DE1162486B - Leistungs-Halbleitergleichrichter zur Verwendung bis zu Temperaturen von etwa 1000íÒC mit einem Halbleiterkoerper aus kubischem Borphosphid - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Internat. Kl.: HOIl

Deutsche Kl.: 21g-11/02

Nummer: 1 162 486

Aktenzeichen: M 46827 VIII c / 21 g

Anmeldetag: 14. Oktober 1960

Auslegetag: 6. Februar 1964

Die Erfindung betrifft einen Leistungs-Halbleitergleichrichter zur Verwendung bis zu Temperaturen von etwa 1000° C mit einem Halbleiterkörper aus kubischem Borphosphid und zwei flächenhaften Elektroden.

Es ist bekannt, aus den Verbindungen der Elemente in der III. und V. Reihe des Periodensystems Halbleiterbauelemente herzustellen. Ferner wurde auch bereits vorgeschlagen, die Halbleiterkörper solcher Bauelemente mit besonderen Elektroden zu versehen und z. B. eine einlegierte Goldelektrode mit goldplattierten Bändern oder Drähten aus Silber, Kupfer, Molybdän oder Wolfram durch Legierung zu verbinden.

Die bekannten Halbleiteranordnungen dieser Art sind mit ihren aufgebrachten Elektroden jedoch nur in einem beschränkten Temperaturgebiet einsatzfähig.

Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, einen Leistungs-Halbleitergleichrichter vorzuschlagen, welcher bei Temperaturen bis zu etwa 1000° C betrieben werden kann.

Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt bei einem aus Borphosphid bestehenden Halbleiterkörper gemäß der Erfindung dadurch, daß der Halbleiterkörper so stark dotiert ist, daß sich eine Trägerkonzentration von 10^ia bis 10¹⁸ cm"³ ergibt, daß die Elektroden aus Silber oder aus einem Material mit höherem Schmelzpunkt als Silber, z. B. Nickel, bestehen und daß die Elektroden ein Element aus den Gruppen des Periodensystems der chemischen Elemente IIB und VIB, Magnesium oder Beryllium, enthalten.

Eine solche Ausbildung eines Leistungs-Halbleitergleichrichters läßt sich im Vergleich mit früheren Vorschlägen, beispielsweise der Einlegierung goldplattierter Anschlußteile, außerordentlich einfach verwirklichen und führt zu Anordnungen, welche auch bei hohen Temperaturen voll betriebsfähig sind.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Elektroden auf den Halbleiterkörper aufgeschmolzen.

Bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der Halbleiterkörper N-leitend; die erste Elektrode besteht aus Nickel mit einem Gehalt an Selen oder Tellur, während die zweite Elektrode ebenfalls aus Nickel mit einem Gehalt an Magnesium, Beryllium, Cadmium oder Zink besteht.

Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der Halbleiterkörper P-leitend; die erste Elektrode besteht aus Nickel mit einem Gehalt an Magnesium, Beryllium, Cadmium oder Zink, während die zweite Elektrode ebenfalls aus Nickel mit einem Gehalt an Selen oder Tellur besteht.

Leistungs-Halbleitergleichrichter

zur Verwendung bis zu Temperaturen von etwa 1000° C mit einem Halbleiterkörper

aus kubischem Borphosphid

Anmelder:

Monsanto Chemical Company,
St. Louis, Mo. (V. St. A.)

Vertreter:

Dipl.-Phys. G. Liedl, Patentanwalt,

München 22, Steinsdorfstr. 22

Als Erfinder benannt:

Dale Eugene Hill, Dayton, Ohio (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:

V. St. v. Amerika vom 16. Oktober 1959

(Nr. 846 851)

V. St. v. Amerika vom 15. August 1960

(Nr. 51 664)

Der Halbleiterkörper kann als Platte aus kubischem Borphosphid mit N-Leitfähigkeit ausgebildet sein, auf deren eine Seite die einen ohmschen Kontakt ausbildende Elektrode aus Nickel mit einem Gehalt von nicht mehr als etwa 15% an Selen oder Tellur aufgeschmolzen ist; auf die andere Seite der Platte kann zur Ausbildung eines PN-Überganges eine zweite Elektrode aus Nickel, welches nicht mehr als etwa 15 Gewichtsprozent an Cadmium oder Zink enthält, aufgeschmolzen sein.

