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DE10300746B4 - Nichtflüchtiges Speicherelement und Anzeigematrizen sowie deren Anwendung - Google Patents

Nichtflüchtiges Speicherelement und Anzeigematrizen sowie deren Anwendung Download PDF

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DE10300746B4
DE10300746B4 DE10300746A DE10300746A DE10300746B4 DE 10300746 B4 DE10300746 B4 DE 10300746B4 DE 10300746 A DE10300746 A DE 10300746A DE 10300746 A DE10300746 A DE 10300746A DE 10300746 B4 DE10300746 B4 DE 10300746B4
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Abstract

Nichtflüchtiges Speicherelement auf der Basis eines Feldeffekttransistors aufweisend: ein Substrat (1);
eine Source (4), ein Drain (3) und eine zwischen Source (4) und Drain (3) gebildete organische Halbleiter-Aktivschicht (2);
wobei Source (4), Drain (3) und Halbleiter-Aktivschicht (2) auf dem Substrat (1) angeordnet sind,
eine auf der organischen Halbleiter-Aktivschicht (2) gebildete ferroelektrische Gate-Isolatorschicht (5) aus einem organischen Polymer; und
ein auf der ferroelektrischen Gate-Isolatorschicht (5) gebildetes Gate (6).

Description

  • ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
  • Beschreibung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein nichtflüchtiges Speicherelement und dessen Anwendung in Anzeigematrizen und insbesondere, ein nichtflüchtiges aktives Speicherelement, welches imstande ist, Informationen in einer Zustandgröße durch entsprechende Spannungspulse nach Abschalten der Versorgungsspannung zu speichern, sowie eine Anzeigematrize daraus.
  • Stand der Technik – eine Beschreibung
  • Elektronische Speicherelemente, die auf der Basis von Siliziumtechnologie und anorganischer Halbleitertechnologie hergestellt werden, bilden nach dem Mikroprozessor den wichtigsten funktionalen Teil jedes Computersystems.
  • Bei den Speicherelementen unterscheidet man zwischen nichtflüchtigen Speicherelementen und flüchtigen Speicherelementen. Zu den Beispielen eines nichtflüchtigen Speicherelements zählen ROM (read only memory), PROM (programmable read only memory), EPROM (erasable programmable read only memory) und EEPROM (electrically erasable programmable read only memory). Das nichtflüchtige Speicherelement übernimmt die Funktion, wesentliche Informationen zum Systemstart, zur Systemkonfiguration sowie zur Identifikation zu speichern. In neuerer Zeit wurde ein ferroelektrischer Speicher (FRAM, ferroelectric random access memory) mit hoher Leistung entwickelt. Dieser Speicher entspricht, hinsichtlich der Funktionalität, dem Konzept eines EEPROM, erlaubt aber kürzere Schreibzeiten. Bei der Herstellung eines FRAM wird ein anorganisches ferroelektrisches Material mit Silizium-Halbleitertechnologie kombiniert.
  • Allgemein bekannt sind organische Halbleiter, die die Integration einfacher elektronischer Schaltungen in flexiblen Substraten erlauben. Hier können elektronische Identifikationselemente auf Polymerbasis über ein Hochfrequenzfeld angesprochen werden und ein vorprogrammierter Identifikationscode kann zurück gesendet werden.
  • Allen Anwendungen von organischen Halbleitern ist gemeinsam, dass Referenzinformationen bezüglich einer Codierung/Identität auf einer flexiblen Schaltung gespeichert werden müssen. Ein nichtflüchtiger Speicher ist ein wesentliches Element einer solchen Anordnung, um das Gewicht einer Schaltung zu reduzieren, weil eine Batterie nicht ständig vorhanden sein muss, um eine Betriebspannung für die Schaltung aufrechtzuerhalten. In diesem Zusammenhang sind Radiofrequenz-Transponder bekannt geworden (C.J. Drury et al, Applied Physics Letters, Vol. 73 (1998), p. 108 ff).
  • Ein nichtflüchtiger Speicher in dem Radiofrequenzumwandler wird leitend gemacht, indem die Oberfläche mit einer Nadel durchstochen wird, um mechanisch programmierbare Kontakte herzustellen. Es wird hier eine sehr einfache, jedoch kaum der Massenproduktion zugängliche Methode der Programmierung angewandt. Zudem kann dem Transponder nach einmaliger Programmierung kein neuer Code mehr zugewiesen werden. Wie oben beschrieben, werden nichtflüchtige Speicherelemente allgemein als „ROM's" bezeichnet.
