DE1036391B - Process for the production of surface semiconductor crystal lodes with at least two fused semiconductor parts of opposite conductivity types - Google Patents
Process for the production of surface semiconductor crystal lodes with at least two fused semiconductor parts of opposite conductivity typesInfo
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Description
DEUTSCHESGERMAN
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Flächen-Halbleiterkristalloden mit mindestens zwei verschmolzenen Halbleiterteilen von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp, die durch eine p-n-Fläche voneinander getrennt sind, bei denen der eine Halbleiterteil aus einem dünnen Plättchen, hergestellt wird und: als Halbleiter Elemente des Periodischen Systems, wie Germanium oder Silicium, verwendet werden.The invention relates to a method for the production of flat semiconductor crystal lodes at least two fused semiconductor parts of opposite conductivity type, which by a p-n areas are separated from each other, in which the one semiconductor part made of a thin plate is and: elements of the periodic table, such as germanium or silicon, are used as semiconductors will.
Bei der Herstellung solcher Kristalloden bestehen fertigungstechnische Schwierigkeiten durch die Kleinheit der Teile, aus denen sich das Kristallsystem zusammensetzt. Einzelne Arbeitsgänge müssen unter dem Mikroskop ausgeführt werden. Dabei ist große Sorgfalt notwendig, um die Oberflächen der Teile sauberzuhalten. In the manufacture of such crystallodes, there are manufacturing difficulties due to their small size the parts that make up the crystal system. Individual operations must be carried out under the Running microscope. Great care is required to keep the surfaces of the parts clean.
Die Fertigung wird um so schwieriger, je dünner das Plättchen ist. Ein Plättchen, das nicht dicker als etwa 0,125 mm ist, läßt sich wegen seiner geringen mechanischen Festigkeit bei den einzelnen Schritten der Fertigung nur schwer handhaben.. So· dünne Plättchen sind aber bei Transistoren gefordert, weil die elektrischen Eigenschaften des Systems um so besser sind, je kleiner der Abstand der beiden durch das Plättchen voneinander getrennten p-n-Flächen ist. Entsprechendes gilt für Dioden, bei denen es häufig darauf ankommt, daß die an die p-n-Fläche angrenzende Halbleiterschicht möglichst dünn ist.The production becomes more difficult, the thinner the plate is. A plate that is no thicker than is about 0.125 mm, can be used because of its low mechanical strength in the individual steps difficult to handle during production The smaller the distance between the two, the better the electrical properties of the system the plate is separate p-n areas. The same applies to diodes, in which it is often important that the one adjoining the p-n area Semiconductor layer is as thin as possible.
Bei einem bekannten Verfahren zur Herstellung von Flächentransistoren geht man von einem verhältnismäßig dicken Halbleiterkristall aus, der beispielsweise aus Germanium besteht, und erzeugt darin durch Sandstrahlen eine von der einen Außenfläche sich nach innen erstreckende Höhlung, an deren Bodenfläche ein Perlchen aus Aluminium oder Indium unter Bildung eines p-n-Überganges angebracht wird. Die Herstellung einer Höhlung durch Sandstrahlen erschwert die Massenfertigung und liefert nicht die nötige Genauigkeit vor allem in der Wandstärke, die sich zwischen der Bodenfläche der Höhlung und der gegenüberliegenden Außenfläche des Kristalls beim Sandstrahlen ergibt, auf deren Abmessungen es aber für die elektrischen Eigenschaften der Kristallode wesentlich ankommt.In a known method for the production of junction transistors, one assumes a relatively high value thick semiconductor crystal made of germanium, for example, and produced therein by sandblasting a cavity extending inward from the one outer surface, on whose A bead made of aluminum or indium is attached to the bottom surface, forming a p-n junction. Making a cavity by sandblasting makes mass production difficult and does not provide the Required accuracy especially in the wall thickness, which is between the bottom surface of the cavity and the opposite outer surface of the crystal during sandblasting results, but on the dimensions of which it is is essential for the electrical properties of the crystal.
