DE1282795B - Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND DEUTSCHES ^¥W PATENTAMT Int. CL:

HOIl

AUSLEGESCHRIFT

Deutsche KI.: 21g-11/02

Nummer: 1282795

Aktenzeichen: P 12 82 795.1-33 (ST 22908)

Anmeldetag: 6. November 1964

Auslegetag: 14. November 1968

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung nach der Planardiffusionstechnik mit Halbleiterbereichen, die durch pn-Übergänge vom übrigen Halbleiterkörper getrennt sind.

Die als planar bekannte Struktur wird in der Weise erhalten, daß in einen scheibenförmigen Halbleiterkörper von bestimmtem Leitungstyp (p oder n) und von gewünschtem Wert der Leitfähigkeit an ausgewählten Gebieten einer Oberfläche nacheinander verschiedene Störstoffe eindiffundiert werden, so daß Schichten unterschiedlichen Leitungstyps durch pn-Übergänge miteinander verbunden sind, welche an der Oberfläche des Halbleiterkörpers enden. Um die dort zutage tretenden pn-Übergänge zu schützen, welche die empfindlichsten Teile des Halbleiterkörpers darstellen, wird seine ganze Oberfläche zunächst mit Siliziumdioxyd überzogen. In diese Schicht werden Fenster bestimmter Fläche durch einen photolithographischen Prozeß eingeätzt und an diesen Stellen die Diffusion durchgeführt. Schließlich wer- so den Kontaktflächen auf den einzelnen Zonen des Transistors oder der Diode angebracht und Zuleitungsdrähte daran befestigt.

Abgesehen von der Art des Halbleitermaterials, beispielsweise Silizium, Germanium oder eine halbleitende Verbindung, hat sich ein Schutzüberzug aus Siliziumdioxyd als am günstigsten erwiesen, der entweder durch Oxydation des Halbleitermaterials selbst gewachsen ist, wie dies bei Silizium der Fall ist, oder der, wie dies bei den anderen Halbleiterstoffen der Fall ist, von außen aufgebracht wurde. Zu Beginn des Verfahrens ist es erforderlich, Fenster in diesen Überzug zu ätzen, damit bei der darauffolgenden Diffusion das Störstoffmaterial durch die sonst undurchlässige Oxydschicht hindurch auf die Halbleiteroberfläche gelangen kann.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein neues Verfahren für die Herstellung von planaren Halbleiteranordnungen anzugeben. Insbesondere ist es Aufgabe der Erfindung, planare Anordnungen mit verbesserten Eigenschaften einschließlich von Anordnungen mit sehr geringem Reststrom herzustellen. Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß zunächst in einem scheibenförmigen Halbleiterkörper des einen Leitungstyps eine Halbleiterschicht vom zweiten Leitungstyp erzeugt wird, daß dann auf der Oberfläche der Halbleiterschicht vom zweiten Leitungstyp der Ort eines zur Aufnahme eines aktiven Halbleiterschaltelements vorgesehenen Halbleiterbereiches mit einer entsprechend gestalteten Oxydmaske abgedeckt wird, daß danach die Halbleiterschicht vom zweiten Leitungstyp durch Diffusion von Störstoffen des ersten Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen

Anmelder:

Deutsche ITT Industries

Gesellschaft mit beschränkter Haftung,

7800 Freiburg, Hans-Bunte-Str. 19

Als Erfinder benannt:

Dave Francis Thomas Dunster, London

Beanspruchte Priorität:

Großbritannien vom 15. November 1963 (45 228.)

Leitungstyps vollständig in den ursprünglichen Leitungstyp des Halbleiterkörpers umgewandelt wird, mit Ausnahme des unter der Oxydmaske liegenden Teils, und daß schließlich in den so isolierten Halbleiterbereichen des zweiten Leitungstyps die für die Herstellung von aktiven Halbleiterschaltelementen erforderlichen Halbleiterzonen unterschiedlichen Leitungstyps durch Diffusion der entsprechenden Störstoffe erzeugt werden.

