DE1199525B - Addierschaltung - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. α.:

G06f

Deutsche Kl.: 42 m -14

-Γ.-. Bl.

Nummer:

Aktenzeichen: R 29227IX c/42 m

Anmeldetag: 6. Dezember 1960

Auslegetag: 26. August 1965

Addierschaltung

Die vorliegende Erfindung betrifft Addierschaltungen für binäre Signale, die zur Summenbildung eine Schwellwertschaltung mit einer Diode, deren Kennlinie einen einem negativen Widerstand entsprechenden Teil umfaßt, enthält. Insbesondere betrifft die Erfindung Schaltungen dieser Art, die in bekannter Weise Transistoren in Kombination mit Tunneldioden enthalten.

Es sind bereits binäre Addierwerke bekannt, bei denen zur Summenbildung von einer Schwellwertschaltung Gebrauch gemacht wird. Die Schwellwertschaltung kann dabei eine Diode enthalten, derenKenn-Iinie einen Bereich negativen Widerstandes umfaßt.

Es ist ferner ein binärer Additionskreis für Paralleladdierwerke bekannt, der einen Summenkreis und einen Übertragskreis mit je einem einzigen Transistor enthält.

Man weiß außerdem, daß Tunneldioden mit Transistoren angesteuert werden können, und umgekehrt. Mit anderen Worten gesagt, kann man Stufen, die Tunneldioden enthalten, Verstärkerstufen mit Transistoren vor- oder nachschalten.

Daß Transistoren strommäßig ansteuerbare Bauelemente sind, ist ebenfalls bekannt.

Ein eigener älterer Vorschlag betrifft ferner eine Schaltungsanordnung zur Addition binärer Signale, die drei Tunneldioden enthält. Zwei dieser Tunneldioden sind dabei mit gleicher Polung in Reihe geschaltet, und die dritte ebenfalls im gleichen Sinne gepolte Tunneldiode liegt in Reihe mit einem Widerstand der erstgenannten Reihenschaltung parallel.

Es ist ferner eine Schaltungsanordnung zum Durchschalten einer Wechselspannung oder von Impulsen vorgeschlagen worden, die eine Tunneldiode enthält, die der Basis-Emitter-Strecke eines Transistors parallel geschaltet ist. Die Tunneldiode ist so vorgespannt, daß zwei stabile Arbeitspunkte existieren, von denen der eine einer den Transistor sperrenden und der andere einer den Transistor öffnenden Vorspannung entspricht. Die einem Eingangskreis des Transistors zugeführten Signale werden dann entsprechend dem Arbeitspunkt der Tunneldiode bzw. der durch diesen bestimmten Vorspannung des Transistors gesperrt bzw. zum Ausgangskreis des Transistors übertragen.

Die Addierschaltung gemäß der Erfindung enthalten sowohl Tunneldioden als auch Transistoren. Die Kennlinie der Kombination hat dabei einen für den vorgesehenen Verwendungszweck als Addierkreis geeigneten Verlauf, der weder der Kennlinie einer Tunneldiode allein noch der eines Transistors allein entspricht. Die Tunneldioden bzw. Tran-Anmelder:

Radio Corporation of America,
New York, N. Y. (V. St. A.)

Vertreter:

Dr.-Ing. E. Sommerfeld, Patentanwalt,

München 23, Dunantstr. 6

Als Erfinder benannt:
Gerald Bernard Herzog,
Princeton, N. J. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:

V. St. v. Amerika vom 13. Januar 1960 (2250)

sistoren eigenen Vorteile bleiben bei der Schaltung gemäß der Erfindung erhalten.

Eine Addierschaltung für binäre Signale, die zur Summenbildung eine Schwellenwertschaltung mit einer Diode, deren Kennlinie einen einem negativen Widerstand entsprechenden Teil umfaßt, enthält, ist gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß eine Tunneldiode und die Emitter-Basis-Diode eines Transistors in einem Reihenkreis angeordnet sind, daß die Eingangssignale der Tunneldiode oder dem Transistor zugeführt sind, und daß ein Ausgangssignal am Kollektor des Transistors abgenommen ist.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Zeichnungen näher erläutert. In den Zeichnungen bedeutet

F i g. 1 eine Strom-Spannungs-Kennlinie einer Tunneldiode,

F i g. 2 eine einfache Schaltung zur Erklärung der in F i g. 1 dargestellten Kennlinie,

