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DE1499611B1 - Speicherzelle mit Tunneldiode und Speicher mit mehreren dieser Speicherzellen - Google Patents

Speicherzelle mit Tunneldiode und Speicher mit mehreren dieser Speicherzellen

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Publication number
DE1499611B1
DE1499611B1 DE19661499611 DE1499611A DE1499611B1 DE 1499611 B1 DE1499611 B1 DE 1499611B1 DE 19661499611 DE19661499611 DE 19661499611 DE 1499611 A DE1499611 A DE 1499611A DE 1499611 B1 DE1499611 B1 DE 1499611B1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
diode
pulse
memory cell
memory
storage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19661499611
Other languages
English (en)
Inventor
Robert Van Zurk
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Publication of DE1499611B1 publication Critical patent/DE1499611B1/de
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/36Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using diodes, e.g. as threshold elements, i.e. diodes assuming a stable ON-stage when driven above their threshold (S- or N-characteristic)
    • G11C11/38Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using diodes, e.g. as threshold elements, i.e. diodes assuming a stable ON-stage when driven above their threshold (S- or N-characteristic) using tunnel diodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/313Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic
    • H03K3/315Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic the devices being tunnel diodes
    • HELECTRICITY
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    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/33Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices exhibiting hole storage or enhancement effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Speicherzelle mit Demgegenüber war bisher lediglich ein Schiebe-Tunneldiode, deren Anode geerdet und deren register bekannt (vgl. deutsche Patentschrift Kathode durch eine Gleichspannungsquelle über 1153 071), das aus Speicherzellen besteht, die den einen Widerstand derart vorgespannt ist, daß zwei eingangs erwähnten bekannten Speicherzellen ähnstabile Schaltzustände an der Tunneldiode einstellbar 5 lieh sind, wobei als Zwischenspeicher die Schaltung sind, deren Kathode ferner einerseits an den Eingang einer ersten Diode, die einen positiven Schiebeimpuls der Speicherzelle und andererseits an den Ausgang überträgt, zusammen mit einer zweiten Diode, die der Speicherzelle über ein erstes Element sowie über einen negativen Rückstellimpuls überträgt, dient. Ereine zum Eingang gerichtete Ausgangsdiode ange- findungsgemäß wird dagegen vorteilhafterweise die schlossen ist, und der Verbindungspunkt zwischen io Speicherung durch eine einzige Diode, nämlich die dem ersten Element und der Ausgangsdiode über ein Speicherdiode, vorgenommen.
zweites Element mit einer Ansteuerimpulsquelle ver- Eine erfindungsgemäße Speicherzelle, bei der die
bundenist. Kathode der Tunneldiode an eine Vorspannungs-
Eine derartige Speicherzelle ist im wesentlichen quelle über eine Potentiometerschaltung und der Ein-
bereits bekannt bzw. vorgeschlagen worden. 15 gang der Speicherzelle direkt an einen der Verbin-
Eine bekannte ähnliche Speicherzelle (RCA- dungspunkte der Potentiometerschaltung angeschlos-
Technical Notes, September 1961, S. 1 bis 5, ins- sen ist, kann dadurch vorteilhaft weitergebildet wer-
besondere F i g. 5) ist ebenfalls durch einen zwei- den, daß die Kathode der Tunneldiode mit der Basis
poligen Impuls ansteuerbar und kann als Schiebe- eines Transistors verbunden ist, dessen Kollektor und
register verwendet werden. Das Lesen und die Infor- 20 Emitter an Spannungsquellen angeschlossen sind und
mationsübertragung werden während der ersten Halb- dessen Emitter außerdem mit einer Anzeigeeinrich-
welle des zweipoligen Ansteuerimpulses vorgenom- rung verbunden ist.
men, so daß während dessen zweiter Halbwelle die Einige Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in
Nullrückstellung stattfindet. der Zeichnung veranschaulicht. Es zeigt
