DE1131275B

DE1131275B - Two-stage broadband push-pull amplifier with transistors

Info

Publication number: DE1131275B
Application number: DEN17007A
Authority: DE
Inventors: Johannes Ensink; Johannes Jan Linde
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1958-07-26
Filing date: 1959-07-22
Publication date: 1962-06-14
Also published as: FR1230932A; NL229968A; NL109786C; JPS37009162B1

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen zweistufigen Breitband-Gegentaktverstärker mit einer Transistorsteuerstufe in Emitterschaltung und einer Transistorendstufe in Basisschaltung, dessen Steuerstufe mit einem in ihren Emitterkreis eingefügten negativen Rückkopplungskreis und mit einem positiven Rückkopplungskreis versehen ist.The invention relates to a two-stage broadband push-pull amplifier with a transistor control stage in emitter circuit and a transistor output stage in base circuit, its control stage with a negative feedback circuit inserted in their emitter circuit and with a positive feedback circuit is provided.

Für verschiedene praktische Anwendungen werden an die Übertragungsqualität der geschilderten Vorrichtungen sehr hohe Anforderungen gestellt, z. B. bei Leitungsverstärkern in Trägerfrequenz-Fernsprechsystemen. Bei solchen Leitungsverstärkern, die gewöhnlich zur Verstärkung eines verhältnismäßig breiten Frequenzbandes z. B. von 6 bis 108 kHz verwendet werden, muß der durch Nichtlinearitäten der Transistorkennlinien hervorgerufene Verzerrungspegel kleiner als 60 db sein, während es weiter erwünscht ist, daß Änderungen in der Übertragungscharakteristik, die durch die Verstärkungskennlinie des Verstärkers und die Durchlaßkennlinie des Filters bedingt sind, über das zu verstärkende Gesamtfrequenzband kleiner sind als einige zehntel von 1 db.For various practical applications, the transmission quality of the described Devices made very high demands, for. B. in line amplifiers in carrier frequency telephone systems. In such line amplifiers, which are usually used to amplify a proportionate wide frequency band z. B. from 6 to 108 kHz are used, this must be due to non-linearities the transistor characteristics caused distortion levels to be less than 60 db while it It is further desirable that changes in the transfer characteristic caused by the gain characteristic of the amplifier and the transmission characteristic of the filter are smaller than a few tenths over the total frequency band to be amplified from 1 db.

Um über eine große Bandbreite eine sehr konstante und sehr lineare Verstärkung zu verwirklichen, ist erstens der Filtercharakteristik des Breitbandfilters besondere Aufmerksamkeit zu widmen, wobei man zu hochqualitativen Breitbandfiltern gelangt, und zweitens wird dabei noch eine starke Gegenkopplung verlangt. Gerade in der Trägerfrequenztelephonie, bei der von den Breitbandfiltern über den ganzen breitbandigen Durchlaßbereich ein innerhalb weniger zehntel von 1 db konstanter Durchlaßfaktor und steile Dämpfungsflanken verlangt werden, sind diese Breitbandfilter, die mittels hochqualitativer Einzelteile aufgebaut sind, recht kompliziert und umfangreich im Aufbau. Bei Transistorverstärkern für sehr hohe Frequenzen ist es nun bekannt, um eine Beeinflussung der Verstärkungscharakteristik durch die a-Grenzfrequenz des Transistors zu vermeiden, eine Gegenkopplung zwischen der Transistorausgangselektrode und einer -eingangselektrode anzubringen. Weiterhin sind die Grundlagen für die rechnerische Behandlung von Transistorverstärkern mit Reihen- und Parallelrückkopplung bekannt.In order to achieve a very constant and very linear gain over a large bandwidth, First, special attention must be paid to the filter characteristics of the broadband filter, whereby one comes to high quality broadband filters, and secondly, there is also a strong negative feedback demands. Especially in carrier frequency telephony, with broadband filters over the whole broadband Pass band a constant pass factor within a few tenths of 1 db and steep attenuation edges are required, these broadband filters are made using high-quality individual parts are built, quite complicated and extensive in structure. With transistor amplifiers for a lot It is now known to have an influence on the amplification characteristics by the high frequencies a-cutoff frequency of the transistor to avoid negative feedback between the transistor output electrode and an input electrode. Furthermore, the basics for the computational Treatment of transistor amplifiers with series and parallel feedback is known.