Unter den Schichten, die durch die Oxydschicht abgedeckt werden, sollen Schichten des Halbleiterkörpers verstanden werden, in denen aktive Halbleiterschaltelemente erzeugt werden sollen, beispielsweise der pn-übergang für eine Diode oder die Basis- und die Emitterzone für einen Transistor. Der Rest des Halbleiterkörpers spielt für die Wirkungsweise des speziellen Halbleiterschaltelements keine Rolle, ausgenommen, daß er als sein Träger und zur Isolation von anderen Halbleiterschaltelementen dient, die im fertigen Halbleiterkörper angeordnet sein können.

Aus der französischen Patentschrift 1341029 ist ein Verfahren bekannt, das dazu dient, bei einer in einem Halbleiterkörper untergebrachten, aus mehreren Halbleiterschaltelementen bestehenden integrierten Schaltung einen bereits erzeugten, aber überflüssigen pn-übergang gleichzeitig mit der Emitterdiffusion kurzzuschließen. Hierzu erhält die Ober-

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fläche des Halbleiterkörpers eine Ausnehmung von Oberfläche eindiffundiert, um wieder eine oder mehsolcher Tiefe, daß das bei der Emitterdiffusion ein- rere η-leitende Schichten hoher Leitfähigkeit in der diffundierende Störstellenmaterial bis zum Halbleiter- eindiffundierten p-Schicht zu erzeugen, wie dies bei 5 körper vordringen kann und somit den Leitungstyp dargestellt ist. Die beiden Schichten5, die in Fig. 3 der darüberliegenden Schicht in den Leitungstyp des 5 zu sehen sind, reichen etwas unter die Oxydfläche 4 Halbleiterkörpers umwandelt. Im Gegensatz zum und bilden pn-Übergänge 6, welche innerhalb'der vorliegenden Verfahren wird hier demnach wie all- Oxydfläche an die Oberfläche des Halbleiterkörpers gemein üblich - der, Leitungstyp einer Schicht durch treten und dann in der Tiefe abgebogen sind, so daß überkompensierendes Gegendotieren umgewandelt. sie waagerecht gerade unterhalb des ursprünglichen Beim Verfahren der Erfindung wird: jedoch eine io pn-Überganges liegen. Ein Überlappen der pn-Über-Schicht bestimmten Leitungstyps und bestimmter gänge muß vermieden werden, damit nicht uner-Geometrie dadurch erzeugt, daß diese Schicht wäh- wünschte npn-Schichten entstehen können, rend der Diffusion maskiert ist. Der Halbleiterkörper wird nun anschließend oder

—Ferner - ist.-aus~_der-_deutschen-_Auslegeschrift auch- gleichzeitig.jnit„ dem Diffusionsschritt auf _der.

1 033 787 ein Verfahren zum Erzeugen einer pnp- 15 ganzen Oberfläche oxydiert, wie dies bei 7 in F i g. 4 oder npn-Strukur bekannt, bei dem durch Verwen- dargestellt ist, so daß sie dort eine vergrößerte Dicke dung von Störstellenfflate'riäl unterschiedlicher Diffu- hat, wo ursprünglich die Oxydschicht vorhanden war. sionsgeschwindigkeit in einem Diffusionsschritt die Die p-Schicht unterhalb der ursprünglichen Oxyd-

dreischichtige Struktur erzeugt werden kann. Ein Ab- schicht wird_ in der Weise kontaktiert, daß ein decken mittelsJVTasken ist nicht vorgesehen. 20 Fenster 8 in diese ursprüngliche Oxydschicht geätzt

'Die "Erfindung wird nun an Hand der Figuren" _; wird und Metallelektroden 9 aufgebracht werden, näher erläutert, in denen einzelne Schritte.des vor- Fig. 4 zeigt eine typische planare pn-Diode mit

liegenden Verfahrens dargestellt sind. "" ■ einem Zugangzu der p-Schicht über den Kontakt 9,

Fig. 1 zeigt eine Schicht aus Halbleitermaterial mit einem Zugang zur n-Schicht 5 über die Haüptvomn-Typ, in die ein Akzeptorelement eindiffundiert 35 masse des Halbleiterkörpers 1 und mit einem pnwird; ' ' ■ „ Übergang, der durch eine sogenannte passivierende

F i g. 2 zeigt einen Halbleiterkörper mit einer durch Oxydschicht 7 geschützt ist.