F i g. 3 ein Kennlinienfeld des Kollektorstroms in Abhängigkeit von der Kollektorspannung,

F i g. 4 ein Schaltbild einer Schaltungsanordnung mit einem Transistor und einer Tunneldiode gemäß der Erfindung,

F i g. 5 Kennlinien zur Erläuterung der Schaltung nach F i g. 4,

F i g. 6 eine Tunneldioden-Transistorschaltung, die in der Addierstufe nach F i g. 8 Verwendung finden kann,

F i g. 7 Kennlinien zur Erläuterung der Schaltung nach F i g. 6 und

F i g. 8 ein Schaltbild einer Addierstufe gemäß der Erfindung.

509 658/416

3 4

Die Kurve abcd in Fig. 1 zeigt die Abhängigkeit Wenn die Basis eines Transistors mit einer festen

des Stromes von der angelegten Spannung für eine Spannung in Flußrichtung vorgespannt wird und

Tunneldiode, d. h. eine Diode, deren Kennlinie einen man steigert die Kollektorspannung von Null auf

Bereich negativen Widerstandes umfaßt. Derartige einen gegebenen Wert, so erhält man eine Kurve

Dioden sind beispielsweise in einer Arbeit von 5 wie die Kurve20 in Fig. 3. Ändert man nun die

Sommers im »Proceedings of the IRE«, Juli 1959, Basis-Emitter-Spannung schrittweise und durchläuft

S. 1201, beschrieben. Der Absolutwert des Strom- für jeden Schritt in der beschriebenen Weise einen

maximums b ist in F i g. 1 nicht angegeben, da er Kollektorspannungsbereich, so ergibt sich die in

in der Praxis von der Herstellung der Diode, bei- F i g. 3 dargestellte Schar von Kurven 20,22,24,

spielsweise deren Dotierung, abhängt. Das Strom- io 26 usw.

maximum kann in der Größenordnung einiger Muli- F i g. 4 zeigt eine Schaltung gemäß der Erfindung

ampere bis oberhalb vom 50 mA liegen. Das Maxi- mit einem PNP-Transistor und einer Tunneldiode,

mum b liegt im allgemeinen bei einer Spannung von Man kann natürlich hier, wie in allen anderen noch

ungefähr 50 mV und das Minimum c bei ungefähr zu beschreibenden Schaltungen auch entsprechend

35OmV. 15 geschaltete NPN-Transistoren verwenden. Eine

Die Äste ab und cd der in F i g. 1 dargestellten Tunneldiode 22 ist in Serie mit der durch den Kennlinie können mit der in F i g. 2 dargestellten Emitter 23 und die Basis 26 des Transistors 28 ge-Schaltung gemessen werden. Diese enthält einen bildeten Diode geschaltet. Die Kathode der Tunnel-Widerstand 10, der mit einer Tunneldiode 12 und diode ist dabei mit der Anode (Emitter) der Emittereiner Spannungsquelle 14 in Serie geschaltet ist. Für 20 Basis-Diode verbunden; wenn jedoch ein NPN-Trandiese Betrachtung soll angenommen werden, daß der sistor verwendet wird, so muß die Anode der Widerstand 10 um ein Mehrfaches, beispielsweise Tunneldiode an den Emitter des Transistors gedas Zehnfache oder mehr, größer ist als der Wider- schaltet werden. Der Ausdruck »Serienschaltung« stand der Diode 12, so daß die Spannungsquelle 14 soll hier bedeuten, daß sich die Eingangsspan- und der Widerstand 10 zusammen eine hochohmige, 25 nung F₆ zwischen die Basis-Emitter-Diode und die einen konstanten Strom liefernde Stromquelle er- Tunneldiode aufteilt. Der Kollektor 30 ist über einen geben. Wenn der Strom durch die Diode 12, bei- Arbeitswiderstand 32 mit einer Klemme 34 verbunspielsweise durch Änderung der Spannung dei den, der eine negative Betriebsspannung zugeführt Quelle 14, zuerst in positiver und dann in negativer wird. Der Emitter liegt über einen Widerstand 39 mit Richtung geändert wird, so erhält man die in F i g. 1 30 einem verhältnismäßig großen Wert, etwa einigen ausgezogen gezeichneten Teile der Kennlinie. Die Hundert Ohm, an einer Klemme 37 für eine negative Teile ab und cd der Kennlinie entsprechen positiven Vorspannung.

