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DE1176714B - Anordnung fuer eine statische magnetische Speichervorrichtung - Google Patents

Anordnung fuer eine statische magnetische Speichervorrichtung

Info

Publication number
DE1176714B
DE1176714B DEN22859A DEN0022859A DE1176714B DE 1176714 B DE1176714 B DE 1176714B DE N22859 A DEN22859 A DE N22859A DE N0022859 A DEN0022859 A DE N0022859A DE 1176714 B DE1176714 B DE 1176714B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
core
conductor
pulse
cores
coupled
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN22859A
Other languages
English (en)
Inventor
Hendrik Van Der Steeg
Albert Jan Ytsma
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1176714B publication Critical patent/DE1176714B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • G11C11/06007Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
    • G11C11/06014Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Electronic Switches (AREA)
  • Burglar Alarm Systems (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.: H 03 k
Nummer: Aktenzeichen: Anmeldetag: Auslegetag:
Deutsche Kl.: 21 al - 37/60
N 22859IX c/21 al
8. März 1963
27. August 1964
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung für eine statische magnetische Speichervorrichtung, welche Gruppen von Kernen aus magnetischem Material mit rechteckiger Hystereseschleife enthält, wobei jeder Kern zu zwei Gruppen gehört, die Kerne einer Gruppe mit einem gemeinsamen Abfrageleiter gekoppelt sind, der an einen einschaltbaren Impulsgenerator angeschlossen ist, sämtliche Kerne abwechselnd in entgegengesetztem Sinne mit einem gemeinsamen, an einen Lesedetektor angeschlossenen Leseleiter gekoppelt sind, beim gleichzeitigen Einschalten der beiden an die mit einem ausgewählten Kern gekoppelten Abfrageleiter angeschlossenen Impulsgeneratoren diese je einen Impuls liefern, der für sich den Magnetisierungszustand eines Kernes nicht ändern kann, zusammen mit dem anderen Impuls jedoch den ausgewählten Kern in einen bestimmten Magnetisierungszustand versetzt. Bei Anordnungen dieser Art stellt sich die Aufgabe, durch eine Prüfung der im Leseleiter induzierten Spannung festzustellen, ob sich der ausgewählte Kern anfänglich in dem einen oder anderen Magnetisierungszustand befand. Man muß nämlich prüfen, ob der Kern die binäre Information 0 oder 1 enthält. Diese Prüfung wird durch die im Leseleiter von den mit nur einem der stromführenden Abfrageleiter gekoppelten Kernen induzierten Störspannungen erschwert, weshalb die bekannten Lesedetektoren verhältnismäßig verwickelt aufgebaut sind.
Die Erfindung bezweckt, eine Anordnung der erwähnten Art zu schaffen, bei der ein einfach aufgebauter Lesedetektor ausreicht.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß jeder Impulsgenerator über eine linear integrierende Schaltung an den entsprechenden Abfrageleiter angeschlossen ist.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine statische magnetische Speichervorrichtung nach der Erfindung,
F i g. 2 eine linear integrierende Schaltung, welche für die Anwendung in der Vorrichtung nach Fig. 1 geeignet ist.
Die in Fig. 1 gezeigte statische magnetische Speichervorrichtung enthält eine Speichermatrix M, welche über eine erste Gruppe G1 von Abfrageleitern gn bis g13 bzw. über eine zweite Gruppe G2 von Abfrageleitern g.n bis g23 an eine Abfragevorrichtung AL1 bzw. AL2 angeschlossen ist. Die Vorrichtungen zum Schreibender Information in die Speichermatrix M sind zur Erläuterung der Erfindung nicht erforderlich und sind daher in der Zeichnung nicht dargestellt.
Anordnung für eine statische magnetische
Speichervorrichtung
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande)
Vertreter:
Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Als Erfinder benannt:
Hendrik van der Steeg,
Albert Jan Ytsma, Hilversum (Niederlande)
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 12. März 1962 (275 826)
