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DE1036391B - Verfahren zur Herstellung von Flaechen-Halbleiterkristalloden mit mindestens zwei verschmolzenen Halbleiterteilen von entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyp - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Flaechen-Halbleiterkristalloden mit mindestens zwei verschmolzenen Halbleiterteilen von entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyp

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Publication number
DE1036391B
DE1036391B DEH26523A DEH0026523A DE1036391B DE 1036391 B DE1036391 B DE 1036391B DE H26523 A DEH26523 A DE H26523A DE H0026523 A DEH0026523 A DE H0026523A DE 1036391 B DE1036391 B DE 1036391B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
supporting
semiconductor wafer
conductivity type
opposite conductivity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEH26523A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Richard A Gudmundsen
Joseph Maserjian
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Raytheon Co
Original Assignee
Hughes Aircraft Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hughes Aircraft Co filed Critical Hughes Aircraft Co
Publication of DE1036391B publication Critical patent/DE1036391B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W99/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P10/12
    • H10P95/00
    • H10W72/5524

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
DEH26523A 1955-04-04 1956-03-13 Verfahren zur Herstellung von Flaechen-Halbleiterkristalloden mit mindestens zwei verschmolzenen Halbleiterteilen von entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyp Pending DE1036391B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US335366XA 1955-04-04 1955-04-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1036391B true DE1036391B (de) 1958-08-14

Family

ID=21870972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEH26523A Pending DE1036391B (de) 1955-04-04 1956-03-13 Verfahren zur Herstellung von Flaechen-Halbleiterkristalloden mit mindestens zwei verschmolzenen Halbleiterteilen von entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyp

Country Status (5)

Country Link
BE (1) BE546546A (xx)
CH (1) CH335366A (xx)
DE (1) DE1036391B (xx)
GB (1) GB807728A (xx)
NL (2) NL203694A (xx)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1099648B (de) * 1959-08-26 1961-02-16 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit mehreren Elektroden, z.B. von Transistoren
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Families Citing this family (2)

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Also Published As

Publication number Publication date
NL99599C (xx) 1900-01-01
BE546546A (xx) 1900-01-01
NL203694A (xx) 1900-01-01
CH335366A (fr) 1958-12-31
GB807728A (en) 1959-01-21

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