In ähnlicher Weise kann der Halbleiterkörper eine Platte aus kubischem Borphosphid mit P-Leitfähigkeit sein, auf deren eine Seite die einen ohmschen Kontakt ausbildende Elektrode aus Nickel mit einem Gehalt von nicht mehr als etwa 15 Gewichtsprozent an Cadmium oder Zink aufgeschmolzen ist; auf die andere Seite der Platte kann zur Ausbildung eines PN-Überganges eine zweite Elektrode aus Nickel, welches nicht mehr als etwa 15 Gewichtsprozent an Selen oder TeEur enthält, aufgeschmolzen sein.

409 507B17

Zweckmäßigerweise sind bei den erfindungsgemäßen Leistungs-Halbleitergleichrichtem elektrische Zuleitungen aus Nickel oder Kupfer an den Nickelelektroden befestigt.

Man weiß aus optischen Messungen an kubisch kristallisiertem Borphosphid, daß dieses eine verbotene Energielücke von etwa 5,8 Elektronenvolt besitzt. Im Vergleich hierzu hat Silizium eine verbotene Energielücke von etwa 1 Elektronenvolt und Ger-

Dotierung während der Herstellung des Borphosphides kann gemäß einem Verfahren durchgeführt werden, welches dem oben beschriebenen ähnlich ist. Ein weiteres Verfahren zur Herstellung von kristalli-5 nem Borphosphid wurde boschrieben, bei welchem ein Metallphosphid und ein Metallborid in einem anorganischen Einbettungsmaterial erhitzt werden. Bei diesem Prozeß kann die zur Bildung von N-Typ-Material erforderliche Dotierung durch geringfügige

manium eine verbotene Energielücke von etwa 0,7 io Zugabe von Sauerstoff oder Schwefel, vorzugsweise Elektronenvolt. Germanium kann als Gleichrichter als Oxyd oder Sulfid, zu dem anorganischen Einbetnur bei Temperaturen bis zu etwa 80° C verwendet tungsmaterial ausgeführt werden. Die praktisch bewerden. Silizium kann bei höherer Temperatur als vorzugten Elemente bei allen Dotierungsprozessen zur Germanium verwendet werden, aber es kann nicht Herstellung von N-Typ-Leitung sind Selen und bei solchen Temperaturen verwendet werden, die an 15 Tellur. Bei diesem Verfahren können Selen und Tellur die herankommen, bei denen Borphosphid noch ver- direkt der Schmelze zugefügt werden. Polonium, ein wendbar ist, d. h. etwa 1000° C. Kristallines Bor- N-Typ-Dotierungszusatz, ist, da zudem sehr viel phosphid zeigt den üblichen negativen Temperatur- teuerer, normalerweise natürlich weniger günstig, koeffizienten des Widerstandes eines Halbleiters. Aber wenn dieses Element verwendet werden soll, Dotierungszusätze aus den Gruppen IIB und VIB des 20 kann es in elementarer Form der Schmelze zugegeben Periodensystems der chemischen Elemente sowie werden, von welcher der Borphosphidkristall herge-Magnesium oder Beryllium können verwendet wer- stellt wird. Bei dem Dotierungsprozeß zur Herstelden, um den Leitungstyp oder den Grad der Leit- lung von P-Typ-leitendem Borphosphid können Mafähigkeit von kristallinem Borphosphid zu verändern. gnesium, Beryllium, Zink, Cadmium oder Queck-Für die Verwendung in Leistungsgleichrichtern wird 25 silber zu der Schmelze zugegeben werden, vorzugskristallines Borphosphid normalerweise so weit do- weise Magnesium, Beryllium, Zink oder Cadmium, tiert, daß sich eine Trägerkonzentration von 10¹² bis Ein anderes Verfahren zum Herstellen von kubisch