Ferner ist es bekannt, zwischen Kollektor und Emitter eine Übertragungsgegenkopplung vorzusehen und einer Transistorvorstufe in Emitterschaltung eine Transistorendstufe in Basisschaltung folgen zu lassen.It is also known to provide negative transmission feedback between the collector and emitter and to have a transistor pre-stage in common emitter circuit followed by a transistor output stage in common base circuit.

Die vorliegende Erfindung bezweckt ebenso, einen Breitbandverstärker mit den für die Trägerfrequenztelephonie geltenden Erfordernissen anzugeben, beiThe present invention also aims to provide a broadband amplifier with those for carrier frequency telephony applicable requirements

Zweistufiger Breitband-Gegentaktverstärker mit TransistorenTwo-stage broadband push-pull amplifier with transistors

Anmelder:Applicant:

N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)NV Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Netherlands)

Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7Representative: Dr. rer. nat. P. Roßbach, patent attorney,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7th

Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 26. Juli 1958 (Nr. 229 968)Claimed priority:
The Netherlands of July 26, 1958 (No. 229 968)

Johannes Ensink und Johannes Jan Linde,Johannes Ensink and Johannes Jan Linde,

Hilversum (Niederlande),
sind als Erfinder genannt wordenHilversum (Netherlands),
have been named as inventors

dem unter Anwendung von Transistoren der Aufbau wesentlich vereinfacht wird, und insbesondere kleine Spulen in der bei der Transistortechnik üblichen Miniaturtechnik anzuwenden, da diese Einzelteile keine hohe Qualität aufzuweisen brauchen.which by using transistors, the structure is significantly simplified, and especially small ones Use coils in the miniature technology customary in transistor technology, as these individual parts do not need to be of high quality.

Im Gegensatz zu der eingangs geschilderten Technik der Breitbandverstärker beschreibt die Erfindung einen anderen Weg, nämlich erstens wird ein Breitbandfilter vorgeschlagen, das bereits den verlangten Durchlaßbereich und die verlangten steilen Dämpfungsflanken enthält, aber noch nicht den strengen Erfordernissen des Durchlaßfaktors im Durchlaßbereich genügt. Filtertechnisch ist der Aufbau eines derartigen Breitbandfilters, bei dem in der Nähe des Dämpfungsbereiches ein Abfallen des Durchlaßbereiches zugelassen ist, besonders einfach, insbesondere läßt sich ein derartiges Filter mit Miniaturspulen realisieren. Um bei dieser Sachlage noch die strengen Erfordernisse des Durchlaßfaktors im Durchlaßbereich zu erfüllen, wird gemäß der weiteren Erfindung eine Kompensation oder Egalisierung durchgeführt, die zur Erzielung der gewünschten Breitband- filtercharakteristik weitgehend unabhängig von sich ändernden Betriebsbedingungen sein muß, insbesondere von Änderungen in der Gegenkopplung, was auf einfachste Weise durch die in dem kennzeichnenden Merkmal des Hauptanspruchs angegebenen Maßnahm men erzielt worden ist.In contrast to the broadband amplifier technology described above, the invention describes another way, namely firstly, a broadband filter is proposed which already has the required one Contains the pass band and the required steep attenuation edges, but not yet the strict one The pass factor requirements in the pass band are sufficient. In terms of filter technology, the structure is a such broadband filter, in which in the vicinity of the attenuation range there is a drop in the passband is allowed, particularly simple, in particular, such a filter can be with miniature coils realize. In order to meet the strict requirements of the pass factor in the pass band in this situation to meet, a compensation or equalization is carried out according to the further invention, which to achieve the desired broadband filter characteristic must be largely independent of changing operating conditions, in particular of changes in the negative feedback, which in the simplest way by the in the characteristic Feature of the main claim specified measures has been achieved.

