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DE1135520B - Transistorisierter Schmitt-Trigger zur Verwendung als Spannungsdiskriminator, insbesondere fuer Regeleinrichtungen der Nachrichtentechnik - Google Patents

Transistorisierter Schmitt-Trigger zur Verwendung als Spannungsdiskriminator, insbesondere fuer Regeleinrichtungen der Nachrichtentechnik

Info

Publication number
DE1135520B
DE1135520B DET18678A DET0018678A DE1135520B DE 1135520 B DE1135520 B DE 1135520B DE T18678 A DET18678 A DE T18678A DE T0018678 A DET0018678 A DE T0018678A DE 1135520 B DE1135520 B DE 1135520B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
schmitt trigger
resistor
transistorized
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DET18678A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Ing Joel Korn
Dipl-Phys Erich Baechle
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL266986D priority Critical patent/NL266986A/xx
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority to DET18678A priority patent/DE1135520B/de
Priority to CH774761A priority patent/CH389022A/de
Priority to FR867578A priority patent/FR1299774A/fr
Priority to GB2502661A priority patent/GB925328A/en
Publication of DE1135520B publication Critical patent/DE1135520B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H03K3/2893Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/14Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B3/00Line transmission systems
    • H04B3/02Details
    • H04B3/04Control of transmission; Equalising