10¹⁸ cm-³ ergibt, vorzugsweise 10¹⁴ bis 10¹⁷ cm"³. kristallisiertem Borphosphid mit N-Typ-Leitung Auf jeden Fall aber sollte die Dotierung dem Betrage wurde beschrieben, bei welchem ein Gasstrom von nach unter jener Grenze bleiben, über welcher sich 30 Borsudoxyd mit einem Gasstrom von elementarem Borphosphidkristalle ergeben, die zur Ausbildung von Phosphor bei Temperaturen von 1000 bis 1800° C PN-Verbindungen mit im wesentlichen negativer zusammengebracht wird. Die Fällung von Bor-Widerstandscharakteristik fähig sind. phosphid erfolgt aus der Gasphase. Die zur Ver-

Es ist eine Anzahl von verschiedenen Verfahren änderung des Grades oder des Typs der Leitung erzur Herstellung von kristallisiertem kubischem Bor- 35 forderliche Dotierung wird bei dieser Methode, wenn phosphid bekannt, z. B. aus eigenen älteren Vor- gewünscht, in einer Weise durchgeführt, die dem zuschlagen, erst beschriebenen Verfahren ähnlich ist.

Es wurde ein Verfahren zum Herstellen von kri- Ein weiteres Verfahren zum Herstellen von Bor-

stallinem Borphosphid vorgeschlagen, bei dem ein phosphid-Einkristallen wurde vorgeschlagen. Bei die-Borhalogenid, -hydrid oder -alkyl mit einem Phos- 40 sem Verfahren wird rohes Ausgangsmaterial von Borphorhalogenid oder -hydrid bei einer Temperatur von phosphid mit Wasserstoffhalogeniddampf bei einer wenigstens 593° C zusammengebracht wird. Wenn
erwünscht, kann während des Herstellungsprozesses
des Borphosphides ein flüchtiges Chlorid eines Elementes aus der Gruppe HB, Magnesium oder Beryl- 45
Hum, in Spuren zu den Reaktanten zur Erzielung von
P-Typ-leitendem Borphosphidmaterial zugesetzt werden. Wenn N-Typ-leitendes Material gewünscht wird,
kann ein Element aus der Gruppe VIB während des

Prozesses in Spuren zugesetzt werden, um kristallines 5° Grades oder des Typs der Leitung kann, wenn ge-N-Typ-leitendes Borphosphid zu erhalten. Praktisch wünscht, ähnlich wie in dem zuerst beschriebenen werden während des Herstellungsprozesses des kristallinen Borphosphides, ob nun Dotierungszusätze

Temperatur in der Gegend von 600 bis 1500° C zusammengebracht und die resultierende, gasförmige Mischung einer höheren Temperatur von 800 bis 1800° C unterworfen, wobei eine Temperaturerhöhung von der ersten Berührungszone zur zweiten Berührungszone von 500 bis 1000° C angewendet wird, so daß ein Einkristall von Borphospid in der zweiten Zone anfällt. Dotierung zur Veränderung des

zugegeben werden oder nicht, genügend Verunreini-

Verfahren durchgeführt werden.

Die Dotierung von Borphosphid nach der Bildung

des Borphosphidkristalls ist normalerweise nicht so

gungen normalerweise durch das sich bildende Bor- 55 erwünscht wie die Dotierung während der Herstellung phosphid aufgenommen, um es entweder N- oder des Kristalls. Sie kann jedoch wie folgt ausgeführt P-Typ-leitend zu machen. Natürlich kann die Dotie- werden: Borphosphid wird auf eine Temperatur von rung des Borphosphides auch nach der Bildung des etwa 800° C erhitzt und einer spurenförmigen Menge Borphosphidkristalls durch Diffusion von Dotierungs- des dampfförmigen Dotierungselementes ausgesetzt, zusätzen in die Kristallstruktur bei höherer Tempe- 60 wobei dieses in den Borphosphidkristall hineindiffunratur geschehen, aber normalerweise wird eine Do- dieren kann. Normalerweise werden für diesen Typ tierung während der Herstellung des Borphosphides des Dotierungsverfahrens lange Zeiten benötigt, mögvorgezogen, licherweise mehrere Tage oder noch mehr. Wenn Weiterhin ist ein Verfahren zum Herstellen von feststeht, daß genügend Dotierungszusatz in den Borkristallinem Borphosphid beschrieben, bei welchem 65 phosphidkristall hineindiffundiert ist, wird der Kristall eine gasförmige Borverbindung mit elementarem schnell abgeschreckt, wobei die Temperatur auf Phosphor und Wasserstoff bei einer Temperatur von Raumtemperatur erniedrigt wird. Dies ist natürlich mindestens 593° C zusammengebracht wird. Eine die gebräuchliche Diffusions- und Abschreckungs-

