Verfahren zum Aufdampfen einer Selenschicht eines Selengleichrichters
mit einem Gehalt an metallischen Grundelementen Bei der Herstellung von Selengleichrichtern
ist es bekannt, die Selenschicht oder mehrere Teil-Selenschichten durch Aufdampfen
auf einen Träger niederzuschlagen. Hierbei kann die Aufgabe entstehen, der an der
Seite der Sperrschicht liegenden Selen-Teilschicht einen bestimmten Gehalt eines
metallischen Elementes zu geben, das geeignet ist, die spätere Bildung der Sperrschicht
zu fördern, wie z. B. Thallium. Versucht man, die Schichtkomponenten, also das Selen
und den metallischen Zusatz, aus derselben Verdampfungsquelle gleichzeitig zu verdampfen,
so erweist es sich als sehr schwierig, auf diese Weise einen eindeutig vorbestimmten
Gehalt des metallischen Zusatzstoffes mit dem Selen auf den Träger niederzuschlagen.
Bei einem Ausgangsmaterial, welches neben dem Selen nur den metallischen Stoff als
Zusatz enthält, fällt nämlich die niedergeschlagene Menge des Metalls gegenüber
dem erwünschten Gehalt viel zu gering aus.Process for the vapor deposition of a selenium layer of a selenium rectifier
With a content of metallic basic elements in the manufacture of selenium rectifiers
it is known to apply the selenium layer or several partial selenium layers by vapor deposition
knock down on a carrier. The task at hand can arise here
Side of the barrier layer lying selenium sub-layer a certain content of a
to give metallic element that is suitable for the subsequent formation of the barrier layer
to promote such. B. Thallium. If you try the layer components, i.e. the selenium
and the metallic addition to evaporate from the same evaporation source at the same time,
so it turns out to be very difficult to produce a clearly predetermined one in this way
Deposits content of the metallic additive with the selenium on the carrier.
In the case of a starting material which, in addition to selenium, only contains the metallic substance as
Contains additive, namely the deposited amount of the metal falls opposite
the desired salary is far too low.
Es ist bekannt, auf die Selenschicht des Selengleichrichters eine
dünne Thalliumschicht aufzudampfen; bei einem nach diesem Verfahren hergestellten
Selengleichrichter diffundiert das Thallium in die Selenschicht hinein, so daß sich
eine thalliumhaltige Grenzschicht des Selenkörpers ergibt.It is known to have a selenium rectifier on the selenium layer
evaporate a thin layer of thallium; in one produced by this process
Selenium rectifier diffuses the thallium into the selenium layer so that
results in a thallium-containing boundary layer of the selenium body.
Es ist ferner bekannt, der gesamten Selenschicht eines Selengleichrichters
außer einem Gehalt an Halogen einen Gehalt an Thallium zu geben. Im Rahmen des bekannten
Vorschlages ist auch bereits darauf hingewiesen, daß eine derartige Schicht durch
Aufdampfen hergestellt werden kann, wobei jedoch Angaben über das eigentliche Verdampfungsverfahren,
insbesondere über die Zusammensetzung des Ausgangsmaterials, fehlen.It is also known to use the entire selenium layer of a selenium rectifier
to give a content of thallium in addition to a content of halogen. As part of the well-known
Proposal has already been pointed out that such a layer through
Evaporation can be produced, however, information about the actual evaporation process,
in particular about the composition of the starting material, are lacking.
