AT228837B - Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von HalbleitervorrichtungenInfo
- Publication number
- AT228837B AT228837B AT400561A AT400561A AT228837B AT 228837 B AT228837 B AT 228837B AT 400561 A AT400561 A AT 400561A AT 400561 A AT400561 A AT 400561A AT 228837 B AT228837 B AT 228837B
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- semiconductor devices
- manufacturing semiconductor
- electrode material
- casting mold
- semiconductor body
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 9
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1> Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen EMI1.1 <Desc/Clms Page number 2> Die Erfindung wird an Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläu- tert. Die Figuren zeigen einen schematischen Schnitt durch eine Legiergiessform in zwei Lagen. Die Giessform, die deutlichkeitshalber in sehr einfacher Form wiedergegeben, jedoch in Wirklich- keit meist verwickelter ist, um mehr als eine Elektrode aufschmelzen zu können, besteht aus einem Graphitboden 1, in dem eine Höhlung 2 für einen Halbleiterkörper 3 vorgesehen ist. Auf dem Boden 1 ruht ein Graphitblock 4, in den ein Pfropfen 5 aus gleichem Werkstoff gesetzt ist. Der Pfropfen 5 weist eine Bohrung 6 auf, an die eine in der oberen Fläche der Giessform vorgesehene Rinne 7 anschliesst, wel- che eine Elektrodenmaterialmenge 8 in Form eines Kügelchens enthält. Das Aufschmelzverfahren vollzieht sich derart, dass die Giessform zunächst bis über den Schmelzpunkt des Elektrodenmaterials in einer reduzierenden Umgebung, z. B. in Wasserstoff, erhitzt wird. Die Giessform wird dabei in der in Fig. 1 dargestellten Lage gehalten. Anschliessend wird die Giessform in die in Fig. 2 dargestellte Lage gekippt, wobei das Material 8 auf den Halbleiterkörper fällt und auf diesem eine Elektrode 9 bildet. Als Beispiel einer Zusammensetzung des Elektrodenmaterials wird eine aus 2 Gew.-% Germanium, 1/2 Gew. -0/0 Aluminium und im übrigen aus Indium bestehende Legierung genannt. Eine weitere brauchbare Legierung besteht z. B. aus 5 Gew. -0/0 Germanium, I Gel.-% Gallium und im übrigen aus Zinn. Für solche Legierungen ist eine Erhitzung auf 5000C in einer reduzierenden Umgebung zweckmässig. Um zu erleichtern, dass die Legierung nach dem Kippen eine gleichmässige Eindringtiefe erreicht, kann es erwünscht sein, die Temperatur vor dem Kippen zunächst abfallen zu lassen, z. B. auf 300 C, und sie dann wieder zu steigern, z. B. auf den ursprünglichen Wert von 500 C. Es sei bemerkt, dass im Rahmen der Erfindung viele Änderungen möglich sind, insbesondere hinsichtlich der Zusammensetzung des Elektrodenmaterials. PATENTANSPRÜCHE : 1. Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen, bei dem ein Halbleiterkörper und eine Elektrodenmaterialmenge getrennt in einer Giessform auf eine Temperatur erhitzt werden, die höher als der Schmelzpunkt des Elektrodenmaterials, jedoch niedriger als der des Halbleiterkörpers ist, und an- schliessend durch eine Lagenänderung der Giessform das Elektrodenmaterial auf den Halbleiterkörper geworfen oder fallengelassen wird, wobei das Elektrodenmaterial Gallium und/oder Aluminium enthält, dadurch gekennzeichnet, dass ein Elektrodenmaterial mit einem Gehalt an Germanium und/oder Silicium benutzt wird, der wenigstens dieHälfte des Gehaltes an Gallium und/oder Aluminium beträgt.
Claims (1)
- 2. Verfahren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass der Galliumgehalt und/oder Aluminiumgehalt zwischen 0, 1 Gew.-lo und 5 Gew. -0/0 liegt.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL228837X | 1960-05-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT228837B true AT228837B (de) | 1963-08-12 |
Family
ID=19779802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT400561A AT228837B (de) | 1960-05-25 | 1961-05-23 | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT228837B (de) |
-
1961
- 1961-05-23 AT AT400561A patent/AT228837B/de active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AT228837B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen | |
| DE1767097A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Silizium-Nitrid | |
| DE1539794A1 (de) | Brennstoffanordnung fuer einen fluessigmetallgekuehlten Kernreaktor | |
| DE2415868C3 (de) | Verfahren zum Tränken eines porösen Körpers mit einem Tränkmetall | |
| DE1771097C3 (de) | Verfahren zum Imprägnieren von Kohlenstoffkörpern | |
| DE1421850B2 (de) | Insbesondere als elektrischer kontakt zu verwendender press koerper | |
| DE824260C (de) | Lager | |
| DE492527C (de) | Mit Waermeschutzmasse umkleideter Behaelter, insbesondere fuer Warmwasserspeicher | |
| DE883476C (de) | Verfahren zur Verringerung der Alterung von Selengleichrichtern mit auf die Selenschicht aufgebrachter, beispielsweise aus einer Zinn-Kadmium-Legierung bestehender Deckelektrode | |
| DE1075223B (de) | Verfahren zum Auflegicren ^mcs eutektischen Legierungsmatenals auf einen Halbleiterkörper | |
| DE2203066C3 (de) | Verfahren zum kontinuierlichen Längsabdichten von Nachrichtenkabeln mit kunststoffisolierten Adern | |
| AT212029B (de) | Verfahren zur Herstellung von Verbundkörpern, die aus gegossenem Aluminium und Sinteraluminium bestehen | |
| DE535588C (de) | Vorrichtung zur Herstellung von Verpackungsschachteln mit angekroepftem Hals | |
| AT218570B (de) | Verfahren zur großflächigen Kontaktierung eines einkristallinen Siliziumkörpers | |
| AT142839B (de) | Elektrischer Widerstand mit negativen Temperaturkoeffizienten. | |
| DE755085C (de) | Verfahren und Kokille zur Herstellung von Verbundgusslagern | |
| DE2939460A1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleitereigenschaften aufweisendem, mit thallium hochdotiertem silicium | |
| DE1062834B (de) | Brennstoffelemente mit nichtmetallischer Umhuellung fuer Kernreaktoren | |
| DE2110119C3 (de) | Festschmierstoff | |
| AT155028B (de) | Verfahren zur Herstellung von Mänteln für elektrische Kabel. | |
| AT167349B (de) | Schwefelempfindlicher umhüllter Schweißstab und eiserner Kern hiezu | |
| DE1809587C3 (de) | Aus magnetischen Einbereichsteilchen bestehendes Magnetmaterial und Verfahren zur Herstellung | |
| AT375573B (de) | Verfahren zur herstellung von verschleissfesten verbundwerkstoffen | |
| DE1060052B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung grossflaechiger p-n-UEbergaenge bei Halbleiteranordnungen des Legierungstyps, insbesondere bei Kristalldioden | |
| DE949364C (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Stromdurchfuehrungen |