Diffusion erzeugten p-Schicht, bei der ein bestimmtes ^ Bei diesen Dioden kann erreicht werden, daß die Oberflächengebierrnrt Siliziumdioxyd"abgedeckt ist; "Durchbruchspannung zwischen der epitaktischen Fig. 3 zeigt eine weitere Diffusion von Störstoff- 30 Schicht und dem Halbleiterkörper durch die Diffusion material vom η-Typ in die rings um die Oxydmaske _s-_: nicht wesentlich verändert wird, so daß nach diesen

angeordnete Schicht vom p-Typ; Verfahren Zenerdioden hergestellt werden können.

Fig. 4 zeigt die „an der Oberfläche vollständig Die oben beschriebene Diodenstruktur kann zur

oxydierte Scheibe mit einem Fenster in der Ursprung- Herstellung eines planaren Transistors dienen, wenn liehen Oxydmaske, in dem ein Kontaktmaterial auf- 35 eine Emitterzone hinzugefügt wird. Diese ist eine

gebracht wurde, so daß sich eine Diode ergibt; weitere η-leitende Schicht (bei der Anordnung nach

Fig. 5 bis 8 zeigen weitere Abwandlungen der Fig. 3), welche unterhalb der ursprünglichen Fläche Ausführungsform nach den Fig. 3 und 4, wodurch aus Sfliziumdioxyd erzeugt wird. Mit Rücksicht, je-

sich ein Transistor vom npn-Typ ergibt; doch auf die Tatsache, daß die Störstoffkonzentration

Fig. 9 zeigt einen Transistor vom pnp-Typ; 40 bei der ersten η-Leitung erzeugenden Diffusion ab-F ig. 10 zeigt Einzelheiten des einen pn-Übergangs sichtlich hoch gewählt wird, insbesondere an der

der Ausführungsform von Fig. 9. Oberfläche, kann es sein, daß sie zu hoch ist (und

In Fig. 1 ist ein scheibenförmiger Halbleiter- unkontrolliert), um sich für eine Emitterzone zu

körper 1 aus ri-leitendem Silizium von geeignetem eignen, welche eine sorgfältig gewählte Konzentration Widerstand dargestellt, beispielsweise ein dünnes 45 erfordert. Es ist daher angebracht, eine zweite Mas-Siliziumplättchen oder eine auf einer Siliziumscheibe kierung und eine weitere Diffusion zu verwenden, niedrigen Widerstands (n+-Typ) gewachsene epitak- um die Emitterzone herzustellen. Dies ist in den tische Schicht. In dieses η-leitende Silizium ist Bor Fig. 5 bis 8 dargestellt.

(B) von einer freiliegenden Oberfläche aus eindiffun- Fig. 5 zeigt einen Halbleiterkörper mit dem Auf-

diert, so daß eine p-leitende Schicht 2 und ein ebener 5° bau von Fig. 3 nach der ersten Phosphordiffusion, pn-übergang 3 zwischen beiden Schichten erhalten ^_; der "vollständig mit einer neuen Schicht 7 und 4 aus wird. Siliziumdioxyd bedeckt ist. Mittels der Photoätz-

Die Oberfläche des Halbleiterkörpers wird nun an technik wird ein Fenster 8 in der Mitte der ursprüngbestimmten Stellen oxydiert, wobei jedes bekannte liehen Oxydschicht4 erzeugt, wie dies in Fig. 6 Verfahren zum Aufbringen oder zur Erzeugung von 55 dargestellt ist. Dann wird der Halbleiterkörper wieder Siliziumdioxyd auf der Siliziumoberfläche verwendet Donatorstörstoffen, wie z. B. Phosphor, ausgesetzt werden kann, so daß bestimmte Gebiete der Ober- (Fig. 7), jedoch diesmal in viel genauer gesteuerter fläche in der nächsten Verfahrensstufe geschützt oder Menge, so daß die Emitterzone 10 gebildet wird, isoliert sind. Wie dies in Fig. 2 dargestellt ist, wird wobei der pn-übergang 11 zwischen Emitter und beispielsweise eine einzelne Oxydfläche 4 auf der 60 Basis sich über die Kanten des Fensters 8 hinaus SUiziumoberfläche erzeugt. Diese Oxydschicht hat unter die Oxydschicht 4 erstreckt. Schließlich werden, eine Dicke von etwa 1 μηι. wie in Fig. 8 dargestellt, die Fenster 8 und 12 aus