Gemäß der Erfindung werden auf der einen Seite des zunächst dicken Halbleiterplättchens ein oder mehrere Halbleiterteile von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp aufgebracht, ein stützender dicker Halbleiterkörper wird aus gleichem Halbleitermaterial auf der gleichen Seite des Halbleiterplättchens angeschmolzen, und das Halbleiterplättchen, das zunächst 7. B. dicker als 0,4 mm ist, wird auf der anderen Seite durch Bearbeitung auf geringere Dicke, beispielsweise auf eine solche von 0,075 mm bis 0,13 mm, vermin-Verfahren zur HerstellungAccording to the invention, one or more semiconductor parts of opposite conductivity type are applied to one side of the initially thick semiconductor wafer, a supporting thick semiconductor body is melted from the same semiconductor material on the same side of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer, which is initially 7. B. thicker than 0 .4 mm, on the other hand, by machining to a smaller thickness, for example to that of 0.075 mm to 0.13 mm, the vermin method of manufacturing
von Flächen-Halbleiterkristallodenof surface semiconductor crystal lodes
mit mindestens zwei verschmolzenenfused with at least two
Halbleiterteilen vom entgegengesetztenSemiconductor parts from the opposite
LeitfähigkeitstypConductivity type
Anmelder:Applicant:
Hughes Aircraft Company,
Culver City, Calif. (V. St. A.)Hughes Aircraft Company,
Culver City, Calif. (V. St. A.)
Vertreter: Dr.-Ing. G. .Eichenberg, Patentanwalt,
Düsseldorf, Cecilienallee 76Representative: Dr.-Ing. G.. Eichenberg, patent attorney,
Düsseldorf, Cecilienallee 76
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 4. April 1955Claimed priority:
V. St. v. America April 4, 1955
Joseph Maserjian, Los Angeles, Calif.,
und Richard A. Gudmundsen, Inglewood, Calif.Joseph Maserjian, Los Angeles, Calif.,
and Richard A. Gudmundsen, Inglewood, Calif.
(V. St. Α.),
sind als Erfinder genannt worden(V. St. Α.),
have been named as inventors
dert. Beim Anschmelzen des stützenden Halbleiterkörpers ist das Plättchen noch relativ dick und von entsprechender mechanischer Festigkeit. Während der Bearbeitung auf die gewünschte geringe Dicke ist das Plättchen durch den dicken Halbleiterkörper gestützt und gegen Bruch gesichert, und das gleiche gilt für alle folgenden Operationen, da der stützende Halbleiterkörper mit dem Plättchen für alles weitere verbunden bleibt. Im Gegensatz zum Aushöhlen mit Sandstrahlen handelt es sich bei der Verminderung der Dicke des Plättchens um die Bearbeitung einer ebenen Fläche. Es ist daher nicht schwierig, gerade so viel Material abzunehmen, wie es die verlangte Plättchendicke erfordert. Zur Bearbeitung eignet sich insbesonder das Läppen.changes. When melting the supporting semiconductor body the plate is still relatively thick and of adequate mechanical strength. During the Machining to the desired small thickness, the plate is supported by the thick semiconductor body and secured against breakage, and the same applies to all subsequent operations, since the supporting semiconductor body remains connected to the tile for everything else. In contrast to hollowing out with Sandblasting is the process of reducing the thickness of the plate flat surface. It is therefore not difficult to take just as much material as it required Requires plate thickness. Lapping is particularly suitable for machining.
Der stützende dicke Halbleiterkörper, der nachstehend kurz Stützkörper genannt werden soll, erleichtert die Handhabung bei allen folgenden Schritten, auch beim Einbau des Systems und beim Anbringen der Anschlüsse, Die Tatsache, daß er aus dem gleichen Halbleitermaterial besteht wie das Plättchen, gibt die: Gewähr dafür, daß bei thermischer Dehnung und Zusammenziehung keine Risse entstehen und die miteinander verbundenen Teile des aktiven Systems des Transistors oder der Diode sich nicht wieder voneinander lösen.The supporting thick semiconductor body, which will be referred to below as the supporting body for short, facilitates handling in all of the following steps, including when installing the system and attaching it the connections, the fact that it is made of the same semiconductor material as the plate, gives the: Guarantee that no cracks occur during thermal expansion and contraction and the interconnected parts of the active system of the transistor or the diode are not separated from each other to solve.