Die Erfindung besteht darin, daß der positive Rückkopplungskreis in Reihe mit dem im KollektorkreisThe invention consists in having the positive feedback circuit in series with that in the collector circuit

209 609/291209 609/291

der Steuerstufe gelegenen Ausgangskreis eine frequenzabhängige Impedanz enthält, die über einen Reihenwiderstand mit der Emitterelektrode verbunden ist, und daß dieser Reihenwiderstand wenigstens in dem zu übertragenen Frequenzband größer ist als die in dem Emitterkreis liegende negative Rückkopplungsimpedanz. The output circuit located on the control stage contains a frequency-dependent impedance, which is via a Series resistance is connected to the emitter electrode, and that this series resistance is at least in the frequency band to be transmitted is greater than the negative feedback impedance in the emitter circuit.

Gemäß der Erfindung wird ein neuer Weg zur Konstruktion von Transistorbreitbandverstärkarn an-According to the invention, a new way of constructing transistor broadband amplifiers is an-

die Filter 3, 7 bzw. 10, 11 die Trennung dieser Frequenzbänder herbeiführen.the filters 3, 7 and 10, 11 separate these frequency bands bring about.

Bei der dargestellten Ausführungsform ist der Transistorverstärker 5 ein Gegentaktverstärker, der 5 einen Steuerverstärker enthält, der durch die Transistoren 12, 13 in gemeinsamer Emitterschaltung gebildet wird, wobei jede der Kollektorelektroden mit der Primärwicklung eines Ausgangstransformators. 14, 15 verbunden ist. Die Speisespannung der Basislkd d Ti 12 13 id i iIn the embodiment shown, the transistor amplifier 5 is a push-pull amplifier, the 5 contains a control amplifier which is formed by the transistors 12, 13 in a common emitter circuit with each of the collector electrodes connected to the primary winding of an output transformer. 14, 15 is connected. The supply voltage of the base lkd d Ti 12 13 id i i

ppgppg

gegeben, und zwar besteht diese neue Konstruktion io elektroden der Transistoren 12, 13 wird einem zwiaus zwei Schritten, nämlich erstens dem Bau eines sehen der Minusklemme 16 und der Plusklemme 17 Breitbandfilters mit dem verlangten Durchlaßbereich einer Speisespannungsquelle eingeschalteten Span- und den steilen Dämpfungsflanken, aber noch nicht nungsteiler 18 entnommen, während die Emitter- und mit den strengen Erfordernissen des Durchlaßfaktors Kollektorelektroden der Transistoren 12, 13 an die im Durchlaßbereich, und zweitens einer darauffolgen- 15 Plusklemme 17 bzw. die negative Spannungsklemme den, von den Betriebbedingungen unabhängigen 16 der Speisespannungsquelle angeschlossen sind.
Egalisierung der Breitbandfiltercharakteristik in ein- Über den Sekundärwicklungen der Transformato-given, namely this new construction io electrodes of the transistors 12, 13 is one between two steps, namely first the construction of a see the minus terminal 16 and the plus terminal 17 broadband filter with the required range of a supply voltage source switched on voltage and the steep attenuation edges, but not yet removed voltage divider 18, while the emitter and collector electrodes of the transistors 12, 13, with the strict requirements of the conduction factor, to those in the conduction range, and secondly a subsequent 15 plus terminal 17 or the negative voltage terminal to the 16 of the supply voltage source, which is independent of the operating conditions are connected.
Equalization of the broadband filter characteristics in one over the secondary windings of the transformer