In Fig. 3 ist der nächste Verfahrensschritt darge- der Oxydschicht ausgeätzt, um die metallischen Konstellt, bei dem Phosphor (P), ein Donatorstörstoff, auf takte 9 für die Basis- und die Emitterzone anzudie Oberfläche des Halbleiterkörpers in einer Kon- 65 bringen. Es kann auch ein kontakt für die Kollektorzentration aufgebracht wird, die größer als die des zone 2 angebracht werden, wenn ein Kontakt an der Bors ist, das im Silizium an der Oberfläche vorhanden oberen Oberfläche des Halbleiterkörpers benötigt ist. Der Phosphor wird'in die freiliegenden Teile der wird. Dies ist jedoch nicht dargestellt. '

Der beschriebene Aufbau eines Transistors vom npn-Typ ist für die Anwendung des vorliegenden Verfahrens besonders geeignet infolge der im allgemeinen höheren Diffusionskonstanten von Donatoren als der von Akzeptoren in Silizium. Das Verfahren gemäß der Erfindung kann jedoch auch zur Herstellung von pnp-Transistoren verwendet werden, wenn Bor und Phosphor als Störstoffe benutzt werden.. In einem solchen Ball muß die Oberflächenkonzentration geeignet eingestellt werden, so daß sichergestellt ist, daß durch die Akzeptordiffusion die Diffusionsfront der Donatorstörstoffe überschritten wird, d.h., daß das Verhältnis der .Oberflächenkonzentration der Akzeptoren zu dem der Donatoren' so hoch wie möglich gewählt werden muß.

In der folgenden Tabelle sind die Diffüsionskoeffizienten"von einigen Störstoffen,, gemessen bei etwa 1100° C, zusammengestellt.

Störstoff	. Temperatur in ■ 0C	Diffusions- koefflzient in 10-" cm2/s
Gallium	1105	61,5
Gallium	1170	200
Bor	1020	5,7
Bor	1122 1030 1148 . 1095	110 5,7 130 2,9
Phosphor	1190	41
Phosphor	1095	1,9
Arsen	1190	10,5
Arsen
Antimon
Antimon

(Aus: C. S. Fuller und J. A. Ditzenberger, »Diffusion of Donor and Acceptor elements in Silicon«, Journal of Applied Physics, Bd. 27 [1956], H. 5, S. 544 bis 553.)

Bei einem typischen Ausführungsbeispiel ist das Ausgangsmaterial p-leitend, der erste pn-übergang 3 wird durch Phosphordiffusion erhalten, und Bor wird zur Hauptdiffusion mit hoher Konzentration rund um die erste · Oxydfläche 4 verwendet, wobei die Schichten 5 in F i g. 3 erhalten werden. Die Schlußdiffusion durch die Fenster in der ursprünglichen Oxydfläche zur Herstellung der Emitterzonen wird auch mit Bor durchgeführt, und zwar in sorgfältig gesteuerter Menge. Die so erhaltene Transistorgeometrie ist in F i g. 9 dargestellt. Dort sind auch die entsprechenden Kontakte dargestellt.

Es ist jedoch bekannt, daß pnp-Transistoren ungünstige Eigenschaften in Sperrichtung haben, was vielleicht darauf zurückzuführen ist, daß die Oxydschicht an der Oberfläche der Scheibe unter dem Oxyd Donatorstörstellen bildet oder daß sie als solche wirkt, so daß eine Schicht hohen Widerstandes vom p-Typ entsteht, oder daß eine Schicht zum n-Typ umgewandelt wird, was einer Ausweitung des Überganges entspricht. Auf diese Weise wird ein Kanal hohen Widerstandes unter der Oxydschicht gebildet, und die Raumladungsschicht des Kollektor-Basispn-Überganges erstreckt sich über die Oberfläche in diesen Kanal.