  • Wiederbeschreibbare Speicherelemente auf der Basis ferroelektrischer Materialien wurden in WO 98/14.989 und USPN 5,860,254 offengelegt. Bei den offengelegten ferroelektrischen Kondensatoren handelt es sich um passive Bauelemente, deren Polarisationszustand unter Änderung der gespeicherten Information abgefragt werden kann.
  • Aktive Speicherelemente auf der Basis von Silizium-Technologie, in denen anorganische ferroelektrische Materialien verwendet werden, sind in US 5,471,417 offenbart. Aktive Speicherelemente auf der Basis von Silizium-Technologie, in denen polymere Ferroelektrische Materialien verwendet werden, sind in Yamamauchi N., „A Metal-Insulator Semiconductor (MIS) Device Using a Ferroelectric Polymer Thin Film in the Gate Insulator" Jpa. J. Appl. Phys. Bd. 25 (1986) 590-594 offenbart. Weitere Speicherelemente mit ferroelektrischen Materialien sind in Velu G. et al. „Low driving voltages and memory effect in organic thin film transistors with a ferroelectric gate insulator", Applied Physics Letters, Bd. 79, Nr. 5, 30 Juli 2001, 659-661 sowie in Katz et al. "Organic field-effect transistors with polarizable gate insulators", Jounal of Applied Physics, 1. Geb. 2002, Bd. 91, Nr. 3, 1572-1576 offenbart.
  • Weiterhin sind aus Dodabalapur A. et al. „Organic smart Pixels", Appl. Phys. Lett., Bd. 73, Nr. 2, 13, Jul. 1998, 142-144; Rogers J.A. et al. „Printing, Molding and Near-Filed Photolithographic Methods for Patterning Organic Lasers, Smart Pixels and Simple Circuits", Synthetic Metals, Bd. 115, 2000, 5-11 sowie Rassau et al. "Smart Pixel implementation of a 2-D parallel nucleic wavelet transform for mobile multimedia communications", Proceedings Design, Automatic and Test in Europe, 23-26 Feb. 1998, 191-195 DOI: 10.1109/DATE.1998.655856 Verfahren und Vorrichtungen zum Speichern und Darstellen von Helligkeitsinformationen mittels einer optisch beschreibbaren Anzeigematrix bekannt.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein nichtflüchtiges Speicherelement zu entwickeln und dessen Anwendung in Anzeigen anzugeben, mit dem die Nachteile des Standes der Technik vermieden werden und welches bei geringem Gewicht, hoher Flexibilität and einfacher Herstellung eine mehrfache Programmierung gewährleistet.
  • Gemäß einem Aspekt offenbart die vorliegende Erfindung ein nichtflüchtiges Speicherelement mit Feldeffekttransistor, aufweisend: ein Substrat; eine Source; ein Drain und eine zwischen Source und Drain gebildete organische Halbleiter-Aktivschicht, wobei Source, Drain und Halbleiter-Aktivschicht auf dem Substrat angeordnet sind; eine auf der organischen Halbleiter-Aktivschicht gebildete ferroelektrische Gate-Isolatorschicht aus einem organischen Polymer; und ein auf der ferroelektrischen Gate-Isolatorschicht gebildetes Gate.
  • Da das nichtflüchtige Speicherelement nach der vorliegenden Erfindung eine ferroelektrische Gate-Isolatorschicht und eine organische Halbleiter-Aktivschicht aufweist, ist es sehr flexibel, hat ein leichtes Gewicht, ist mehrfach programmierbar und kann leicht hergestellt werden.
  • Vorzugsweise weist das Speicherelement weiterhin eine Hilfsisolierschicht auf der organischen Halbleiter-Aktivschicht und/oder auf der ferroelektrischen Gate-Isolatorschicht auf. Vorzugsweise weist das Speicherelement ein zusätzliches Hilfs-Gate auf, wobei das Hilfs-Gate zwischen dem Substrat und der organischen Halbleiter-Aktivschicht angeordnet ist, und wobei eine Hilfsisolierschicht zwischen dem Hilfs-Gate und der organischen Halbleiter-Aktivschicht angeordnet ist.
  • Gemäß einem anderen Aspekt offenbart die vorliegende Erfindung eine elektrisch adressierbare Anzeigematrix aufweisend: mehrere erfindungsgemäße nichtflüchtige Speicherelemente, wobei die erfindungsgemäßen, nichtflüchtigen Speicherelemente an Zeilen und Spalten zusammen mit Anzeigeelementen gekoppelt sind, und wobei jeweils ein nichtflüchtiges Speicherelement jeweils ein Anzeigeelement schaltet.
