DE1152265B - Bimetall zur Dotierung von Halbleitermaterialien unter Verwendung einer Gold-Bor-Legierung als Grundmetall und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Bimetall zur Dotierung von Halbleitermaterialien unter Verwendung einer Gold-Bor-Legierung als Grundmetall und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
- Publication number
- DE1152265B DE1152265B DED34544A DED0034544A DE1152265B DE 1152265 B DE1152265 B DE 1152265B DE D34544 A DED34544 A DE D34544A DE D0034544 A DED0034544 A DE D0034544A DE 1152265 B DE1152265 B DE 1152265B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gold
- bimetal
- semiconductor materials
- base metal
- boron alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
- B32B15/018—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic one layer being formed of a noble metal or a noble metal alloy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/02—Alloys based on gold
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D1/00—Demodulation of amplitude-modulated oscillations
- H03D1/14—Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear elements having more than two poles
- H03D1/18—Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear elements having more than two poles of semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N11/00—Colour television systems
- H04N11/06—Transmission systems characterised by the manner in which the individual colour picture signal components are combined
- H04N11/12—Transmission systems characterised by the manner in which the individual colour picture signal components are combined using simultaneous signals only
- H04N11/14—Transmission systems characterised by the manner in which the individual colour picture signal components are combined using simultaneous signals only in which one signal, modulated in phase and amplitude, conveys colour information and a second signal conveys brightness information, e.g. NTSC-system
- H04N11/16—Transmission systems characterised by the manner in which the individual colour picture signal components are combined using simultaneous signals only in which one signal, modulated in phase and amplitude, conveys colour information and a second signal conveys brightness information, e.g. NTSC-system the chrominance signal alternating in phase, e.g. PAL-system
- H04N11/165—Decoding means therefor
-
- H10P95/00—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Description
Anmelder:
Dr. Eugen Dürrwächter DODUCO, Pforzheim, Westliche 61
Dr. Eugen Dürrwächter
und Dr.-Ing. Karlernst Müller, Pforzheim, sind als Erfinder genannt worden
rung, bestehend aus 0,1 bis weniger als 2% Bor, Rest Gold, nach Patent 1101769 als Grundmetall,
dadurch gekennzeichnet, daß die die Benetzung des Halbleitermaterials fördernde Auflage
aus einer Goldlegierung aus bis 0,5% Silicium, bis 1% Germanium, bis 1% Antimon, bis
4% Gallium, bis 5% Indium, bis 0,1% Blei, bis 0,1% Thallium und/oder bis 0,1% Zinn, Rest
Gold besteht.
2. Verfahren zur Herstellung eines Bimetalls nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die zu verbindenden Legierungen unter sehr hohem Druck (3 bis 51) bei Temperaturen dicht
unterhalb der eutektischen verschweißt und das Bimetall auf eine solche Schichtdicke der den
Halbleiter benetzenden Goldlegierung abgewalzt wird, die die Dotierung des Halbleiters durch das
Bor der Gold-Bor-Legierung nicht beeinträchtigt.
3. Verfahren nach "Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Verschweißung im Vakuum
oder in neutraler bzw. reduzierender Atmosphäre erfolgt.
In Betracht gezogene Druckschriften: »Metall«, 14 (1960), H. 7, S. 726 bis 729;
M. Hansen, »Constitution of Binary Alloys«,
2nd Editon, 1958, S. 204, 206, 210, 222, 230, 232 und 239.
Claims (1)
1. Bimetall zur Dotierung von Halbleitermaterialien unter Verwendung einer Gold-Bor-Legie-Bimetall
zur Dotierung
von Halbleitermaterialien unter Verwendung einer Gold-Bor-Legierung als Grundmetall
und Verfahren zu seiner Herstellung
Zusatz zum Patent 1101 769
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NZ145533D NZ145533A (de) | 1960-10-18 | ||
| DED34544A DE1152265B (de) | 1959-05-30 | 1960-10-18 | Bimetall zur Dotierung von Halbleitermaterialien unter Verwendung einer Gold-Bor-Legierung als Grundmetall und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DED30764A DE1101769B (de) | 1959-05-30 | 1959-05-30 | Verfahren zur Herstellung von Gold-Bor-Legierungen und Verwendung dieser Legierungen zur Dotierung von Halbleitermaterialien |
| DED34544A DE1152265B (de) | 1959-05-30 | 1960-10-18 | Bimetall zur Dotierung von Halbleitermaterialien unter Verwendung einer Gold-Bor-Legierung als Grundmetall und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1152265B true DE1152265B (de) | 1963-08-01 |
Family
ID=42299182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DED34544A Pending DE1152265B (de) | 1959-05-30 | 1960-10-18 | Bimetall zur Dotierung von Halbleitermaterialien unter Verwendung einer Gold-Bor-Legierung als Grundmetall und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1152265B (de) |
-
1960
- 1960-10-18 DE DED34544A patent/DE1152265B/de active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| None * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1089074B (de) | Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehoerigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung mittels Einlegieren | |
| DE1271841B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Galliumarsenid-Transistors | |
| DE1152265B (de) | Bimetall zur Dotierung von Halbleitermaterialien unter Verwendung einer Gold-Bor-Legierung als Grundmetall und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1521950B2 (de) | Verfahren zur herstellung eines oxydbelages auf einem vor zugsweise einkristallinen halbleiterkoerper und anwendung des verfahrens zum vergleichmaessigen der oberflaeche und zum dotieren | |
| GB921977A (en) | Fusion coated metal base and method of producing same | |
| DE1271494B (de) | Verfahren zur Herstellung von streifenplattierten Verbundmetalltafeln oder -streifen | |
| DE1081572B (de) | Verfahren zur Herstellung von Legierungsuebergaengen in einem Silizium-Halbleiterkoerper | |
| DE1044287B (de) | Legierungsverfahren zur Herstellung von Halbleiter-anordnungen mit p-n-UEbergaengen | |
| DE1053476B (de) | Verfahren zur Herstellung von Alkaliboranaten | |
| GB1086674A (en) | Method of manufacturing magnetic material having high permeability | |
| DE1533134A1 (de) | Verfahren zur Rueckgewinnung von Polonium | |
| AT210480B (de) | Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung | |
| DE824260C (de) | Lager | |
| GB925182A (en) | Silver base semiconductor doping alloys | |
| DE1114941B (de) | Verfahren zur Herstellung eines mit Bor dotierten Bereiches von einkristallinen Halbleiterkoerpern | |
| DE613401C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kobaltnitrosyl | |
| DE1154576B (de) | Verfahren zum Herstellen von Legierungskontakten auf Halbleiterkoerpern | |
| GB911235A (en) | Improvements in or relating to processes for the production of a p-doped region in bodies consisting of substantially monocrystalline semi-conductor material | |
| DE946060C (de) | Behaelter und sonstige Apparateteile, die mit Jod und Jodiden in Beruehrung kommen | |
| DE1160192B (de) | Verfahren zur Erzeugung von Schwefel enthaltendem Gold | |
| AT211875B (de) | Verfahren zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in Körpern aus im wesentlichen einkristallinem Halbleitermaterial | |
| AT226779B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Transistors, insbesondere für Schaltzwecke | |
| AT228837B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen | |
| DE2525571A1 (de) | Verfahren zum herstellen von scheibenfoermigen siliciumkoerpern durch giessen aus der schmelze | |
| DE1794287C (de) | Verfahren zum tiegellosen Zonen schmelzen eines stabformigen Korpers Ausscheidung aus 1061527 |