DE1271838B - Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkoerpern - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. Cl.:

HOIl

Deutsche Kl.: 21 g -11/02

Nummer: 1271838

Aktenzeichen: P 12 71 838.6-33 (S 61298)

Anmeldetag: 12. Januar 1959

Auslegetag: 4. Juli 1968

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkörpern mit einem Dotierungsstoff zur Erzeugung einer Zone im Halbleiterkörper vom elektrischen n- oder p-Leitungstyp und dadurch eines Übergangs von ohmschem oder mit pn-Charakter, indem der in die Halbleiterschicht einzudiffundierende oder einzulegierende Stoff durch einen elektrischen Niederschlagsprozeß auf den Halbleiterkörper aufgebracht wird. Dieses Verfahren kann insbesondere bei der Herstellung von Flächengleichrichtern bzw. Flächentransistoren angewendet werden und ist auch zum Anbringen von Kontaktelektroden an Halbleiterkörpern geeignet.

Bei den üblichen Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkörpern mit Störstellen bestimmten Leitungscharakters wird im allgemeinen von einei Diffusion oder von einem Legierungsvorgang Gebrauch gemacht. Hierbei ist es meist üblich gewesen, das Dotierungsmaterial in Form einer Folie auf den Halbleiterkörper aufzubringen und anschließend dann den Diffusions- bzw. Legierungsprozeß durch thermische Behandlung durchzuführen. Auch ist es bekannt (bekanntgemachte Unterlagen zum deutschen Patent 976 348), das Dotierungsmaterial vor dem Diffusionsprozeß durch Aufstreichen, Aufdampfen oder durch elektrischen Niederschlag auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers aufzubringen. Bei der Durchführung eines solchen Verfahrens hat sich aber gezeigt, daß der im Halbleiterkörper gebildete Übergang eine sehr unregelmäßige Grenzfläche annehmen kann, wodurch dann die Durchschlagsfestigkeit einer auf diese Weise hergestellten Halbleiteranordnung, wie eines Flächengleichrichters mit pn-übergang, ζ. B. auf der Basis eines Halbleiters aus Germanium oder Silizium, wesentlich gegenüber den erwarteten Werten herabgesetzt werden kann.

Der vorliegenden Erfindung liegt nun die Erkenntnis zugrunde, daß diese nachteiligen Erscheinungen vermutlich darauf zurückzuführen sind, daß die die Oberfläche des Halbleiters berührende Oberfläche der aufgebrachten Folie aus Dotierungsmaterial sich nicht in dem erwünschten reinen Zustand befindet und gegebenenfalls eine Oxydhaut trägt, die bei der Durchführung des Diffusions- bzw. Legierungsprozesses im Rahmen einer thermischen Behandlung dann dazu Anlaß geben kann, daß das Material in dieser Oxydschicht seine ihm vorher zueigene Oberflächenspannung verliert. Es kann dann zur Bildung von Nestern an der Grenzfläche zwischen dem schmelzflüssig werdenden Dotierungsmaterial und dem Halbleitermaterial kommen. Der Eindiffusionsprozeß bzw. Legierungsprozeß schreitet dadurch Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkörpern

Anmelder:

Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, 8520 Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50

Als Erfinder benannt:

Dr. rer. nat. Herbert Sandmann, 8000 München; Dr. phil. nat. Richard Dötzer, 8500 Nürnberg --

derart unregelmäßig in dem Halbleiter fort, daß es in diesem zu einer nicht der gewünschten Form entsprechenden Grenzflächenbildung an dem Übergang kommt, die entgegen der angestrebten möglichst glatten Form Spitzen, mindestens aber Erhöhungen aufweist. Es ist dann die erwartete Dicke des nicht durch den Diffusionsvorgang bzw. Legierungsprozeß behandelten Teiles zwischen den Übergangsstellen der beiden dotierten Zonen des Halbleitermaterials nicht gewährleistet.

