DE10309502B4

DE10309502B4 - Verfahren zur Herstellung einer Lothügelstruktur und Lothügelstruktur

Info

Publication number: DE10309502B4
Application number: DE10309502A
Authority: DE
Inventors: Se-yong Hwasung Oh; Nam-seog Cheonan Kim
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2003-01-10
Filing date: 2003-02-26
Publication date: 2009-01-02
Anticipated expiration: 2023-02-27
Also published as: TW200412635A; JP2004221524A; US20040134974A1; DE10309502A1; US20050208751A1; KR100509318B1; KR20040064578A; TWI237859B; US6959856B2

Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Lothügels mit folgenden Schritten:
– Aufbringen einer Zwischenschicht (606, 607) über einer Kontaktstelle (602),
– Bilden eines Photoresists (615) über einer Oberfläche der Zwischenschicht,
– Strukturieren des Photoresists, um wenigstens eine Öffnung (616) zu definieren, welche die Oberfläche der Zwischenschicht teilweise freilegt,
– Füllen der wenigstens einen Öffnung des Photoresists mit einem Metall (611) bis zu einer ersten Tiefe,
– Füllen der wenigstens einen Öffnung des Photoresists mit einem Lotmaterial (605) bis zu einer zweiten Tiefe derart, dass das Lotmaterial auf dem Metall innerhalb jeder der wenigstens einen Öffnung gestapelt wird,
– Entfernen des Photoresists, um das Metall und das Lotmaterial freizulegen, wobei das Metall und das Lotmaterial wenigstens einen Vorsprung bilden, der sich von der Oberfläche der Zwischenschicht nach oben erstreckt,
– Entfernen der Zwischenschicht über der Kontaktstelle in einem von dem wenigstens einen Vorsprung freigelassenen Bereich,...

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Lothügelstruktur, insbesondere für eine Halbleiterpackung, sowie auf eine Lothügelstruktur
Mit der Entwicklung von integrierten Schaltkreisen (ICs) zu höheren Geschwindigkeiten und einer höheren Anzahl an Anschlüssen nähern sich Zwischenverbindungstechniken der ersten Ebene, die Drahtbondtechnologien verwenden, ihren Grenzen oder haben sie erreicht. Neue, verbesserte Technologien zur Erzielung von Drahtbondstrukturen mit feinem Rastermaß können mit der Forderung nicht Schritt halten, die aus erhöhten IC-Chip-Prozessgeschwindigkeiten und höheren Anzahlen von IC-Chip-Anschlüssen resultiert. Somit besteht der momentane Trend darin, Drahtbondstrukturen durch andere Packungsstrukturen zu ersetzen, wie Flip-Chip-Packungen und Waferebenenpackungen (WLP).
Flip-Chip-Packungen und WLP-Strukturen sind teilweise charakterisiert durch die Bereitstellung von Lothügeln, die Zwischenverbindungsanschlüsse des IC-Chips verbinden. Wenn nicht anders spezifiziert, soll der Ausdruck "Lothügel" hierin ebenso "Lotkugeln" einschließen. Die Bauelementzuverlässigkeit ist somit stark von der Struktur und dem Material jedes Lothügels und seiner Effektivität als elektrische Zwischenverbindung abhängig.
Eine herkömmliche Lothügelstruktur wird unter Bezugnahme auf die 1 und 2 beschrieben, wo entsprechende Elemente durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind. 1 zeigt den Zustand einer Flip-Chip-Packung vor dem Anbringen auf einem Leiterplatten(PCB)-Substrat, und 2 zeigt die auf dem PCB-Substrat angebrachte Flip-Chip-Packung.
In den 1 und 2 ist ein integrierter Schaltkreischip (IC) 1 mit einer Chipkontaktstelle 2 ausgerüstet, die typischerweise aus Aluminium gebildet ist. Eine Öffnung ist in einer oder mehreren Passivierungsschichten 3 und 4 definiert, die eine Oberfläche der Chipkontaktstelle 2 freilegen. Zwischen einem Lothügel 5 und der Chipkontaktstelle 2 sind eine oder mehrere Unterlothügel-Metallurgieschichten 6 und 7 eingefügt.
