DE10260183A1 - Vertikal emittierender, optisch gepumpter Halbleiterlaser mit externem Resonator - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft einen vertikal emittierenden Halbleiterlaser mit einem externen Resonator, einem Halbleiterkörper (1), in dem sich eine Quantentrogstruktur (4) als aktive Zone befindet, die Quantentröge (6) und dazwischen liegende Barriereschichten (5) enthält, und mindestens einer Pumpenstrahlungsquelle (9) zur Einstrahlung von Pumpstrahlung (10) einer Wellenlänge lambda¶p¶ unter einem Einfallswinkel alpha¶p¶ in die aktive Zone. Erfindungsgemäß sind die Wellenlänge lambda¶p¶ und der Einfallswinkel alpha¶p¶ der Pumpstrahung derart gewählt, dass die Absorption der Pumpstrahlung im Wesentlichen innerhalb der Quantentröge erfolgt. Dadurch werden die Verluste beim Ladungsträgereinfang von den Barriereschichten in die Quantentröge vermieden, die bei optisch gepumpten Halbleiterlasern, bei denen die Pumpstrahlung in den Barriereschichten absorbiert wird, auftreten. Weiterhin werden vorteilhafte Ausgestaltungen des Halbleiterkörpers und Kombinationen für Einfallswinkel und Wellenlänge der Pumpstrahlungsquelle angegeben, die einen besonders effektiven optischen Pumpprozess der Quantentröge ermöglichen.

Description

• Die Erfindung betrifft einen vertikal emittierenden, optisch gepumpten Halbleiterlaser mit externem Resonator.
• Vertikal emittierende Halbleiterlaser mit externem Resonator, die auch als Scheibenlaser bzw. unter der Bezeichnung VECSEL (Vertical External Cavity Surface Emitting Laser) bekannt sind, stellen ein neues Konzept für Laser mit hoher Leistung bei gleichzeitig hoher Strahlqualität dar. Derartige Halbleiterlaser werden beispielsweise in der US 6,237,293 , der WO 00/25398 und der US 5,991,318 beschrieben. Ein VECSEL enthält einen Halbleiterkörper, der als wesentliche Elemente einen Reflektor und eine Quantentrogstruktur als aktive Zone enthält. Der Begriff Halbleiterkörper ist hier und im folgenden so zu verstehen, dass dieses Element im wesentlichen aus Halbleiterschichten besteht, was aber nicht ausschließt, dass er insbesondere an seiner Oberfläche auch dielektrische oder metallische Schichten enthalten kann, die vorzugsweise zum Ver- oder Entspiegeln der Oberfläche dienen. Bei dem Reflektor handelt es sich vorzugsweise um einen epitaktisch hergestellten DBR- (Distributed Bragg Reflection) Spiegel, auf dem sich eine Quantentrogstruktur befindet. Diese Quantentrogstruktur enthält periodisch angeordnete Quantentröge mit dazwischen liegenden Barriereschichten. Außerdem enthält ein VECSEL einen externen Spiegel, der mit dem Reflektor des Halbleiterkörpers einen Resonator bildet. Ein Kennzeichen des VECSEL ist der optische Pumpprozess durch eine Lichtquelle außerhalb des Halbleiterkörpers, z.B. durch einen Diodenlaser. In bisher bekannten Veröffentlichungen erfolgt die Absorption der Pumpstrahlung in den zwischen den Quantentrögen liegenden Barriereschichten. In den Barriereschichten werden durch die Absorption der Pumpstrahlung Ladungsträger erzeugt, die in die Quantentröge relaxieren.
• Ein Nachteil dieser Art des Pumpprozesses ist, dass er stark verlustbehaftet ist. Zum einen werden nicht alle durch die Pumpstrahlung freigesetzten Ladungsträger in die Quantentröge eingefangen, d.h. die Eingangseffizienz ist kleiner als 1. Einen weiteren Verlustmechanismus stellt die Relaxation von Ladungsträgern aus energetisch höherliegenden angeregten Zuständen in energetisch tieferliegende Niveaus des Quantentrogs dar. Dieser als Quantendefekt bezeichnete Energieverlust von höherenergetischer Pump- zur Laserwellenlänge äußert sich in der Erzeugung von Wärme, die an das Kristallgitter abgegeben wird und somit das Bauelement aufheizt. Die maximale Ausgangsleistung ist somit durch die maximal zulässige thermische Belastung begrenzt.