  • Vorzugsweise enthält jedes Anzeigeelement eine organische Leuchtdiode. Vorzugsweise weisen die Leuchtdioden jeweils einen ersten und einen zweiten elektrischen Anschluss auf, wobei die Source der Speicherelemente mit einer ersten Steuerleitung, das Gate der Speicherelemente mit einer zweiten Steuerleitung, der Drain der Speicherelemente mit dem ersten Anschluss der jeweiligen Leuchtdiode und der zweite Anschluss der Leuchtdiode mit einer Kathodenspannungsversorgung verbunden ist, wobei in einem Schreibzyklus Informationen über die Helligkeit des auf die Leuchtdioden einwirkenden Lichts durch Anlegen eines negativen Potentials sowohl an die erste Steuerleitung als auch an die zweite Steuerleitung, wobei die Kathodenspannungsversorgung auf Masse gehalten wird, gespeichert werden, und in einem Lesezyklus die gespeicherten Informationen mittels der Leuchtdioden durch Anlegen eines positiven Potentials an die erste Steuerleitung und Anlegen eines negativen Potentials an die zweite Steuerleitung, wobei die Kathodenspannungsversorgung auf Masse gehalten wird, angezeigt werden. Vorzugsweise werden die gespeicherten Informationen in einem Löschzyklus durch Anlegen eines positiven Potentials an die zweite Steuerleitung, wobei sowohl die erste Steuerleitung als auch Kathodenspannungsversorgung auf Masse gehalten werden, gelöscht.
  • EINE KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben. Die Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbeispielen von Speicherelementen und Anzeigen anhand von Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1: der schematische Aufbau eines nichtflüchtigen Speicherelements und dessen Schaltbild nach einer Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung;
  • 2: eine alternative Ausgestaltung eines nichtflüchtigen Speicherelements und dessen Schaltbild nach 1.;
  • 3A und 3B: elektrisch adressierbare 3 × 3 Anzeigematrizen nach einer Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung, in denen nichtflüchtige Speicherelemente mit organischen Leuchtdioden (LED's) verbunden sind; und
  • 4A und 4B: optisch beschreibbare 3 × 3 Anzeigematrizen nach einer anderen Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung.
  • EINE NÄHERE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • In den folgenden Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung, basieren ein nichtflüchtiges Speicherelement und eine Anzeigematrize auf dem Funktionsprinzip eines ferro-elektrischen Speichers (random access memory, FRAM). Insbesondere beim FRAM, wird ein ferroelektrisches Material durch ein angelegtes elektrisches Feld polarisiert. Die Polarisation bleibt auch nach dem Abschalten des Feldes bestehen. Sie kann durch ein entsprechendes Feld in umgekehrte Richtung gedreht werden.
  • Bezugnehmend auf die Darstellung in 1, besteht ein nichtflüchtiges Speicherelement nach der vorliegenden Erfindung aus einem Substrat 1 und einem Feldeffekttransistor.
  • Der Feldeffekttransistor besteht aus einem Gate 6, einer dielektrischen Schicht 5, einer Source 4, einem Drain 3 und einer organischen Halbleiter-Aktivschicht 2. Die dielektrische Schicht 5 des Feldeffektransistors ist eine ferroelektrische Gate-Isolatorschicht. Der Feldeffektransistor weist einen Source-Drain-Kanal auf, dessen Leitfähigkeit durch die Ladungsträgerkonzentration im Kanal und damit mittelbar durch das herrschende elektrische Potential an der Grenzfläche zwischen dem Gate-Isolator 5 und der organischen Halbleiter-Aktivschicht 2 gesteuert wird. Dieses Potential setzt sich aus der eingestellten Spannung am Gate 6 und einer Polarisationsspannung der Gate-Isolatorschicht 5 zusammen.
  • Der Polarisationszustand der ferroelektrischen Gate-Isolatorschicht 5 kann durch eine Spannung zwischen Gate 6 und Source 4 oder Drain 3 verändert werden, wenn diese eine bestimmte Höhe übersteigt.