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methode, wie sie für die Dotierung von Halbleiter- Platte aufgeschmolzen ist. Beim Anschmelzen des

materialien nach der Kristallisation verwendet wird, Platinkontaktes an die Platte wird eine genügend

Wenn anstatt der Abschreckung das Material lang- hohe Temperatur, vorzugsweise nicht mehr als

sam abgekühlt wird, diffundiert der Dotierungszusatz 800° C, verwendet.

wieder aus dem Kristallgitter hinaus. Durch die Ab- 5 Der ohmsche Kontakt mit N- oder P-Typ-leiten-

schreckung wird der Dotierungszusatz in dem dem Borphosphid kann auch durch die Verwendung

Kristallgitter eingefangen. von Wolfram hergestellt werden, welches je nachdem

Allgemein besteht der Leistungsgleichrichter ge- mit Tellur oder Cadmium beschichtet ist. Dabei kann

maß der Erfindung, welcher für den Gebrauch bei Wolfram auch durch Molybdän ersetzt werden,

hohen Temperaturen bestimmt ist, aus einem Bor- io Anstatt die NP-Verbindung zwischen der Elek-

phosphid-Halbleiterkörper, aus einer auf dem Halb- trode 12 und der Platte 11 herzustellen, kann auch

leiterkörper befestigten und mit ihm einen ohmschen die Platte 11 selbst so hergestellt werden, daß sie eine

Kontakt bildenden Elektrode mit hohem Schmelz- innere NP-Verbindung enthält. Ausgehend von N-

punkt und einer PN-Verbindung. Typ-leitendem Borphosphid kann eine Gleichrichter-

Die Beschreibung eines Ausführungsbeispiels im 15 verbindung dadurch gemacht werden, daß man ein

Zusammenhang mit der Zeichnung dient der weiteren Metall aus der Gruppe IIB, z. B. Cadmium, Magne-

Erläuterung der Erfindung. sium oder Beryllium, in die eine Seite der Platte hin-

Die Figur zeigt einen Gleichrichter 10, welcher für eindiffundieren läßt und so eine P-Typ-leitende Ober-

die Anwendung bei hohen Temperaturen bestimmt fläche erzielt. Andererseits kann, ausgehend von P-

ist, zusammen mit dazugehöriger Schaltung. Ein 20 Typ-leitendem Borphosphid, eine Gleichrichterver-

Einkristall von kubischem Borphosphid mit N-Typ- verbindung dadurch hergestellt werden, daß man ein

Leitung bildet den Halbleiterkörper 11 des Gleich- Element aus der Gruppe VIB in eine Seite der Platte

richters. Der Halbleiterkörper 11 hat zweckmäßiger- hineindiffundieren läßt.

weise die Form einer dünnen Scheibe oder Platte aus Eine andere Methode zum Herstellen einer Gleich-Borphosphid. Auf die eine Seite des Halbleiter- 25 richterverbindung besteht darin, daß man schon wähkörpers 11 wird zur Herstellung eines Gleichrichter- rend der Kristallzucht geeignetes Dotierungsmaterial kontaktes eine Elektrode 12 aus Nickel, welches 10 zufügt oder den Typ des Dotierungsmaterials von Gewichtsprozent, bezogen auf Nickel, Cadmium ent- Elementen der Gruppe IIB zu Elementen der Gruppe hält, aufgeschmolzen. Diese Verschmelzung wird da- VIB, Magnesium oder Beryllium, ändert,
durch hergestellt, daß man die Elektrode 12 zweck- 30 Eine weitere Methode zum Herstellen von Gleichmäßigerweise in der Form einer Löt-Perle gegen eine richterverbindungen besteht in der Erhitzung einer Seite der Platte 11 bei einer Temperatur von etwa N-Typ-leitenden Borphosphidplatte auf hohe Tem-1100° C preßt. Geschieht dies für genügend lange peratur, z. B. etwa 1200° C, im Vakuum. In diesem Zeit, so kann Cadmium aus der Nickelelektrode 12 Fall entsteht infolge Phosphorverlustes durch Herrn die Oberfläche der Platte 11 einschmelzen und 35 ausdiffusion eine P-Typ-leitende und Bor-angereidadurch die Elektrode 12 mit der Platte 11 ver- cherte Schicht auf der Oberfläche,
schmelzen, verlöten oder verschweißen. Mit den durch eine der oben beschriebenen Metho-

