DE1176714B - Anordnung fuer eine statische magnetische Speichervorrichtung - Google Patents
Anordnung fuer eine statische magnetische SpeichervorrichtungInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
N 22859IX c/21 al
8. März 1963
27. August 1964
8. März 1963
27. August 1964
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung für eine statische magnetische Speichervorrichtung,
welche Gruppen von Kernen aus magnetischem Material mit rechteckiger Hystereseschleife enthält, wobei
jeder Kern zu zwei Gruppen gehört, die Kerne einer Gruppe mit einem gemeinsamen Abfrageleiter
gekoppelt sind, der an einen einschaltbaren Impulsgenerator angeschlossen ist, sämtliche Kerne abwechselnd
in entgegengesetztem Sinne mit einem gemeinsamen, an einen Lesedetektor angeschlossenen
Leseleiter gekoppelt sind, beim gleichzeitigen Einschalten der beiden an die mit einem ausgewählten
Kern gekoppelten Abfrageleiter angeschlossenen Impulsgeneratoren diese je einen Impuls liefern, der
für sich den Magnetisierungszustand eines Kernes nicht ändern kann, zusammen mit dem anderen Impuls
jedoch den ausgewählten Kern in einen bestimmten Magnetisierungszustand versetzt. Bei Anordnungen
dieser Art stellt sich die Aufgabe, durch eine Prüfung der im Leseleiter induzierten Spannung
festzustellen, ob sich der ausgewählte Kern anfänglich in dem einen oder anderen Magnetisierungszustand
befand. Man muß nämlich prüfen, ob der Kern die binäre Information 0 oder 1 enthält. Diese
Prüfung wird durch die im Leseleiter von den mit nur einem der stromführenden Abfrageleiter gekoppelten
Kernen induzierten Störspannungen erschwert, weshalb die bekannten Lesedetektoren verhältnismäßig
verwickelt aufgebaut sind.
Die Erfindung bezweckt, eine Anordnung der erwähnten Art zu schaffen, bei der ein einfach aufgebauter
Lesedetektor ausreicht.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß jeder Impulsgenerator über eine linear integrierende
Schaltung an den entsprechenden Abfrageleiter angeschlossen ist.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine statische magnetische Speichervorrichtung
nach der Erfindung,
F i g. 2 eine linear integrierende Schaltung, welche
für die Anwendung in der Vorrichtung nach Fig. 1 geeignet ist.
Die in Fig. 1 gezeigte statische magnetische Speichervorrichtung enthält eine Speichermatrix M,
welche über eine erste Gruppe G1 von Abfrageleitern gn bis g13 bzw. über eine zweite Gruppe G2 von Abfrageleitern
g.n bis g23 an eine Abfragevorrichtung
AL1 bzw. AL2 angeschlossen ist. Die Vorrichtungen
zum Schreibender Information in die Speichermatrix M
sind zur Erläuterung der Erfindung nicht erforderlich und sind daher in der Zeichnung nicht dargestellt.
Anordnung für eine statische magnetische
Speichervorrichtung
Speichervorrichtung
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande)
Vertreter:
Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Als Erfinder benannt:
Hendrik van der Steeg,
Albert Jan Ytsma, Hilversum (Niederlande)
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 12. März 1962 (275 826)
Die Speichermatrix M enthält eine Anzahl von Kernen Kn bis K33 aus magnetischem Material mit
rechteckiger Hystereseschleife. Im Ausführungsbeispiel enthält die Speichermatrix drei mal drei
Kerne, welche Anzahl in der Praxis m-n beträgt, wobei m und η beliebige Werte sind. Jeder Kern ist
mit zwei Abfrageleitern, nämlich mit einem Abfrageleiter der Gruppe G1 und mit einem Abfrageleiter der
Gruppe G2, gekoppelt. Ein Kern befindet sich stets in einem der beiden möglichen Remanenz- oder Informationszustände
0 und 1.