Widerständen, d. h., der Kehrwert der Neigung dE/dl In F i g. 5 zeigt Kurve 21 die Abhängikeit

ist eine positive Größe. Der Bereich bc der Kennlinie des Kollektorstromes I_c von der Basisspannung F₆

wird bei dem beschriebenen Meßverfahren nicht 35 für den in F i g. 4 dargestellten Transistor, wenn die

durchlaufen und ist daher gestrichelt dargestellt. Tunneldiode vom Emitter abgetrennt ist. Die Kurve

Dieses Gebiet kann mittels einer eine konstante 27 zeigt die Abhängigkeit des Kollektorstromes I_c

Spannung liefernden Spannungsquelle durchlaufen von F₆ für die Schaltung nach F i g. 4, wenn an der

werden, wenn die Induktivität der Schaltung zur Klemme 37 keine Vorspannung liegt. Die Kurve 25

Vermeidung von Schwingungen klein gehalten wird. 40 zeigt die Abhängigkeit des Kollektorstromes I_c von

Der Teil bc der Kennlinie wird als der Bereich ne- der Basisspannung V_b für die vollständige Schaltung

gativen Widerstandes bezeichnet. nach F i g. 4.

Die Belastungskennlinie 16 des Widerstandes 10 Im Betrieb befindet sich die Tunneldiode 22 ander Schaltung nach F i g. 2 ist annähernd parallel fänglich im Niederspannungszustand. Wenn an der zur Spannungsachse und kann als stromkonstante 45 Klemme 36 keine Basisspannung V_b liegt, befindet Belastungskennlinie bezeichnet werden. Nimmt man sich der Arbeitspunkt des Kreises bei V₁, = 0, I_c =0, an, daß sich die Schaltung im Ruhezustand in einem also dem Punkt41 in Fig. 5. Bei kleinem oder dem Schnittpunkt 18 der Belastungskennlinie mit verschwindendem Transistorstrom liegt die Ausdem positiven Widerstandsbereich ab entsprechenden gangsklemme 51 annähernd auf dem Potential der Arbeitspunkt befindet und steigert man nun den 50 Klemme 34. Diese Ausgangsspannung entspricht der Strom auf einen oberhalb des Punktes b gelegenen Binärziffer Null. Wenn der Klemme 36 eine kleine Wert, so springt der Arbeitspunkt augenblicklich Spannung, etwa in der Größenordnung von in den Hochspannungszustand und liegt nun an dem — 20OmV zugeführt wird, läuft der Arbeitspunkt Schnittpunkt der nach oben verschobenen Be- zum Punkt 43 in F i g. 5, in dem ein beträchtlicher lastungsgeraden 16 a mit dem positiven Widerstands- 55 Kollektorstrom fließt. Bei großem Kollektorstrom bereich cd. Wenn andererseits die Diode im Hoch- wird die Ausgangsspannung an der Klemme 51 wespannungsbereich cd arbeitet und der Strom durch niger negativ und nähert sich dem Massepotential, die Diode auf einen Wert unterhalb des Punk- Diese Ausgangsspannung entspricht einer binären tes c verringert wird, so springt der Arbeitspunkt Eins. Die Tunneldiode 22 befindet sich noch im der Diode zurück in den Niederspannungsbereich 60 Niederspannungszustand, der Strom durch die Diode ab. steigt jedoch, gleichzeitig erhöht sich die an der

Diese Charakteristik mit zwei stabilen Zuständen Diode liegende Spannung etwas,

ist für eine Anwendung in Rechenanlagen von Be- Wenn die Eingangsspannung F₆ auf etwa — 40OmV

deutung. Der Niederspannungszustand der Diode weiter gesteigert wird, so springt der Arbeitspunkt

kann beispielsweise zur Darstellung einer ersten 65 zum Punkt 45 im Hochspannungsbereich der Diode.

