DE1036391B - Verfahren zur Herstellung von Flaechen-Halbleiterkristalloden mit mindestens zwei verschmolzenen Halbleiterteilen von entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyp - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Flaechen-Halbleiterkristalloden mit mindestens zwei verschmolzenen Halbleiterteilen von entgegengesetzten LeitfaehigkeitstypInfo
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Applications Claiming Priority (1)
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ID=21870972
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1099648B (de) * | 1959-08-26 | 1961-02-16 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit mehreren Elektroden, z.B. von Transistoren |
| DE1132252B (de) * | 1959-04-20 | 1962-06-28 | Westinghouse Electric Corp | Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von gleichartigen Halbleiterbauelementen aufstreifenfoermigen Halbleiterkristallen |
| DE1283965B (de) * | 1959-05-06 | 1968-11-28 | Texas Instruments Inc | Hermetisch eingeschlossene Halbleiteranordnung |
Families Citing this family (2)
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Non-Patent Citations (1)
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