Mit der anderen Seite der Platte 11 ist eine ohm- den hergestellten Verbindungen kann der Kontakt sehe Verbindung dadurch hergestellt, daß eine Elek- zur N- oder P-Typ-leitenden Seite dadurch hergestellt trode 13 aus Nickel, welches 10 Gewichtsprozent, be- 40 werden, daß man wechselweise mit Tellur oder Cadzogen auf Nickel, Tellur enthält, auf die Unterseite mium legiertes Nickel in den oben angegebenen Beder Platte in einer der oben beschriebenen ähnlichen tragen verwendet.
Weise aufgeschmolzen ist. Es wurde oben angegeben, daß Nickel, welches

Wenn der Gleichrichter 10 nicht eingekapselt wird 10 Gewichtsprozent, bezogen auf Nickel, Cadmium und in diesem Zustand einer oxydierenden Atmo- 45 oder Tellur enthält, für die Herstellung eines ohmsphäre bei höherer Temperatur ausgesetzt werden sehen oder Gleichrichterkontaktes mit Borphosphid soll, ist es vorzuziehen, Nickel-, Wolfram- oder brauchbar ist. Dabei kann Zink oder Selen verwendet Molybdänzuleitungen 14 und 15, welche an die Elek- werden, um Cadmium oder Tellur wechselweise zu troden 12 und 13 jeweils angelötet oder angeschweißt ersetzen. Praktisch kann auch Quecksilber Berylsind, zu verwenden. Wenn der Gleichrichter 10 ein- 50 lium oder Magnesium an Stelle von Zink oder Cadgekapselt werden soll, aber nicht einer oxydierenden mium und Sauerstoff, Schwefel oder Polonium an Atmosphäre bei hoher Temperatur ausgesetzt wird, Stelle von Selen oder Tellur verwendet werden. Jekönnen Kupferzuleitungen an Stelle der Nickel-, doch kommen Magnesium, Beryllium, Cadmium Wolfram- oder Molybdänzuleitungen verwendet wer- oder Zink oder Mischungen aus diesen und Selen den. An den Gleichrichter 10 ist eine Wechselstrom- 55 oder Tellur oder Mischungen aus diesen bevorzugt quelle 17 über einen Widerstand 16 angeschlossen. zur Anwendung. Normalerweise wird es erwünscht An dem Widerstand 16 erscheint die gleichgerichtete sein, nicht mehr als etwa 20 Gewichtsprozent, vorspannung. Zumindest bei Temperaturen über etwa zugsweise sogar nicht mehr als 15 Gewichtsprozent, 800° C ist es vorzuziehen, den Gleichrichter einzu- bezogen auf Nickel, an Elementen aus den Gruppen kapseln. 60 HB oder VIB, Magnesium und Beryllium, in dem

Eine andere Methode zum Herstellen eines ohm- Nickel zu verwenden. Jedoch können auch größere

sehen Kontaktes mit der Platte 11 besteht darin, Beträge zur Anwendung kommen, aber in jedem Fall

einen Platinkontakt an die untere Oberfläche der soll die Mischung aus Nickel und diesen Elementen

Platte 11 anzuschmelzen. Es sollte jedoch bemerkt in erster Linie aus Nickel bestehen, d. h., Nickel soll

werden, daß diese andere Methode zum Herstellen 65 Unterschußbeträge dieser Elemente enthalten. Die

eines ohmschen Kontaktes mit der Borphosphidplatte Elektroden 12 und 13 können auch aus anderen Me-

nicht so günstig ist wie die zuerst beschriebene Me- tallen mit hohem Schmelzpunkt gefertigt sein, z. B.

thode, bei welcher Tellur enthaltendes Nickel auf die aus Eisen, Silber, Gold, Kupfer usw. Die Elemente

aus der Gruppe HB, Magnesium und Beryllium, oder Elemente aus der Gruppe VIB werden als Dotierungszusätze in diesen Metallen in dem gleichen Verhältnis eingelagert, wie sie es in Nickel für die in F i g. 1 gezeichnete Anordnung sind. Diese anderen Elektrodenmetalle würden dann die Nickelelektroden und 13 der F i g. 1 ersetzen.