Die UBM-Schichten 6 und 7 wirken dahingehend, den Kontakthügel 5 zuverlässig an der Chipkontaktstelle 2 zu befestigen und eine Absorption von Feuchtigkeit in die Chipkontaktstelle 2 und den IC-Chip 1 zu verhindern. Typischerweise wirkt die erste UBM-Schicht 6 als Haftschicht und wird durch Sputtern von Cr, Ti oder TiW aufgebracht. Außerdem wirkt die zweite UBM-Schicht 7 typischerweise als Benetzungsschicht und wird durch Sputtern von Cu, Ni oder NiV aufgebracht. Optional kann auch eine dritte Oxidationsschutzschicht aus Au aufgebracht werden.
Bezugnehmend auf 2 wird der Lothügel 5 an einer PCB-Kontaktstelle 8 eines PCB-Substrats 9 angebracht.
Mechanische Beanspruchungen des Lothügels 5 sind eine Quelle struktureller Veränderungen, welche die Zuverlässigkeit des Bauelements wesentlich beeinträchtigen können. Das heißt, wenn sich der Chip während der Verwendung erwärmt, dehnen sich sowohl der Chip als auch die PCB in der Abmessung aus. Umgekehrt ziehen sich sowohl der Chip als auch das PCB-Substrat in der Abmessung zusammen, wenn sich der Chip während einer Stillstandsphase abkühlt. Der Chip und das PCB-Substrat weisen nicht angepasste thermische Ausdehnungskoeffizienten auf und dehnen sich daher mit verschiedenen Raten aus und ziehen sich mit verschiedenen Raten zusammen, und setzen somit den zwischenliegenden Lothügel mechanischen Beanspruchungen aus. 3 stellt eine Anzahl von Beispielen dar, in denen Beanspruchungen verursacht haben, dass sich Risse in den Lothügeln bilden. In dieser Figur bezeichnet das Bezugszeichen 2 eine Chipkontaktstelle, das Bezugszeichen 5 bezeichnet den Lothügel, das Bezugszeichen 8 bezeichnet die PCB-Kontaktstelle und das Bezugszeichen 10 bezeichnet einen Riss oder Sprung. Je größer der Riss ist, desto mehr wird die Zwischenverbindung beeinträchtigt und es können Ausfälle des Bauelements auftreten, wenn sich die Risse durch die gesamte Lothügelstruktur hindurch ausbreiten.
Aus den Offenlegungsschriften DE 101 22 942 A1 , JP 2000-164 617 A und JP 07-142 488 A sind Lothügelstrukturen bekannt, bei denen über einer Zwischenschicht, die sich auf einer Kontaktstelle befindet, ein einzelner, säulenförmiger Metallvorsprung gebildet ist, der in einem darauf gebildeten Lothügel eingebettet ist. Zur Herstellung wird zuerst eine Metallstruktur mit dem säulenförmigen Metallvorsprung gebildet und dann darüber ein Tropfen geschmolzenen Lotsaufgebracht.
In der nachveröffentlichten Offenlegungsschrift DE 101 57 205 A1 ist die Bildung eines Kontakthöckers mit profilierter Oberflächenstruktur beschrieben, wobei der Kontakthöcker z. B. mehrere säulenförmige Metallvorsprünge beinhaltet. Durch die Profilierung soll die Aufnahme von Lotpasten oder Klebstoffen beim Dippen des Kontakthöckers in ein entsprechendes Reservoir verbessert werden.
In der Offenlegungsschrift JP 05-259 166 A ist die Bildung eines Dendrit-Kontakthügels beschrieben, der eine von einer Elektrodenschicht vorstehende, metallische Dendrit-Struktur und ein elektrisch nichtleitendes Harzmaterial umfasst, welches die Zwischenräume zwischen den verschiedenen Zweigen der metallischen Dendrit-Struktur ausfüllt. Die elektrisch leitende Verbindung erfolgt dann von der metallischen Dendrit-Struktur zu einer gegenüberliegenden planen Elektrodenkontaktstelle über ein zwischengefügtes, elektrisch leitendes, aushärtbares Harzmaterial.
Aus den Patentschriften US 5 185 073 A und US 5 759 046 A ist es bekannt, profilierte Kontaktstellen mit Hilfe von Dendrit-Strukturen zu bilden, wofür verschiedene Metallmaterialien vorgeschlagen werden. Die dendritischen Kontaktstellenprofile dienen zur elektrischen Kontaktierung mit einem gegenüberliegenden Lothügel.