Dagegen wird eine andere bekannte ähnliche Spei- 25 F i g. 1 das Prinzipschema einer erfindungsgemäßen cherzelle (IBM-Techn. Discl. Bull., April 1961, S. 41) Speicherzelle, die Teil eines Ringzählers ist,
nicht durch einen zweipoligen Impuls angesteuert, Fig. 2 eine weitere erfindungsgemäße Speichersie ist auch nicht für Schieberegister geeignet. zelle,
Bei einer vorgeschlagenen ähnlichen Speicherdiode F i g. 3 eine Anordnung zur Untersuchung der
(deutsche Patentschrift 1257 846), die ebenfalls nicht 30 Speicherzelle gemäß Fig. 2.
für Schieberegister geeignet ist, treten zwei aufein- Die in F i g. 1 dargestellte Speicherzelle 2 bildet die anderfolgende Funktionsabläufe auf, die durch zwei /-te Speicherzelle eines Ringzählers. Sie enthält eine an unterschiedlichen Eingängen eingespeiste Impulse Tunneldiode 4, deren Anode geerdet ist, während die steuerbar sind, wobei der erste zweipolige Impuls die Kathode über einen als Vorwiderstand dienenden Nunrückstellung und die Informationsübertragung 35 Widerstand 6 mit der negativen Klemme einer Vor- und der zweite das Lesen bewirkt. Spannungsquelle Ei verbunden ist. Der Verbindungs-Alien diesen Speicherzellen ist gemeinsam, daß die punkt des Widerstandes 6 und der Tunneldiode 4 ist zur Informationsübertragung notwendige Energie von einerseits mit dem Ausgang E der (7—l)-ten Speider Tunneldiode abgenommen wird, weshalb sie cherzelle 3 und andererseits über die Reihenschalgegenüber Änderungen der Betriebsparameter sehr 4° rung einer Diode 8 und einer mit dieser gleichsinnig empfindlich sind. angeordneten Ausgangsdiode 10 mit dem Eingang S0
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, bei einer der 7+ 1-ten Speicherzelle 5 verbunden. Die Kathode Speicherzelle der eingangs genannten Art die Stör- der Diode 8 ist an die Tunneldiode 4 angeschlossen, anfälligkeit zu verringern, indem eine äußere Quelle während die Anode der Ausgangsdiode 10 mit der die zur Informationsübertragung notwendige Energie 45 folgenden Speicherzelle 5 verbunden ist. An den Verliefert, bindungspunkt der Diode 8 und der Ausgangsdiode
Die Speicherzelle der eingangs genannten Art ist 10 ist eine Speicherdiode (Speicher-Schaltdiode) 12
gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß angeschlossen, deren Anode mit einer nicht dar-
das erste Element eine Diode ähnlich der Ausgangs- gestellten Ansteuerimpulsquelle 9 verbunden ist.
diode und mit dieser gleichsinnig gerichtet ist, daß 50 Wie später bei der Beschreibung der Wirkungs-
das zweite Element eine zur Kathode der Ausgangs- weise der Speicherzelle erläutert wird, bestehen die
diode gerichtete Speicherdiode ist und daß die An- Ansteuerimpulse S aus zwei aufeinanderfolgenden
steuerimpulsquelle zweipolige Ansteuerimpulse er- Impulsen 14,16 entgegengesetzter Polarität
zeugt. Die Zwischenspeicherung der Speicherzelle 2 wird
Erfindungsgemäß werden also die Ansteuerimpulse 55 durch die Speicherdiode 12 vorgenommen. Wenn die durch die Speicherdiode verstärkt, die während einer Speicherzelle 2 in Betrieb ist, ist die Speicherdiode 12 bestimmten Zeit Ladungen sammelt, die am Ende unabhängig vom Schaltzustand der Tunneldiode 4 des Ansteuerimpulses schnell freigesetzt werden, so stets gesperrt (der Schaltzustand »1« entspricht einer daß am Ausgang der Speicherzelle ein starkes Signal hohen Anoden-Kathoden-Spannung und der Schalterhalten wird. Genauer gesagt, während der ersten 60 zustand »0« einer niedrigen Anoden-Kathoden-Span-Halbwelle der zweipoligen Ansteuerimpulse werden nung). Man stellt jedoch fest, daß die Speicherdiode Ladungen gesammelt, wobei die Speicherdiode als 12 dem Leitungszustand näher ist, wenn sich die Zwischenspeicher dient, und die gesammelten Ladun- Tunneldiode 4 im Schaltzustand »1« befindet. Der gen werden dann während der zweiten Halbwelle der erste Impuls des Ansteuerimpulses S muß daher eine zweipoligen Ansteuerimpulse freigesetzt. 65 solche Amplitude besitzen, daß er den Leitungs-
Daraus ist ersichtlich, daß die erfindungsgemäße zustand der Speicherdiode 12 nur dann herbeiführt,
Speicherzelle für den Aufbau von Schieberegistern wenn sich die Tunneldiode 4 im Schaltzustand »1«
oder Ringzählern sehr geeignet ist. befindet. Nur in diesem Fall kann ein Impuls, der
ORIGINAL INSPECTED