809 597/441809 597/441
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Der stützende Halbleiterkörper kann aus Halbleiter- Anschluß eines Leiters an die Kollektoren 11 kann anThe supporting semiconductor body can consist of semiconductor connection of a conductor to the collectors 11 can
material vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie das Halb- die Oberflächen Aluminium anlegiert werden. Zummaterial of the same conductivity type as the semi-aluminum alloy. To the
leiterplättchen hergestellt und mit ihm ohne p-n-Über- Anschluß dient dann ein Kontaktstück 12.A conductor plate is produced and a contact piece 12 is then used with it without a p-n over connection.
gang elektrisch leitend verbunden werden. Es emp- Auf die Oberfläche 15 des Plättchens 10 wird einecan be connected in an electrically conductive manner. It is on the surface 15 of the plate 10 is a
fiehlt sich, ihn erheblich dicker zu wählen als das 5 Schicht 14 aus Gold von einiger Dicke aufgebracht.it is not advisable to choose it considerably thicker than the 5 layer 14 made of gold of some thickness.
Halbleiterplättchen. Diese Schicht enthält einen Aktivator des gleichenSemiconductor wafers. This layer contains an activator of the same
Handelt es sich um die Herstellung eines Tran- Leitungstyps wie das Plättchen 10, vorliegendenfallsIf it is a question of the manufacture of a Tran conduction type such as the plate 10, in the present case
sistors, so wird auf der anderen Seite des Halbleiter- also einen Donator, beispielsweise 0,5 °/o Antimon. Diesistor, then on the other side of the semiconductor there is a donor, for example 0.5% antimony. the
plättchens nach der Bearbeitung ein weiterer Halb- Goldschicht 14 überdeckt die ganze Fläche 15 desplate after processing another semi-gold layer 14 covers the entire surface 15 of the
leiterteil vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp an- i° Plättchens 10 mit Ausnahme von Ringausschnitten 16,Conductor part of the opposite conductivity type on plate 10 with the exception of ring cutouts 16,
gebracht. Dies kann insbesondere in der Weise ge- in denen das Silicium freiliegt. Jeder Ringausschnittbrought. This can in particular in the way in which the silicon is exposed. Every ring section
schellen, daß der stützende Halbleiterkörper mit einer umgibt konzentrisch mit Abstand einen der Kollek-clamp that the supporting semiconductor body with a concentrically surrounds one of the collector
oder mehreren Bohrungen senkrecht zur Oberfläche toren 11 und verhindert Kurzschluß der Kollektor -or several holes perpendicular to the surface gates 11 and prevents short-circuiting of the collector -
des Halbleiterplättchens versehen wird, daß diese flächen. Die Ringfläche 16 hat einen Außendurchmes-of the semiconductor wafer is provided that these areas. The ring surface 16 has an outer diameter
Bohrungen zentrisch zu den von stützenden Halbleiter- 15 scr in der Größenordnung von 1,4 mm.Holes centric to the supporting semiconductor scr 15 in the order of 1.4 mm.