Der vorliegenden Erfindung liegt nun weiterhin die Erkenntnis zugrunde, daß sich diese Mangelerscheinungen dadurch vermeiden lassen, daß das Dotierungsmaterial auf den Halbleiterkörper durch einen elektrolytischen Niederschlagsprozeß in reinem Zustand aufgebracht wird und somit schädliche Oberflächenschichten zwischen dem Dotierungsmaterial und dem Halbleitermaterial nicht entstehen können.

Nach der weiteren Erkenntnis kann es dabei auch zweckmäßig sein, gleichzeitig vorzubeugen, daß nicht nur nachteilige Oberflächenschichten beseitigt werden, die eventuell an dem aufgetragenen Dotierungsmaterial vorhanden sein könnten, sondern auch solche, die an der Oberfläche des Halbleitermaterials selbst gebildet sein können.

Zur Lösung der sich hieraus ergebenden Aufgabe wird erfindungsgemäß der Dotierungsstoff auf den Halbleiterkörper elektrolytisch aus einer den Dotierungsstoff in einer chemischen sauerstofffreien Komplexverbindung enthaltenden Verbindung niedergeschlagen. Anschließend wird ein Diffusions- oder ein Legierungsprozeß durchgeführt, um die dotierten Zonen mit der erwünschten Dicke in dem Halbleiterkörper zu bilden. Dem Niederschlagsprozeß kann dabei zur Reinigung der Oberfläche des Halbleiterkörpers ein entsprechender Behandlungsprozeß dei Halbleiteroberfläche vorausgehen. Diese Behandlung

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könnte entweder mechanischen oder chemischen Charakters sein, was aber im ersteren Fall eine nachfolgende Ätzbehandlung gegebenenfalls bedingen würde. Vorzugsweise wird daher vielmehr für die Behandlung der Halbleiteroberfläche ein Behandlungsprozeß mittels eines flüssigen Mittels vorgenommen. Diese Behandlung kann gegebenenfalls unmittelbar mittels der Lösung bzw. Flüssigkeit erfolgen, aus welchem der Dotierungsstoff in reinster Form auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers elektrolytisch niedergeschlagen wird.

Der Niederschlagsprozeß kann dabei derart gestaltet werden, daß nur bestimmte Oberflächenteile des Halbleiterkörpers mit dem betreffenden Dotierungsstoff versehen werden. Zu diesem Zweck können die anderen Oberflächenteile des Halbleiterkörpers bei dem Niederschlagsprozeß maskiert bzw. entsprechend abgedeckt oder abgeschirmt werden. Dieses Abdecken kann auch durch eine solche Schablone erfolgen, welche dem Dotierungsstoff odei dem Elektrolyten überhaupt nur Zutritt zu dem entsprechenden Oberflächenteil erlaubt. Der Halbleiterkörper kann hierfür z. B. mit seinem entsprechenden Oberflächenteil in der Aussparung einer Wand des Gefäßes liegen, in welchem der Elektrolyt sich befindet.

Der Erfindung liegt weiterhin die Erkenntnis zugrunde, daß bei der Behandlung solcher Halbleiterstoffe im Wege eines Legierungs- bzw. Diffusionsprozesses eine Oberflächenschicht an dem Halbleiterkörper nachteilig sein kann, die sich unmittelbar nach einer an diesem Körper vorgenommenen Reinigung durch einen Ätzprozeß in Form einer dünnen Wasserhaut gebildet haben kann. Es kann daher im Rahmen der Erfindung vorteilhaft sein, einen solchen Elektrolyten, der den Dotierungsstoff enthält, zu benutzen, daß sich bei dem Zusammenkommen des Elektrolyten mit der Wasserhaut ein chemischer Reaktionsprozeß vollzieht, in dessen Verlauf das eventuell als Haut vorhandene Wasser verbraucht ond beseitigt wird.

Aus Proc. IRE, Dezember 1953, S. 1706 bis 1708, ist zwar die Herstellung von metallischen Kontaktelektroden durch Elektroplattieren von Halbleiterkörpern in einem aus einem wasserhaltigen Elektrolyten bestehenden Strahl bekannt, in dem die Halbleiterkörper zuvor bei entgegengesetzter Polung geätzt wurden. Dieses Verfahren ist jedoch wegen des Wassergehaltes des Elektrolyten zum Aufbringen von Dotierungsmaterial ohne Ausbildung von schädlichen, aus Oxyden oder Wasser bestehenden Oberflächenschichten zwischen dem Dotierungsmaterial und dem Halbleitermaterial nicht geeignet.