Claims (4)

  1. 3 4
    dem ersten Impuls 14 des Ansteuerimpulses unmittel- Hinblick auf das Vorhandensein dieser Ladungen,
    bar folgt und entgegengesetzte Polarität wie dieser wird der negative Impuls des Ansteuerimpulses in die
    besitzt, die Speicherdiode 12 passieren und die fol- Speicherzelle /+1 übertragen, die den Schaltzustand
    gende Speicherzelle betätigen (vorausgesetzt, daß »1« annimmt,
    seine Amplitude einen bestimmten Wert besitzt). 5 Der Zweig B-C ist leicht im umgekehrten Sinn
    Die Auslösung der Speicherzelle 2 setzt voraus, vorgespannt. Dies läßt sich durch Wahl der Aus-
    daß diese von einem inversen Strom IR, der von den gangsdiode 10 vermeiden.
    Daten des Stromkreises abhängt, während einer In einem Schieberegister können sich mehrere
    Minimalzeit tmin durchflossen wird, was einer Elek- Speicherzellen im Schaltzustand »1« befinden. Damit
    trizitätsmenge Qm;« entspricht. Für gut definierte io die Amplitude des als Taktsignal dienenden An-
    Schaltzustände muß gelten: Steuerimpulses genau definiert ist, muß die Ausgangs-
    O == impedanz der Ansteuerimpulsqüelle sehr klein sein.
    mn ' Diese Bedingung begünstigt die Erzielung eines hohen
    Hierbei bedeutet Q% die Menge der restlichen Ladun- Verhältnisses
    gen, die trotz des Schaltzustaüdes »0« der Tunnel- 15 Qmin
    diode 4 infolge der Streukapazitäten der Speicher- ~ ·
    diode 12 gespeichert sind, während η ein Koeffizient ^R
    ist, der ein Mehrfaches von 1 betragen kann. Die Die Speicherzelle gemäß F i g. 2 wurde zum Auf-Zeitintervalle Θ zwischen aufeinanderfolgenden An- bau eines Ringzählers aus fünf Speicherzellen besteuerimpulsen müssen der Ungleichung genügen: 20 nutzt. Dieser Ringzähler wurde ferner auch als 0 > t _i_ t Schieberegister verwendet. Das Verhalten dieses = e r' Ringzählers wurde mit Hilfe einer Vorrichtung be-Hierbei bedeutet te die Zeit zur Einspeicherung und stimmt, die Doppehmpulse erzeugt und in F i g. 3 tr die Zeit zur Ausspeicherung (Wiederherstellung) dargestellt ist.
    der Ladung ßm;n. 25 Die Vorrichtung gemäß F i g. 3 enthält einen Im-
    Die in F i g. 2 dargestellte Speicherzelle läßt sich pulsgenerator 36, der über ein Koaxialkabel 38 mit zum Aufbau eines Ringzählers und eines Schiebe- einem Impulsverdoppler 40 verbunden ist, der jeden registers benutzen. Gemäß Fig. 2 wird die Vorspan- vom Impulsgenerator 36 erzeugten Impuls in zwei nung durch ein Potentiometer 18 und drei Wider- Impulse umwandelt, die durch ein einstellbares Zeitstände 20, 22 und 24 erzeugt. Die Kathode der 30 intervall Θ voneinander getrennt sind. Der Ausgang Tunneldiode 4 ist mit der negativen Klemme der des Impulsverdopplers 40 ist über ein Koaxialkabel Spannungsquelle U4 über das Potentiometer 18 und 42 mit einem Impedanzwandler 44 verbunden, dessen die Widerstände 20 und 22 verbunden, während der Ausgang mit dem Ansteuereingang des Ringzählers Widerstand 24 parallel zur Tunneldiode 4 geschal- und mit einem Impulsformer 46 zur Verbesserung tet ist. 35 der Impulsform verbunden ist. Eine mit dem Eingang