körper umgebenen Halbleiterteilen vom entgegen- Das gemäß Fig. 1 ausgerüstete Plättchen 10 wirdSemiconductor parts surrounded by the body from the opposite. The plate 10 equipped according to FIG. 1 is
gesetzten Leitfähigkeitstyp angeordnet werden und gemäß Fig. 2 mit einem Stützkörper 18 versehen, des-set conductivity type are arranged and provided according to FIG. 2 with a support body 18, des-
daß die Bohrungen im Durchmesser größer als die um- sen Hauptzweck darin besteht, dem Gebilde mecha-that the bores are larger in diameter than the main purpose is to give the structure mechanical
faßten Halbleiterteile bemessen werden. nische Stützung zu geben und der in Fläche und Formseized semiconductor parts are measured. niche support in terms of surface and shape
Endlich empfiehlt es sich, die elektrische Leitfähig- 20 im wesentlichen mit dem Plättchen 10 übereinstimmt,Finally it is advisable to have the electrical conductivity 20 essentially match the plate 10,
keit des stützenden Halbleiterkörpers erheblich größer Der Stützkörper 18 hat demgemäß die Form einerSpeed of the supporting semiconductor body is considerably larger. The supporting body 18 accordingly has the shape of a
zu machen als die des Halbleiterplättchens. Dann ist Kreisscheibe von 25 mm Durchmesser, deren einethan that of the semiconductor die. Then there is a circular disk with a diameter of 25 mm, one of which is
der ohmsche Widerstand des stützenden Körpers Fläche mit 19 bezeichnet ist. Er ist mit Bohrungenthe ohmic resistance of the supporting body surface is denoted by 19. He's with holes
praktisch zu vernachlässigen, und das System verhält 20 versehen, die ihn senkrecht zur Fläche 19 durch-practically negligible, and the system behaves 20 provided that it is perpendicular to the surface 19 through
sich elektrisch nicht anders, als wenn die Zuleitung 25 dringen, etwa 1,4 mm Durchmesser haben und inelectrically no different than if the lead 25 penetrate, have a diameter of about 1.4 mm and are in
unmittelbar an das Plättchen gelegt wäre. Mittenabständen von 3,5 mm angeordnet sind, wie eswould be placed directly on the plate. Center-to-center distances of 3.5 mm are arranged as is
Es ist bekannt, Transistoren dadurch herzustellen, den auf dem Plättchen 10 angeordneten Kollektoren daß man ein Halbleiterplättchen mit mehreren par^ 11 entspricht. Der Stützkörper 18 besteht aus dem allelen Bohrungen versieht und an die konisch er- gleichen Material wie das Plättchen 10, im vorliegenweiterten Endflächen dieser Bohrungen Halbleiter- 3° den Fall also aus Silicium. Seine Dicke soll nicht körper vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp an- kleiner sein als 0,3 mm und beträgt vorzugsweise schmilzt. Ein stützender Halbleiterkörper findet bei 0,38 mm oder mehr. Das Silicium, aus dem der Stützdiesem Verfahren keine Anwendung. Man erhält auch körper 18 besteht, braucht nicht ein kristallines SiIikeine Transistoren mit dem geringen Abstand zwi- ei um zu sein, erhält aber einen Aktivator vom gleischen den beiden p-n-Flächen, wie es beim Verfahren 35 chen Typ wie der Aktivator im Silicium des Plättnach der Erfindung möglich ist. chens 10, beispielsweise Arsen, und zwar in so be-It is known to produce transistors by using the collectors arranged on the wafer 10 that one corresponds to a semiconductor wafer with several par ^ 11. The support body 18 consists of the allelic holes provided and to the conically the same material as the plate 10, in the present widened The end faces of these bores are semi-conductor 3 ° in the case of silicon. Its thickness shouldn't body of the opposite conductivity type should be smaller than 0.3 mm and is preferably melts. A supporting semiconductor body is found at 0.38 mm or more. The silicon that supports it Procedure no application. Body 18 is also obtained and does not need a crystalline silicone Transistors with the small gap between them, however, receive an activator of the same kind the two p-n surfaces, as in process 35 Chen type as the activator in the silicon of the plate the invention is possible. chens 10, for example arsenic, in so much
Zur weiteren F läuterung der Erfindung diene das trächtlicher Menge, daß die elektrische LeitfähigkeitTo further refine the invention, the considerable amount that the electrical conductivity serves
gezeichnete Ausfühningsbeispiel. Es zeigen des Stützkörpermaterials erheblich größer wird alsdrawn example. It show the support body material is considerably larger than
Fig. 1 bis 4 Querschnitte durch ein Halbleiter- diejenige des Materials des Plättchens 10, beispiels-Fig. 1 to 4 cross sections through a semiconductor that of the material of the plate 10, for example