Auch ist bereits vorgeschlagen worden (deutsche Auslegeschrift 1052575), Halbleiterkörper durch Schmelzflußelektrolyse zu metallisieren. Dieses Verfahren kann jedoch in manchen Fällen zum Auftragen von Dotierungsmaterial auf Halbleiterkörper nicht geeignet sein, da die hohen zur Anwendung gelangenden Temperaturen unter Umständen bewirken, daß unerwünschte Verunreinigungen aus dem Material des Schmelzgefäßes in die Halbleiterkörper gelangen und elektrische Eigenschaften des aus dem Halbleiterkörper hergestellten Bauelementes in nicht vorhersehbarer Weise verändern.

Schließlich sind auch Ionenaustausch- bzw. Zementierungsprozesse zum Herstellen von Metallkontakten auf Halbleiterkörpern bekanntgeworden (deutsche Auslegeschrift 1000533) oder vorgeschlagen Worden (deutsche Auslegeschrift 1100178). Gewisse Dotierungsmaterialien können jedoch wegen ihres stark negativen Abscheidungspotentials nicht durch Zementätion auf Halbleitermaterial abgeschieden werden. Ein Beispiel ist Aluminium, das nicht durch Ionenaustausch auf Silizium ablagerbar ist. Hinzu kommt, daß die Metallschichten nach dem bekannten und dem vorgeschlagenen Verfahren in wäßrigen Lösungen auf dem Halbleiterkörper abgeschieden werden, d. h., es kann die Ablagerung von beim Eindiffundieren von Dotierungsmaterial schädlichen Wasserteilchen zwischen dem abgeschiedenen Metall und dem Halbleitermaterial nicht verhindert werden.

Die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist insbesondere gedacht, um z. B. Silizium mit Aluminium zu dotieren und dabei gegebenenfalls gleichzeitig eine entsprechende Elektrode für den elektrischen Anschluß an der behandelten Zone des

ao Halbleiterkörpers zu bilden. Gerade Aluminium ist bekanntermaßen ein Stoff, der leicht zu einer Oxydhautbildung an seiner Oberfläche Anlaß gibt, die relativ stabil ist und sich im allgemeinen schwer beseitigen läßt. Für das Niederschlagen von Aluminium in reinster Form auf elektrolytischem Wege wurde es als vorteilhaft erkannt, eine nichtwäßrige, sauerstofffreie Aluminiumverbindung als Elektrolyten zu benutzen. Als besonders geeignet in dieser Hinsicht haben sich Komplexverbindungen des Aluminiums ergeben, die gegebenenfalls organischen Charakters sein können. Eine solche kann z. B. den Charakter einer Alkalifluor-Aluminiumtrialkyl-Verbindung haben. Ein beispielsweise in dieser Hinsicht geeigneter Stoff würde das auf S. 269 von »Metal

Industry«, April 1956, als Elektrolyt zur kathodischen Abscheidung von Aluminium auf Metall angegebene NaF · 2Al(C₂H₅) sein. Dieser Stoff hat gleichzeitig die Eigenart, daß er im Fall der Anwesenheit von Wasser bzw. einer Wasserhaut zu einer Reaktion Anlaß gibt, die exothermen Charakters ist, so daß auf jeden Fall also das Wasser unmittelbar durch eine chemische Reaktion verbraucht bzw. beseitigt wird.

Je nach der Art des Halbleiterkörpers empfiehlt sich die Benutzung verschiedener Dotierungsstoffe. So kann sich z. B. im Fall von Germanium als Halbleiterkörper für die Dotierung Indium oder Gallium eignen. Diese beiden Stoffe als Vertreter der Elemente der Hauptgruppe IH des Periodischen Systems können dann einzeln in der als Elektrolyt verwendeten Komplexverbindung an die Stelle des Aluminiums treten.

