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DE1153071B - Schieberegister fuer binaere Informationen - Google Patents

Schieberegister fuer binaere Informationen

Info

Publication number
DE1153071B
DE1153071B DEA38054A DEA0038054A DE1153071B DE 1153071 B DE1153071 B DE 1153071B DE A38054 A DEA38054 A DE A38054A DE A0038054 A DEA0038054 A DE A0038054A DE 1153071 B DE1153071 B DE 1153071B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
diode
shift
capacitor
shift register
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEA38054A
Other languages
English (en)
Inventor
Jack Connett
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Associated Electrical Industries Ltd
Original Assignee
Associated Electrical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Associated Electrical Industries Ltd filed Critical Associated Electrical Industries Ltd
Publication of DE1153071B publication Critical patent/DE1153071B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements

Landscapes

  • Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Interface Circuits In Exchanges (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf Schieberegister für binäre Informationen.
Von Schieberegistern wird im allgemeinen eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit verlangt. Aus diesem Grunde werden vorwiegend Röhren oder Transistoren zu ihrem Aufbau verwendet. Jedoch auch diese Elemente weisen Trägheiten auf, die häufig zu groß sind, um die gewünschten Arbeitsgeschwindigkeiten zu erreichen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Schieberegister zu entwickeln, das nicht nur durch einen einfachen Aufbau gekennzeichnet ist, sondern auch eine sehr hohe Arbeitsgeschwindigkeit aufweist.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird ein Schieberegister vorgeschlagen, daß dadurch gekennzeichnet ist, daß jede Stufe des Schieberegisters aus einer Tunneldiode besteht, die über einen Widerstand mit einem annähernd konstanten Strom beaufschlagt wird und der über eine Diode anodenseitig Rückstellimpulse zugeführt werden, daß die Ausgangsinformation der vorangegangenen Stufe einen Kondensator über einen Ladewiderstand auflädt, wobei der Kondensator mit seiner dem Ladewiderstand zugewandten Seite über eine Diode an die Anode der Tunneldiode angeschlossen ist und auf seiner anderen Seite von den Schiebeimpulsen beaufschlagt wird, und daß der Punkt zwischen Ladewiderstand und Kondensator über einen weiteren Widerstand durch eine Spannung negativ vorgespannt wird.
Bevor die Erfindung an Hand eines Ausführungsbeispieles erläutert wird, soll an Hand der Fig. 1 kurz auf die Eigenschaften einer Tunneldiode hingewiesen werden. Eine Tunneldiode ist bekanntlich ein Halbleiterelement, dessen Stromspannungskennlinie einen besonderen Verlauf aufweist. In Fig. 1 ist die Strom-Spannungskennlinie einer Tunneldiode als voll ausgezogener Kurvenzug dargestellt. Im Bereich sehr kleiner Spannungen e und im Bereich großer Spannungen verläuft die Kennlinie mit positiver Steigung. Dies sind die Abschnitte/i und B in Fig. 1. In dem dazwischenliegenden Bereich C, also in dem Bereich für mittlere Spannungswerte, verläuft die Kennlinie dagegen mit negativer Steigung. Das bedeutet, daß in diesem Bereich ein stabiler Betrieb nicht möglich ist.
Fig. 2 stellt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dar. Es zeigt eine einzige Stufe eines Schieberegisters. In Fig. 3 ist dann ein Schieberegister dargestellt, das aus drei Stufen nach Fig. 2 besteht. In Fig. 2 ist eine Tunneldiode TD mit ihrer Anode über einen Vorwiderstand R1 an den positiven Pol einer Spannungsquelle V angeschlossen. Die Kathode der Tunneldiode ist an das Bezugspotential 1 angeschlossen. Die Schieberegister für binäre Informationen
Anmelder:
Associated Electrical Industries Limited,
London
Vertreter: Dr.-Ing. A. Schmidt, Patentanwalt,
Berlin 19, Württembergallee 8
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 10. August 1960 (Nr. 27 734)
Jack Connett, Swinton (Großbritannien),
ist als Erfinder genannt worden
Spannungsquelle V treibt über die Tunneldiode TD einen annähernd konstanten Strom. Er möge die Größe Z2 von Fig. 1 haben. Man erkennt, daß man durch Anlegen einer positiven oder negativen Spannung an die Anode der Tunneldiode diese wahlweise aus dem einen in den anderen ihrer beiden stabilen Arbeitsbereiche kippen kann (Punkte d und g in Fig. 1). Die Registerstufe ist in der Lage, eine Einheit einer digitalen Information zu speichern. Diese digitale Einheit hat entweder den Wert L (vorhanden) oder den Wert 0 (nicht vorhanden). Der Betriebszustand der Tunneldiode im Punkt g entspricht dem Wert L, und der Betriebszustand der Tunneldiode im Punkt d entspricht dem Wert 0. Die Speicherung der in einer Registerstufe gespeicherten digitalen Einheit erfolgt durch den Kondensator Cl. Die im Kondensator Cl gespeicherte Information stammt von der vorangehenden Registerstufe und stimmt überein mit der Betriebsstellung der Tunneldiode der vorangehenden Registerstufe. Befindet sich die Tunneldiode der vorangehenden Stufe in der Arbeitsstellung L (Arbeitspunkt g), dann liegt die Anode dieser Tunneldiode auf verhältnismäßig hohem Potential, so daß der Kondensator Cl über den Ladewiderstand R 2 aufgeladen wird. Befindet sich dagegen die Tunneldiode der vorangehenden Stufe in der Arbeitsstellung 0 (Punkt d in Fig. 1), dann findet keine nennenswerte Aufladung des Kondensators Cl statt. Der Kondensator C1 ist über eine Diode D1 an die Anode der Tunneldiode TD angeschlossen. Außerdem ist an die