plättchen mit daran angebrachten Teilen im wesent- 40 weise etwa das Tausendfache der letztgenannten. Derplatelets with parts attached to them are essentially about a thousand times that of the latter. Of the
lieh vergrößertem Maßstab zur Veranschaulichung Transistorentechnik sind Methoden geläufig, die Akti-borrowed on a larger scale to illustrate transistor technology, methods are common that act
der einzelnen Schritte bei der Herstellung eines Tran- vatormenge so zu bemessen, daß der gewünschteof the individual steps in the manufacture of a transformer quantity so that the desired
sistors, , Unterschied in der elektrischen Leitfähigkeit herge-sistors,, difference in electrical conductivity
Fig. 5 einen etwas vergrößerten Querschnitt durch stellt wird,Fig. 5 is a somewhat enlarged cross-section through,
den fertigen Transistor und 45 Der Stützkörper 18 erhält auf seinen beiden Flach-the finished transistor and 45 the support body 18 receives on its two flat
Fig. 6 eine Ansicht nach Linie 6-6 in Fig. 5. seiten 19 und 22 je eine Schicht aus mit AntimonFig. 6 is a view along line 6-6 in Fig. 5. Pages 19 and 22 each have a layer of antimony
Das Verfahren eignet sich besonders zur Herstellung aktiviertem Gold. Davon dient die eine Schicht 21The process is particularly suitable for the production of activated gold. One layer 21 of this is used
einer Vielzahl von Kristalloden unter Verwendung später zum Anschluß einer Leitung an die Basis desa plurality of crystal electrodes to be used later to connect a lead to the base of the
eines einzigen Halbleiterplättchens. Dieser Fall ist fertiggestellten Transistors. Mit der anderen Schichta single semiconductor die. This case is completed transistor. With the other layer
in der Zeichnung dargestellt, und zwar handelt es sich 5° wird der Stützkörper gemäß Fig. 2 auf die mit derShown in the drawing, namely it is 5 °, the support body according to FIG
in dem gewählten Beispiel um die Herstellung einer aktivierten Goldschicht 14 überzogene Fläche 15 desin the selected example to the production of an activated gold layer 14 coated surface 15 of the
Vielzahl von Transistoren. Plättchens 10 aufgelegt. Das Ganze wird hierauf imVariety of transistors. Plate 10 placed. The whole thing is then in
Gemäß Fig. 1 sind auf einem Siliciumplättchen 10 Vakuum auf eine Temperatur oberhalb des Schmelzvcm η-Typ, von dem nur ein Teil in der Zeichnung punktes des Gold-Silicium-Eutektikums gebracht, die sichtbar ist, eine Vielzahl von Siliciumkörpern 11 vom 55 im vorliegenden Beispiel in der Größenordnung von p-Typ angebracht. Die Körper 11 bilden die Kollek- 700° C liegt. Ein kleiner Druck auf die Fläche 22 des toren der herzustellenden Transistoren. Das Silicium- Stützkörpers 18 genügt dann, um die Fläche 15 des plättchen 10 hat Kreisform und beispielsweise einen Plättchens 10 und die Fläche 19 des Stützkörpers 18 Durchmesser von 25 mm und eine Dicke von 0,38 mm. mittels der dazwischenliegenden, aktivierten Schicht So dünne Siliciumplättchen sind mechanisch nicht ge- 60 aus eutektischer Silicium-Gold-Legierung zu vernügend fest, um während der einzelnen Schritte der schweißen. Die miteinander vereinigten Körper wer-Fertigung leicht und bequem gehandhabt zu werden. den sodann nach einem gesteuerten Temperatur-Aus dem Plättchen 10 sollen vierzig Transistorsysteme programm abgekühlt, um der Möglichkeit vorzubeuhergestellt werden, von denen drei wiedergegeben gen, daß durch thermische Spannungen Risse entsind. Die Systeme sind im Grundriß quadratisch und 55 stehen.According to Fig. 1 10 vacuum to a temperature above the Schmelzvcm η-type, of which only a part in the drawing point of the gold-silicon eutectic, which is visible, a plurality of silicon bodies 11 of 55 in the present are on a silicon wafer 10 vacuum Example attached on the order of p-type. The bodies 11 form the collector 700 ° C. A small pressure on the surface 22 of the gate of the transistors to be manufactured. The silicon support body 18 is then sufficient to make the surface 15 of the plate 10 has a circular shape and, for example, a plate 10 and the surface 19 of the support body 18 diameter of 25 mm and a thickness of 0.38 mm. by means of the activated layer in between. Such thin silicon wafers are not mechanically made from eutectic silicon-gold alloy too strong enough to be welded during the individual steps. The unified bodies were made to be handled easily and conveniently. Forty transistor systems are then to be cooled down according to a controlled temperature-off of the plate 10 in order to be able to be prepared in advance, three of which are reproduced, that cracks develop due to thermal stresses. The systems are square in plan and 5 5 are standing.