  • Als Alternativ kann das nichtflüchtige Speicherelement nach der vorliegenden Erfindung über ein zusätzliches Gate 8 verfügen, wie in der 2 gezeigt wird. In dem nichtflüchtigen Speicherelement gemäß 2 wird eine Programmierspannung zwischen Gate 6 und dem zusätzlichen Gate 8 angelegt. In 2, kennzeichnen dieselben Referenzzahlen wie diejenigen in 1 die gleichen Elemente wie in 1. Das Schaltbild unterhalb der Schnittansicht des nichtflüchtigen Speicherelements zeigt die elektrische Funktion der wesentlichen Bauelemente des nichtflüchtigen Speicherelements. Der Arbeitspunkt des Transistors lässt sich über die Programmierung verändern und permanent speichern.
  • 3A bis 4B zeigen wichtige Ausführungen von Anzeigematrizen nach Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung. Bei 3A und 3B sind elektrisch adressierbare Speicherelemente mit geeigneten Anzeigeelementen gekoppelt. 4A und 4B zeigen eine Anzeigematrix, in der das Anzeigeelement gleichzeitig als Lichtsensor fungiert. Die Bildinformation kann optisch eingelesen werden und ist dann permanent gespeichert. Durch geeignetes Ansteuern der Speicherelemente kann die Information als Bild angezeigt werden.
  • Im folgenden werden Ausführungsbeispiele des nichtflüchtigen Speicherelements nach der vorliegenden Erfindung und deren Anwendung näher beschrieben.
  • In den in 1 und 2 dargestellten nichtflüchtigen Speicherelementen, wird die organische Halbleiter-Aktivschicht 2 mittels eines üblichen Verfahrens der Dünnschichtabscheidung hergestellt. Diese Dünnschichtabscheidung umfasst Vakuumverdampfung, plasma-assistierte Schichtabscheidung, Aufschleudern, Tintenstrahldrucken, Siebdruck (Serigrafie) sowie verwandte Beschichtungsverfahren. Zusätzlich können anorganische Hilfsschichten durch Vakuumverdampfung, Sputtern oder plasma-assistierte Schichtabscheidung aufgebracht werden.
  • Die Struktur des nichtflüchtigen Speicherelements gemäß 1 kann durch folgende Arbeitsschritte verwirklicht werden. Das Substrat 1 weist eine Vorstruktur für den Kontakt zwischen Source 4 und Drain 3 auf. Source 4 und Drain 3 werden durch Aufbringen einer durch Fotolithographie strukturierten Lackmaske und durch anschließendes Ätzen einer Metallschicht hergestellt. Als geeignete Kontaktmaterialien kommen Gold, Platin, Palladium und Indium-Zinnoxid (ITO) in Frage. Das Aufbringen eines strukturierten Films eines leitfähigen Polymers, wie z.B. Polyäthylendioxythiophen, mittels Tintenstrahldrucken ist ebenfalls möglich.
  • Dann, das Aufschleudern einer Vorläufer-Lösung der organischen Halbleiter-Aktivschicht 2 oder Aufdampfen im Hochvakuum. Zu den geeigneten organischen Halbleiter-Vorläufern für das Aufschleudern zählen Polythiophene und Pentacen-Vorläufermaterialien. Geeignete Materialien für die Hochvakuumverdampfung sind weiterhin Pentacen, niedermolekulare Oligothiophene, Perylenimid und Naphthalindicarbonsäurediimid.
  • Wie in 2 gezeigt, kann eine dünne Schicht eines Hilfsisolators im Hochvakuum zusätzlich aufgedampft werden. Hier kommen insbesondere Polyxylylen und Siliziummonoxid in Frage.
  • Dann, das Aufschleudern einer Vorläufer-Lösung für die ferroelektrische Gate-Isolatorschicht 5. Als geeignete Materialien für die ferroelektrische Gate-Isolatorschicht 5 kommen hier insbesondere Polyvinylidenfluorid sowie Copolymere von Vinylidenfluorid und Trifluoräthylene zur Anwendung.
  • Optional können zusätzliche Hilfsisolierschichten auf oder unter der ferroelektrischen Gate-Isolatorschicht 5 in einem Hochvakuum angebracht werden. Mit anderen Worten: die zusätzlichen Isolatorschichten werden auf der organischen Halbleiter-Aktivschicht 2 und auf der ferroelektrischen Gate-Isolatorschicht 5 gebildet.
  • Als Nächstes das Aufdampfen des Gate 6 mit einem Metall wie, zum Beispiel, Aluminium, Neodym, Silber, Gold, Nickel, Palladium und Kupfer. Das Aufbringen eines Films eines leitfähigen Polymers wie, z.B. Polyäthylendioxythiophen ist ebenfalls möglich.
