DE1123714B - Schaltungsanordnung fuer die Demodulation amplitudenmodulierter elektrischer Schwingungen - Google Patents
Schaltungsanordnung fuer die Demodulation amplitudenmodulierter elektrischer SchwingungenInfo
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D1/00—Demodulation of amplitude-modulated oscillations
- H03D1/14—Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear elements having more than two poles
- H03D1/18—Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear elements having more than two poles of semiconductor devices
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung für die Demodulation amplitudenmodulierter
elektrischer Schwingungen mit Hilfe der Emitter-Basis-Strecke eines für die zu demodulierenden
Schwingungen rückgekoppelten Transistors. Bei einer bekannten Schaltungsanordnung dieser Art liegt die
Quelle der zu demodulierenden Schwingungen in Reihe mit einem Detektorausgangsfilter im Basiskreis des
Transistors. Zwischen den Kollektor und den Emitter des Transistors ist ein Rückkopplungsnetzwerk für die
zu demodulierenden Schwingungen geschaltet, während weiter im Kollektorkreis ein Ausgangsfilter für die
zu demodulierenden Schwingungen liegt. Die zwischen Emitter und Basis wirksamen zu demodulierenden
Schwingungen sind durch die Rückkopplung verstärkt und erzeugen somit über dem Detektorfilter
durch Emitter-Basis-Gleichrichtung ein verstärktes demoduliertes Signal. Dieses Signal ist an der Basiselektrode
des Transistors wirksam und erscheint mithin abermals verstärkt am Ausgangsfilter.
Diese bekannte Schaltungsanordnung hat unter anderem den Nachteil, daß sie bei geringer Änderung
der Transistorparameter die Neigung hat, zu schwingen und infolgedessen wenig stabil ist. Auch wird der
Transistor infolge des Basisdetektorfilters in einen für Verstärkung ungünstigen Arbeitspunkt eingestellt. Die
Erfindung gibt einen anderen Weg zum Erreichen eines verstärkten Demodulationseffektes an, auf dem sich
jedoch eine äußerst stabile und einfache Schaltungsanordnung erhalten läßt. Sie ist dadurch gekennzeichnet,
daß der Transistor mittels einer zwischen Emitter und Basis eingeschalteten Selbstinduktion,
deren Scheinwiderstand bei der Frequenz der zu demodulierenden Schwingungen groß, für die des
demodulierten Signals jedoch klein ist, als Spitzenstromdetektor geschaltet ist, wobei diese Selbstinduktion
eine Wicklung eines Rückkopplungstransformators bildet, dessen andere Wicklung im Kollektorkreis
des Transistors liegt. Es sei bemerkt, daß bereits vorgeschlagen wurde, einen Transistor mittels einer
Emitter-Basis-Selbstinduktion als Spitzenstromdetektor zu schalten.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert, in der ein Ausführungsbeispiel nach der
Erfindung dargestellt ist.
In der Figur bezeichnet 1 eine Stromquelle zu demodulierender Schwingungen. Sie kann z. B. aus
dem Ausgangskreis eines vorangehenden Zwischenfrequenz-Transistorverstärkers bestehen. Die Schwingungen
der Quelle 1 werden dem Emitter-Basis-Kreis eines Transistors 2 zugeführt, der erfindungsgemäß
dadurch als Spitzenstromdetektor geschaltet ist, daß Schaltungsanordnung
für die Demodulation amplitudenmodulierter elektrischer Schwingungen
Anmelder:
N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dipl.-Ing. E. Walther, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 30. September 1958 (Nr. 231 831)
Niederlande vom 30. September 1958 (Nr. 231 831)
Gerardus Rosier und Johannes van der Poel,
Eindhoven (Niederlande),
sind als Erfinder genannt worden
sind als Erfinder genannt worden
zwischen seinen Emitter und seine Basis eine Selbstinduktion 3 eingeschaltet ist, deren Scheinwiderstand
bei der Frequenz der zu demodulierenden Schwingungen groß in bezug auf den Emitter-Basis-Eingangswiderstand
des Transistors 2 ist, jedoch bei der Frequenz des demodulierten Signals in bezug auf diesen
Widerstand einen so geringen Wert aufweist, daß dieses demodulierte Signal im wesentlichen über einem
Detektorausgangsfilter 4 erscheint. Dieses Filter 4 liegt im Basiskreis des Transistors 2, es kann jedoch
gewünschtenfalls ebenso auch in den Kollektorkreis eingefügt werden. Infolge seiner geringen Impedanz
für die Frequenzen der zu demodulierenden Schwingungen wird der Transistor 2 für diese Frequenzen in
Basisschaltung betrieben, während durch die geringe Impedanz der Selbstinduktion 3 für die Frequenzen
der demodulierten Schwingungen das Filter 4 gemeinsam von den in den Emitter- und Basiskreisen erzeugten
demodulierten Strömen durchflossen wird.
Zur Erhöhung des Detektorwirkungsgrades ist die Selbstinduktion 3 mit einer in den Kollektorkreis des
Transistors 2 geschalteten Wicklung 5 zu einem Rückkopplungstransformator vereinigt, über den die im
Kollektorkreis erzeugten zu demodulierenden Schwin-
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gungen im Sinne einer Mitkopplung zur Emitter-Basis-Strecke des Transistors 2 zurückgeführt werden.