In der Offenlegungsschrift JP 09-205 096 A ist eine Lothügelstruktur beschrieben, die auf einer Elektrodenkontaktstelle eine metallische Schicht und eine von dieser vorstehende Elektrode sowie einen diesen Aufbau einbettenden Lothügel umfasst. Die vorstehende Elektrode besteht aus einem Lotmaterial, das einen höheren Schmelzpunkt besitzt als das Lotmaterial des umgebenden Lothügels.
Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung einer Lothügelstruktur mit verbessertem Aufbau, der die Ausbreitung von Rissen oder Sprüngen in der Lotstruktur vermindert, und eines zugehörigen Herstellungsverfahrens zugrunde.
Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung einer Lothügelstruktur mit den Merkmalen des Anspruchs 9 sowie eines zugehörigen Herstellungsverfahrens mit den Merkmalen des Anspruchs 1.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung und zu deren besserem Verständnis dienende herkömmliche Ausführungsbeispiele werden vorliegend näher erläutert und sind in den Zeichnungen dargestellt, in denen zeigen:
1 eine herkömmliche Flip-Chip-Struktur vor der Anbringung auf einem Leiterplattensubstrat,
2 eine herkömmliche Flip-Chip-Struktur nach dem Anbringen auf einem Leiterplattensubstrat,
3 Photographien herkömmlicher Strukturen, in denen sich Sprünge innerhalb von Lothügeln derselben gebildet haben,
4a eine Querschnittansicht einer nicht erfindungsgemäßen Lothügelstruktur,
4b eine Querschnittansicht entlang der Linie I-I' von 4a,
5a bis 5i Querschnittansichten zur Veranschaulichung eines nicht erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer Lothügelstruktur und
6a bis 6g Querschnittansichten zur Veranschaulichung eines Verfahrens zur Herstellung einer Lothügelstruktur gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
Die Erfindung ist wenigstens teilweise charakterisiert durch den Einschluss von einem oder mehreren Metallvorsprüngen innerhalb des Lothügelmaterials, um ein Hindernis zu bilden, das die Ausbreitung eines Risses innerhalb des Lothügelmaterials erschwert. Wenngleich die Metallvorsprünge jede beliebige Anzahl von Formen annehmen können, wird die Erfindung nachstehend unter Bezugnahme auf eine bevorzugte Ausführungsform beschrieben, wobei zum besseren Verständnis auch auf nicht erfindungsgemäße Beispiele eingegangen wird.
4a ist eine Querschnittansicht einer nicht erfindungsmäßen Lothügelstruktur und 4b eine Querschnittansicht entlang der Linie I-I' von 4a. Die Lothügelstruktur beinhaltet eine Kontaktstelle 402 eines elektronischen Bauelements, wie eines IC-Chips 401. Der IC-Chip 401 ist vorzugsweise in einer Flip-Chip-Packung oder einer Waferebenenpackung enthalten. Eine Öffnung ist in einer oder mehreren Passivierungsschichten 403 und 404 definiert, die eine Oberfläche der Chipkontaktstelle 402 freilegt. Zwischen einem Lothügel 405 und der Chipkontaktstelle 402 sind eine oder mehrere Zwischenschichten 406 und 407 eingefügt. Die Zwischenschichten 406 und 407 können Unterlothügel-Metallurgie(UBM)-Schichten sein. Die Schicht 406 kann zum Beispiel eine aus Cr, Ti oder TiW bestehende UBM-Haftschicht sein, und die Schicht 407 kann eine aus Cu, Ni oder NiV bestehende Benetzungsschicht sein. Außerdem kann eine zusätzliche Oxidationsschutzschicht aus Au vorgesehen sein.
Der Lothügel 405 befindet sich über der Zwischenschicht 407. Ein Beispiel für die Abmessungen des Lothügels ist 100 μm × 100 μm, und Beispiele für ein Material, aus dem der Lothügel besteht, beinhalten Sn, Pb, Ni, Au, Ag, Cu, Bi und deren Legierungen. Außerdem erstreckt sich wenigstens ein Metallvorsprung 411 von einer Oberfläche der Zwischen schicht 407 nach oben und ist innerhalb des Lothügels 405 eingebettet. In dieser Ausführungsform erstreckt sich, wie in den 4a und 4b gezeigt, eine Mehrzahl von Metallvorsprüngen 411 von der Oberfläche der Zwischenschicht 407 nach oben und ist innerhalb des Lothügels 405 eingebettet. Aufgrund des Aufschmelzens des Lotmaterials während der Fertigung ist der Schmelzpunkt des Materials des Lothügels 405 vorzugsweise niedriger als der Schmelzpunkt der Metallvorsprünge 411. Ein Beispiel der Breite jedes Vorsprungs 411 ist etwa 5 μm bis 70 μm, und Beispiele für das Material, aus dem die Metallvorsprünge 411 bestehen, umfassen Ni, Cu, Pd, Pt und Legierungen derselben.
