DE1153071B - Schieberegister fuer binaere Informationen - Google Patents
Schieberegister fuer binaere InformationenInfo
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
Landscapes
- Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Interface Circuits In Exchanges (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf Schieberegister für binäre Informationen.
Von Schieberegistern wird im allgemeinen eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit verlangt. Aus diesem
Grunde werden vorwiegend Röhren oder Transistoren zu ihrem Aufbau verwendet. Jedoch auch diese
Elemente weisen Trägheiten auf, die häufig zu groß sind, um die gewünschten Arbeitsgeschwindigkeiten
zu erreichen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Schieberegister zu entwickeln, das nicht nur durch
einen einfachen Aufbau gekennzeichnet ist, sondern auch eine sehr hohe Arbeitsgeschwindigkeit aufweist.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird ein Schieberegister vorgeschlagen, daß dadurch gekennzeichnet
ist, daß jede Stufe des Schieberegisters aus einer Tunneldiode besteht, die über einen Widerstand mit
einem annähernd konstanten Strom beaufschlagt wird und der über eine Diode anodenseitig Rückstellimpulse
zugeführt werden, daß die Ausgangsinformation der vorangegangenen Stufe einen Kondensator
über einen Ladewiderstand auflädt, wobei der Kondensator mit seiner dem Ladewiderstand zugewandten
Seite über eine Diode an die Anode der Tunneldiode angeschlossen ist und auf seiner anderen Seite von
den Schiebeimpulsen beaufschlagt wird, und daß der Punkt zwischen Ladewiderstand und Kondensator
über einen weiteren Widerstand durch eine Spannung negativ vorgespannt wird.
Bevor die Erfindung an Hand eines Ausführungsbeispieles erläutert wird, soll an Hand der Fig. 1 kurz
auf die Eigenschaften einer Tunneldiode hingewiesen werden. Eine Tunneldiode ist bekanntlich ein Halbleiterelement,
dessen Stromspannungskennlinie einen besonderen Verlauf aufweist. In Fig. 1 ist die Strom-Spannungskennlinie
einer Tunneldiode als voll ausgezogener Kurvenzug dargestellt. Im Bereich sehr kleiner Spannungen e und im Bereich großer Spannungen
verläuft die Kennlinie mit positiver Steigung. Dies sind die Abschnitte/i und B in Fig. 1. In dem
dazwischenliegenden Bereich C, also in dem Bereich für mittlere Spannungswerte, verläuft die Kennlinie
dagegen mit negativer Steigung. Das bedeutet, daß in diesem Bereich ein stabiler Betrieb nicht möglich ist.
Fig. 2 stellt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dar. Es zeigt eine einzige Stufe eines Schieberegisters.
In Fig. 3 ist dann ein Schieberegister dargestellt, das aus drei Stufen nach Fig. 2 besteht. In Fig. 2 ist eine
Tunneldiode TD mit ihrer Anode über einen Vorwiderstand R1 an den positiven Pol einer Spannungsquelle
V angeschlossen. Die Kathode der Tunneldiode ist an das Bezugspotential 1 angeschlossen. Die
Schieberegister für binäre Informationen
Anmelder:
Associated Electrical Industries Limited,
London
London
Vertreter: Dr.-Ing. A. Schmidt, Patentanwalt,
Berlin 19, Württembergallee 8
Berlin 19, Württembergallee 8
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 10. August 1960 (Nr. 27 734)
Großbritannien vom 10. August 1960 (Nr. 27 734)
Jack Connett, Swinton (Großbritannien),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
Spannungsquelle V treibt über die Tunneldiode TD einen annähernd konstanten Strom. Er möge die
Größe Z2 von Fig. 1 haben. Man erkennt, daß man
durch Anlegen einer positiven oder negativen Spannung an die Anode der Tunneldiode diese wahlweise
aus dem einen in den anderen ihrer beiden stabilen Arbeitsbereiche kippen kann (Punkte d und g in
Fig. 1). Die Registerstufe ist in der Lage, eine Einheit einer digitalen Information zu speichern. Diese digitale
Einheit hat entweder den Wert L (vorhanden) oder den Wert 0 (nicht vorhanden). Der Betriebszustand
der Tunneldiode im Punkt g entspricht dem Wert L, und der Betriebszustand der Tunneldiode im
Punkt d entspricht dem Wert 0. Die Speicherung der in einer Registerstufe gespeicherten digitalen Einheit
erfolgt durch den Kondensator Cl. Die im Kondensator Cl gespeicherte Information stammt von der
vorangehenden Registerstufe und stimmt überein mit der Betriebsstellung der Tunneldiode der vorangehenden
Registerstufe. Befindet sich die Tunneldiode der vorangehenden Stufe in der Arbeitsstellung L (Arbeitspunkt g), dann liegt die Anode dieser Tunneldiode
auf verhältnismäßig hohem Potential, so daß der Kondensator Cl über den Ladewiderstand R 2 aufgeladen
wird. Befindet sich dagegen die Tunneldiode der vorangehenden Stufe in der Arbeitsstellung 0
(Punkt d in Fig. 1), dann findet keine nennenswerte Aufladung des Kondensators Cl statt. Der Kondensator
C1 ist über eine Diode D1 an die Anode der
Tunneldiode TD angeschlossen. Außerdem ist an die
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Anode der Tunneldiode eine weitere Diode D 2 angeschlossen,
über die die vom Eingang 4 kommenden Rückstellimpulse in die Anordnung eingeführt werden.