Das Verfahren gemäß der Erfindung zur Herstellung von Dioden und Transistoren macht die Ausbildung von Oberflächenkanälen viel unwahrscheinlicher, was an Hand des Aufbaus des pnp-Transistors von F i g. 9 erläutert werden soll.

Fig. 10 zeigt den Kollektor-Basis-pn-Übergang 6 des pnp-Transistors von F i g. 9 im einzelnen. Der pn-übergang 6 trennt die Diffusion 5 einer großen Konzentration aus p-Material von der normalen Diffusion 2 (der ersten Diffusion) aus n-Material, welche um die Oxydschicht herum stattfindet. Die Diffusion 5 hat jedoch nur bis zur Kante der Oxydschicht 4 eine große Konzentration (dichte horizontale Linien). Darauf folgt ein abgestuftes Übergehen

ίο bis zum pn-übergang, wonach eine geringere Konzentration des η-Materials (weniger dichte horizontale Linien) vorhanden ist, welches die Basis bildet. Die Wirkungsweise dieser Ausbildung ist. die, daß sich die Raumladungsschicht nicht über die Kante der Oxidschicht hinaus erstrecken kann und effektiv in der Schicht hoher Konzentration verankert wird (Schicht 5 niedrigen Widerstandes), wodurch der

Sperrstrom vermindert wird.

' Dieser Effekt kann sowohl bei Dioden als auch bei Transistoren angewendet werden und dient zur Verbesserung der Kennlinie der Dioden, bei denen eine η-Schicht in einer Scheibe vom p-Typ erzeugt wurde.

Wenn die ursprüngliche η-Schicht eine.epitaktische Schicht ist, die durch Aufwachsen auf einer Unterlage vom p-Typ in der Weise erzeugt wurde, daß sich ein pn-übergang mit einer bestimmten Durchbruchspannung ergibt, so kann dieser pn-übergang, wie oben beschrieben, in kleine pn-Ubergänge vom Planar-Typ isoliert, d. h. aufgeteilt werden, und zwar durch die Diffusion eines Akzeptorelements, beispielsweise Bor, zum Erzeugen von Zonen 5, welche bis zu der Unterlage vom p-Typ vordringen. Auf diese Weise können die Vorteile des Epitaxialverfahrens und des Planar-Verfahrens vereinigt werden. In ähnlicher Weise kann eine Phosphordiffusion dazu verwendet werden, Flächenteile des pn-Überganges von einander zu isolieren, der beim Aufwachsen einer Schicht vom p-Typ auf einer Unterlage vom η-Typ erzeugt wurde.

Es soll bemerkt werden, daß die Durchschlagskennlinie im allgemeinen den Nachteil hat, sich geringfügig zu verändern, und zwar in Richtung höherer Spannung. Dies ist besonders beim gesteuerten Niederspannungsdurchbruch von Zenerübergängen der Fall.

Ein weiterer interessanter Fall ist die Herstellung von Transistoren aus epitaktischen Scheiben mit pn-Übergängen, wie oben beschrieben. Bei der üblichen Planartechnik, bei der alle Diffusionen durch eingeätzte Fenster in der ursprünglichen Oxydschicht stattfinden, haben die diffundierten Zonen eine abgestufte Konzentration und einen abgestuften Widerstand, insbesondere in der Basiszone. Bei Anordnungen jedoch, die nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt sind, ist die Basiszone von der epitaktischen Schicht durch die Diffusion rings um die Oxydschicht — der übliche Planarprozeß ist gerade umgekehrt — isoliert, und so ist die Basiszone überall gleichmäßig und hat keinen abgestuften Widerstand, da der epitaktische Niederschlag auf der ganzen Oberfläche der Scheibe erfolgt.

Ein Vorteil dieses Verfahrens besteht darin, daß sich eine bessere Kennlinie des Emitter-pn-Überganges, d. h. der Durchbruchspannung, ergibt.