Wie am besten in 4b gezeigt, definiert ein Querschnitt der Mehrzahl von Vorsprüngen 411 eine regelmäßige Gitterstruktur in einer Ebene parallel zu der Kontaktstelle 402. Im Allgemeinen tendiert jeglicher Riss in dem Lothügel dazu, sich horizontal durch das Kontakthügelmaterial hindurch auszubreiten, und demgemäß wirkt die regelmäßige Gitterstruktur aus Metallvorsprüngen 411 als Hindernis für die Ausbreitung eines Risses. Diese Hindernisse haben den Effekt, dass sie die Rissbeständigkeit erhöhen und des Weiteren den Ausbreitungspfad eines jeglichen Risses verlängern, wenn er durch das Lothügelmaterial hindurch wandert, wodurch die Wahrscheinlichkeit für einen Bauelementausfall verringert wird.
Viele weitere Strukturen von Metallvorsprüngen 411, sowohl regelmäßige als auch unregelmäßige, können angewandt werden, wie versetzte parallele Reihen von Vorsprüngen oder konzentrische Sätze von Strukturen. Außerdem können die einzelnen Vorsprünge 411 Querschnitte aufweisen, die sich von den im Allgemeinen quadratischen Querschnitten von 4b unterscheiden, wie elliptische Querschnitte, polygonale Querschnitte und Kombinationen derselben. Überdies kann ein einzelner, zusammenhängender Vorsprung zum Beispiel in der Form einer spiralförmigen oder Zickzack-Struktur vorgesehen sein. Schließlich ist die Erfindung nicht auf die säulenförmigen Vorsprünge 411 mit vertikalen Seitenwänden beschränkt, wie in 4a dargestellt. Zum Beispiel können stattdessen Vorsprünge mit schrägen oder eingekerbten Seitenwänden gebildet werden. Außerdem können Vorsprünge mit nicht regelmäßigen geometrischen Formen vorgesehen sein, wie die in einer späteren Ausführungsform beschriebenen Dendrit-Strukturen.
Ein nicht erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung einer Lothügelstruktur wird nunmehr unter Bezugnahme auf die 5a bis 5i beschrieben. In 5a ist eine Öffnung in einer oder mehreren Passivierungsschichten 503 und 504 definiert, die eine Oberfläche einer Chipkontaktstelle 502 freilegt, die typischerweise aus Aluminium besteht. Wenigstens eine Zwischenschicht 506 und 507 ist über den Passivierungsschichten 503 und 504 und über der freigelegten Oberfläche der Chipkontaktstelle 502 ausgebildet. Die Zwischenschichten 506 und 507 können Unterlothügel-Metallurgie(UBM)-Schichten sein. Die Schicht 506 kann zum Beispiel eine aus Cr, Ti oder TiW bestehende UBM-Haftschicht sein, und die Schicht 507 kann eine aus Cu, Ni oder NiV bestehende Benetzungsschicht sein. Außerdem kann auch eine zusätzliche Oxidationsschutzschicht aus Au vorgesehen sein.
Als nächstes wird in 5b ein Photoresist 515 über der Zwischenschicht 507 strukturiert, um so einen oder mehrere Oberflächenbereiche der Zwischenschicht 507 freizulegen. In dieser Ausführungsform hat eine Mehrzahl von Öffnungen 516 in dem Photoresist 515 einen Querschnitt, der eine Gitterstruktur in einer Ebene parallel zu der Kontaktstelle definiert.
Dann wird in 5c ein Metall 511 aufgebracht, zum Beispiel durch Elektroplattieren, um so die Öffnungen bis zu einer gegebenen Höhe zu füllen. Beispiele für das Metall 511 umfassen Ni, Cu, Pd, Pt und Legierungen derselben. Der Photoresist 515 wird dann entfernt, wobei die resultierende Struktur eine Mehrzahl von Metallvorsprüngen 511 aufweist, die sich von der Oberfläche der Zwischenschicht 507 nach oben erstrecken, wie in 5d gezeigt.