Zum Auslesen oder Abfragen des Informationszustandes eines Kernes wirkt die Abfragevorrichtung
AL1 mit der Abfragevorrichtung AL2 zusammen. Die
Abfragevorrichtung ^4L1 schickt einen Stromimpuls
durch den mit dem Kern gekoppelten Abfrageleiter der Gruppe G1, und die Abfragevorrichtung AL2
schickt einen Stromimpuls durch den mit dem Kern gekoppelten Abfrageleiter der Gruppe G2. Im ausgewählten
Kern unterstützen die magnetischen Wirkungen der beiden Stromimpulse einander, und diese
Impulse versetzen den ausgewählten Kern in den Zustand 0. Die magnetische Wirkung eines einzigen
Impulses kann den Magnetisierungszustand eines Kernes nicht dauernd ändern, weshalb die mit nur
einem der beiden stromführenden Abfrageleiter gekoppelten Kerne nach Ablauf des Stromimpulses in
den ursprünglichen Remanenz- oder Informations-
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zustand zurückkehren. Befindet sich der ausgewählte gangsspannung wenigstens einen bestimmten Wert
Kern ursprünglich im Zustand 1, so erfolgt während haben soll, so daß der höchstzulässige Wert der Indes
Auslesens des Informationszustandes eine nicht duktivität festliegt. Nach der Erfindung kann jedoch
umkehrbare Flußänderung des Kernes. Der Kern bei einem gegebenen Wert dieser Ausgangsspannung
klappt dann nämlich aus der dem Zustand 1 ent- 5 eine weitere Verbesserung des Verhältnisses zwischen
sprechenden Remanenzlage in die dem Zustand 0 dieser Ausgangsspannung und der Störspannung um
entsprechende Lage um. Dieses Umklappen erfolgt etwa einen Faktor 3 durch die Anwendung von Abim
wesentlichen während der Zeit, in welcher die frageimpulsen erzielt werden, deren Vorderflanken-Spitzen
der Stromimpulse auftreten. Befindet sich der anstieg linear mit der Zeit erfolgt.
Kern ursprünglich im Zustand 0, so erfolgt eine um- io Die Abfragevorrichtungen ^iL1 bzw. AL., enthalten kehrbare Flußänderung im Kern. Er kehrt nämlich in je eine Anzahl durch die Kontakte Sn bis S13 bzw. die dem Zustand 0 entsprechende Remanenzlage S21 bis S23 dargestellter einschaltbarer Impulsgenerazurück. Die Flußänderungen erfolgen dabei im toren. Zum Auswählen und Auslesen eines Kernes in wesentlichen während der Ausstiegszeit der Strom- der Speichermatrix M wird einer der Schalter .S11 bis impulse. Ein Kern, dessen Remanenzzustand um- 15 sri und einer der Schalter .v.,, bis .v.,:J während der geklappt, induziert im mit sämtlichen Kernen gekop- wünschten Zeitdauer des Äbfrageimpulses geschlospelten Leseleiter LG eine Spannung, deren Zeitdauer sen. Gemäß der Erfindung enthalten die Abfragedemzufolge die der von umkehrbaren Flußänderun- vorrichtungen AL1 und AL., zwischen den einschaltgen im Leseleiter induzierten Spannungen übersteigt. baren Impulsgeneratoren und den Abfrageleitern
Kern ursprünglich im Zustand 0, so erfolgt eine um- io Die Abfragevorrichtungen ^iL1 bzw. AL., enthalten kehrbare Flußänderung im Kern. Er kehrt nämlich in je eine Anzahl durch die Kontakte Sn bis S13 bzw. die dem Zustand 0 entsprechende Remanenzlage S21 bis S23 dargestellter einschaltbarer Impulsgenerazurück. Die Flußänderungen erfolgen dabei im toren. Zum Auswählen und Auslesen eines Kernes in wesentlichen während der Ausstiegszeit der Strom- der Speichermatrix M wird einer der Schalter .S11 bis impulse. Ein Kern, dessen Remanenzzustand um- 15 sri und einer der Schalter .v.,, bis .v.,:J während der geklappt, induziert im mit sämtlichen Kernen gekop- wünschten Zeitdauer des Äbfrageimpulses geschlospelten Leseleiter LG eine Spannung, deren Zeitdauer sen. Gemäß der Erfindung enthalten die Abfragedemzufolge die der von umkehrbaren Flußänderun- vorrichtungen AL1 und AL., zwischen den einschaltgen im Leseleiter induzierten Spannungen übersteigt. baren Impulsgeneratoren und den Abfrageleitern
Unter der Steuerung der Stromimpulse durch die 20 eine linear integrierende Schaltung /5. Eine zur An-Abfrageleiter
induzieren die mit einem dieser Leiter wendung in der Vorrichtung nach F i g. 1 geeignete
gekoppelten Kerne Störspannungen im Leseleiter. linear integrierende Schaltung ist in F i g. 2 detailliert
Diese Störspannungen treten im wesentlichen wäh- dargestellt. Diese Schaltung ist ein sogenannter
rend der Anstiegszeit der Stromimpulse auf, denn Miller-Integrator, der einen Transistor T enthält,
die Remanenz dieser Kerne kehrt in die Ursprung- 25 dessen Emitter e geerdet und dessen Kollektor c über
liehe Lage zurück und nur umkehrbare Flußände- einen Kondensator C1 auf die Basis b rückgekoppelt
rungen treten auf. Um die gesamte im Leseleiter in- ist. Über einen Widerstand R1 wird der Basis b eine
duzierte Störspannung herabzusetzen, ist der Lese- den Transistor sperrende Spannung zugeführt. In der
leiter abwechselnd in entgegengesetztem Sinne mit Anordnung nach Fig. 1 sind die Kollektorelektroden
den Kernen gekoppelt. Zu diesem Zweck ist der 30 der in die Integrationsschaltungen aufgenommenen
Leseleiter z. B. in diagonaler Weise durch die Matrix Transistoren T über die Abfrageleiter und die Stromgeflochten.