Die Speichermatrix M enthält eine Anzahl von Kernen Kn bis K33 aus magnetischem Material mit rechteckiger Hystereseschleife. Im Ausführungsbeispiel enthält die Speichermatrix drei mal drei Kerne, welche Anzahl in der Praxis m-n beträgt, wobei m und η beliebige Werte sind. Jeder Kern ist mit zwei Abfrageleitern, nämlich mit einem Abfrageleiter der Gruppe G1 und mit einem Abfrageleiter der Gruppe G2, gekoppelt. Ein Kern befindet sich stets in einem der beiden möglichen Remanenz- oder Informationszustände 0 und 1.
Zum Auslesen oder Abfragen des Informationszustandes eines Kernes wirkt die Abfragevorrichtung AL1 mit der Abfragevorrichtung AL2 zusammen. Die Abfragevorrichtung ^4L1 schickt einen Stromimpuls durch den mit dem Kern gekoppelten Abfrageleiter der Gruppe G1, und die Abfragevorrichtung AL2 schickt einen Stromimpuls durch den mit dem Kern gekoppelten Abfrageleiter der Gruppe G2. Im ausgewählten Kern unterstützen die magnetischen Wirkungen der beiden Stromimpulse einander, und diese Impulse versetzen den ausgewählten Kern in den Zustand 0. Die magnetische Wirkung eines einzigen Impulses kann den Magnetisierungszustand eines Kernes nicht dauernd ändern, weshalb die mit nur einem der beiden stromführenden Abfrageleiter gekoppelten Kerne nach Ablauf des Stromimpulses in den ursprünglichen Remanenz- oder Informations-
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zustand zurückkehren. Befindet sich der ausgewählte gangsspannung wenigstens einen bestimmten Wert Kern ursprünglich im Zustand 1, so erfolgt während haben soll, so daß der höchstzulässige Wert der Indes Auslesens des Informationszustandes eine nicht duktivität festliegt. Nach der Erfindung kann jedoch umkehrbare Flußänderung des Kernes. Der Kern bei einem gegebenen Wert dieser Ausgangsspannung klappt dann nämlich aus der dem Zustand 1 ent- 5 eine weitere Verbesserung des Verhältnisses zwischen sprechenden Remanenzlage in die dem Zustand 0 dieser Ausgangsspannung und der Störspannung um entsprechende Lage um. Dieses Umklappen erfolgt etwa einen Faktor 3 durch die Anwendung von Abim wesentlichen während der Zeit, in welcher die frageimpulsen erzielt werden, deren Vorderflanken-Spitzen der Stromimpulse auftreten. Befindet sich der anstieg linear mit der Zeit erfolgt.
Kern ursprünglich im Zustand 0, so erfolgt eine um- io Die Abfragevorrichtungen ^iL1 bzw. AL., enthalten kehrbare Flußänderung im Kern. Er kehrt nämlich in je eine Anzahl durch die Kontakte Sn bis S13 bzw. die dem Zustand 0 entsprechende Remanenzlage S21 bis S23 dargestellter einschaltbarer Impulsgenerazurück. Die Flußänderungen erfolgen dabei im toren. Zum Auswählen und Auslesen eines Kernes in wesentlichen während der Ausstiegszeit der Strom- der Speichermatrix M wird einer der Schalter .S11 bis impulse. Ein Kern, dessen Remanenzzustand um- 15 sri und einer der Schalter .v.,, bis .v.,:J während der geklappt, induziert im mit sämtlichen Kernen gekop- wünschten Zeitdauer des Äbfrageimpulses geschlospelten Leseleiter LG eine Spannung, deren Zeitdauer sen. Gemäß der Erfindung enthalten die Abfragedemzufolge die der von umkehrbaren Flußänderun- vorrichtungen AL1 und AL., zwischen den einschaltgen im Leseleiter induzierten Spannungen übersteigt. baren Impulsgeneratoren und den Abfrageleitern
Unter der Steuerung der Stromimpulse durch die 20 eine linear integrierende Schaltung /5. Eine zur An-Abfrageleiter induzieren die mit einem dieser Leiter wendung in der Vorrichtung nach F i g. 1 geeignete gekoppelten Kerne Störspannungen im Leseleiter. linear integrierende Schaltung ist in F i g. 2 detailliert Diese Störspannungen treten im wesentlichen wäh- dargestellt. Diese Schaltung ist ein sogenannter rend der Anstiegszeit der Stromimpulse auf, denn Miller-Integrator, der einen Transistor T enthält, die Remanenz dieser Kerne kehrt in die Ursprung- 25 dessen Emitter e geerdet und dessen Kollektor c über liehe Lage zurück und nur umkehrbare Flußände- einen Kondensator C1 auf die Basis b rückgekoppelt rungen treten auf. Um die gesamte im Leseleiter in- ist. Über einen Widerstand R1 wird der Basis b eine duzierte Störspannung herabzusetzen, ist der Lese- den Transistor sperrende Spannung zugeführt. In der leiter abwechselnd in entgegengesetztem Sinne mit Anordnung nach Fig. 1 sind die Kollektorelektroden den Kernen gekoppelt. Zu diesem Zweck ist der 30 der in die Integrationsschaltungen aufgenommenen Leseleiter z. B. in diagonaler Weise