Als nächstes wird, wie in 5e gezeigt, ein weiterer Photoresist 517 strukturiert, der eine Öffnung 518 aufweist, welche die Zwischenschicht 507 und die Metallvorsprünge 511 freilegt. Die Öffnung 518 definiert einen Lothügelbereich. Dann wird in 5f ein Lötmaterial 505 aufgebracht, um so die Öffnungen 518 bis zu einer gegebenen Höhe zu füllen. Beispiele für das Lotmaterial 505 umfassen Sn, Pb, Ni, Au, Ag, Cu, Bi und Legierungen derselben. Der Photoresist 517 wird dann entfernt, wobei die resultierende Struktur die Mehrzahl von Metallvorsprüngen 511 aufweist, die sich von der Oberfläche der Zwischenschicht 507 nach oben erstrecken und in dem Lotmaterial 505 eingebettet sind, wie in 5g gezeigt.
Dann wird in 5h unter Verwendung des Lotmaterials 505 als Maske ein Ätzprozess zwecks Entfernung der Zwischenschichten (UBM) 506 und 507 außerhalb eines Bereichs der Lothügelstruktur durchgeführt. Dieser Ätzvorgang wird in dem Fall ausgeführt, in dem sich die UBM-Schichten kontinuierlich zwischen benachbarten Lothügeln erstrecken. Schließlich wird in 5i das Lothügelmaterial 505 auf oder über seinen Schmelzpunkt erwärmt, so dass das Lothügelmaterial 505 in eine kugelförmige Konfiguration aufgeschmolzen wird.
Nunmehr wird ein Verfahren zur Herstellung einer Lothügelstruktur gemäß einer Ausführungsform der Erfindung unter Bezugnahme auf die 6a bis 6g beschrieben. In 6a wird eine Öffnung in einer oder mehreren Passivierungsschichten 603 und 604 definiert, die eine Oberfläche einer Chipkontaktstelle 602 freilegt, die typischerweise aus Aluminium besteht. Wenigstens eine Zwischenschicht 606 und 607 wird über den Passivierungsschichten 603 und 604 und über der freigelegten Oberfläche der Chipkontaktstelle 602 gebildet. Die Zwischenschichten 606 und 607 können Unterlothügel-Metallurgie(UBM)-Schichten sein. Die Schicht 606 kann zum Beispiel eine aus Cr, Ti oder TiW bestehende UBM-Haftschicht sein, und die Schicht 607 kann eine aus Cu, Ni oder NiV bestehende Benetzungsschicht sein. Außerdem kann auch eine zusätzliche Oxidationsschutzschicht aus Au vorgesehen sein.
Als nächstes wird in 6b ein Photoresist 615 über der Zwischenschicht 607 strukturiert, um so einen oder mehrere Oberflächenbereiche der Zwischenschicht freizulegen. In dieser Ausführungsform weist eine Mehrzahl von Öffnungen 616 in dem Photoresist 615 einen Querschnitt auf, der eine Gitterstruktur in einer Ebene parallel zu der Kontaktstelle definiert.
Dann wird in 6c ein Metall 611 aufgebracht, zum Beispiel durch Elektroplattieren, um so die Öffnungen bis zu einer gegebenen Höhe zu füllen. Beispiele für das Metall 611 umfassen Ni, Cu, Pd, Pt und Legierungen derselben.
Als nächstes wird in 6d ein Lothügelmaterial 605 aufgebracht, um so die Öffnungen 616 in dem Photoresist zu füllen. Beispiele für das Lotmaterial 605 umfassen Sn, Pb, Ni, Au, Ag, Cu, Bi und Legierungen derselben. Der Photoresist 617 wird dann entfernt, wobei die resultierende Struktur eine Mehrzahl gestapelter Strukturen aufweist, wobei jede der gestapelten Strukturen einen Metallvorsprung 611 und einen Teil des Lothügelmaterials 605 beinhaltet, wie in 6e gezeigt.