309 668/155
Anode der Tunneldiode eine weitere Diode D 2 angeschlossen, über die die vom Eingang 4 kommenden Rückstellimpulse in die Anordnung eingeführt werden. Die Schiebeimpulse werden über den Eingang 5 auf den Kondensator C1 gegeben. Sollen die in dem Schieberegister enthaltenen Informationen um eine Stufe weitergeschoben werden, so wird auf den Eingang 5 ein positiver Schiebeimpuls gegeben. Diesem Schiebeimpulse geht unmittelbar ein negativer Rückstellimpuls voraus, der über den Eingang 4 zur Einwirkung gebracht wird. Der Rückstellimpuls bewirkt, daß die Tunneldiode, sofern sie im Kennlinienpunkt g arbeitet, in den Kennlinienpunkt d zurückgekippt wird, d.h. die am Ausgang3 der Stufe auftretende Spannung vom Werte el auf den Werte 2 sinkt. Die Tunneldiode wird nämlich durch den negativen Rückstellimpuls über die Diode D 2 praktisch kurzgeschlossen, so daß ihr Strom kurzzeitig unterhalb des zum Kennlinienpunkt / gehörenden Wert absinkt. Durch den Schiebeimpuls wird nun, je nachdem, ob der Kondensator C1 geladen oder nicht geladen ist, die Tunneldiode wieder in den Arbeitspunkt g zurückgekippt, oder sie verharrt im Arbeitspunkt d. Ist nämlich der Kondensator Ci geladen, dann gelingt es der an ihr liegenden Spannung, zusammen mit dem Schiebeimpuls einen Strom über die Diode Dl zu treiben, der die Tunneldiode in den Arbeitspunkt g kippt, ist dagegen der Kondensator Cl nicht geladen, dann ist das Potential im Punkt α so niedrig, daß die Diode D1 trotz des Schiebeimpulses ihren sperrenden Zustand nicht verläßt. In diesem Falle verharrt die Tunneldiode im Arbeitspunkt d. Am Ausgang 3 erscheint die Wertigkeit 0 der digitalen Informationseinheit. Über den Widerstand R 3 fließt nur ein sehr kleiner Strom. Seine Aufgabe besteht darin, sicherzustellen, daß im Falle des ungeladenen Kondensators die Spannung im Punkt α so weit negativ ist, daß beim Auftreten des Schiebeimpulses kein Strom über die Diode D1 fließen kann.
Beim Aufbau der Schaltung nach Fig. 2 sind noch die folgenden Einzelheiten zu beachten: Der Rückstellimpuls muß verhältnismäßig leistungsstark sein, damit er mit Sicherheit die Tunneldiode aus dem Arbeitspunkt g in den Arbeitspunkt d zurückkippt. Ferner empfiehlt es sich, über den Eingang 4 der Anordnung eine geringe positive Vorspannung zuzuführen, damit die Diode D 2 dann, wenn kein Rückstellimpuls auftritt, mit Sicherheit sperrt. Der Schiebeimpuls muß verhältnismäßig schmal sein. Seine Größe soll etwa 300 mV betragen. Außerdem muß der Schiebeimpuls genügend Strom hergeben können, d. h. genügend leistungsstark sein, damit der Punkt e in Fig. 1 überwunden wird. Die Zeitkonstante des Ladekreises, bestehend aus den Gliedern/?2 und Cl, muß groß sein im Verhältnis zu der Dauer des Rück-Stellimpulses, damit der Ladevorgang durch den Rückstellvorgang praktisch nicht beeinflußt wird. Ferner sei beachtet, daß die Arbeitsweise jeder Registerstufe mit einer Spannungsverstärkung verbunden ist. Während nämlich zum Kippen der Tunneldiode nur eine Spannung erforderlich ist, die die Spannung an der Tunneldiode vom Werte2 bis zu dem zum Kennlinienpunkte gehörenden Spannungswert erhöht, springt die Ausgangsspannung der Registerstufe vom Wert e2 auf den Wert ev
Fig. 3 zeigt ein aus drei Stufen S1, S2, S3 zusammengesetztes Schieberegister. Der Aufbau jeder Stufe stimmt überein mit dem Aufbau nach Fig. 2. Die Rückstellimpulse werden für alle Stufen gemeinsam über die Leitung 4 zugeführt und die Schiebeimpulse entsprechend über eine gemeinsame Leitung 5. In der in Fig. 3 angedeuteten Weise können beliebig viele Stufen hintereinandergeschaltet werden.
Fig. 4 zeigt eine Anordnung, in welcher der Schiebeimpuls von dem Überschwingen eines Transformators abgeleitet wird, der den Rückstellimpuls zur Verfugung stellt. Der Rückstellimpuls wird in der Weise gewonnen, daß ein negativer Impuls einen Transistor T kurzfristig auf stromdurchlässig steuert, der mit der Primärwicklung P eines Transformators F in Reihe geschaltet ist und von einer Spannung V gespeist wird. Der an der Sekundärwicklung infolge des Stromanstieges über die Primärwicklung auftretende negative Spannungsimpuls wird als Rückstellimpuls verwendet. Wenn der Strom über die Primärwicklung verschwindet, bricht das im Transformator aufgebaute Feld zusammen, wobei in der Sekundärwicklung ein kräftiger Spannungsstoß in entgegengesetzter Richtung induziert wird. Dieser wird über Dioden D 3 und D 4 geformt und als Schiebeimpuls verwendet. Durch Wahl einer geeignet großen Induktivität des Transformators F kann dieser Schiebeimpuls eine beachtliche Energie aufweisen.