Die Emitter von Transistoren, deren Kollektor-Basis-pn-Ubergang, wie oben beschrieben, hergestellt wurde, können nach einem der bekannten Verfahren hergestellt werden. Das Diffusionsverfahren kann

beispielsweise durch eine Gasätzung mit darauffolgendem epitaktischem Niederschlag ersetzt werden.

Claims (9)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung nach der Planardiffusionstechnik mit Halbleiterbereichen, die durch pn-Übergänge vom übrigen Halbleiterkörper getrennt sind, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst in einem scheibenförmigen Halbleiterkörper (1) des einen Leitungstyps eine Halbleiterschicht (2) vom zweiten Leitungstyp erzeugt wird, daß dann auf der Oberfläche der Halbleiterschicht (2) vom zweiten Leitungstyp der Ort eines zur Aufnahme eines aktiven Halbleiterschaltelements vorgesehenen Halbleiterbereiches mit einer entsprechend gestalteten Oxydmaske (4) abgedeckt wird, daß danach "<iie^Tlälbleiferschicht (^) "vom zweiten Leitungstyp durch Diffusion von Störstoffen des ao ersten Leitungstyps vollständig in den ursprünglichen Leitungstyp des Halbleiterkörpers (1) umgewandelt wird, mit Ausnahme des unter der Oxydmaske liegenden Teils, und daß schließlich in den so isolierten Halbleiterbereichen des zwei- as ten Leitungstyps die für die Herstellung von aktiven Halbleiterschaltelementen erforderlichen Halbleiterzonen unterschiedlichen Leitungstyps durch Diffusion der entsprechenden Störstoffe erzeugt werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht (2) durch Diffusion erzeugt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht (2) durch epitaktisches Wachstum erzeugt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Abdeckmaske entweder eine auf die. Halbleiteroberfläche aufgebrachte Fremdoxydschicht oder eine auf ihr erzeugte Eigenoxydschicht verwendet wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere begrenzte Bereiche der Halbleiterschichtoberfläche mit einer Oxydsehicht bedeckt werden, so daß beim Eindiffundieren der Störstoffe des ersten Leitungstyps inselförmige Zonen vom zweiten Leitungstyp in der Halbleiterschicht erhalten werden, die vom Halbleitermaterial des ersten Leitungstyps umgeben sind.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß während oder nach dem Eindiffundieren von Störstoffen des ersten Leitungstyps in die Halbleiterschicht auf deren ganzer Oberfläche eine Oxydschicht erzeugt wird und daß dann in dieser Oxydschicht Löcher zum Anbringen von Kontakten an den einzelnen Halbleiterzonen hergestellt werden.

7. Verfahren nach Anspruch 1 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß während oder nach dem Eindifiundieren von Störstoffen des ersten Leitungstyps in die Halbleiterschicht auf deren ganzer Oberfläche eine Oxydschicht erzeugt wird, daß dann in dieser Oxydschicht Löcher geringeren Durchmessers und konzentrisch zu den vor der Eindiffusion von Störstoffen des ersten Leitungstyps mit einer Oxydschicht bedeckt gewesenen Bereichen der Halbleiterschichtoberfläche erzeugt werden, daß weiterhin an diesen von der Oxydschicht befreiten Stellen Störstoffe zur Erzeugung von Halbleiterzonen des gleichen ersten Leitungstyps wie der des Halbleiterkörpers eindiffundiert werden, wobei gleichzeitig oder anschließend eine neue Oxydschicht auf der ganzen Oberfläche der Halbleiterschicht gebildet wird, und daß schließlich Löcher in der Oxydschicht hergestellt werden, durch welche die einzelnen Zonen kontaktiert werden.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleitermaterial Silizium verwendet wird.

9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß an der Oberfläche der nicht umgewandelten Teile der durch die zweite Diffusion entstandenen Schicht (2) Kanäle hohen Widerstandes oder -Kanäle mit Leitungstypinversion dadurch verhindert werden, daß eine hohe Oberflächenkonzentration der Störstoffe an den von der Maske nicht bedeckten Stellen gewählt wird.

In Betracht gezogene Druckschriften:
. Deutsche Auslegeschrift Nr. 1033 787;
französische Patentschrift Nr. 1341 029.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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