fachster Weise, wobei dieser Konstruktionsweg in ren 14, 15 tritt die verstärkte Ausgangsspannung des einem vollständig neuen Aufbau eines Breitbandver- Steuerverstärkers auf, der einen Transistorendverstärkers resultiert, der sich durch seine besondere 20 starker mit zwei in Gegentakt geschalteten Transisto-Einfachheit auszeichnet. Insbesondere wird es hier- ren 19, 20 in gemeinsamer Basisschaltung steuert, durch ermöglicht, einen derartigen Breitbandverstär- wobei die Kollektorelektroden mit den Enden der ker in Miniaturtechnik auszubilden. Aber darüber Primärwicklung des Ausgangstransformators 6 verhinaus zeigt sich dieser Breitbandverstärker vor allem bunden sind. Zur Speisung der Transistoren 19, 20 für die Trägerfrequenztelephonie noch besonders vor- 25 ist zwischen den einander zugewendeten Enden der teilhaft, denn die negativen und positiven Rückkopp- Sekundärwicklungen der Transformatoren 14,15 eine lungswege zeigen eine derartige Unabhängigkeit von- durch einen Kondensator 21 überbrückte Reiheneinander, daß gemäß weiterer Ausbildung der Erfin- schaltung von zwei Widerständen 22, 23 angebracht, dung die negative Rückkopplung zu gleicher Zeit für deren Verbindungspunkt an die positive Spannungsdie frequenzabhängige Kabelegalisierung angewendet 30 klemme 17 der Speisespannungsquelle angeschlossen werden kann. Zusätzlich gibt die erfindungsgemäße ist, während die Kollektor- und Basiselektroden mitmost technical way, this construction way in ren 14, 15 occurs the amplified output voltage of the a completely new construction of a broadband control amplifier, which is a transistor output amplifier the result, which is characterized by its special 20 more powerful with two push-pull connected transistor simplicity excels. In particular, it is controlled here 19, 20 in a common basic circuit, by allowing such a broadband amplifier with the collector electrodes with the ends of the to train them in miniature technology. But beyond that the primary winding of the output transformer 6 shows these broadband amplifiers are mostly tied. For feeding the transistors 19, 20 for carrier-frequency telephony there is a particular advantage between the ends facing one another part because the negative and positive feedback secondary windings of the transformers 14,15 one pathways show such an independence of series bridged by a capacitor 21, that according to further training of the invention circuit of two resistors 22, 23 attached, the negative feedback at the same time for its connection point to the positive voltage frequency-dependent cable equalization applied 30 terminal 17 of the supply voltage source connected can be. In addition, there is the inventive, while the collector and base electrodes with

fh i der negativen Spannungsklemme 16 bzw. dem Anzapfungspunkt eines zwischen den Klemmen 16, 17 der Speisespannungsquelle eingeschalteten Span-35 nungsteilers 24 verbunden sind. Dabei können die Transistoren 19, 20 des Endverstärkers in Klasse A oder B eingestellt sein.fh i of the negative voltage terminal 16 or the tapping point a Span-35 connected between the terminals 16, 17 of the supply voltage source voltage divider 24 are connected. The transistors 19, 20 of the output amplifier can be in class A. or B.

Fig. 2 zeigt die Übertragungscharakteristik der durch die Filter 3, 7 bzw. 10, 11 und den Transistor40 verstärker 5 gebildeten Vorrichtung, wobei die volle Kurve 25 die Übertragungskennlinie des Frequenzbandes von 6 bis 54 kHz und die volle Kurve 26 die Übertragungskennlinie des Frequenzbandes von 60FIG. 2 shows the transmission characteristics of the through the filters 3, 7 or 10, 11 and the transistor 40 amplifier 5 formed device, the full curve 25 the transfer characteristic of the frequency band from 6 to 54 kHz and the full curve 26 the transfer characteristic of the frequency band of 60

q bis 108 kHz darstellen. Es ist aus der Figur ersicht-q represent up to 108 kHz. It can be seen from the figure-

kommenden Verkehr das Frequenzband von 60 bis 45 lieh, daß der Übergang von dem Durchlaßbereich er-108 kHz benutzt wird. folgt von 6 bis 54 kHz auf 60 bis 108 kHz, der FilterIncoming traffic lent the frequency band from 60 to 45 that the transition from the pass band er-108 kHz is used. follows from 6 to 54 kHz to 60 to 108 kHz, the filter

Bei dem dargestellten Zweibandverstärker wird 3, 7 bzw. 10, 11 auf den diesen Filtern 3, 7 bzw. 10, das Frequenzband von 6 bis 54 kHz von dem Ader- 11 zugehörenden Dämpfungsbereich mit großer Steilpaar 1 über einen Transformator 2 und ein für dieses heit erfolgt; die Flanksteilheiten in dem dargestellten Frequenzband durchlässiges Filter 3 auf einen Ein- 50 Ausfühxungsbeispiel betragen z. B. 10 db/kHz. Bei gangstransformator 4 eines Transistorverstärkers 5 einer einfachen Ausführungsform der Filter 3, 7, 10, übertragen, während die verstärkten Ausgangssignale 11 tritt in dem Durchlaßbereich dieser Filter nahe des Transistorverstärkers 5 über einen Ausgangs- den Durchlaßgrenzen von 54 und 60 kHz eine transformator 6 und ein für das erwähnte Frequenz- Dämpfungszunahme auf, die bei der dargestellten band von 6 bis 54 kHz durchlässiges Filter 7 einem 55 Ausführungsform z. B. 0,5 db beträgt, wodurch die Transformator 8 zugeführt wird, der an das ab- Übertragungsqualität der Signale in der Nähe der gehende Aderpaar 9 angeschlossen ist. Auf ähnliche Durchlaßgrenzen beeinträchtigt wird.
Weise wird das Frequenzband von 60 bis 108 kHz Um bei einer einfachen Apparatur die Übertra-In the two-band amplifier shown, 3, 7 or 10, 11 on these filters 3, 7 or 10, the frequency band from 6 to 54 kHz from the wire 11 associated attenuation range with a large steep pair 1 via a transformer 2 and one for this unity takes place; the slope steepness in the frequency band shown permeable filter 3 to a 50 Ausfühxungsbeispiel z. B. 10 db / kHz. In the output transformer 4 of a transistor amplifier 5 a simple embodiment of the filter 3, 7, 10, transmitted while the amplified output signals 11 occurs in the pass band of this filter near the transistor amplifier 5 over an output the pass limits of 54 and 60 kHz a transformer 6 and a for the aforementioned increase in frequency attenuation, which in the illustrated band from 6 to 54 kHz permeable filter 7 a 55 embodiment z. B. 0.5 db, whereby the transformer 8 is fed, which is connected to the transmission quality of the signals in the vicinity of the outgoing wire pair 9 is connected. Is affected on similar transmission limits.
The frequency band is from 60 to 108 kHz.

von dem Aderpaar 9 über ein für dieses Frequenz- gungsqualität wesentlich zu steigern, ist in den Emitband durchlässiges Filter 10 auf den Eingang des 60. terkreis der Transistoren 12, 13 des Steuerverstärkers Transistorverstärkers 5 übertragen, dessen Ausgangs- eine negative Rückkopplungsimpedanz 27 eingeschalkreis über ein das erwähnte Frequenzband von 60 tet, während an die Emitterelektroden der Transistobis 108 kHz durchlassendes Filter 11 mit dem Ader- ren 12, 13 außerdem ein positiver Rückkopplungspaar 1 gekoppelt ist. Auf diese Weise werden die kreis angeschlossen ist, der zur Egalisierung der Signale für den abgehenden Verkehr im Band von 6 65 Filterkennlinien mit einem in Reihe mit den Ausbis 54 kHz und die Signale für den eintreffenden gangstransformatoren 14, 15 in dem Kollektorkreis Verkehr im Band von 60 bis 108 kHz gemeinsam der Transistoren 12, 13 eingeschalteten, frequenzabdurch den Transistorverstärker 5 verstärkt, während hängigen Kreis, gekoppelt ist. Der frequenzabhängigeFrom the pair of wires 9 to a significant increase for this frequency generation quality is in the emit band permeable filter 10 to the input of the 60th circuit of the transistors 12, 13 of the control amplifier Transfer transistor amplifier 5, the output of which a negative feedback impedance 27 is switched on over a frequency band of 60 tet, while at the emitter electrodes of the transistors 108 kHz permeable filter 11 with the wires 12, 13 also a positive feedback pair 1 is coupled. In this way the circle is connected to the equalization of the Signals for outgoing traffic in the band of 6 65 filter characteristics with one in series with the trainings 54 kHz and the signals for the incoming output transformers 14, 15 in the collector circuit Traffic in the band from 60 to 108 kHz common to the transistors 12, 13 switched on, frequenzab durch the transistor amplifier 5 amplifies while pending circuit is coupled. The frequency-dependent one

g ggg gg

Vorrichtung noch eine wesentliche Vereinfachung in Zweibandverstärkern.Device still a significant simplification in two-band amplifiers.

Die Erfindung und ihre Vorteile werden an Hand der Figuren näher erläutert.The invention and its advantages are explained in more detail with reference to the figures.

Fig. 1 zeigt einen Leitungsverstärker nach der Erfindung für Zweibandverkehr, undFig. 1 shows a line amplifier according to the invention for two-band traffic, and

Fig. 2 zeigt, zur Erläuterung der Wirkungsweise, einige Übertragungskennlmien des in Fig. 1 dargestellten Leitungsverstärkers.In order to explain the mode of operation, FIG. 2 shows some transmission characteristics of the one shown in FIG Line amplifier.

Fig. 1 zeigt einen Leitungsverstärker für ein Trägerfrequenz-Fernsprechsystem für Zweibandverkehr, wobei für den abgehenden Verkehr z. B. das Frequenzband von 6 bis 54 kHz und für den ein-Fig. 1 shows a line amplifier for a carrier frequency telephone system for two-band traffic, whereby for outgoing traffic z. B. the frequency band from 6 to 54 kHz and for the one

Kreis wird dabei durch einen zwischen den Primärwicklungen der Transformatoren 14, 15 liegenden, gedämpften Kreis 28 mit einer Abstimmfrequenz von etwa 57 kHz und einer Kreisgüte Q von etwa 50 gebildet, der über eine Kopplungsspule 29 und Reihenwiderstände 30, 31, die über das ganze zu übertragende Frequenzband wesetlich größer, z. B. zehnmal größer, sind als die negative Rückkopplungsimpedanz 27, mit den Emitterelektroden der Transistoren verbunden ist.The circuit is formed by a damped circuit 28, located between the primary windings of the transformers 14, 15, with a tuning frequency of about 57 kHz and a Q of about 50, which is connected via a coupling coil 29 and series resistors 30, 31, which over the whole area transmitting frequency band wesetlich larger, z. B. ten times greater than the negative feedback impedance 27, is connected to the emitter electrodes of the transistors.

Bei der dargestellten Kombination der geschilderten negativen und positiven Rückkopplungen in dem Transistorverstärker wird unter Aufrechterhaltung der bei Trägerfrequenz-Fernsprechverkehr an den Transistorverstärker zu stellenden Stabilitätsanforderangen eine wesentliche Verbesserung der Übertragungscharakteristik gemeinsam mit einer Verringerung des Verzerrungspegels erzielt, wobei die Verzerrung auf die Nichtlinearitäten der Transistorkennlinien zurückzuführen ist. Bei der angegebenen Kombination der negativen und positiven Rückkopplungen wird eine sehr hohe Ausgangsimpedanz für den Transistorsteuerverstärker 12, 13 erzielt, z. B. von mehr als 0,5 MOhm, wodurch bei der Stromsteuerung des Endverstärkers 19, 20 Signalverzerrungen infolge Änderungen der Eingansimpedanz des Endverstärkers weitgehendst verringert werden. Es ist dabei vorteilhaft, die Belastungsanpassung der Ausgangsimpedanz des Endverstärkers 19, 20 in gemeinsamer Basisschaltungen die Leitungsimpedanz durch Anwendung eines negativen Rückkopplungskreises zu bewerkstelligen, wobei die Kollektorelektroden jedes der Transistoren 19, 20 über einen Widerstand 32 bzw. 33 und einen Trennkondensator 34 bzw. 35 mit dem Emitterkreis des anderen Transistors 20, 10 verbunden ist, da durch diese negative Rückkopplung außerdem die bereits niedrige Eingangsimpedanz des Endverstärkers in gemeinsamer Basisschaltung noch weiter verringert wird; die Eingangsimpedanz des Endverstärkers bei der Stromsteuerung schwankt dabei z. B. zwischen etwa 15 und 25 Ohm.In the illustrated combination of the described negative and positive feedback in the Transistor amplifiers are used while maintaining carrier-frequency telephony to the The stability requirements to be met by transistor amplifiers require a significant improvement in the transmission characteristics achieved along with a reduction in the distortion level, the distortion is due to the non-linearities of the transistor characteristics. At the specified The combination of negative and positive feedback will produce a very high output impedance for the transistor control amplifier 12, 13 achieved, e.g. B. of more than 0.5 MOhm, which in the current control of the power amplifier 19, 20 signal distortion due to changes in the input impedance of the Power amplifier can be largely reduced. It is advantageous to adapt the load to the Output impedance of the output amplifier 19, 20 in common base circuits is the line impedance by using a negative feedback circuit to accomplish, the collector electrodes each of the transistors 19, 20 via a resistor 32 or 33 and an isolating capacitor 34 or 35 is connected to the emitter circuit of the other transistor 20, 10, since this is negative Feedback also the already low input impedance of the power amplifier in common Basic circuit is reduced even further; the input impedance of the power amplifier for current control fluctuates z. B. between about 15 and 25 ohms.

Gemeinsam mit einem besonders niedrigen Verzerrungspegel von z. B. weniger als 70 db zeigt es sich, daß die Abweichungen der Übertragungscharakteristik über die zu übertragenden Gesamtfrequenzbändex von 6 bis 54 kHz und 60 bis 108 kHz auf ein Mindestmaß, z. B. weniger als 0,1 bis 0,2 db, verringert werden, was aus Fig. 2 ersichtlich ist, wobei die gestrichelt angegebenen Kurven 36 und 37 die Verbesserung der Übertragungscharakteristiken veranschaulichen. Wie gesagt, wird diese Verbesserung der beiden Übertragungscharakteristiken durch Anwendung von lediglich einem gedämpften Kreis erzielt. Together with a particularly low distortion level of e.g. B. it shows less than 70 db that the deviations in the transmission characteristics over the total frequency bands to be transmitted from 6 to 54 kHz and 60 to 108 kHz to a minimum, e.g. B. less than 0.1 to 0.2 db reduced are, which can be seen from Fig. 2, wherein the dashed lines indicated by curves 36 and 37 the Illustrate improvement in transmission characteristics. As I said, this will improve of the two transfer characteristics is achieved by using only one damped circuit.

Bei der praktischen Ausführungsform der dargestellten Vorrichtung ist zur gegenseitigen Entkopplung des negativen Rückkopplungskreises 27 und des positiven Rückkopplungskreises. 28 im Steuerverstärker 12, 13 der Kreis 28 mit den Emitterelektroden der Transistoren 12, 13 über die Reihenwiderstände 30, 31 verbunden, die über die ganzen zu übertragenden Frequenzbänder wesentlich, z. B. zehnmal, größer sind als die Impedanz des negativen Rückkopplungskreises. 27; da die Widerstände 30, 31 in bezug auf die negative Rückkopplungsimpedanz 27 groß sind, wird der positive Rückkopplungskreis 28, 29, 30, 31 den negativen Rückkopplungskreis 27 praktisch nicht beeinflussen, während umgekehrt, da die Emittereingangsimpedanz der Transistoren 12, 13 niedriger ist als die Impedanz des negativen Rückkopplungskreises 27, die positive Rückkopplung durch die negative Rückkopplungsimpedanz 27 nicht beeinflußt wird.In the practical embodiment of the device shown is for mutual decoupling the negative feedback circuit 27 and the positive feedback circuit. 28 in the control amplifier 12, 13 the circuit 28 with the emitter electrodes of the transistors 12, 13 via the series resistors 30, 31 connected, which over the entire frequency bands to be transmitted substantially, z. B. ten times, are greater than the impedance of the negative feedback loop. 27; because the resistors 30, 31 with respect to the negative feedback impedance 27 are large, the positive feedback circuit 28, 29, 30, 31 becomes the negative feedback circuit 27 practically does not affect, while vice versa, since the emitter input impedance of the transistors 12, 13 is lower than the impedance of the negative feedback circuit 27, the positive feedback is not influenced by the negative feedback impedance 27.

Unter Benutzung dieser Eigenschaft der geschilderten Vorrichtung kann in dem dargestellten Transistorverstärker 5 gemeinsam mit der Glättung der Filterkennlinien außerdem eine Glättung der Kabeldämpfung auf einfache Weise herbeigeführt werden, indem die Rückkopplungsimpedanz 27 in dem Emitterkreis der Transistoren 12, 13 als Kabelegalisierungsnetzwerk ausgebildet wird, das bei der dargestellten Ausführungsform aus einer durch einen Widerstand 38 überbrückten Reihenschaltung einer Induktivität 39, eines Kondensators 40 und eines Widerstandes 41 besteht. Die Bemessung sowie die Einstellung des positiven Rückkopplungskreises 28, 29, 30, 31 und die des negativen Rückkopplungskreises 27 sind untereinander unabhängig, wodurch die praktische Ausbildung des Transistorverstärkers besonders einfach ist. Die Möglichkeiten der Anpassung und der einfachen Einstellungen machen den geschilderten Transistorverstärker 5 für Trägerfrequenz-Fernsprechzwecke besonders attraktiv.Using this property of the device described, in the illustrated transistor amplifier 5, together with the smoothing of the filter characteristics, also a smoothing of the cable attenuation can be brought about in a simple manner by reducing the feedback impedance 27 in the emitter circuit of the transistors 12, 13 is designed as a cable equalization network, which in the illustrated Embodiment consisting of a series circuit bridged by a resistor 38 Inductance 39, a capacitor 40 and a resistor 41 consists. The dimensioning as well as the Setting of the positive feedback circuit 28, 29, 30, 31 and that of the negative feedback circuit 27 are mutually independent, whereby the practical training of the transistor amplifier is particularly simple. The possibilities of customization and the simple settings make the described transistor amplifier 5 for carrier frequency telephony purposes particularly attractive.

Es sei schließlich noch erwähnt, daß bei einer in der Praxis eingehend geprüften Vorrichtung nach Fig. 1 Transistoren 12, 13, 19, 20 des Typs OC 45 oder OC 72 verwendet wurden und die in den Emittern der Transistoren 12, 13 liegende, frequenzabhängige Impedanz sich in dem zu übertragenden Gesamtfrequenzband von 1500 bis 400 Ohm änderte, während die Emittereingangsimpedanz der Transistoren 12, 13 etwa 12 Ohm betrug.It should finally be mentioned that in a device that has been thoroughly tested in practice Fig. 1 Transistors 12, 13, 19, 20 of the type OC 45 or OC 72 were used and in the emitters of the transistors 12, 13, the frequency-dependent impedance located in the overall frequency band to be transmitted changed from 1500 to 400 ohms while the emitter input impedance of the transistors 12, 13 was about 12 ohms.

Claims

PATENT CLAIMS:

1. Two-stage broadband push-pull amplifier with a transistor control stage in emitter circuit and a transistor output stage in base circuit, the control stage of which is provided with a negative feedback circuit inserted into its emitter circuit and with a positive feedback circuit, characterized in that the positive feedback circuit is in series with that in the collector circuit of the control stage Located output circuit contains a frequency-dependent impedance (28) which is connected to the emitter electrode via a series resistor (30 or 31), and that this series resistance is greater than the negative feedback impedance (27) in the emitter circuit, at least in the frequency band to be transmitted.

2. Amplifier according to claim 1, characterized in that the negative feedback impedance (27) in the emitter circuit by a frequency-dependent two-pole network is formed, which equalizes the cable attenuation in the range of the frequency band to be transmitted.

3. Amplifier according to claim 2, characterized in that the load between the Collector and emitter electrodes of the output stage a negative feedback circuit (32, 34 and 33, 35) is attached.

4. Amplifier according to claim 1, 2 or 3, which is used as a line amplifier for two-band traffic

directed and provided with separating filters to separate the overlapping frequency bands, characterized in that the frequency-dependent circuit located in the collector circuit is through a single, damped parallel circuit (28) is formed, the tuning frequency between the transmission limits of the separation filter.

Considered publications: German Patent Specifications Nos. 954 431, 961 897, 222, 886 925;

"Philips Technische Rundschau", 1954, 12, p. 176;

"Funk-Technik", 1954, No. 19, pp. 538 to 540; "Telefunken-Zeitung", 1955, No. 6, p. 95.

For this purpose, 1 sheet of drawings