Die Schiebeimpulse werden über den Eingang 5 auf den Kondensator C1 gegeben. Sollen die in dem
Schieberegister enthaltenen Informationen um eine Stufe weitergeschoben werden, so wird auf den Eingang
5 ein positiver Schiebeimpuls gegeben. Diesem Schiebeimpulse geht unmittelbar ein negativer Rückstellimpuls
voraus, der über den Eingang 4 zur Einwirkung gebracht wird. Der Rückstellimpuls bewirkt,
daß die Tunneldiode, sofern sie im Kennlinienpunkt g arbeitet, in den Kennlinienpunkt d zurückgekippt
wird, d.h. die am Ausgang3 der Stufe auftretende Spannung vom Werte el auf den Werte 2 sinkt. Die
Tunneldiode wird nämlich durch den negativen Rückstellimpuls über die Diode D 2 praktisch kurzgeschlossen, so daß ihr Strom kurzzeitig unterhalb
des zum Kennlinienpunkt / gehörenden Wert absinkt. Durch den Schiebeimpuls wird nun, je nachdem, ob
der Kondensator C1 geladen oder nicht geladen ist, die Tunneldiode wieder in den Arbeitspunkt g zurückgekippt,
oder sie verharrt im Arbeitspunkt d. Ist nämlich der Kondensator Ci geladen, dann gelingt
es der an ihr liegenden Spannung, zusammen mit dem Schiebeimpuls einen Strom über die Diode Dl zu
treiben, der die Tunneldiode in den Arbeitspunkt g kippt, ist dagegen der Kondensator Cl nicht geladen,
dann ist das Potential im Punkt α so niedrig, daß die Diode D1 trotz des Schiebeimpulses ihren sperrenden
Zustand nicht verläßt. In diesem Falle verharrt die Tunneldiode im Arbeitspunkt d. Am Ausgang 3
erscheint die Wertigkeit 0 der digitalen Informationseinheit. Über den Widerstand R 3 fließt nur ein sehr
kleiner Strom. Seine Aufgabe besteht darin, sicherzustellen, daß im Falle des ungeladenen Kondensators
die Spannung im Punkt α so weit negativ ist, daß beim Auftreten des Schiebeimpulses kein Strom über die
Diode D1 fließen kann.
Beim Aufbau der Schaltung nach Fig. 2 sind noch die folgenden Einzelheiten zu beachten: Der Rückstellimpuls
muß verhältnismäßig leistungsstark sein, damit er mit Sicherheit die Tunneldiode aus dem
Arbeitspunkt g in den Arbeitspunkt d zurückkippt. Ferner empfiehlt es sich, über den Eingang 4 der
Anordnung eine geringe positive Vorspannung zuzuführen, damit die Diode D 2 dann, wenn kein Rückstellimpuls
auftritt, mit Sicherheit sperrt. Der Schiebeimpuls muß verhältnismäßig schmal sein. Seine Größe
soll etwa 300 mV betragen. Außerdem muß der Schiebeimpuls genügend Strom hergeben können,
d. h. genügend leistungsstark sein, damit der Punkt e in Fig. 1 überwunden wird. Die Zeitkonstante des
Ladekreises, bestehend aus den Gliedern/?2 und Cl,
muß groß sein im Verhältnis zu der Dauer des Rück-Stellimpulses, damit der Ladevorgang durch den
Rückstellvorgang praktisch nicht beeinflußt wird. Ferner sei beachtet, daß die Arbeitsweise jeder
Registerstufe mit einer Spannungsverstärkung verbunden ist. Während nämlich zum Kippen der
Tunneldiode nur eine Spannung erforderlich ist, die die Spannung an der Tunneldiode vom Werte2 bis
zu dem zum Kennlinienpunkte gehörenden Spannungswert
erhöht, springt die Ausgangsspannung der Registerstufe vom Wert e2 auf den Wert ev
Fig. 3 zeigt ein aus drei Stufen S1, S2, S3 zusammengesetztes
Schieberegister. Der Aufbau jeder Stufe stimmt überein mit dem Aufbau nach Fig. 2. Die
Rückstellimpulse werden für alle Stufen gemeinsam über die Leitung 4 zugeführt und die Schiebeimpulse
entsprechend über eine gemeinsame Leitung 5. In der in Fig. 3 angedeuteten Weise können beliebig viele
Stufen hintereinandergeschaltet werden.