Dann wird in 6f unter Verwendung des Lothügelmaterials 605 und der Metallvorsprünge 611 als Maske ein Ätzprozess zwecks Entfernung der (UBM-)Zwischenschichten 606 und 607 außerhalb des Lothügelbereichs und zwischen den gestapelten Strukturen des Lothügelmaterials 605 und der Metallvorsprünge 611 durchgeführt. Dieser Ätzvorgang wird in dem Fall ausgeführt, in dem sich die UBM-Schichten kontinuierlich zwischen benachbarten Lothügeln erstrecken. Schließlich wird in 6g das Lothügelmaterial 605 auf oder über seinen Schmelzpunkt erwärmt, so dass das Lothügelmaterial 605 in eine kugelförmige Konfiguration aufgeschmolzen wird.

Claims

Verfahren zur Herstellung eines Lothügels mit folgenden Schritten: – Aufbringen einer Zwischenschicht (606, 607) über einer Kontaktstelle (602), – Bilden eines Photoresists (615) über einer Oberfläche der Zwischenschicht, – Strukturieren des Photoresists, um wenigstens eine Öffnung (616) zu definieren, welche die Oberfläche der Zwischenschicht teilweise freilegt, – Füllen der wenigstens einen Öffnung des Photoresists mit einem Metall (611) bis zu einer ersten Tiefe, – Füllen der wenigstens einen Öffnung des Photoresists mit einem Lotmaterial (605) bis zu einer zweiten Tiefe derart, dass das Lotmaterial auf dem Metall innerhalb jeder der wenigstens einen Öffnung gestapelt wird, – Entfernen des Photoresists, um das Metall und das Lotmaterial freizulegen, wobei das Metall und das Lotmaterial wenigstens einen Vorsprung bilden, der sich von der Oberfläche der Zwischenschicht nach oben erstreckt, – Entfernen der Zwischenschicht über der Kontaktstelle in einem von dem wenigstens einen Vorsprung freigelassenen Bereich, – um die Kontaktstelle in diesem Bereich freizulegen, und – Aufschmelzen des Lotmaterials, um einen Lothügel mit dem darin eingebetteten Metall zu bilden.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Photoresist eine Mehrzahl von Öffnungen definiert und das Metall und das Lotmaterial eine entsprechende Mehrzahl von Vorsprüngen definiert, wenn der Photoresist entfernt wird.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein Querschnitt der Mehrzahl von Öffnungen in dem Photoresist in einer Ebene parallel zu der Kontaktstelle eine Gitterstruktur definiert.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Teil der Metallvorsprünge als eine säulenförmige Struktur mit einem in einer Ebene parallel zu der Kontaktstelle elliptischen oder polygonalen Querschnitt gebildet wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht eine Unterlothügel-Metallurgie (UBM) ist, die eine über der Kontaktstelle ausgebildete Metallhaftschicht und eine über der Metallhaftschicht ausgebildete Metallbenetzungsschicht umfasst.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die UBM des Weiteren eine über der Metallbenetzungsschicht ausgebildete Metalloxidations-Schutzschicht umfasst.
Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Metall aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Ni, Cu, Pd, Pt und Legierungen derselben besteht.
Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Lotmaterial aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Sn, Pb, Ni, Au, Ag, Cu, Bi und Legierungen derselben besteht.
Lothügelstruktur mit folgenden Merkmalen: – einer Kontaktstelle (602), – einer Zwischenschicht (606, 607), die sich über der Kontaktstelle befindet und eine Mehrzahl von die Kontaktstelle freilegenden Öffnungen aufweist, – einem Lothügel (605), der sich über der Zwischenschicht befindet und sich mit Berührkontakt zur Kontaktstelle in den Öffnungen der Zwischenschicht erstreckt, und – einer Mehrzahl von Metallvorsprüngen (611), die sich von einer Oberfläche der Zwischenschicht nach oben erstrecken und in dem Lothügel eingebettet sind.
Lothügelstruktur nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallvorsprünge ein Metall beinhalten, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ni, Cu, Pd, Pt und Legierungen derselben besteht.
Lothügelstruktur nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Material des Lothügels aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Sn, Pb, Ni, Au, Ag, Cu, Bi und Legierungen derselben besteht.
Lothügelstruktur nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Schmelzpunkt eines Materials des Lothügels niedriger als der Schmelzpunkt des Materials der Metallvorsprünge ist.
Lothügelstruktur nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Kontaktstelle auf einem Halbleiterchip befindet, der in einer Flip-Chip-Packung oder einer Waferebenenpackung enthalten ist.