Die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung ist folgende: * . '
Angenommen, die Amplitude des von der Quelle 1 gelieferten zu demodulierenden Wechselstromes sei
gleich i und der die Emitter-Basis-Strecke des Transistors 2 durchfließende demodulierte Strom sei gleich
I0, so ist beim Fehlen" der Rückkopplungswicklung 5
infolge der Wirkung der Selbstinduktion 3 der Strom z"0
praktisch gleich i (Spitzenstromdemodulation). Dieser Strom z0 erzeugt im -Kollektorkreis einen Wechselstrom
mit Amplitude «z0, wobei <x den Emitter-Kollektor-Stromverstärkungsfaktor
des Transistors 2 darstellt. Ist das Verhältnis der Windungszahl der Selbstinduktion 3 zu derjenigen der Wicklung 5 (Übersetzungsverhältnis)
gleich n, so erzeugt dieser Strom oci0
nach Übersetzung einen Strom — z0 in der Wicklung 3,
der als eine zusätzliche Stromquelle parallel zur Quelle 1 aufgefaßt werden kann. Hieraus folgt somit
7 — 7 -4- /v Z° —
Z0 — ζ -f. α —- —
Weil bei einem Transistor α nahezu gleich 1 ist, ergibt sich für einen Wert η = 1
z0 =
l — a
wobei <x' den Kollektor-Basis-Stromverstärkungsfaktor
des Transistors darstellt. Auf diese Weise läßt sich somit der Detektorwirkungsgrad ohne die Gefahr einer
Instabilität der Schaltung erheblich steigern. Wird das Übersetzungsverhältnis nach einer Weiterbildung der
Erfindung etwas größer als 1 und höchstens gleich 2 gemacht, so wird bei Basisschaltung für die zu demodulierenden
Bedingungen der Demodulationswirkungsgrad herabgesetzt, aber die Demodulationsempfindlichkeit
ist weniger vom verwendeten Transistor abhängig. Würde η kleiner als 1 gemacht oder der
Transistor für die zu demodulierenden Schwingungen in Emitterschaltung geschaltet, so bestünde eine erheblich
größere Gefahr von Instabilitäten der Schaltung. Bei einem praktischen Ausführungsbeispiel zum
Demodulieren von Zwischenfrequenzschwingungen mit einer Trägerfrequenz von 0,5 MHz und einer
Modulationsfrequenz von 3 kHz fand ein Transistor 2 vom Typ OC 44 Anwendung. Die Selbstinduktion 3
hatte einen Wert von 0,5 mH, das Übersetzungsverhältnis« war 3/2; das Filter 4 bestand aus einem
Widerstand von 470 Ω und einem Kondensator von 000 pF. Der Demodulationswirkungsgrad war auf
diese Weise um einen Faktor 3 gesteigert.
Claims (2)
1. Schaltungsanordnung für die Demodulation amplitudenmodulierter elektrischer Schwingungen
mit Hilfe der Emitter-Basis-Strecke eines für die zu demodulierenden Schwingungen rückgekoppelten
Transistors, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor mittels einer zwischen seinen Emitter
und seine Basis geschalteten Selbstinduktion, deren Scheinwiderstand bei der Frequenz der zu demodulierenden
Schwingungen groß, für die Frequenz des demodulierten Signals jedoch klein ist, als
Spitzenstromdetektor geschaltet ist, welche Selbstinduktion eine Wicklung eines Rückkopplungstransformators bildet, dessen andere Wicklung im
Kollektorkreis des Transistors liegt.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor für die
zu demodulierenden Schwingungen in Basisschaltung betrieben wird und daß das Übersetzungsverhältnis
des Rückkopplungstransformators zwischen 1 und 2 liegt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschrift Nr. 2809 239.
USA.-Patentschrift Nr. 2809 239.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 209 509/257 2.62
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL231831 | 1958-09-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1123714B true DE1123714B (de) | 1962-02-15 |
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ID=19751370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (7)
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| CH (1) | CH373785A (de) |
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| ES (1) | ES252342A1 (de) |
| FR (1) | FR1236865A (de) |
| GB (1) | GB896709A (de) |
| NL (2) | NL107319C (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3579929A (en) * | 1969-01-29 | 1971-05-25 | Gen Electric | Flexible structure orientation control |
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0
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- NL NL107319D patent/NL107319C/xx active
-
1959
- 1959-09-08 US US838740A patent/US3084290A/en not_active Expired - Lifetime
- 1959-09-25 GB GB32690/59A patent/GB896709A/en not_active Expired
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- 1959-09-28 DE DEN17307A patent/DE1123714B/de active Pending
- 1959-09-28 ES ES0252342A patent/ES252342A1/es not_active Expired
- 1959-09-29 FR FR806319A patent/FR1236865A/fr not_active Expired
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CH373785A (de) | 1963-12-15 |
| GB896709A (en) | 1962-05-16 |
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| NL231831A (de) | |
| US3084290A (en) | 1963-04-02 |
| NL107319C (de) |
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