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

DEUTSCHES
kl. 21 ai 36/18
INTERNAT. KL. H 03 fc
PATENTAMT
T 18678
ANMELDETAG: 14. JULI 1960
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIET: 30. AUGUST 1962
Die Erfindung bezieht sich auf einen transistorisierten Schmitt-Trigger, der insbesondere als Spannungsdiskriminator für Regeleinrichtungen der Nachrichtentechnik, z. B. für Pilotregler in Trägerfrequenz-Übertragungssystemen, Verwendung finden kann. Die Schaltung des an sich bekannten Schmitt-Triggers (vgl. »Valvo-Berichte«, Bd. Ill, H. 3 [Oktober 1957], S. 130) ist in Fig. 1 dargestellt und im folgenden kurz erläutert. Die Emitter zweier pnp-Flächentransistoren Ts1 und Ts2 sind über einen gemeinsamen Vorwiderstand R1 und die Basen über je einen Vorwiderstand R2 bzw. R3 an den Pluspol der Quelle für die Betriebsgleichspannung U1 geführt, an deren Minuspol die Kollektoren der beiden Transistoren über je einen Vorwiderstand Ri bzw. R5 angeschlossen sind. Der Kollektor des ersten Transistors Ts1 ist über einen Widerstand RQ mit der Basis des zweiten Transistors Ti2 verbunden. Die negative Steuerspannung Ust (Gleichspannung oder Gleichspannungsimpulse) wird der Basis von Ts1 über einen Vorwiderstand R7 zugeführt.
Im Ruhezustand der Schaltung ist Ts1 gesperrt und Ts2 leitend. Überschreitet die am Eingang auftretende negative Steuerspannung Ust einen bestimmten Wert (Ansprech-Schwellwert), so wird Ts1 leitend und Ts2 gesperrt; die Schaltung kippt also um, wodurch beispielsweise ein im Kollektorkreis von Ts2 liegendes Relais geschaltet werden kann. Sinkt die Steuerspannung wieder unter einen zweiten, unterhalb des ersten Schwellwertes liegenden Schwellwert (Abfall-Schwellwert) ab, so wird Ts1 wieder gesperrt und Ts2 wieder leitend. Die Schaltung kippt also in ihre Ruhelage zurück.
Bei Verwendung eines solchen Schmitt-Triggers als Spannungsdiskriminator ergeben sich nun, wenn von diesem eine hohe Konstanz in einem größeren Betriebstemperaturbereich gefordert wird, Schwierigkeiten durch die Temperaturabhängigkeit des Kollektorreststromes und der zum Leitendmachen der Transistoren erforderlichen Basis-Emitter-Spannung. Durch Verwendung von Transistoren mit sehr kleinem Kollektorreststrom läßt sich erreichen, daß dessen Temperaturabhängigkeit vernachlässigbar wird und lediglich noch die Temperaturabhängigkeit der Emitter-Basis-Spannung des ersten Transistors Ts1, die etwa —2,5 mV/0 C beträgt, berücksichtigt werden muß.
Eine bekannte Maßnahme zur Kompensation dieser linearen Temperaturabhängigkeit besteht darin, daß man in der Schaltung nach Fig. 1 den normalerweise ohmschen Basis-Vorwiderstand R2 des ersten Transistors Ts1 durch ein in Fig. 2 "dargestelltes Transistorisierter Schmitt -Trigger
zur Verwendung als Spannungsdiskriminator, insbesondere für Regeleinrichtungen
der Nachrichtentechnik
Anmelder:
Telefunken
Patentverwertungsgesellschaft m. b. H.,
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3
Dipl.-Ing. Joel Korn
und Dipl.-Phys. Erich Bächle, Backnang (Württ.),
sind als Erfinder genannt worden
Widerstandsnetzwerk W1 ersetzt, das aus der Reihenschaltung eines temperaturabhängigen Widerstandes mit negativem Temperaturkoeffizienten (Thermistor) NTC1 mit einem Widerstand R8 und einem dieser
Reihenschaltung parallel liegenden Widerstand R9 besteht (vgl. »Elektronische Rundschau« Nr. 10/1956, S. 267, Abb. 5). Dieses zweipolige Widerstandsnetzwerk W1 ist ein Teil des Eingangsspannungsteilers R7, W1 und verursacht ein Abnehmen der zum Leitend-
machen des Transistors Ts1 erforderlichen Basis-Emitter-Spannung mit wachsender Temperatur derart, daß innerhalb eines bestimmten Temperaturbereiches das Leitendwerden dieses Transistors unabhängig von der Temperatur immer beim gleichen Wert der Steuerspannung Ust erfolgt. Die bekannte Anordnung hat jedoch folgende Nachteile:
1. Es bereitet Schwierigkeiten, über einen großen Temperaturbereich den geforderten linearen Temperaturgang des Widerstandes des Netzwerkes W1 zu bekommen, weil der Widerstand des darin enthaltenen Thermistors NTC1 nach einer e-Funktion von der Temperatur abhängt. Der lineare Temperaturgang läßt sich zwar umso besser angenähert erreichen, je größer das Verhältnis R7: W1 ist; jedoch wird damit
die benötigte Steuerspannung Ust ebenfalls größer.
2. Durch die Änderung von W1 wird der vom Basisanschluß des Transistors Ts1 aus gesehene, aus der Parallelschaltung von R7 und W1 bestehende Innenwiderstand der Steuerspannungsquelle verändert, woraus eine unerwünschte, temperaturabhängige Änderung des Schwellwertabstandes des Schmitt-Triggers resultiert.
209 638/261
Diese Nachteile lassen sich erfindungsgemäß dadurch vermeiden, daß der Basis des ersten Transistors des Schmitt-Triggers in an sich bei mono- und bistabilen Kippschaltungen bekannter Weise über ein zweipoliges Widerstandsnetzwerk mit negativem Temperaturkoeffizienten eine Vorspannung angelegt ist, deren Polarität derjenigen der Steuerspannung entgegengesetzt ist und daß deren Absolutwert wesentlich größer ist als der Absolutwert der Steuerspannung.
Diese Vorspannung wird zweckmäßigerweise mittels einer Siliziumdiode mit möglichst hohem positiven Temperaturkoeffizienten stabilisiert.
Es ist ein Transistorschalter für geringe Steuerleistung, vorzugsweise für Steuerspannungsquellen mit hohem Innenwiderstand, bekannt (deutsche Auslegeschrift 1 073 539), bei dem die Temperaturabhängigkeit des Arbeitspunktes infolge der Temperaturabhängigkeit des Kollektorreststromes des Transistors durch eine temperaturabhängige Spannungsteilerschaltung beeinflußt wird. Hier wird die Basis des Transistors über einen Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizienten gegenüber dem Emitter positiv vorgespannt, wobei dieser Widerstand und der Emitter-Basis-Widerstand des Transistors so dimensioniert sind, daß das Verhältnis beider Widerstände trotz veränderlicher Temperatur annähernd erhalten bleibt. Die Einführung der positiven Vorspannung für die Basis des Transistors hat hier lediglich den Zweck, bei einem hohen Innenwiderstand der Steuer-Spannungsquelle eine sichere Sperrung des Transistorschalters bei fehlender Steuerspannung zu gewährleisten.
Ebenso ist es bekannt (deutsche Patentschrift 1 050 808), bei mono- und bistabilen Transistorkippschaltungen die Zeitkonstante (Impulsdauer) und die Empfindlichkeit der Kreise mit Hilfe einer temperaturabhängigen Spannungsteilerschaltung an der Basis des ersten Transistors weitgehend temperaturunabhängig zu machen, bei der die Basis dieses Transistors über ein temperaturabhängiges Netzwerk mit negativem Temperaturkoeffizienten aus einer kleinen positiven Hilfsspannung (1,5 V) positiv vorgespannt ist.
Ein Ausführungsbeispiel des Erfindungsgedankens ist in der Fig. 3 dargestellt. Diese Schaltung unterscheidet sich von der nach Fig. 1 dadurch, daß die mit einer negativen Steuerspannung Ust über den Spannungsteiler Rv R2 beaufschlagte Basis des ersten Transistors Ts1 über ein der Fig. 2 entsprechendes, zweipoliges Widerstandsnetzwerk W2, bestehend aus einem Thermistor NTC2 und zwei Widerständen Rn und R12, mit einer mit einem Widerstand R10 und einer Siliziumdiode D stabilisierten positiven Gleichspannung U2 verbunden ist, die aus einer unstabiE-sierten Spannung EZ20 geliefert wird. Über den über der Hilfsspannung U2 liegenden Spannungsteiler W2, R2 erhält die Basis von Ts1 somit eine positive Vorspannung. Diese bewirkt, daß die Absolutwerte der Schwellwerte der negativen Steuerspannung vergrößert werden, während der absolute Schwellwertabstand aber erhalten bleibt. Der auf die Steuerspannung Ust bezogene relative Schwellwertabstand verkleinert sich demgemäß mit zunehmender Größe der Hilfsspannung U2. Das bedeutet aber, daß bei 65 Einsatz einer solchen Schaltung mit verringertem relativen Schwellwertabstand in Regeleinrichtungen, beispielsweise in pilotgesteuerten Pegelreglern von Trägerfrequenz-Nachrichtenübertragungsgeräten, eine erhöhte Regelgenauigkeit erzielt werden kann.
Die Temperaturkompensation erfolgt mittels des Netzwerkes W2, indem mit zunehmender Temperatur dessen Widerstand abnimmt und damit die positive Vorspannung der Basis von Ts1 um gerade so viel erhöht wird, wie die zum Leitendmachen dieses Transistors erforderliche Basis-Emitter-Spannung abnimmt. Macht man die positive Hilfsspannung C/., genügend groß, so wird bei konstantem R2 der Widerstand des Netzwerkes IfF2 sehr groß gegen den Widerstand R2. Durch eine Änderung des Widerstandes von W2 wird der Innenwiderstand der Steuerspannungsquelfe praktisch nicht geändert und der Schwellwertabstand bleibt konstant.
Bei konstanter positiver Hilfsspannung U0 wird für eine Änderung der Basis-Emitter-Spannung von Ts1 bzw. der Spannung am Widerstand R2 die gleiche prozentuale Änderung des Widerstandes des Netzwerkes W2 benötigt. Wird nun gemäß einer Weiterbildung der Erfindung zur Stabilisierung der Hilfsspannung eine Siliziumdiode D mit möglichst hohem positivem Temperaturkoeffizienten verwendet, die die temperaturkompensierende Wirkung des Netzwerkes W2 unterstützt, so kann dessen Widerstandsänderung bedeutend kleiner gehalten werden.