haben eine Kantenlänge von etwa 3 mm. Zu diesem Das Ergebnis dieser Schritte ist eine einzigehave an edge length of about 3 mm. To this the result of these steps is a single one
Zweck werden in gleichmäßigen Abständen vierzig Siliciumplatte von 0,76 mm Dicke. Die untere FlächeThe purpose is forty evenly spaced silicon plates 0.76 mm thick. The lower face
Kollektoren 11 von 1,15 mm Durchmesser in Mitten- 23 wird hierauf durch Läppen bearbeitet, bis gemäßCollectors 11 with a diameter of 1.15 mm in the middle 23 are then machined by lapping until shown in FIG
abständen von 3,5 mm mit der Oberfläche des SiIi- Fig. 3 die Dicke des Plättchens 10 auf das Maß her-spacings of 3.5 mm with the surface of the SiIi- Fig. 3, the thickness of the plate 10 to the measure.
ciumplättchens in geeigneter Weise \rerbunden. Zum 70 abgesetzt ist, das für die Basis der herzustellendenciumplättchens erbunden suitably \ r. For the 70 is discontinued, that for the base of the to be manufactured
Kristallode erwünscht ist. Im vorliegenden Beispiel, wo es sich um die Herstellung einer Vielzahl von p-n-p-Flächen-Transistoren handelt, wird die Fläche 23 so lange geläppt, bis der Abstand zwischen den Flächen 15 und 23 etwa 0,13 mm beträgt. Die Gesamtdicke des Plättchens 10 mit dem Stützkörper 18 beträgt dann etwa 0,5 mm. Diese Dicke liefert genügend mechanische Festigkeit für bequeme Handhabung in den übrigen Arbeitsgängen.Crystallode is desirable. In the present example, where it involves the manufacture of a variety of p-n-p-area transistors, the area 23 is lapped until the distance between the Areas 15 and 23 is about 0.13 mm. The total thickness of the plate 10 with the support body 18 is then about 0.5 mm. This thickness provides enough mechanical strength for convenient handling in the remaining operations.
Die einzelnen Kristallsysteme werden durch Kristallbereiche 24 vom p-Typ zu Transistoren vervollständigt. Die Bereiche 24 bilden die Emitter und werden konzentrisch zu den Kollektoren vom p-Typ auf das Plättchen 10 aufgebracht. Die Emitter 24 haben etwa 0,38 mm Durchmesser und werden in gleichmäßigen Mittenabständen von 3,5 mm angeordnet. The individual crystal systems are completed by crystal regions 24 of the p-type to form transistors. The regions 24 form the emitters and become concentric with the p-type collectors applied to the plate 10. The emitters 24 are approximately 0.38 mm in diameter and are in evenly spaced between centers of 3.5 mm.
Auf diese Weise sind gemäß Fig. 4 vierzig p-n-p-Flächen-Transistocen mit einer einzigen SiIiciumplatte als Ausgangskörper hergestellt worden, und zwar mit einer die mechanische Festigkeit bestimmenden Plattendicke von 0,5 mm. Die einzelnen Transistoren können nun gemäß Fig. 4 durch Schnitte voneinander getrennt werden. Da der Schnittverlust etwa 0,25 mm beträgt, hat das in Fig. 5 und 6 gezeigte fertige Transistorsystem 25 etwa 3,2 mm Seitenlänge.In this way, as shown in FIG. 4, there are forty p-n-p-face transistorocs with a single silicon plate been produced as a starting body, with a mechanical strength determining Plate thickness of 0.5 mm. The individual transistors can now be shown in FIG. 4 by sections separated from each other. Since the cutting loss is about 0.25 mm, that shown in Figs finished transistor system 25 about 3.2 mm side length.