    Die Verbindung zwischen der dargestellten Spei- des Impedanzwandlers 44 verbundene Diode 48 dient
    cherzelle und der vorhergehenden Speicherzelle 3 zur NullrücksteJUung.
    erfolgt am Verbindungspunkt zwischen den Wider- Die Nullrückstellung kann mittels eines positiven
    ständen 20 und 22. Jeder Speicherzelle ist ein Aus- Impulses mit einer Zeitdauer von über 4,5 ns er-
    gangskreis zugeordnet, der den Schaltzustand der 40 folgen, der dem Eingang des Impedanzwandlers zu-
    Tunneldiode 4 angibt. Dieser Ausgangskreis wird geführt wird, oder mittels eines positiven Impulses,
    durch einen Transistor 26 gebildet, dessen Basis dessen Amplitude etwa 1V beträgt und der dem
    direkt mit der Kathode der Tunneldiode 4 verbunden Ringzählereingang zugeführt wird,
    ist, während der Kollektor mit der negativen Klemme Die Wirkungsweise des Ringzählers ist zufrieden-
    E 26 einer Vorspannungsquelle und der Emitter 45 stellend, wenn die Zeitdauer β größer oder gleich
    einerseits mit der positiven Klemme +£27 derselben 3 ns ist. Er besitzt eine hohe Zuverlässigkeit, da die
    Vorspannungsquelle über einen Widerstand 28 und negative Speisespannung um + 4 % und die Ampli-
    andererseits mit den Ablenkplatten eines Oszillo- tude der Taktsignale um ±6% schwanken kann,
    graphen oder einer nicht gezeigten Anzeigevorrich- Wenn Θ wesentlich größer als 3 ns ist, können die
    tung über einen Widerstand 30 verbunden ist. Beim 50 Schwankungen der Speisespannung ±6,2% und die
    Bau eines Ringzählers aus derartigen Speicherzellen der Taktsignale ± 9,5 °/o betragen,
    wird die Taktsignalquelle mit der Ansteuerimpuls- Bei Verwendimg der Speicherzelle zum Aufbau
    quelle 32 verbunden. eines Schieberegisters analog zum Ringzähler ergibt
    Befindet sich die Tunneldiode 4 der /-ten Speicher- sich eine Auflösung und eine Zuverlässigkeit der
    zelle im Schaltzustand »0«, so ist die positive Halb- 55 gleichen Größenordnung.
    welle des Ansteuerimpulses nicht groß genug, um Mit Rücksicht auf die große Arbeitsgeschwindigeinen Strom im Zweig A-B hervorzurufen. Sehr keit des erläuterten Ringzählers sowie im Hinblick wenig Ladungen werden durch die Speicherdiode 12 auf seinen geringen Raumbedarf kann man ihn beigespeichert, so daß die negative Halbwelle des An- spielsweise in einer Zeitkodiereinrichtung mit kleiner Steuerimpulses zur (/+l)-ten Speicherzelle 5 nicht 60 Auflösezeit verwenden,
    übertragen wird, so daß deren Tunneldiode im „ .. ,
    Schaltzustand »0« bleibt. Patentansprüche:
    Wenn sich die Tunneldiode 4 der /-ten Speicher- 1. Speicherzelle mit einer Tunneldiode, deren
    zelle im Schaltzustand »1« befindet, ist der Zweig Anode geerdet und deren Kathode durch eine
    A-B im direkten Sinne vorgespannt. Der erste Impuls 65 Gleichspannungsquelle über einen Widerstand