Claims (3)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Schaltungsanordnung zur Konstanthaltung der beiden Schwellwerte und des Schwellwertabstandes sowie zur Verkleinerung des relativen Schwellwertabstandes bei einem transistorisierten Schmitt-Trigger zur Verwendung als Spannungsdiskriminator, insbesondere für Regeleinrichtungen der Nachrichtentechnik, dadurch gekenn zeichnet, daß der Basis des ersten Transistors (Ts1) des Schmitt-Triggers in an sich bei mono- und bistabilen Kippschaltungen bekannter Weise über ein zweipoliges Widerstandsnetzwerk (W2) mit negativem Temperaturkoeffizienten eine Vorspannung angelegt ist, deren Polarität derjenigen der Steuerspannung (Ust) entgegengesetzt ist und daß deren Absolutwert wesentlich größer ist als der Absolutwert der Steuerspannung.
2. Transistorisierter Schmitt-Trigger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Widerstandsnetzwerk (JF2) aus der Reihenschaltung eines temperaturabhängigen Widerstandes (NTC2) mit negativem Temperaturkoeffizienten und eines ohmschen Widerstandes CR11) besteht, die von einem weiteren ohmschen Widerstand (A12) überbrückt ist.
3. Transistorisierter Schmitt-Trigger nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfsvorspannung mittels einer Siliziumdiode (D), insbesondere einer solchen mit möglichst hohem positivem Temperaturkoeffizienten, stabilisiert ist.
In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr. 1 050 808, 073 539.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 209 638/261 8.
DET18678A 1960-07-14 1960-07-14 Transistorisierter Schmitt-Trigger zur Verwendung als Spannungsdiskriminator, insbesondere fuer Regeleinrichtungen der Nachrichtentechnik Pending DE1135520B (de)

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CH774761A CH389022A (de) 1960-07-14 1961-07-03 Spannungsdiskriminator mit transistorisiertem Schmitt-Trigger, insbesondere für Regeleinrichtungen der Nachrichtentechnik
FR867578A FR1299774A (fr) 1960-07-14 1961-07-11 Basculeur de schmitt à transistor utilisé comme discriminateur de tension, notamment dans les montages de régulation de télécommunications
GB2502661A GB925328A (en) 1960-07-14 1961-07-11 Improvements in or relating to trigger circuit arrangements

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Also Published As

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