  • Eine elektrisch adressierbare Anzeigematrix nach der vorliegenden Erfindung besteht aus den Speicherelementen gemäß 1 und 2. Durch das Zusammenschalten von mehreren Speicherelementen mit Anzeigepixeln, wie in der 3 gezeigt, kann eine elektrisch adressierbare Anzeigematrix mit Speicherfunktion realisiert werden. Der Anzeigepixel basiert vorzugsweise auf einer organischen Leuchtdiode (OLED). Andere mögliche Anzeigetechnologien umfassen Flüssigkeitskristallanzeigen sowie Elektrochrome und elektrophoretische Anzeigemechanismen.
  • Die Steueranschlüsse Datallop sowie Select/VDD (3A und 3B) sind im Sinne einer Matrix verbunden, d.h. Datallop sind zu Spalten und Select/VDD zu Zeilen verbunden. Die angegebenen Spannungspegel beziehen sich auf Bauelemente, die mittels lochleitender organischer Halbleiter aufgebaut wurden.
  • Im folgenden wird der Schreibzyklus der Anzeigematrizen (3A und 3B) beschrieben.
  • Für die Programmierung eines Pixels ist eine ausreichende Spannungsdifferenz zwischen Select/Vdd und Data/Vop nötig, wenn die Kathodenspannung Ucath auf Massepotential gehalten wird. Wird zum Beispiel nur an eine Datenleitung eine positive Spannung angelegt und an nur eine Select-Leitung eine negative Spannung, so tritt nur an einem einzelnen Speicherelement der Matrix eine Spannungsdifferenz auf, die zur Programmierung ausreicht. Durch Adressieren der entsprechenden Daten- und Select-Leitungen kann somit die Matrix beschrieben werden. Die Bildinformation ist nun permanent gespeichert.
  • Im folgenden wird der Lesezyklus der Anzeigematrizen (3A und 3B) beschrieben. Zum Anzeigen des geschriebenen Bildes werden alle Anschlüsse Select/Vdd auf Massepotential gelegt. Alle Anschlüsse Data/Vop werden auf ein geeignetes negatives Potential gelegt, um zu gewährleisten, dass die entsprechenden Transistoren entsprechend ihrer Programmierung entweder öffnen oder sperren. Die Kathodenspannung Ucath wird auf ein geeignetes negatives Potential gelegt. Dementsprechend werden die Pixels wahlweise aktiviert bzw. deaktiviert, um das gespeicherte Bild anzuzeigen.
  • Optisch beschreibbare Anzeigenmatrizen nach der vorliegenden Erfindung (4A und 4B) sind ähnlich der elektrisch adressierbaren Matrix (3A und 3B) aufgebaut. Bei der optisch beschreibbaren Anzeigematrix (4) ist jedoch eine Selektierung der willkürlichen Zeilen/Spalten-Anschlüsse nicht notwendig. In der Ausgestaltung der Erfindung sind alle Anschlüsse Vop miteinander verbunden, ebenso alle Select-Anschlüsse. Das Anzeigeelement wirkt sowohl als Lichtsensor als auch als Anzeige. Die Anzeigeelemente sind bevorzugt auf einer Leuchtdiode (OLED) basiert. Wird diese Leuchtdiode in Rückwärtsrichtung betrieben, so fungiert sie als Photodiode. Dies wird im Schreibzyklus genutzt.
  • Im folgenden wird der Schreibzyklus der Anzeigematrizen (4A und 4B) beschrieben. Wird der lochleitende Halbleiter wie oben beschrieben eingesetzt, werden die Anschlüsse Vop sowie Select auf negatives Potential gelegt, der Anschluss Ucath wird auf Massepotential gehalten. Die Spannung des Drain-Anschlusses jedes Speichertransistors wird nun durch einen eventuellen Photostrom durch die Leuchtdiode bestimmt. Fällt Licht geeigneter Wellenlänge auf die Leuchtdiode (LED), so steigt die Spannung an Drain und führt bei ausreichender Helligkeit zur Programmierung der Speichertransistoren.
  • Zum Löschen der Programmierung muss ein entsprechendes entgegengesetztes Potential über Gate und Drain angelegt werden. Dazu werden Ucath und Select auf Massepotential gelegt sowie Vop auf positives Potential. Die Einwirkung von Licht ist hier nicht nötig.