Die dargestellte und im speziellen beschriebene Ausführungsform eines Leistungsgleichrichters erfüllt die geforderte Aufgabe mit den angegebenen Vorteilen. Der Fachmann ist jedoch ohne weiteres in der Lage, das Ausführungsbeispiel entsprechend abzuwandeln, um den Gleichrichter den jeweils erforderlichen speziellen Bedingungen anzupassen.

Claims (8)

Patentansprüche:

1. Leistungs-Halbleitergleichrichter zur Verwendung bis zu Temperaturen von etwa 1000° C mit einem Halbleiterkörper aus kubischem Borphosphid und zwei flächenhaften Elektroden, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper so stark dotiert ist, daß sich eine Trägerkonzentration von 10¹² bis 10¹⁸ cm~³ ergibt, daß die Elektroden aus Silber oder aus einem Material mit höherem Schmelzpunkt als Silber, z. B. Nickel, bestehen und daß die Elektroden ein Element aus den Gruppen des Periodensystems der chemischen Elemente IIB, VIB, Magnesium oder Beryllium, enthalten.

2. Leistungs-Halbleitergleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden auf den Halbleiterkörper aufgeschmolzen sind.

3. Leistungs-Halbleitergleichrichter nach Ansprach 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper N-leitend ist, daß die erste Elektrode aus Nickel besteht, daß das in diesem enthaltene Element Selen oder Tellur ist, daß die zweite Elektrode ebenfalls aus Nickel besteht und daß das in diesem enthaltene Element Magnesium, Beryllium, Cadmium oder Zink ist.

4. Leistungs-Halbleitergleichrichter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper P-leitend ist, daß die erste Elek- 45 S. trode aus Nickel besteht, daß das in diesem enthaltene Element Magnesium, Beryllium, Cad- S.

mium oder Zink ist, daß die zweite Elektrode aus Nickel besteht und daß das in diesem enthaltene Element Selen oder Tellur ist.

5. Leistungs-Halbleitergleichrichter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper eine Platte aus kubischem Borphosphid mit N-Leitfähigkeit ist, daß die einen ohmschen Kontakt bildende Elektrode aus Nickel, welches nicht mehr als etwa 15 Gewichtsprozent an Selen oder Tellur enthält, gefertigt und auf eine Seite der Halbleiterplatte aufgeschmolzen ist, und daß auf die andere Seite der Halbleiterplatte eine zweite Elektrode aus Nickel, welches nicht mehr als etwa 15 Gewichtsprozent an Cadmium oder Zink enthält, zur Ausbildung eines PN-Überganges aufgeschmolzen ist.

6. Leistungs-Halbleitergleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper eine Platte aus kubischem Borphosphid mit P-Leitfähigkeit ist, ferner daß die einen ohmschen Kontakt ausbildende Elektrode aus Nickel, welches nicht mehr als etwa 15 Gewichtsprozent an Cadmium oder Zink enthält, gefertigt und auf eine Seite der Halbleiterplatte aufgeschmolzen ist, sowie daß auf die andere Seite der Halbleiterplatte eine zweite Elektrode aus Nickel, welches nicht mehr als etwa 15 Gewichtsprozent an Selen oder Tellur enthält, zur Ausbildung eines PN-Überganges aufgeschmolzen ist.

7. Leistungs-Halbleitergleichrichter nach Ansprach 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß elektrische Zuleitungen aus Nickel an den Nickelelektroden befestigt sind.

8. Leistungs-Halbleitergleichrichter nach Ansprach 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß elektrische Zuleitungen aus Kupfer an den Nickelelektroden befestigt sind.

In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 970 420; deutsche Auslegeschrift Nr. 1 060 055; deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1 796 305; Zeitschrift für Metallkunde, Bd. 49, 1958, Heft 11, bis 570:

Zeitschrift für Elektrochemie, Bd. 58, 1954, Nr. 5, bis 321.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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