Nach Ätzung und geeigneter Oberflächenbehandlung sind die Transistoren fertig für den Anschluß der Zuleitungen an den Emitter, den Kollektor und die Basis.After etching and suitable surface treatment, the transistors are ready for connection the leads to the emitter, the collector and the base.
Die für die elektrischen Eigenschaften des Transistors maßgebende Dicke der Basis 10, also' der Abstand zwischen den p-n-Flächen 26 und 27 des Kollektors und des Emitters, beträgt in dem beschriebenen Beispiel etwa 0,025 mm. Der mit dem Basisbereich leitend verbundene Stützkörper 18 macht die Handhabung einfach und gestattet die Herstellung einer Vielzahl von Transistoren ohne die Notwendigkeit, iedes einzelne System auszuhöhlen. Die Verwendung von Silicium als Werkstoff für den Stützkörper ergibt gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten an allen Stellen, so daß thermische Dehnung und Zusammenziehung nicht zur Trennung der leitend miteinander verbundenen Flächen führen. Aus dem gleichen Grunde gestaltet sich die Aufteilung in einzelne Transistoren bequem und einfach. Denn das Material der Stützkörper kann auf dieselbe Art geschnitten werden wie das Halbleiterplättchen, und besondere Schnittprobleme treten daher nicht auf. Endlich geht aus diesem Grunde auch die Atzung ohne Schwierigkeiten vor sich, wie das Ätzmittel nicht verunreinigt werden kann.The one for the electrical properties of the transistor decisive thickness of the base 10, that is to say 'the distance between the p-n surfaces 26 and 27 of the collector and the emitter is about 0.025 mm in the example described. The one with the base area Conductively connected support body 18 makes handling easy and allows the production of a Multiple transistors without the need to hollow out each individual system. The usage of silicon as the material for the support body results in the same coefficient of thermal expansion all places so that thermal expansion and contraction do not separate the conductive from each other lead connected surfaces. The division into individual transistors is designed for the same reason convenient and easy. Because the material of the support body can be cut in the same way like the semiconductor wafer, and special cutting problems therefore do not arise. Finally go out of this Basically, the etching without any difficulty, as the etchant is not contaminated can.
Das Verfahren nach der Erfindung kann überall dort mit Vorteil verwendet werden, wo eine Basis verlangt wird, deren Dicke kleiner ist, als in Hinblick auf die mechanische Festigkeit tragbar wäre, beispielsweise zur Herstellung von. Dioden, wie Leistungsgleichrichter und Photozellen, mit einer Dicke der Halbleiterschicht zwischen der p-n-Fläche und dem Anschluß von 0,075 bis 0,13 mm. Soll eine Vielzahl solcher Dioden aus einem einzigen Halbleiterplättchen gefertigt werden, so kann die beschriebene Methode mit der Abänderung benutzt werden, daß nach dem Läppen des Plättchens elektrische Anschlüsse an der geläppten Fläche gegenüber der p-n-Fläche 26 hergestellt werden.The method according to the invention can be used with advantage wherever a base is required whose thickness is smaller than would be acceptable in terms of mechanical strength, for example for production of. Diodes, such as power rectifiers and photocells, with a thickness of Semiconductor layer between the p-n area and the terminal from 0.075 to 0.13 mm. Should a multitude Such diodes are made from a single semiconductor wafer, so the described Method can be used with the modification that electrical connections are made after lapping the wafer on the lapped face opposite the p-n face 26.
Im übrigen ist das Verfahren auch zur Herstellung einzelner Halbleiterkristalloden geeignet.The method is also suitable for the production of individual semiconductor crystal lodes.
Claims (8)
Deutsche Patentanmeldung N 8831 VIIIc/21g (bekanntgemacht am 24. März 1955);Considered publications:
German patent application N 8831 VIIIc / 21g (published March 24, 1955);
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL99599C (en) | 1900-01-01 |
| BE546546A (en) | 1900-01-01 |
| NL203694A (en) | 1900-01-01 |
| CH335366A (en) | 1958-12-31 |
| GB807728A (en) | 1959-01-21 |
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