Auf diese Weise gleichen sich die im begrenzungswiderstände A11 bis A13 bzw. R21 bis
Leseleiter induzierten Störspannungen der verschie- R23 mit der Minusklemme einer Speisebatterie verdenen
Kerne aus. Dieser Ausgleich ist jedoch nicht bunden. Zum Auslesen des Informationszustandes
vollständig, da die in den Kernen induzierten Stör- 35 eines ausgewählten Kernes wird über einen Schalters
spannungen als Funktion der Zeit infolge der Streu- eine von einer Batterie abgeleitete negative Spannung
ung der Eigenschaften der Kerne alle verschieden der Basis des Transistors T in der entsprechenden
sind. Der an den Leseleiter LG angeschlossene Lese- Integrationsschaltung /S über einen Widerstand R2
detektor LD prüft die im Leseleiter induzierte Span- zugeführt. Diese Spannung steuert den Transistor in
nung, die aus der Ausgangsspannung eines ausge- 40 den leitenden Zustand aus. Die Spannung an der
wählten Kernes und der Gesamtstörspannung zu- Kollektorelektrode c nimmt linear mit der Zeit zu,
sammengesetzt ist. bis im Transistor T der Sättigungszustand auftritt.
Damit lediglich die Prüfung der Amplitude der im Der dann durch den Transistor fließende Strom wird
Leseleiter induzierten Spannung genügt, hat man im wesentlichen durch die im Emitter-Kollektorbereits
vorgeschlagen, eine Induktivität in Reihe mit 45 Kreis wirksame Speisespannung und den Wert des
den Abfrageleitern zu schalten. Die Vorderflanke der Strombegrenzungswiderstandes bestimmt. Nach dem
Ausleseimpulse verläuft dann abhängig von der Zeit Öffnen des Schalters S nimmt die Kollektorspannung
nach der bekannten exponentiellen Anstiegskurve, in analoger Weise ab. Die Wirkungsweise der Schalwobei
die Anstiegszeit durch Änderung der Induk- tung kann wie folgt erläutert werden: Der Widerstand
tivität geregelt werden kann. Im Leseverstärker V 5° R2 ist hoch in bezug auf den Emitter-Basis-Innenwird
die gegebenenfalls verstärkte Ausgangsspannung widerstand des Transistors T, so daß durch den
des Leseleiters LG in irgendeiner bekannten Weise Widerstand R2 ein nahezu konstanter Strom fließt,
mit einer Schwellenspannung verglichen, und bei Ein kleiner Teil dieses Stromes fließt als Basisstrom
Überschreitung der Schwellenspannung versetzt der zum Transistor, der bei weitem größere Teil fließt
Leseverstärker V eine bistabile Kippschaltung F in 55 durch den Kondensator C1 zur Kollektorelektrode c.
den Zustand 11. womit angegeben wird, daß der aus- Der durch den Kondensator C1 fließende Strom nahegewählte
Kern die Information 1 enthalten hat. Das zu konstanten Wertes steigert die Spannung über dem
Unterscheiden von Spannungen, die in kurzem Ab- Kondensator linear mit der Zeit. Die Basiselektrode
stand beiderseits einer Schwellenspannung liegen, ist des Transistors T befindet sich nahezu auf Erdpotenverhältnismäßig
verwickelt, außerdem müssen an die 60 tial, so daß die Kollektorspannung gleichfalls linear
Toleranzen der anzuwendenden Schaltelemente hohe mit der Zeit zunimmt. Tritt im Transistor T der Sät-Anforderungen
gestellt werden. Durch Anwendung tigungszustand auf, so fließt der Strom durch den
einer in Reihe geschalteten Induktivität kann die Widerstand R., nahezu völlig zur Basis des Transi-Störspannung
auf jeden gewünschten Wert herab- stors.