Binärzahl, wie Null, und der Hochspannungszustand Wenn die Diode schaltet, springt das Kathoden-

der Diode zur Darstellung einer anderen Binärzahl, potential der Diode 22 von ungefähr —40 oder

wie Eins, dienen. — 5OmV auf etwa — 400 mV und strebt dazu, die

Emitter-Basis-Strecke 23, 26 in Sperr-Richtung zu beaufschlagen und den Kollektorstrom des Transistors zu verringern. Ein niedriger Transistorstrom, d. h. eine verhältnismäßig hohe, negative Transistorausgangsspannung, entspricht einer binären Null. Bei einer weiteren Erhöhung der Eingangsspannung auf—600 V verschiebt sich der Arbeitspunkt zum Punkt 47. Dies entspricht wieder einem beträchtlichen Kollektorstrom I_c, die Ausgangsspannung des Transistors ist annähernd Null, entsprechend einer binären Eins.

F i g. 8 zeigt eine Addierschaltung unter Verwendung der in F i g. 4 und 6 dargestellten Schaltungen. Die den zu addierenden binären Ziffern entsprechenden Signale werden gleichzeitig den Eingangsklemmen A, B und C zugeführt. Ein positiver Eingangsimpuls entspricht der Binärziffer Eins und das Fehlen eines Impulses der Binärziffer Null. Die Signale werden durch Kopplungswiderstände 80, 82 und 84 der Summenschaltung zugeführt. Diese enthält eine Tunneldiode 86, die mit der durch den Emitter 88 und die Basis 90 eines PNP-Transistors 92 gebildete Diodenstrecke in Serie geschaltet ist. Tunneldiode und Transistor sind direkt, also über eine ohmsche Verbindung, verbunden. Die Serienschaltung enthält ferner einen Arbeitswiderstand 94 mit einem verhältnismäßig hohen Widerstandswert, der zwischen dem Kollektor 96 des Transistors und einer Klemme 98 liegt, der eine negative Betriebsspannung V₀ zugeführt wird, ferner enthält die Serienschaltung einen Widerstand 100, dessen Widerstandswert verhältnismäßig klein ist und der die Kathode der Tunneldiode mit Masse verbindet. Die genauen Werte der Widerstände in dieser und in anderen Schaltungen hängen von der verwendeten Tunneldiode und dem Transistor ab. In einer typischen Schaltung kann der Widerstand 94 zwischen einigen Hundert und einigen Tausend Ohm liegen, während der Widerstand 100 einen Wert von etwa 50 Ohm oder weniger haben kann, es sind jedoch auch hiervon abweichende Werte möglich. Die Basis 90 des Transistors liegt an Masse. Von der Klemme 98 wird außerdem über einen Widerstand 104 eine Vorspannung dem Verbindungspunkt 132 zwischen dem Emitter des Transistors und der Anode 106 der Tunneldiode zugeführt.

Die Übertrag-Schaltung enthält eine Tunneldiode 108, die parallel zu der durch den Emitter 110 und die Basis 112 eines PNP-Transistors 114 gebildeten Diode liegt. Der Kollektor 116 des Transistors ist über einen verhältnismäßig großen Arbeitswiderstand 118 mit dem negativen Pol 120 einer Betriebsspannungsquelle — V₀' verbunden. Die Basis 112 des Transistors und die Kathode 122 der Tunneldiode 108 sind geerdet. Die Eingangssignale werden von den Eingangsklemmen A, B und C über Kopplungswiderstände 124,126 und 128 dem Emitter 110 zugeführt.

Das Funktionsdiagramm einer Addierschaltung mit den drei Eingängen A, B und C hat die folgende Form:

A	B	C	Summe	Übertrag
0	0	0	0	0
1	0	0	1	0
1	1	0	0	1
1	1	1	1	1

Dieses Funktionsdiagramm wird von der in F i g. 8 dargestellten Schaltung auf folgende Weise verifiziert. Angenommen, die drei Eingänge seien zuerst alle Null, d. h. A = 0, B = 0, C = 0. Die Spannung, die dem Verbindungspunkt 132 von der Klemme 98 über den Widerstand 104 zugeführt wird, spannt die Emitter-Basis-Strecke des Transistors in Sperrichtung und die Tunneldiode in Flußrichtung vor. Da die Emitter-Basis-Strecke in Sperrichtung vorgespannt ist, fließt im Emitter-Kollektor-Kreis des Transistors praktisch kein Strom und an der Ausgangsklemme 142, die den Summenausgang darstellt, erscheint eine negative Ausgangsspannung, die einer binären Null entspricht. Die negative Ausgangsspannung hat praktisch den Wert — V₀ an der Klemme 98.