    des Ansteuerimpulses mit positiver Polarität bringt derart vorgespannt ist, daß zwei stabile Schalt-
    die Tunneldiode 4 in den Schaltzustand »0« zurück zustände an der Tunneldiode einstellbar sind,
    und bringt Ladungen in die Speicherdiode 12. Im deren Kathode ferner einerseits an den Eingang
    der Speicherzelle und andererseits an den Ausgang der Speicherzelle über ein erstes Element sowie über eine zum Eingang gerichtete Ausgangsdiode angeschlossen ist, und der Verbindungspunkt zwischen dem ersten Element und der Ausgangsdiode über ein zweites Element mit einer Ansteuerimpulsquelle verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Element eine Diode (8) ähnlich der Ausgangsdiode (10) und mit dieser gleichsinnig gerichtet ist und daß das zweite Element eine zur Kathode der Ausgangsdiode (10) gerichtete Speicherdiode (12) ist und daß die Ansteuerimpulsquelle zweipolige Ansteuerimpulse (14,16) erzeugt.
  2. 2. Speicherzelle nach Anspruch 1, bei der die Kathode der Tunneldiode an eine Vorspannungsquelle über eine Potentiometerschaltung und der Eingang der Speicherzelle direkt an einen der Verbindungspunkte der Potentiometerschaltung angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathode der Tunneldiode (4) mit der Basis eines Transistors (26) verbunden ist, dessen Kollektor und Emitter an Spannungsquellen (—E26, +E 27) angeschlossen sind und dessen Emitter außerdem mit einer Anzeigeeinrichtung verbunden ist (F i g. 2).
  3. 3. Speicher mit mehreren Speicherzellen nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherzellen in Reihe zu einem Ringzähler zusammengeschaltet sind.
  4. 4. Speicher mit mehreren Speicherzellen nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherzellen in Reihe zu einem Schieberegister zusammengeschaltet sind.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DE19661499611 1965-04-02 1966-03-25 Speicherzelle mit Tunneldiode und Speicher mit mehreren dieser Speicherzellen Pending DE1499611B1 (de)

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GB (1) GB1089805A (de)
LU (1) LU50794A1 (de)
NL (1) NL6604271A (de)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1153071B (de) * 1960-08-10 1963-08-22 Ass Elect Ind Schieberegister fuer binaere Informationen
DE1257846B (de) * 1960-08-10 1968-01-04 Ass Elect Ind Informationsspeicher mit mindestens einem eine Tunneldiode enthaltenden Speicherelement

Patent Citations (2)

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DE1153071B (de) * 1960-08-10 1963-08-22 Ass Elect Ind Schieberegister fuer binaere Informationen
DE1257846B (de) * 1960-08-10 1968-01-04 Ass Elect Ind Informationsspeicher mit mindestens einem eine Tunneldiode enthaltenden Speicherelement

Also Published As

Publication number Publication date
BE678231A (de) 1966-09-01
LU50794A1 (de) 1966-05-31
NL6604271A (de) 1966-10-03
CH454225A (fr) 1968-04-15
GB1089805A (en) 1967-11-08
ES324968A1 (es) 1967-04-01
FR1441560A (fr) 1966-06-10

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