Claims (2)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Schieberegister für binäre Informationen, dadurch gekennzeichnet, daß jede Stufe des Schieberegisters aus einer Tunneldiode (TD) besteht, die über einen Widerstand (R 1) mit einem annähernd konstanten Strom beaufschlagt wird und der über eine Diode (D 2) anodenseitig Rückstellimpulse zugeführt werden, daß die Ausgangsinformation der vorangegangenen Stufe einen Kondensator (Cl) über einen Ladewiderstand CR 2) auflädt, wobei der Kondensator mit seiner dem Ladewiderstand zugewandten Seite über eine Diode (D 1) an die Anode der Tunneldiode (TD) angeschlossen ist und auf seiner anderen Seite (5) von den Schiebeimpulsen beaufschlagt wird, und daß der Punkt (a) zwischen Ladewiderstand (R2) und Kondensator (C 1) über einen Widerstand (R 3) durch eine Spannung (—V) negativ vorgespannt wird.
2. Schieberegister nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schiebeimpuls und der kurz vorher auftretende Rückstellimpuls aus einer einzigen Impulsfolge gewonnen werden, die einen Transistor (T) (Fig. 4) auf- und zusteuert, der mit einem Transformator (ZO in Reihe an einer Spannung (V) liegt, so daß an der Sekundärwicklung (S) des Transformators, entsprechend dem Auf- und Abbau des Feldes im Transformator, zwei Impulse entgegengesetzten Vorzeichens entstehen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 309 668/155 8.
DEA38054A 1960-08-10 1961-08-04 Schieberegister fuer binaere Informationen Pending DE1153071B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB2773460A GB929868A (en) 1960-08-10 1960-08-10 Improvements relating to electronic circuit arrangements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1153071B true DE1153071B (de) 1963-08-22

Family

ID=10264390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEA38054A Pending DE1153071B (de) 1960-08-10 1961-08-04 Schieberegister fuer binaere Informationen

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE1153071B (de)
GB (1) GB929868A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1499611B1 (de) * 1965-04-02 1970-08-06 Commissariat Energie Atomique Speicherzelle mit Tunneldiode und Speicher mit mehreren dieser Speicherzellen

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1499611B1 (de) * 1965-04-02 1970-08-06 Commissariat Energie Atomique Speicherzelle mit Tunneldiode und Speicher mit mehreren dieser Speicherzellen

Also Published As

Publication number Publication date
GB929868A (en) 1963-06-26

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