  • Im folgenden wird der Lesezyklus der Anzeigematrizen (4A und 4B) beschrieben. Im Lesezyklus werden alle Anschlüsse Select auf positives Potential gelegt, alle Anschlüsse Vop auf leicht negatives Potential sowie Ucath auf Massepotential. Entsprechend ihrer Programmierung werden die Transistoren entweder leitend oder sperrend. Die Leuchtdioden arbeiten in Vorwärtsrichtung und emittieren Licht, wenn der Transistor geöffnet ist. Das gespeicherte Abbild wird als leuchtendes Bild gezeigt.
  • Wie oben beschrieben, beinhaltet das nichtflüchtige Speicherelement nach der vorliegenden Erfindung die organische Halbleiter-Aktivschicht in einem aktiven Bereich der Speicherschaltung. Aus diesem Grunde ist das nichtflüchtige Speicherelement zusammen mit der Anzeigematrix und deren Anwendung sehr flexibel, hat ein leichtes Gewicht, ist mehrfach programmierbar und kann leicht hergestellt werden.

Claims (7)

  1. Nichtflüchtiges Speicherelement auf der Basis eines Feldeffekttransistors aufweisend: ein Substrat (1); eine Source (4), ein Drain (3) und eine zwischen Source (4) und Drain (3) gebildete organische Halbleiter-Aktivschicht (2); wobei Source (4), Drain (3) und Halbleiter-Aktivschicht (2) auf dem Substrat (1) angeordnet sind, eine auf der organischen Halbleiter-Aktivschicht (2) gebildete ferroelektrische Gate-Isolatorschicht (5) aus einem organischen Polymer; und ein auf der ferroelektrischen Gate-Isolatorschicht (5) gebildetes Gate (6).
  2. Nichtflüchtiges Feldeffekttransistor-Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Speicherelement weiterhin eine Hilfsisolierschicht auf der organischen Halbleiter-Aktivschicht (2) und/oder auf der ferroelektrischen Gate-Isolatorschicht (5) aufweist.
  3. Nichtflüchtiges Feldeffekttransistor-Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Speicherelement ein zusätzliches Hilfs-Gate (8) aufweist, wobei das Hilfs-Gate (8) zwischen dem Substrat (1) und der organischen Halbleiter-Aktivschicht (2) angeordnet ist, und wobei eine Hilfsisolierschicht (7) zwischen dem Hilfs-Gate (8) und der organischen Halbleiter-Aktivschicht (2) angeordnet ist.
  4. Elektrisch adressierbare Anzeigematrix aufweisend: mehrere nichtflüchtige Speicherelemente nach einem der Ansprüche 1-3, wobei die nichtflüchtigen Speicherelemente an Zeilen und Spalten zusammen mit Anzeigeelementen gekoppelt sind, und wobei jeweils ein nichtflüchtiges Speicherelement jeweils ein Anzeigeelement schaltet.
  5. Elektrisch adressierbare Anzeigematrix nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Anzeigeelement eine organische Leuchtdiode (OLED) enthält.
  6. Elektrisch adressierbare Anzeigematrix nach Anspruch 5, wobei die Leuchtdioden (OLED) jeweils einen ersten und einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen und wobei die Source (4) der Speicherelemente mit einer ersten Steuerleitung (Select), das Gate (6) der Speicherelemente mit einer zweiten Steuerleitung (Vop), der Drain (3) der Speicherelemente mit dem ersten Anschluss der jeweiligen Leuchtdiode (OLED) und der zweite Anschluss der Leuchtdiode (OLED) mit einer Kathodenspannungsversorgung (Ucath) verbunden ist, wobei in einem Schreibzyklus Informationen über die Helligkeit des auf die Leuchtdioden (OLED) einwirkenden Lichts durch Anlegen eines negativen Potentials sowohl an die erste Steuerleitung (Select) als auch an die zweite Steuerleitung (Vop), wobei die Kathodenspannungsversorgung (Ucath) auf Masse gehalten wird, gespeichert werden, und in einem Lesezyklus die gespeicherten Informationen mittels der Leuchtdioden (OLED) durch Anlegen eines positiven Potentials an die erste Steuerleitung (Select) und Anlegen eines negativen Potentials an die zweite Steuerleitung (Vop), wobei die Kathodenspannungsversorgung (Ucath) auf Masse gehalten wird, angezeigt werden.
  7. Elektrisch adressierbare Anzeigematrix nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die gespeicherten Informationen in einem Löschzyklus durch Anlegen eines positiven Potentials an die zweite Steuerleitung (Vop), wobei sowohl die erste Steuerleitung (Select) als auch Kathodenspannungsversorgung (Ucath) auf Masse gehalten werden, gelöscht werden.
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