Eines der Eingangssignale an den drei Eingängen soll nun der Biriärziffer 1 und die verbleibenden beiden der Binärziffer 0 entsprechen. Beispielsweise kann an der Eingangsklemme A ein positiver Impuls auftreten, während den Eingangsklemmen B und C keine Impulse zugeführt werden. Der positive Impuls hat einen Stromfluß I_a durch den Widerstand 100 zur Folge, der dem durch die Vorspannung -V₀ verursachten Strom entgegengerichtet ist. Ohne Eingangsimpuls ist der Punkt 143 zwischen der Anode der Tunneldiode und dem Widerstand 100 etwas negativ. Der Strom I₀, der durch den Eingangsimpuls verursacht wird, bewirkt, daß die resultierende Spannung an der Klemme 143 positiv wird. Die Spannungserhöhung am Punkt 143 erhöht die Spannung an der Tunneldiode etwas, die jedoch noch im Niederspannungszustand verbleibt, während der Strom durch die Tunneldiode erheblich ansteigt. Die Schaltungsparameter sind so gewählt, daß die resultierende Spannung am Punkt 132, die gleich der Spannung am Widerstand 100 abzüglich des Spannungsabfalls an der Tunneldiode 86 ist, positiv ist. Dementsprechend fließt praktisch der gesamte Flußstrom der Tunneldiode in den Emitter, und die Spannung an der Klemme 142 wird beträchtlich weniger negativ, als die Spannung -V₀ an der Klemme98. Diese Spannung, die gleich — (V₀-I_cxR_u) ist, entspricht einer binären Eins.

Die Arbeitsweise der Schaltung unter den oben angeführten Voraussetzungen entspricht in dem Diagramm in F i g. 5 einer Verschiebung des Arbeitspunktes von 41 nach 43. Auf der in F i g. 1 dargestellten Kennlinie wandert der Arbeitspunkt von der Nähe des Punktes α bis in die Nähe des Punktes 18.

Nun sei angenommen, daß den Eingangsklemmen zwei Eingangsimpulse zugeführt werden, beispielsweise den Klemmen A und B. Durch diese Eingangsimpulse wird der Strom l_a durch den Widerstand 100 erhöht, und das Potential am Punkt 143 wird positiver. Der Spannungsanstieg in positiver Richtung reicht dabei aus, daß der dadurch verursachte Flußstrom durch die Tunneldiode 86 diese vom Niederspannungszustand in den Hochspannungszustand schaltet. Die Spannung an der Diode ist gegenüber der Spannung am Widerstand 100 umgekehrt gepolt, die Polarität der Klemmen dieser Bauelemente ist in F i g. 8 eingezeichnet. Die Schaltungsparameter sind so gewählt, daß die Spannung am Punkt 132 entweder negativ oder nur wenig positiv gegenüber der Basis ist, auch wenn die Spannung am Punkt 143 positiver gemacht wird. Man kann dies als

Wirkung der Impedanz der Tunneldiode auffassen, die bei höheren Spannungen, wie beim Arbeitspunkt 149 in Fig. 1, größer wird. Das Ergebnis ist, daß wenig oder gar kein Strom im Emitter-Kollektor-Kreis des Transistors 92 fließt und am Summenausgang 142 eine verhältnismäßig hohe, negative Spannung auftritt, die einer binären Null entspricht.

Der Unterschied der Arbeitsweise der Summenschaltung, wenn ein Eingangsimpuls oder wenn zwei Eingangsimpulse zugeführt werden, entspricht in Fig. 5 einer Verschiebung des Arbeitspunktes auf der Kurve 25 vom Punkt 43 zum Punkt 45. In F i g. 1 entspricht dies einer Änderung des Stromes der Tunneldiode von einem hohen Stromwert im Niederspannungsbereich im Arbeitspunkt 18 zu einem niederen Stromwert im Hochspannungsbereich im Punkt 149.

Schließlich sei angenommen, daß den Eingangsklemmen A, B und C drei Eingangsimpulse gleichzeitig zugeführt werden. Die Spannung an der Klemme 143 wird noch positiver, die Tunneldiode 86 wird dabei in einen Teil ihres Hochspannungsbereiches ausgesteuert, in dem sie eine niedrige Impedanz besitzt und die an ihr abfallende Spannung steigt nicht wesentlich über den bei zwei gleichzeitigen Impulsen auftretenden Wert an. Die Klemme 132 wird dadurch stärker positiv, und in der Emitter-Kollektor-Strecke 88, 96 fließt ein beträchtlicher Strom. An der Ausgangsklemme 142 erscheint daher eine verhältnismäßig niedrige, negative Spannung entsprechend der Binärziffer 1.