Weiterhin ist ein Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
bekannt, bei dem zur Herstellung einer halogenhaltigen Selenschicht durch Aufdampfen
ein Gemisch von Selen- und Halogendampf verwendet wird.Furthermore, there is a method for producing selenium rectifiers
known in which to produce a halogen-containing selenium layer by vapor deposition
a mixture of selenium and halogen vapor is used.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Aufdampfen der an
der Seite der Sperrschicht liegenden Selenschicht eines Selengleichrichters unter
gleichzeitiger Erzeugung eines vorbestimmten Gehaltes an einem oder mehreren metallischen
Grundelementen, insbesondere Thallium, in der aufgedampften Schicht. Das Verfahren
nach der Erfindung besteht darin, daß bei gleichzeitiger Verdampfung der Schichtkomponenten
aus derselben Verdampfungsquelle dem zu verdampfendenSelen-Ausgangsmaterial außer
den Metallzusätzen ein Zusatz von Halogen beigegeben wird. Die Erfindung ermöglicht
es, eine metallhaltige Selenschicht durch einen einzigen Verdampfungsvorgang herzustellen,
wobei der im Ausgangsmaterial enthaltene metallische Zusatzstoff praktisch quantitativ
mit dem Selen auf den Träger niedergeschlagen wird. Demgegenüber sind bei dem oben
geschilderten bekannten Verfahren, bei dem eine Schicht aus reinem Thallium auf
die Selenschicht aufgebracht wird, zu dem gleichen Zweck zwei Verdampfungsvorgänge
erforderlich. Außerdem ermöglicht es die Erfindung, die sehr geringen Thalliummengen,
die bei der Herstellung von Selengleichrichtern erforderlich sind, besser zu dosieren,
da die Menge des Ausgangsmaterials bei der Verdampfung infolge des überwiegenden
Gehaltes an Selen wesentlich größer ist als die Menge reinen Thalliums, die bei
dem bekannten Verfahren verdampft werden muß.The invention relates to a method for vapor deposition on
the selenium layer of a selenium rectifier lying beneath the side of the barrier layer
simultaneous production of a predetermined content of one or more metallic ones
Basic elements, especially thallium, in the vapor-deposited layer. The procedure
according to the invention consists in that with simultaneous evaporation of the layer components
from the same evaporation source except for the raw selenium to be evaporated
an addition of halogen is added to the metal additives. The invention enables
it is to produce a metal-containing selenium layer by a single evaporation process,
the metallic additive contained in the starting material being practically quantitative
with the selenium is deposited on the carrier. In contrast to the above
described known method in which a layer of pure thallium
the selenium layer is applied, two evaporation processes for the same purpose
necessary. In addition, the invention enables the very small amounts of thallium,
which are necessary in the manufacture of selenium rectifiers to better dose,
because the amount of starting material in the evaporation due to the predominant
Selenium content is much greater than the amount of pure thallium that is used in
must be evaporated by the known method.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung können der oder die Metallzusätze
im elementaren Zustand oder ganz oder teilweise in Form von chemischen Verbindungen
verwendet werden. Der Halogenzusatz ist vorzugsweise derart bemessen, daß er im
Überschuß vorliegt gegenüber derjenigen Menge an Halogen, welche für die Bildung
einer chemischen Verbindung zwischen dem metallischen Zusatzstoff und dem Halogen
entsprechend den stöchiometrischen Bedingungen erforderlich ist. Als geeignete Halogene
für diesen Zweck haben sich Chlor, Brom oder Jod erwiesen. Die metallhaltige Schicht
kann entweder als selbstständige Teilschicht eines Systems aus mehreren Selenschichten
auf den Träger aufgebracht werden, oder sie kann als Teil einer einzigen Schicht
im Verlauf eines kontinuierlichen Aufdampfprozesses entstehen.In the process according to the invention, the metal additive (s)
in the elemental state or in whole or in part in the form of chemical compounds
be used. The halogen additive is preferably dimensioned such that it is in
There is an excess over that amount of halogen which is necessary for the formation
a chemical bond between the metallic additive and the halogen
is required according to the stoichiometric conditions. As suitable halogens
chlorine, bromine or iodine have proven to be suitable for this purpose. The metal-containing layer
can either be used as an independent sub-layer of a system made up of several selenium layers
can be applied to the support or as part of a single layer
arise in the course of a continuous vapor deposition process.