Um die Elektrolyse in wirksamer Weise durchführen zu können, ist es erwünscht, daß der als Kathode in den Elektrolyten eingebrachte Halbleiterkörper einen möglichst geringen spezifischen elektrischen Widerstand aufweist. Dieser Widerstand bei normaler Zimmertemperatur ist an sich durch den reinen bzw. dotierten oder vordotierten Halbleiterkörper, der für die Herstellung der betreffenden Halbleiteranordnung als Ausgangsprodukt benutzt wird, vorgegeben. Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung läßt sich aber der erwünschte technische Effekt der Herabsetzung des Widerstandes des Halbleiterkörpers bei der Durchführung des elektrolytischen Prozesses des Halbleiterkörpers dadurch erreichen, daß der elektrolytische Prozeß unter Ausnutzung des Temperaturganges des spezifischen elektrischen Widerstandes des

Halbleitermaterials bei einer bestimmten gesteigerten Temperatur des Halbleiterkörpers durchgeführt wird. Hierfür kann entweder der Elektrolyt auf eine entsprechende Temperatur gebracht werden, oder es kann der Halbleiterkörper unmittelbar eine entsprechende Beheizung erfahren. Ein weiteres Verfahren kann darin bestehen, daß der Halbleiterkörper von einer außerhalb des Gefäßes angeordneten Strahlungsquelle derart beeinflußt wird, daß eine Aktivierung seiner oberflächennahen Zone stattfindet, so daß an dieser seine spezifische elektrische Leitfähigkeit dadurch gesteigert wird. Eine geeignete Strahlung hierfür würde beispielsweise eine Wärmestrahlung sein, etwa mit einer Wellenlänge in dem Intervall von 1 bis 500 μ. Die Strahlung kann jedoch auch solchen Charakters sein, daß sie nur zur Bildung eines Fotoeffektes an der Oberfläche des Halbleiterkörpers Anlaß gibt, durch den aber die elektrische Leitfähigkeit in einer oberflächennahen Zone des Halbleiterkörpers gesteigert wird. Es kann sieh in Verbindung mit der Durchführung eines erfindungsgemäßen Verfahrens als zweckmäßig erweisen, auch die Elektrolyse in einem sauerstofffreien Medium durchzuführen, d. h. die Elektrolyseanordnung in einer besonderen Schutzgasatmosphäre, wie z. B. aus Stickstoff oder einem Edelgas, anzuordnen.

Beispielsweise Anordnungen für die Durchführung eines erfindungsgemäßen Verfahrens unter Anwendung eines Elektrolyseprozesses veranschaulichen die Figuren der Zeichnung.

In F i g. 1 bezeichnet 1 einen Behälter für den Elektrolyten 2, der beispieslweise aus

NaF-2Al(C₂H₅),,

bestehen kann. In diesen Elektrolyten taucht als die eine Elektrode der Aluminiumstab 3 ein. Die andere Elektrode wird durch den Halbleiterkörper 4 gebildet, welcher in einem Träger 5 aus einem gegenüber dem Elektrolyten neutralen Stoff, z. B. Kunststoff, besteht. Innerhalb des Kunststoffstabes befindet sich eine elektrische Zuleitung 6, welche bis an die Randzone des Halbleiterkörpers herangeführt ist. Diese Zuleitung ist derart für die Kontaktgabe mit dem Rand des Halbleiterkörpers in dem Kunststoffkörper angeordnet, daß sie an dieser Stelle bei dem Niederschlagsprozeß gegen den Zutritt des Elektrolyten abgedeckt ist und sich aus dem den Dotierungsstoff in Form von Aluminium enthaltenden Elektrolyten nur in wirksamer Weise das Aluminium auf der erwünschten Oberfläche des Halbleiterkörpers 4 niederschlägt. Der Träger 5 kann dabei derart gestaltet sein, daß er unmittelbar die eine Oberfläche des Halbleiterkörpers abdeckt, so daß nur die gegenüberliegende Oberfläche für den Zutritt des niederzuschlagenden reinsten Aluminiums frei liegt. Der Trägerkörper für die zu behandelnde Siliziumplatte kann dabei zweckmäßig aus einem solchen Werkstoff bestehen, der gleichzeitig solche mechanischen Eigenschaften aufweist, daß er sich bei der Halterung der Siliziumplatte dieser an ihrem Umfang anpassen kann, so daß er gleichzeitig eine geeignete Abdichtung bildet, damit der Elektrolyt keinen Zutritt zu der elektrischen Stromführung hat, über welche die Halbleiterscheibe mit der elektrischen Spannungsquelle verbunden wird.