durch die Matrix Transistoren T über die Abfrageleiter und die Stromgeflochten. Auf diese Weise gleichen sich die im begrenzungswiderstände A11 bis A13 bzw. R21 bis Leseleiter induzierten Störspannungen der verschie- R23 mit der Minusklemme einer Speisebatterie verdenen Kerne aus. Dieser Ausgleich ist jedoch nicht bunden. Zum Auslesen des Informationszustandes vollständig, da die in den Kernen induzierten Stör- 35 eines ausgewählten Kernes wird über einen Schalters spannungen als Funktion der Zeit infolge der Streu- eine von einer Batterie abgeleitete negative Spannung ung der Eigenschaften der Kerne alle verschieden der Basis des Transistors T in der entsprechenden sind. Der an den Leseleiter LG angeschlossene Lese- Integrationsschaltung /S über einen Widerstand R2 detektor LD prüft die im Leseleiter induzierte Span- zugeführt. Diese Spannung steuert den Transistor in nung, die aus der Ausgangsspannung eines ausge- 40 den leitenden Zustand aus. Die Spannung an der wählten Kernes und der Gesamtstörspannung zu- Kollektorelektrode c nimmt linear mit der Zeit zu, sammengesetzt ist. bis im Transistor T der Sättigungszustand auftritt.
Damit lediglich die Prüfung der Amplitude der im Der dann durch den Transistor fließende Strom wird Leseleiter induzierten Spannung genügt, hat man im wesentlichen durch die im Emitter-Kollektorbereits vorgeschlagen, eine Induktivität in Reihe mit 45 Kreis wirksame Speisespannung und den Wert des den Abfrageleitern zu schalten. Die Vorderflanke der Strombegrenzungswiderstandes bestimmt. Nach dem Ausleseimpulse verläuft dann abhängig von der Zeit Öffnen des Schalters S nimmt die Kollektorspannung nach der bekannten exponentiellen Anstiegskurve, in analoger Weise ab. Die Wirkungsweise der Schalwobei die Anstiegszeit durch Änderung der Induk- tung kann wie folgt erläutert werden: Der Widerstand tivität geregelt werden kann. Im Leseverstärker V R2 ist hoch in bezug auf den Emitter-Basis-Innenwird die gegebenenfalls verstärkte Ausgangsspannung widerstand des Transistors T, so daß durch den des Leseleiters LG in irgendeiner bekannten Weise Widerstand R2 ein nahezu konstanter Strom fließt, mit einer Schwellenspannung verglichen, und bei Ein kleiner Teil dieses Stromes fließt als Basisstrom Überschreitung der Schwellenspannung versetzt der zum Transistor, der bei weitem größere Teil fließt Leseverstärker V eine bistabile Kippschaltung F in 55 durch den Kondensator C1 zur Kollektorelektrode c. den Zustand 11. womit angegeben wird, daß der aus- Der durch den Kondensator C1 fließende Strom nahegewählte Kern die Information 1 enthalten hat. Das zu konstanten Wertes steigert die Spannung über dem Unterscheiden von Spannungen, die in kurzem Ab- Kondensator linear mit der Zeit. Die Basiselektrode stand beiderseits einer Schwellenspannung liegen, ist des Transistors T befindet sich nahezu auf Erdpotenverhältnismäßig verwickelt, außerdem müssen an die 60 tial, so daß die Kollektorspannung gleichfalls linear Toleranzen der anzuwendenden Schaltelemente hohe mit der Zeit zunimmt. Tritt im Transistor T der Sät-Anforderungen gestellt werden. Durch Anwendung tigungszustand auf, so fließt der Strom durch den einer in Reihe geschalteten Induktivität kann die Widerstand R., nahezu völlig zur Basis des Transi-Störspannung auf jeden gewünschten Wert herab- stors.
gesetzt werden, aber bei zunehmendem Wert der In- 65 Die nach der Erfindung erzielte Verbesserung des duktivität nimmt auch die Ausgangsspannung eines Verhältnisses zwischen der von einem ausgewählten Kernes, dessen Remanenz umklappt, ab. In der Kern, dessen Remanenz umklappt, im Leseleiter inPraxis wird die Anforderung gestellt, daß diese Aus- duzierten Ausgangsspannung und der Störspannung
kann wie folgt erläutert werden: Durch die Anwendung von Abfrageimpulsen mit linearer Vorderflanke wird erzielt, daß die durch einen Kern induzierte Störspannung als Funktion der Zeit konstanter und auch kleiner ist als bei der Anwendung von Ausleseimpulsen mit exponentialer Vorderflanke, so daß der Ausgleich der im Leseleiter induzierten abwechselnd positiven und negativen Störspannungen wirkungsvoller ist und eine kleinere Gesamtstörspannung im Leseleiter auftritt.

