
FR1559599A (de) 1969-03-14
SE333190B (sv) 1971-03-08
CH458544A (de) 1968-06-30
NL6702141A (de) 1967-09-18
AT269293B (de) 1969-03-10
US3506844A (en) 1970-04-14
DE1293335C2 (de) 1973-02-01
GB1160589A (en) 1969-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3784114T2 (de) Integrierte schaltung mit zwei schaltungsblocks, welche durch unterschiedliche versorgungsanschluesse unabhaengig gespeist werden.
DE102013009435A1 (de) Schutzsteuersystem für eine Mehrpunktleistungsumwandlungsschaltung
DE2638178A1 (de) Schutzvorrichtung fuer elektronische schaltungen gegen ueberspannungen
DE2638177A1 (de) Schutzvorrichtung gegen spannungsumpolung und ueberspannungen bei integrierten schaltungen
DE102005053257A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE2019937B2 (de) Einrichtung zum schutz von in explosionsgefaehrdeten raeumen befindlichen verbrauchern und/oder messwertgebern
DE3853509T2 (de) Elektrische Sicherheitsbarrieren.
EP0255067B1 (de) Schaltungsanordnung zur Strombegrenzung
DE102013106376B4 (de) Massefreier Vorspannungsgenerator
DE1293335B (de) Schaltungsanordnung fuer kontaktlose Steuerbausteine
DE10017481A1 (de) Transistor-Schutzschaltung mit einer Verstärkungsschaltung für eine H-Brückenschaltung
DE2614781A1 (de) Integrierte schaltung
DE102011082688B4 (de) FET-Relais und Testmodul zum Prüfen von elektrisch steuerbaren Leistungsschaltern
DE2059140C3 (de) Elektronische Schaltung mit Schaltereigenschaften
DE2742623A1 (de) Tastenwahlschaltungsanordnung zur impulswahl bei fernsprechanlagen
DE102017100304B4 (de) Elektronische Sicherung für sicherheitsrelevante Anwendungen im Automobil
DE9311361U1 (de) Verpolschutzschaltung
DE4427207C1 (de) Fehlerstromschutzeinrichtung für ein Beistellgerät in digitalen Telefonanlagen
DE2103584C3 (de) Anordnung zum Anzeigen von elektrischen Pulsspannungen
DE1139546B (de) Relaislose Verzoegerungsschaltung mit Transistoren
DE102016218263A1 (de) Redundante Spannungsversorgung für einen Verbraucher
EP4687245A1 (de) Verbesserte verpolschutzschaltung
DE1174423B (de) Schutzschaltung fuer stromrichtungsumkehrfaehige Brueckenschaltungen
DE2903707C2 (de)
DE1194901B (de) Transistor-Sperrstromkreis-Schaltung

Legal Events

Date Code Title Description
E771 Valid patent as to the heymanns-index 1977, willingness to grant licences
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee