DE1216926B

DE1216926B - Single-stage DC pulse amplifier

Info

Publication number: DE1216926B
Application number: DET24912A
Authority: DE
Inventors: Dipl-Ing Wolfgang Steinle
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1963-10-18
Filing date: 1963-10-18
Publication date: 1966-05-18

Description

Einstufiger Gleichstrom-Impulsverstärker Die Erfindung betrifft einen einstufigen Gleichstrom-Impulsverstärker mit einem Transistor in Emitterschaltung und einer zwischen dem Verstärkereingang und der Basis des Transistors liegenden Zenerdiode zum Ausgleich des Spannungssprunges Basis-Kollektor, bei dem der Emitter des Transistors über die Betriebsspannungsquelle an das Eingang und Ausgang des Verstärkers gemeinsame Festpotential angeschlossen ist.Single Stage DC Pulse Amplifier The invention relates to a single-stage direct current pulse amplifier with a transistor in common emitter circuit and one between the amplifier input and the base of the transistor Zener diode to compensate for the voltage jump base-collector, where the emitter of the transistor via the operating voltage source to the input and output of the Amplifier common fixed potential is connected.

In der Verstärkertechnik besteht weitgehend das Bestreben, einstufige Verstärker so aufzubauen, daß sich aus einer beliebigen Vielzahl derartiger Einzelverstärker ohne weiteres und durch einfaches Aneinanderfügen ein Verstärker mit beliebig vielen Stufen und damit unter anderem beliebig hoher Gesamtverstärkung erzielen läßt. Eine Voraussetzung dafür ist, daß im Ruhezustand Eingang und Ausgang jedes Einzelverstärkers auf gleichem Potential liegen. Man erhält dann auch den weiteren Vorteil, daß der Impulsverstärker dann, wenn er nur Impulse einer Polarität verstärken soll, ganz ohne Ruhestrom auskommt und dann, wenn er Impulse beider Polaritäten verstärken soll, nur einen sehr geringen Ruhestrombedarf aufweist. Eine bekannte Lösung für diese Aufgabenstellung besteht darin, zwischen dem Verstärkereingang und der Basis des Transistors eine Zenerdiode einzufügen, die zum Ausgleich des Spannungssprunges Basis-Kollektor dient und außerdem den Emitter des Transistors über die Betriebsspannungsquelle an das Eingang und Ausgang des Verstärkers gemeinsame Festpotential anzuschließen.In amplifier technology, there is largely an effort to single-stage Build up the amplifier in such a way that it can be made up of any number of such individual amplifiers easily and simply by joining one another an amplifier with any number Steps and thus can achieve, among other things, any high overall gain. One The prerequisite for this is that the input and output of each individual amplifier in the idle state are at the same potential. You then also get the further advantage that the Pulse amplifier then, if it should only amplify pulses of one polarity, completely gets by without quiescent current and only when it amplifies impulses of both polarities should only have a very low quiescent current requirement. A well-known solution for this task consists in between the amplifier input and the base of the transistor to insert a Zener diode to compensate for the voltage jump The base-collector is used and also the emitter of the transistor via the operating voltage source to connect common fixed potential to the input and output of the amplifier.

Neben den eingangs erwähnten Vorteilen hat diese Schaltungsart eines Verstärkers jedoch den Nachteil, daß außer dem Signalstrom von der Eingangsseite auch der verstärkte Signalstrom über die Betriebsspannungsquelle fließen muß. Dieser Umstand schränkt aber die verstärkbare Bandbreite wesentlich ein, da die Betriebsspannungsquelle mehr oder weniger frequenzabhängig ist. Hand in Hand mit dieser Frequenzabhängigkeit der Betriebsspannungsquelle geht naturgemäß eine solche der Verstärkung, was sich insbesondere dann nachteilig auswirkt, wenn besonders steile Impulse verlangt werden, der Verstärker also sehr breitbandig bis hinauf zu höchsten Frequenzen arbeiten muß.In addition to the advantages mentioned above, this type of circuit has one Amplifier, however, has the disadvantage that in addition to the signal flow from the input side the amplified signal current must also flow via the operating voltage source. This However, this circumstance significantly limits the bandwidth that can be amplified, since the operating voltage source is more or less frequency dependent. Hand in hand with this frequency dependence the operating voltage source is naturally such an amplification, which is especially disadvantageous when particularly steep impulses are required, the amplifier works very broadband up to the highest frequencies got to.

Für die Erfindung stellte sich daher die Aufgabe, einen Verstärker des eingangs geschilderten Typs derart abzuwandeln, daß seine Bandbreite im Prinzip beliebig groß gehalten werden kann, so daß er auch zur Verstärkung kürzester Impulse, insbesondere im Nanosekundenbereich, geeignet ist.The object of the invention was therefore to provide an amplifier of the type described in such a way that its bandwidth in principle can be kept as large as desired, so that it can also be used to amplify the shortest impulses, is particularly suitable in the nanosecond range.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die Betriebsspannungsquelle über den Längszweig einer Abzweigschaltung mit dem Emitter des Transistors verbunden ist, die aus Induktivitäten im Längszweig und Kapazitäten im Querzweig besteht und bei der mindestens jeder Kapazität ein ohmscher Widerstand in Serie geschaltet ist und mindestens die Kapazitätswerte der jeweils näher an der Betriebsspannungsquelle liegenden Querzweige die der folgenden überschreiten.According to the invention, this object is achieved in that the operating voltage source connected to the emitter of the transistor via the series branch of a branch circuit which consists of inductances in the series arm and capacitances in the shunt arm and In which at least each capacitance is connected in series with an ohmic resistor and at least the capacitance values of the respectively closer to the operating voltage source lying cross branches exceed those of the following.

Die Erfindung macht dabei von einer an sich bekannten Schaltungsmethode Gebrauch, nach der eine Schaltung, die sich durch ein Ersatzschaltbild aus einer Spannungsquelle und einem in Serie dazu liegenden rein ohmschen Widerstand beschreiben läßt, in Form einer derartigen Abzweigschaltung realisieren läßt, daß der Längszweig aus Induktivitäten und der Querzweig aus Kapazitäten besteht, wobei mindestens den Kapazitäten in den Querzweigen je ein ohmscher Widerstand in Serie geschaltet ist und die Kapazitätswerte der jeweils näher an der Betriebsspannungsquelle liegenden Querzweige größer sind als die der weiter von der Betriebsspannungsquelle entfernten Querzweige. Bisher ist dieses Prinzip zwar bei der Herstellung von Spannungsquellen benutzt worden, deren Belastung in Abhängigkeit von der Frequenz variiert. Im Zusammenhang mit einem Breitbandverstärker bzw. einem Verstärker überhaupt ist jedoch an einen Einsatz einer derartigen Abzweigschaltung noch nicht gedacht worden. Vielmehr hat man bislang bei breitbandig geforderten Verstärkern auf die Vorteile verzichtet, die mit einer Verbindung des Emitters mit dem Eingang und Ausgang des Verstärkers gemeinsame Festpotential verbunden sind, und die Breitbandigkeit mit der Aufwendung erheblicher Ruheströme erkauft. Eine in Verbindung mit dem erfindungsgemäßen Verstärker besonders günstige Ausbildung der Betriebsspannungsquelle besteht darin, sie durch einen Transistor zu realisieren, der das gleiche Temperaturverhalten aufweist wie der Transistor des Verstärkers. Zweckmäßig betreibt man beide Transistoren im selben Arbeitspunkt und mit demselben Arbeitswiderstand, wodurch man eine gleichstrommäßig symmetrische Schaltung bekommt und damit noch eine weitere, über die durch die passende Auswahl des Transistorpaares gegebene hinausgehende Temperaturunabhängigkeit der Arbeitspunkte erzielen kann.The invention makes use of a circuit method known per se Use according to which a circuit that is represented by an equivalent circuit diagram from a Describe the voltage source and a purely ohmic resistor in series with it can, in the form of such a branch circuit, can be realized that the series branch consists of inductors and the shunt arm of capacitances, at least the Capacities in the shunt branches, an ohmic resistor is connected in series and the capacitance values of the respectively closer to the operating voltage source Cross branches are larger than those that are further away from the operating voltage source Cross branches. So far, this principle has been used in the manufacture of voltage sources have been used, the load of which varies depending on the frequency. In connection with a broadband amplifier or an amplifier at all, however, is at one Use of such a branch circuit has not yet been thought of. Rather has So far, the advantages of amplifiers that are required for broadband have been dispensed with, those with a connection of the emitter to the input and output of the amplifier common fixed potential, and broadband with the expenditure considerable quiescent currents bought. One in connection with the invention Amplifier particularly favorable design of the operating voltage source consists in to realize them by a transistor that has the same temperature behavior like the transistor of the amplifier. It is advisable to operate both transistors in the same working point and with the same working resistance, which means that one has a direct current symmetrical circuit gets and thus still another, over which by the appropriate Selection of the transistor pair given additional temperature independence of Can achieve working points.

Vorteilhaft ist bei der erfindungsgemäßen Ausbildung eines Gleichstromverstärkers weiter, daß man seinen Eingangswiderstand durch Gegenkopplungsmaßnahmen und damit unter Bandbreitengewinn ohne Beeinflussung der Gleichstromarbeitspunkte der Transistoren innerhalb weiter Grenzen auf jeden gewünschten Wert bringen kann. Man braucht dazu lediglich eine Spannungsgegenkopplung über einen zwischen dem Verstärkereingang und dem Verbindungspunkt des Kollektors des ersten Transistors mit seinem Kollektorwiderstand einerseits und dem Verstärkerausgang andererseits eingefügten Widerstand und eine Stromgegenkopplung über einen die Emitter beider Transistoren verbindenden, für den ersten Transistor als Emitterwiderstand wirkenden Widerstand vorzusehen. Für den Eingangswiderstand des Verstärkers lassen sich so Werte von z. B. 50S2 ohne weiteres erreichen.It is advantageous in the design of a direct current amplifier according to the invention further that one can increase its input resistance by means of negative feedback measures and thus with bandwidth gain without influencing the direct current operating points of the transistors can bring to any desired value within wide limits. You need to only a negative voltage feedback via one between the amplifier input and the junction of the collector of the first transistor with its collector resistor on the one hand and the amplifier output on the other hand inserted resistor and a Current negative feedback via a connecting the emitters of both transistors, for to provide the first transistor acting as an emitter resistor resistor. For the input resistance of the amplifier can be values of z. B. 50S2 without achieve further.

Zur Symmetrierung und damit zur Ausschaltung unerwünschter Temperatureinflüsse ist es bei einem solchermaßen gegengekoppelten Verstärker nach der Erfindung günstig, an den Kollektor des zweiten Transistors einen den Abschlußwiderstand des Verstärkers gleichen Arbeitswiderstand parallel mit einem dem für die Spannungsgegenkopplung benutzten Widerstand in der Größe gleichen Widerstand anzuschalten.For balancing and thus eliminating undesirable temperature influences it is favorable with such a negative feedback amplifier according to the invention, to the collector of the second transistor a terminating resistor of the amplifier same working resistance in parallel with one for the voltage negative feedback used resistor in the size of the same resistor to switch on.

Zur weiteren Symmetrierung und zur Erhöhung der Temperaturunabhängigkeit der Gesamtschaltung kann man an die Basis des zweiten Transistors eine Zenerdiode anschließen. In ihrem Temperaturverhalten entspricht diese Zenerdiode der zwischen der Basis des ersten Transistors und dem Verstärkereingang liegenden und kompensiert damit deren Temperaturgang.For further balancing and to increase the temperature independence The entire circuit can be connected to a Zener diode at the base of the second transistor connect. In terms of its temperature behavior, this Zener diode corresponds to that between the base of the first transistor and the amplifier input lying and compensated thus their temperature response.

Um die Emitter-Kollektor-Ruhespannung an dem ersten Transistor von der Zenerspannung der am Eingang liegenden Zenerdiode unabhängig variieren und als solche eine Zenerdiode mit einem scharfen Kennlinienknick bei der Durchbruchsspannung verwenden zu können, ist es günstig, in die Kollektorzuleitung des ersten Transistors eine weitere Zenerdiode zu legen, deren Polung der der an der Basis dieses Transistors liegenden Zenerdiode gleichgerichtet ist, so daß die Kollektor-Emitter-Spannung des Transistors ungefähr gleich der Differenz der beiden Zenerspannungen ist. Zweckmäßig gibt man dieser weiteren Zenerdiode ein ihr in Lage, Polung und Temperaturverhalten entsprechendes Gegenstück in der Kollektorzuleitung des zweiten Transistors, um den symmetrischen Aufbau der Gesamtschaltung möglichst zu erhalten.To reduce the emitter-collector open-circuit voltage across the first transistor from the Zener voltage of the Zener diode at the input vary independently and as Such a Zener diode with a sharp curve kink in the breakdown voltage to be able to use, it is beneficial to put in the collector lead of the first transistor to put another Zener diode, the polarity of which corresponds to the one at the base of this transistor lying Zener diode is rectified, so that the collector-emitter voltage of the transistor is approximately equal to the difference between the two Zener voltages. Appropriate you give this further Zener diode its position, polarity and temperature behavior corresponding counterpart in the collector lead of the second transistor to to maintain the symmetrical structure of the overall circuit as far as possible.

In den Zeichnungen zeigt F i g. 1 eine vereinfachte Darstellung des bei dem erfindungsgemäßen Verstärker angewandten Schaltungsprinzips, in der die erfindungsgemäß eingefügte Abzweigschaltung lediglich aus dem Längszweig und einem Querzweig besteht.In the drawings, F i g. 1 a simplified representation of the in the amplifier according to the invention applied circuit principle, in which the according to the invention inserted branch circuit only from the series branch and one Cross branch exists.

Die Zuführung der zu verstärkenden Signale erfolgt dabei zwischen den Klemmen Ei und E2, von denen die erste über die Zenerdiode Z1 mit der Basis des Transistors T1 verbunden ist. Die verstärkten Ausgangssignale können an den Klemmen A1 und A2 abgenommen werden, von denen die erste mit dem Kollektor des Transistors T1 verbunden ist. Zwischen den Klemmen E2 und A2 besteht eine durchgehende Verbindung. Sie sind beide gemeinsam an ein Festpotential, beispielsweise das Erdpotential, angeschlossen.The signals to be amplified are fed in between the terminals Ei and E2, the first of which via the Zener diode Z1 to the base of transistor T1 is connected. The amplified output signals can be sent to the Terminals A1 and A2 are removed, the first of which to the collector of the transistor T1 is connected. There is a continuous connection between terminals E2 and A2. They are both connected to a fixed potential, for example the earth potential, connected.

Die Betriebspannungsquelle UBO liegt im Emitterzweig des Transistors T1 und verbindet diesen mit dem an E2 und A2 angeschlossenen Festpotential. Zwischen der Betriebsspannungsquelle und dem Emitter des Transistors Ti ist dabei erfindungsgemäß der Längszweig einer Abzweigschaltung eingefügt, der aus der Induktivität L und dem ohmschen Widerstand R, besteht. Der Querzweig der Abzweigschaltung besteht aus der Kapazität C und dem ohmschen Widerstand R6. Er ist zwischen den Verbindungspunkt des Emitters des Transistors T1 und der Induktivität L einerseits und dem E2 und A2 gemeinsamen Festpotential andererseits eingefügt.The operating voltage source UBO is in the emitter branch of the transistor T1 and connects this to the fixed potential connected to E2 and A2. Between the operating voltage source and the emitter of the transistor Ti is according to the invention the series branch of a branch circuit is inserted, which consists of the inductance L and the ohmic resistance R exists. The branch circuit of the branch circuit consists of the capacitance C and the ohmic resistance R6. He is between the connection point the emitter of the transistor T1 and the inductance L on the one hand and the E2 and A2 common fixed potential inserted on the other hand.

In dem Prinzipschaltbild der F i g. 1 ist für die erfindungsgemäß einzufügende Schaltung nur ein einziger Querzweig dargestellt. Je nach der gewünschten oberen Grenzfrequenz, bis zu der der Verstärker arbeiten soll, können diesem Querzweig jedoch weitere in beliebiger Anzahl angefügt werden, wobei deren Kapazitätswerte mit wachsender Entfernung von der Betriebsspannungsquelle immer kleiner werden. Im Prinzip läßt sich auf diese Weise ein Verstärker aufbauen, der bis zur Frequenz unendlich frequenzunabhängig arbeitet.In the basic circuit diagram of FIG. 1 is for the invention Circuit to be inserted only a single shunt branch shown. Depending on the desired upper limit frequency, up to which the amplifier should work, this shunt branch can however, any other number can be added, with their capacity values become smaller and smaller with increasing distance from the operating voltage source. In principle, in this way an amplifier can be built up to the frequency works infinitely independent of frequency.

In F i g. 2 ist ein praktisches Ausführungsbeispiel für einen erfindungsgemäßen Verstärker dargestellt, bei dem die Betriebsspannung UBO aus F i g.1 für den Transistor Ti am Emitter eines Emitterfolgertransistors T2 abgegriffen wird.In Fig. 2 is a practical embodiment of one according to the invention Amplifier shown in which the operating voltage UBO from FIG. 1 for the transistor Ti is tapped at the emitter of an emitter follower transistor T2.

Die zu verstärkenden Signale werden dem Verstärker wieder an den Klemmen El und E2 zugeführt, die verstärkten Signale können an den Klemmen Al und A2 abgenommen werden. Die Klemmen E2 und A2 sind dabei an das Eingang und Ausgang gemeinsame Festpotential, das in dem gewählten Beispiel das Erdpotential ist, angeschlossen.The signals to be amplified are sent back to the amplifier at the terminals El and E2 are supplied, the amplified signals can be picked up at terminals A1 and A2 will. The terminals E2 and A2 are at the input and output common fixed potential, which is the earth potential in the example chosen.

Zwischen dem Verstärkereingang El und der Basis des Transistors T1 liegt die Zenerdiode Z1, die den Gleichspannungssprung zwischen Basis und Kollektor des Transistors T1 ausgleicht. Dabei wirkt der positive Temperaturkoeffizient der Durchbruchsspannung der Zenerdiode dem negativen Temperaturkoeffizienten der Basis-Emitter-Spannung des Transistors entgegen. Bei einer Zenerspannung von etwa 6 V führt dies zu einer Temperaturunabhängigkeit des Kollektorstromes.Between the amplifier input El and the base of the transistor T1 is the Zener diode Z1, the DC voltage jump between base and collector of transistor T1 compensates. The positive temperature coefficient of Breakdown voltage of the Zener diode corresponds to the negative temperature coefficient of the base-emitter voltage of the transistor opposite. At a Zener voltage of around 6 V, this leads to a Temperature independence of the collector current.

Infolge der Anordnung der Zenerdiode Z1 zwischen dem Verstärkereingang El und der Basis des Transistors T1 ändern sich Zenerstrom und Kollektorstrom bei Ansteuerung des Verstärkers gleichsinnig, so daß, wenn nur negative Eingangssignale verstärkt werden sollen, der Ruhestrom sowohl für die Zenerdiode Z1 als auch für den Transistor T1 zu Null gemacht werden kann. Falls der Verstärker sowohl positive als auch negative Eingangssignale verstärken soll, muß durch die Zenerdiode Z1 und den Transistor T1 ein Ruhestrom fließen. Da zwischen den Ausgangsklemmen Al und A2 im Ruhezustand keine Potentialdifferenz vorhanden sein soll, muß der Ruhestrom über den Widerstand R1, der zwischen der Eingangsklemme Ei und dem Pol mit dem Potential - UB 2 liegt, und den Widerstand R5, der in der Kollektorleitung des Transistors T1 zwischen der Ausgangsklemme Al und dem Pol mit dem Potential - UB 2 liegt, abgeleitet werden. Infolge der Anordnung der Zenerdiode Z1 zwischen dem Verstärkereingang Ei und der Basis des Transistors T1 kann der Ruhestrom durch die Zenerdiode niedriger sein, als bei Schaltungen, bei denen die Zenerdiode am Kollektor des zugehörigen Transistors angeschlossen ist. Dadurch können der Widerstand R1 und der Widerstand R2, der zwischen der Basis des Transistors T1 und dem Pol mit dem Potential -I- UB 1 liegt, so groß gemacht werden, daß ihr Leitwert gegen den Eingangsleitwert des Verstärkers vernachlässigbar ist.As a result of the arrangement of the Zener diode Z1 between the amplifier input El and the base of the transistor T1, the Zener current and the collector current change in the same direction when the amplifier is activated, so that if only negative input signals are to be amplified, the quiescent current for both the Zener diode Z1 and the transistor T1 can be made zero. If the amplifier is to amplify both positive and negative input signals, a quiescent current must flow through the Zener diode Z1 and the transistor T1. Since there should be no potential difference between the output terminals A1 and A2 in the quiescent state, the quiescent current must be passed through the resistor R1, which is between the input terminal Ei and the pole with the potential - UB 2 , and the resistor R5, which is in the collector line of the transistor T1 between the output terminal Al and the pole with the potential - UB 2 is derived. As a result of the arrangement of the Zener diode Z1 between the amplifier input Ei and the base of the transistor T1, the quiescent current through the Zener diode can be lower than in circuits in which the Zener diode is connected to the collector of the associated transistor. As a result, the resistor R1 and the resistor R2, which lies between the base of the transistor T1 and the pole with the potential -I- UB 1 , can be made so large that their conductance is negligible compared to the input conductance of the amplifier.

Zwischen dem Kollektor des Transistors T1 und dem Verbindungspunkt des Widerstandes R5 mit der Ausgangsklemme A 1 ist eine Zenerdiode Z3 eingefügt, deren Polung der Zenerdiode Z1 entspricht, deren Zenerspannung aber geringer ist als die Zenerspannung der Zenerdiode Z1, um so die Kollektor-Emitter-Spannung unabhängig von der Zenerspannung der Zenerdiode Z1 wählen und als Zenerdiode Z1 eine solche mit einer höheren Zenerspannung verwenden zu können, die dadurch bedingt einen ausgeprägten Kenllinienknick bei der Durchbruchsspannung aufweist.Between the collector of transistor T1 and the connection point A Zener diode Z3 is inserted between the resistor R5 and the output terminal A 1, whose polarity corresponds to the Zener diode Z1, but whose Zener voltage is lower than the Zener voltage of the Zener diode Z1, so that the collector-emitter voltage is independent from the Zener voltage of the Zener diode Z1 and choose one as the Zener diode Z1 to be able to use a higher Zener voltage, which means a pronounced Has kink in the breakdown voltage.

In der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung fließt der gesamte Signalstrom über die Betriebsspannungsquelle. Diese ist in dem angegebenen Ausführungsbeispiel zusammen mit dem Emitterwiderstand RV dessen Größe, ebenso wie die des spannungsgegenkoppelnden, zwischen der Eingangsklemme Ei und der Ausgangsklemme A1 liegenden Widerstandes R3, durch die Forderung bezüglich Eingangswiderstand und Verstärkung der Stufe bedingt ist, frequenzunabhängig realisiert. Dazu dient die an den Emitter des Transistors T1 angeschlossene Abzweigschaltung, die aus den Widerständen R6 und R7, dem Kondensator C und der Induktivität L besteht, in Verbindung mit dem als Emitterfolger geschalteten Transistors T2, der hierbei als Betriebsspannungsquelle dient. Dieser Transistor T2 wird im gleichen Arbeitspunkt und mit der gleichen Belastung betrieben wie der Transistor T1. Es ist also der Kollektorwiderstand R5 des Transistors T1 gleich dem KollektorwiJe-rstand Rio des Transistors T2. Die Zenerdiode Z3 und die zwischen dem Kollektor des Transistors T2 und dem Widerstand. Rio liegende Zenerdiode Z4 entsprechen sich in Polung und Zenerspannung; ebenso entsprechen sich die Zenerdiode Z1 und die zwischen der Basis des Transistors T2 und der Ausgangsklemme A2 liegende Zenerdiode Z2. Ferner ist der Widerstand R2 gleich dem zwischen der Basis des Transistors T2 und dem Pol mit dem Potential -I- UB i liegenden Widerstand R11, sowie der den Ruhestrom durch den Transistor T1 einstellende, im Emitterzweig dieses Transistors liegende Widerstand R4 gleich dem zwischen dem Emitter des Transistors T2 und dem Pol mit dem Potential -I- UB 1 liegenden Widerstand R8. Der zwischen der Zenerdiode Z4 und der Ausgangsklemme A2 liegende Widerstand R9 ist gleich dem resultierenden Belastungswiderstand des Transistors T1.In the circuit arrangement according to the invention, the entire signal current flows via the operating voltage source. This is implemented in the specified embodiment together with the emitter resistor RV, the size of which, as well as that of the voltage negative feedback resistor R3 located between the input terminal Ei and the output terminal A1, is frequency-independent due to the requirement for input resistance and gain of the stage. The branch circuit connected to the emitter of transistor T1, which consists of resistors R6 and R7, capacitor C and inductance L, is used for this purpose, in conjunction with transistor T2, which is connected as an emitter follower and serves as an operating voltage source. This transistor T2 is operated at the same operating point and with the same load as the transistor T1. The collector resistance R5 of the transistor T1 is therefore equal to the collector resistance Rio of the transistor T2. The Zener diode Z3 and the one between the collector of the transistor T2 and the resistor. Zener diode Z4 lying in Rio correspond in polarity and Zener voltage; Likewise, the Zener diode Z1 and the Zener diode Z2 located between the base of the transistor T2 and the output terminal A2 correspond. Furthermore, the resistor R2 is equal to the resistor R11 lying between the base of the transistor T2 and the pole with the potential -I- UB i, and the resistor R4, which sets the quiescent current through the transistor T1 and located in the emitter branch of this transistor, is equal to that between the emitter of the transistor T2 and the pole with the potential -I- UB 1 lying resistor R8. The resistor R9 lying between the Zener diode Z4 and the output terminal A2 is equal to the resulting load resistance of the transistor T1.

Durch diese gleichstrommäßige Symmetrierung der Schaltung ergibt sich neben der schon erwähnten Temperaturstabilisierung durch die entgegengesetzten Temperaturkoeffizienten der Zenerdiode Z1 und des Transistors T1 eine zusätzliche Temperaturstabilisierung.This DC balancing of the circuit results in addition to the already mentioned temperature stabilization through the opposite temperature coefficients the Zener diode Z1 and the transistor T1 provide additional temperature stabilization.

Claims

Claims: 1. Single-stage DC pulse amplifier with a Transistor in common emitter circuit and one between the amplifier input and the Base of the transistor lying Zener diode to compensate for the voltage jump base-collector, in which the emitter of the transistor is connected to the input via the operating voltage source and output of the amplifier common fixed potential is connected, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t that the operating voltage source via the series branch a branch circuit is connected to the emitter of the transistor, made up of inductors in the longitudinal branch and capacities in the transverse branch and in which at least everyone Capacitance an ohmic resistor is connected in series and at least the capacitance values of the shunt branches that are closer to the operating voltage source are those of the following exceed.

2. DC pulse amplifier according to claim 1, characterized in that that the operating voltage source for the first transistor as an emitter follower switched second transistor with the same temperature behavior is its operating voltage is large compared to that required by the first transistor.

3. DC pulse amplifier according to claim 2, characterized in that the working point and the working resistance of the second transistor are chosen to be the same as those of the first.

4. DC pulse amplifier according to one of claims 1 to 3, characterized by a negative voltage feedback via a directly between the amplifier input and the connection point of the Collector of the first transistor with its collector resistance on the one hand and the amplifier output on the other hand inserted resistance and a current negative feedback via a connecting the emitter of both transistors, as an emitter resistor for the first effective resistance.

5. DC pulse amplifier according to claim 4, characterized in that a voltage negative feedback resistor is connected to the collector of the second transistor and the resistor corresponding to the terminating resistor at the output of the amplifier connected.

6. DC pulse amplifier according to one of claims 1 to 5, characterized in that a Zener diode is connected to the base of the second transistor is connected, which in its temperature behavior and its Zener voltage of the Zener diode lying between the base of the first transistor and the amplifier input is equivalent to.

7. DC pulse amplifier according to one of the claims 1 to 6, characterized by one in the collector lead of the first transistor laid Zener diode, which has the same polarity as the Zener diode lying at its base. B. DC pulse amplifier according to claim 7, characterized in that in the collector lead of the second transistor one of the in the collector lead of the first transistor lying Zener diode in position, polarity and temperature behavior corresponding Zener diode is inserted. Publications considered: German Patent No. 1131275; NTZ, 1957, No. 4, p.197; Radio and television, issue 3, 1961, p. 85; Elektric Eng., April 1963, pp. 257, 258; Phil. Techn. Rundschau, 20. 7.1958, p. 96; Bull. Technique PTT, 12/1960, p. 421.