gesetzt werden, aber bei zunehmendem Wert der In- 65 Die nach der Erfindung erzielte Verbesserung des
duktivität nimmt auch die Ausgangsspannung eines Verhältnisses zwischen der von einem ausgewählten
Kernes, dessen Remanenz umklappt, ab. In der Kern, dessen Remanenz umklappt, im Leseleiter inPraxis
wird die Anforderung gestellt, daß diese Aus- duzierten Ausgangsspannung und der Störspannung
kann wie folgt erläutert werden: Durch die Anwendung von Abfrageimpulsen mit linearer Vorderflanke
wird erzielt, daß die durch einen Kern induzierte Störspannung als Funktion der Zeit konstanter und
auch kleiner ist als bei der Anwendung von Ausleseimpulsen mit exponentialer Vorderflanke, so daß der
Ausgleich der im Leseleiter induzierten abwechselnd positiven und negativen Störspannungen wirkungsvoller
ist und eine kleinere Gesamtstörspannung im Leseleiter auftritt.
Claims (1)
- Patentanspruch:Anordnung für eine statische magnetische Speichervorrichtung, die Gruppen von Kernen aus magnetischem Material mit rechteckiger Hystereseschleife enthält, bei der jeder Kern zu zwei Gruppen gehört, die Kerne einer Gruppe mit einem gemeinsamen Abfrageleiter gekoppelt sind, der an einen einschaltbaren Impulsgenerator angeschlossen ist, bei der sämtliche Kerne abwechselnd in entgegengesetztem Sinne mit dem gemeinsamen, an einen Lesedetektor angeschlossenen Leseleiter gekoppelt sind, beim gleichzeitigen Einschalten der beiden an die mit einem ausgewählten Kern gekoppelten Abfrageleiter angeschlossenen Impulsgeneratoren diese je einen Impuls liefern, der für sich den Magnetisierungszustand eines Kernes nicht ändern kann, zusammen mit dem anderen Impuls jedoch den ausgewählten Kern in einen bestimmten Magnetisierungszustand versetzt, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Impulsgenerator über eine linear integrierende Schaltung an den entsprechenden Abfrageleiter angeschlossen ist.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen409 658/192 8.64 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL275826 | 1962-03-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1176714B true DE1176714B (de) | 1964-08-27 |
Family
ID=19753666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEN22859A Pending DE1176714B (de) | 1962-03-12 | 1963-03-08 | Anordnung fuer eine statische magnetische Speichervorrichtung |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3328779A (de) |
| BE (1) | BE629451A (de) |
| CH (1) | CH408121A (de) |
| DE (1) | DE1176714B (de) |
| GB (1) | GB987319A (de) |
| NL (1) | NL275826A (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1524977B1 (de) * | 1967-11-28 | 1975-06-12 | Nixdorf Comp Ag | Schaltungsanordnung zur Aussteuerung eines Festwertspeichers mit induktiven Koppelelementen |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3448439A (en) * | 1964-04-03 | 1969-06-03 | Siemens Ag | Method and apparatus for eliminating interference output signals in a memory storer |
| US3460107A (en) * | 1966-11-10 | 1969-08-05 | Ncr Co | Transverse inhibit memory system having a flux integration form of signal detection |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2925469A (en) * | 1957-08-02 | 1960-02-16 | Rca Corp | Multiplex modulation communication system |
| US3241128A (en) * | 1958-02-12 | 1966-03-15 | Rca Corp | Magnetic systems |
| NL128507C (de) * | 1958-09-23 | |||
| US3241129A (en) * | 1959-12-14 | 1966-03-15 | Otto J M Smith | Delay line |
| US3108194A (en) * | 1960-03-11 | 1963-10-22 | Gen Motors Corp | Quantizer |
-
0
- BE BE629451D patent/BE629451A/xx unknown
- NL NL275826D patent/NL275826A/xx unknown
-
1963
- 1963-03-08 GB GB9301/63A patent/GB987319A/en not_active Expired
- 1963-03-08 CH CH294863A patent/CH408121A/de unknown
- 1963-03-08 DE DEN22859A patent/DE1176714B/de active Pending
- 1963-03-12 US US264665A patent/US3328779A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1524977B1 (de) * | 1967-11-28 | 1975-06-12 | Nixdorf Comp Ag | Schaltungsanordnung zur Aussteuerung eines Festwertspeichers mit induktiven Koppelelementen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB987319A (en) | 1965-03-24 |
| CH408121A (de) | 1966-02-28 |
| BE629451A (de) | |
| US3328779A (en) | 1967-06-27 |
| NL275826A (de) |
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