Von einer solchen Ausführung ist bereits in dem Ausführungsbeispiel Gebrauch gemacht, wie insbesondere auch aus der F i g. 2 hervorgeht, die einen Schnitt des Halters 5 nach der Linie H-II darstellt. Es ist zu erkennen, daß der Teil 5 α nach Art eines flachen Dosenunterteiles gestaltet ist. Dieser ist an der inneren Mantelfläche seines Randteiles mit einer Aussparung 5 & versehen, an deren Grund das Ende der elektrischen Zuleitung 6 oder ein an dieser angeschlossener elektrischer Kontaktteil gelagert bzw. befestigt ist. Die Aussparung 5 & kann zweckmäßig eine sich nach außen verjüngende Form haben, so daß der

ίο Halbleiterkörper 4 nach seinem Einsetzen sicher gehaltert wird und sich mit seinen Rändern in die Wand dieser Aussparung eindrücken kann. Hierzu muß der Werkstoff, wie bereits angegeben, zweckmäßig aus einem entsprechenden nachgiebigen Material bestehen. Diese Nachgiebigkeit des Körpers 5 ist auch von Wichtigkeit, damit ein leichtes Einsetzen des Halbleiterkörpers in die für ihn an dem Halter 5 vorgesehene Fassung erfolgen kann. Aus diesem Grunde kann der Halter beispielsweise aus einem Werkstoff wie Polytetrafluoräthylen bestehen.

Wie aus der Darstellung nach F i g. 1 zu entnehmen ist, ist der Behälter 1 mit dem Elektrolyten vorzugsweise nach außen gasdicht durch einen Deckel 7 abgeschlossen, so daß Oberhalb des Spiegels des Elektrolyten eine Schutzgasatmosphäre vorhanden sein kann.

In dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 ist noch eine Teildarstellung eines Trägers für eine zu behandelnde Halbleiterscheibe wiedergegeben. Der Träger besteht in diesem Fall an seinem unteren Ende aus einem rohrförmigen Teil. Der stirnseitige Rand 8 α dieses Rohres 8 ist zweckmäßig durch einen Läppprozeß sauber geschliffen. Ebenso ist bekanntermaßen auch der Halbleiterkörper 4' im allgemeinen an seiner Oberfläche durch einen Läppprozeß behandelt worden. Legen sich also Halbleiterkörper 4' und Trägerkörperrand 8 a gegeneinander, so wird dabei unmittelbar eine flüssigkeitsdichte und gegebenenfalls zugleich gasdichte Berührungsfläche geschaffen. Wird daher in dem Hohlraum des Rohres 8 eine Saugwirkung ausgeübt, so wird auf diese Weise der Halbleiterkörper sicher gegen die stirnseitige Randfläche 8 a des Rohres 8 gedrückt und dadurch getragen. Für die Zuführung des elektrischen Stromes zu der HaIbleiterplatte kann in dem stirnseitigen Rand als Anschlußkontakt ein federnder Kontaktring 9 benutzt werden, der an die Leitung 10 angeschlossen ist.