Die Arbeitsweise der Übertragschaltung entspricht F i g. 7. Ohne Eingangsimpulse arbeitet die Tunneldiode 108 im Niederspannungszustand, und an der Klemme 156 (F i g. 8) erscheint eine verhältnismäßig hohe, negative Spannung entsprechend einer binären Null. Wird der Diode ein einzelner Eingangsimpuls zugeführt, so verbleibt sie im Niederspannungszustand. Der in der Emitter-Basis-Strecke 110, 112 fließende Strom ist zu vernachlässigen, da die Impedanz der Emitter-Basis-Strecke wesentlich höher ist als die der Tunneldiode. Werden gleichzeitig zwei Eingangsimpulse zugeführt, so schaltet die Tunneldiode 108 in den Hochspannungszustand und im Emitter-Kollektor-Kreis des Transistors fließt ein erheblicher Strom. An der Ausgangsklemme 156 erscheint daher eine verhältnismäßig kleine negative Spannung entsprechend einer binären Eins. Wenn drei Eingangsimpulse gleichzeitig zugeführt werden, arbeitet die Tunneldiode 108 ebenfalls im Hochspannungszustand und an der Ausgangsklemme 156 erscheint ein einer binären Eins entsprechendes Ausgangssignal. Die Arbeitspunkte der Schaltung für Null, einen und zwei Eingangsimpulse liegen in Fig. 7 bei 68, 62 bzw. 76. Der Arbeitspunkt für drei gleichzeitige Eingangsimpulse liegt in F i g. 7 bei 77.

Claims (7)

Patentansprüche:

1. Addierschaltung für binäre Signale, die zur Summenbildung eine Schwellwertschaltung mit einer Diode, deren Kennlinie einen einem negativen Widerstand entsprechenden Teil umfaßt, enthält, dadurch gekennzeichnet, daß eine Tunneldiode (22) und die Emitter-Basis-Diode (23, 26) eines Transistors (28) in einem Reihenkreis angeordnet sind, daß die Eingangssignale der Tunneldiode oder dem Transistor zugeführt sind, und daß ein Ausgangssignal am Kollektor (30) des Transistors abgenommen ist.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Tunneldiode in der gleichen Richtung gepolt ist wie die Emitter-Basis-Strecke des Transistors.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter-Basis-Strecke des Transistors derart in Sperrrichtung vorgespannt ist, daß der Transistor im Ruhezustand praktisch keinen Strom führt.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Tunneldiode zwischen die Emitterelektrode des Transistors und Masse geschaltet ist und daß die Eingangssignale zwischen die Basis des Transistors und Masse angelegt werden (Fig. 4).

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Eingangssignal an einem Widerstand (100) liegt; daß eine erste Klemme (143) dieses Widerstandes mit einer ersten Klemme der Tunneldiode (86) verbunden ist; daß eine andere Klemme der Tunneldiode mit dem Emitter (88) des Transistors (92) verbunden ist, und daß die Basiselektrode (90) des Transistors mit der anderen Klemme des Widerstandes verbunden ist.

6. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangssignale so bemessen sind, daß sie den Arbeitspunkt der Tunneldiode zwischen mindestens zwei Weiten umzuschalten vermögen, von denen einer einem relativ hohen Strom im Niederspannungsbereich und der andere einem relativ kleinen Strom im Hochspannungsbereich entspricht.

7. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangssignale so bemessen sind, daß sie den Arbeitspunkt der Tunneldiode zwischen mindestens drei Werten umzuschalten vermögen, von denen der erste im Bereich kleinerer Ströme des Niederspannungszustandes, der zweite im Bereich höherer Ströme des Niederspannungszustandes und der dritte im Bereich kleinerer Ströme des Hochspannungszustandes liegen.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1 030 070,
996;

»Electronics«, 27. November 1959, S. 60 bis 64.

In Betracht gezogene ältere Patente:
Deutsches Patent Nr. 1114 342.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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