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Anordnung für eine statische magnetische Speichervorrichtung, die Gruppen von Kernen aus magnetischem Material mit rechteckiger Hystereseschleife enthält, bei der jeder Kern zu zwei Gruppen gehört, die Kerne einer Gruppe mit einem gemeinsamen Abfrageleiter gekoppelt sind, der an einen einschaltbaren Impulsgenerator angeschlossen ist, bei der sämtliche Kerne abwechselnd in entgegengesetztem Sinne mit dem gemeinsamen, an einen Lesedetektor angeschlossenen Leseleiter gekoppelt sind, beim gleichzeitigen Einschalten der beiden an die mit einem ausgewählten Kern gekoppelten Abfrageleiter angeschlossenen Impulsgeneratoren diese je einen Impuls liefern, der für sich den Magnetisierungszustand eines Kernes nicht ändern kann, zusammen mit dem anderen Impuls jedoch den ausgewählten Kern in einen bestimmten Magnetisierungszustand versetzt, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Impulsgenerator über eine linear integrierende Schaltung an den entsprechenden Abfrageleiter angeschlossen ist.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
    409 658/192 8.64 © Bundesdruckerei Berlin
DEN22859A 1962-03-12 1963-03-08 Anordnung fuer eine statische magnetische Speichervorrichtung Pending DE1176714B (de)

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NL275826 1962-03-12

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DEN22859A Pending DE1176714B (de) 1962-03-12 1963-03-08 Anordnung fuer eine statische magnetische Speichervorrichtung

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BE (1) BE629451A (de)
CH (1) CH408121A (de)
DE (1) DE1176714B (de)
GB (1) GB987319A (de)
NL (1) NL275826A (de)

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GB987319A (en) 1965-03-24
CH408121A (de) 1966-02-28
BE629451A (de)
US3328779A (en) 1967-06-27
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