Claims (22)

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkörpern mit einem Dotierungsstoff zur Erzeugung einer Zone im Halbleiterkörper vom elektrischen n- oder p-Leitungstyp und dadurch eines Überganges von ohmschem oder mit pn-Charakter, indem der in die Halbleiterschicht einzudiffundierende oder einzulegierende Stoff durch einen elektrischen Niederschlagsprozeß auf den Halbleiterkörper aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Dotierungsstoff auf dem Halbleiterkörper elektrolytisch aus einem den Dotierungsstoff in einer chemischen sauerstofffreien Komplexverbindung enthaltenden Elektrolyten niedergeschlagen wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein wasserfreier Elektrolyt verwendet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Elektrolyt eine als Dotie-

rungsstoff ein Element der ΙΠ. Hauptgruppe des Periodischen Systems, wie Indium, Gallium oder Aluminium, enthaltende Komplexverbindung benutzt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem dei folgenden, gekennzeichnet durch seine Anwendung für das Aufbringen von Aluminium als Dotierungsstoff auf einem Halbleiterkörper aus Silizium.

5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch ge- ίο kennzeichnet, daß als Elektrolyt eine Komplexverbindung in Form einer Alkalifluorid-Aluminiumtrialkyl-Verbindung benutzt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Elektrolyt NaF-2 Al(C₂H₅) benutzt wird.

7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß während des Elektrolyseprozesses der Halbleiterkörper gleichzeitig einer Behandlung ausgesetzt ist, durch welche sein spezifischer elektrischer Widerstand herabgesetzt wird.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Siliziumkörper beheizt wird, und zwar bis zu einer Temperatur von etwa maximal 300° C.

9. Verfahren nach Anspruch?, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektrolyt erwärmt wird.

10. Verfahren nach Anspruch?, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper einer zusätzlichen Bestrahlung ausgesetzt ist.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß eine Wärmestrahlung benutzt wird.

12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß eine Strahlung benutzt wird, durch welche nahe und an der Halbleiterkörperoberfläche ein Fotoeffekt ausgelöst wird.

13. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Niederschlagsprozeß in einer inerten Schutzgasatmosphäre vorgenommen wird.

14. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem dei folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Niederschlagsprozeß der Halbleiterkörper an seiner Oberfläche einem Reinigungsprozeß unterworfen wird.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß als Stoff für die Reinigung der Oberfläche des Halbleiterkörpers in an sich bekannter Weise unmittelbar der Elektrolyt benutzt wird.

16. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem Niederschlagsprozeß die Oberfläche des Halbleiterkörpers bis auf eine mit dem Dotierungsstoffniederschlag zu versehende Oberflächenzone abgeschirmt bzw. abgedeckt wird.

17. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß ein Halter aus gegenüber dem Elektrolyten chemisch inertem Werkstoff für den mit dem Niederschlag zu versehenden Halbleiterkörper vorgesehen ist, in dem die Stromzuführung zu dem Halbleiterkörper gegenüber dem Elektrolyten abgeschirmt ist.

18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Halter für den Halbleiterkörper gleichzeitig derart gestaltet ist, daß er die nicht mit dem Niederschlag zu versehenden Oberflächenteile des Halbleiterkörpers abschirmt bzw. abdeckt.

19. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Halter so ausgebildet ist, daß der Halbleiterkörper an ihm haftet.

20. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß der Halter aus einem Rohr besteht mit für eine dichte Anlage des Halbleiterkörpers vorbereitetem Stirnflächenrand, in dessen Hohlraum während des Elektrolyseprozesses für die Halterung des Halbleiterkörpers an dem stirnseitigen Rand des Rohres ein Unterdruck erzeugt wird.

21. Vorrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß in der Stirnfläche des Rohres die elektrische Zuleitung zum Halbleiterkörper eingelagert ist.

22. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Halter aus einem Werkstoff wie Polytetrafluoräthylen besteht.

In Betracht gezogene Druckschriften:

Deutsche Auslegeschriften Nr. 1 000 533,
133, 1052 575;

deutsche Patentanmeldung 14677 VIII c/21g (bekanntgemacht am 29. 5.1952);

USA.-Patentschriften Nr. 2 812 411, 2 846 346;

»Proc. IRE«, Dezember 1953, S. 1706 bis 1708;

»Metal Industry«, April 1956, S. 269.

In Betracht gezogene ältere Patente:
Deutsches Patent Nr. 1100 178.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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