Fig. 4 zeigt eine Anordnung, in welcher der Schiebeimpuls von dem Überschwingen eines Transformators
abgeleitet wird, der den Rückstellimpuls zur Verfugung stellt. Der Rückstellimpuls wird in der
Weise gewonnen, daß ein negativer Impuls einen Transistor T kurzfristig auf stromdurchlässig steuert,
der mit der Primärwicklung P eines Transformators F in Reihe geschaltet ist und von einer Spannung V
gespeist wird. Der an der Sekundärwicklung infolge des Stromanstieges über die Primärwicklung auftretende
negative Spannungsimpuls wird als Rückstellimpuls verwendet. Wenn der Strom über die
Primärwicklung verschwindet, bricht das im Transformator aufgebaute Feld zusammen, wobei in der
Sekundärwicklung ein kräftiger Spannungsstoß in entgegengesetzter Richtung induziert wird. Dieser
wird über Dioden D 3 und D 4 geformt und als Schiebeimpuls verwendet. Durch Wahl einer geeignet
großen Induktivität des Transformators F kann dieser Schiebeimpuls eine beachtliche Energie aufweisen.
Claims (2)
1. Schieberegister für binäre Informationen, dadurch gekennzeichnet, daß jede Stufe des
Schieberegisters aus einer Tunneldiode (TD) besteht, die über einen Widerstand (R 1) mit einem
annähernd konstanten Strom beaufschlagt wird und der über eine Diode (D 2) anodenseitig Rückstellimpulse
zugeführt werden, daß die Ausgangsinformation der vorangegangenen Stufe einen Kondensator (Cl) über einen Ladewiderstand
CR 2) auflädt, wobei der Kondensator mit seiner dem Ladewiderstand zugewandten Seite über eine
Diode (D 1) an die Anode der Tunneldiode (TD) angeschlossen ist und auf seiner anderen Seite (5)
von den Schiebeimpulsen beaufschlagt wird, und daß der Punkt (a) zwischen Ladewiderstand (R2)
und Kondensator (C 1) über einen Widerstand (R 3) durch eine Spannung (—V) negativ vorgespannt
wird.
2. Schieberegister nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schiebeimpuls und der
kurz vorher auftretende Rückstellimpuls aus einer einzigen Impulsfolge gewonnen werden, die einen
Transistor (T) (Fig. 4) auf- und zusteuert, der mit einem Transformator (ZO in Reihe an einer Spannung
(V) liegt, so daß an der Sekundärwicklung (S) des Transformators, entsprechend dem Auf- und
Abbau des Feldes im Transformator, zwei Impulse entgegengesetzten Vorzeichens entstehen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 309 668/155 8.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB2773460A GB929868A (en) | 1960-08-10 | 1960-08-10 | Improvements relating to electronic circuit arrangements |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1153071B true DE1153071B (de) | 1963-08-22 |
Family
ID=10264390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEA38054A Pending DE1153071B (de) | 1960-08-10 | 1961-08-04 | Schieberegister fuer binaere Informationen |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1153071B (de) |
| GB (1) | GB929868A (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1499611B1 (de) * | 1965-04-02 | 1970-08-06 | Commissariat Energie Atomique | Speicherzelle mit Tunneldiode und Speicher mit mehreren dieser Speicherzellen |
-
1960
- 1960-08-10 GB GB2773460A patent/GB929868A/en not_active Expired
-
1961
- 1961-08-04 DE DEA38054A patent/DE1153071B/de active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1499611B1 (de) * | 1965-04-02 | 1970-08-06 | Commissariat Energie Atomique | Speicherzelle mit Tunneldiode und Speicher mit mehreren dieser Speicherzellen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB929868A (en) | 1963-06-26 |
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