• Ein weiterer Nachteil bekannter VECSEL-Designs ist auch, dass nur ein Einfachdurchgang der Pumpstrahlung durch die aktive Zone erfolgt. Die Absorption pro Quantentrog ist deshalb gering, so dass ein effizienter Betrieb des VECSEL nur in Strukturen mit einer hohen Anzahl von Quantentrögen möglich ist. Dadurch entstehen Nachteile wie beispielsweise eine hohe Temperaturempfindlichkeit, Absorptionsverluste, hohe Pumpschwellen, geringe Effizienz und ein inhomogenes Pumpen der Quantentröge.
• Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Laser anzugeben, der einen effizienteren Pumpmechanismus mit geringeren Verlusten aufweist.
• Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Laser nach Patentanspruch 1 dadurch gelöst, dass die Wellenlänge und der Einfallswinkel der Pumpstrahlung so gewählt werden, dass die Pumpstrahlung im wesentlichen in den Quantentrögen absorbiert wird.
• Vorteilhafte Ausführungen und Erweiterungen der Erfindung werden in den Unteransprüchen beschrieben.
• Die Erfindung betrifft einen vertikal emittierenden Halbleiterlaser mit einem externen Resonator, einem Halbleiterkörper, in dem sich eine Quantentrogstruktur als aktive Zone befindet, die Quantentröge und dazwischen liegende Barriereschichten enthält, und mindestens einer Pumpstrahlungsquelle zur Einstrahlung von Pumpstrahlung einer Wellenlänge λ_p unter einem Einfallswinkel α_p in die aktive Zone.
• Erfindungsgemäß sind die Wellenlänge λ_p und der Einfallswinkel α_p der Pumpstrahlung derart gewählt, dass die Absorption der Pumpstrahlung im wesentlichen innerhalb der Quantentröge erfolgt.
• Das Auffinden einer geeigneten Kombination aus Wellenlänge und Einfallswinkel erfolgt beispielsweise durch eine Berechnung des Absorptionsspektrums des Halbleiterkörpers, der die Quantentrogstruktur enthält, für verschiedene Einfallswinkel unter Berücksichtungung von Mehrfachreflexion und Interferenz. Abhängig von den Parametern des Halbleiterkörpers, insbesondere der Periodizität, der Dicken und der Zusammensetzung der Schichten, weist das Absorptionsspektrum unter bestimmten Einfallswinkeln eine oder mehrere Absorptionslinien der Quantentröge auf, die bei größeren Wellenlängen als die Absorptionskante der Barriereschichten liegen. Vorzugsweise wird derjenige Einfallswinkel, bei dem die Absorptionslinien am stärksten hervortreten, und die Wellenlänge der stärksten dieser Linien ausgewählt. Dadurch findet die Absorption der Pumpstrahlung im wesentlichen in den Quantentrögen statt. Durch dieses optische Pumpen der Quantentröge werden die Verluste, die bei dem bekannten Pumpprozess der Barriereschichten beim Ladungsträgereinfang von den Barriereschichten in die Quantentröge auftreten, vermieden.
• Vorzugsweise enthält der erfindungsgemäße Halbleiterlaser auf der Seite der Quantentrogstruktur, die der Pumpstrahlungsquelle abgewandt ist, einen rückseitigen Reflektor, der das Licht der Pumpstrahlungsquelle reflektiert. Dadurch wird ein Mehrfachdurchgang der Pumpstrahlung durch die aktive Schicht erreicht, wodurch die Absorption der Pumpstrahlung sowohl in ihrer Effizienz als auch in ihrer Homogenität verbessert wird.
• Beispielsweise kann der Reflektor für die Pumpstrahlung aus einer Schicht oder Schichtenfolge aus metallischen Schichten, die beispielsweise Chrom, Platin oder Gold enthalten, aus dielektrischen Schichten oder aus epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichten bestehen.
• Insbesondere kann es sich bei dem rückseitigen Reflektor um einen Reflektor handeln, dessen Bandbreite ausreichend groß ist, dass er sowohl das Laserlicht als auch das Licht der Pumpstrahlungsquelle reflektiert, beispielsweise um einen Bragg-Reflektor. Dies ist insbesondere bei dem erfindungsgemäßen optischen Pumpen der Quantentröge möglich, da bei diesem Verfahren die Differenz zwischen der Laserwellenlänge und der Wellenlänge der Pumpstrahlung gegenüber bekannten Pumpverfahren, bei denen die Absorption innerhalb der Barriereschichten erfolgt, reduziert ist.
• Eine bevorzugte Ausführungsform besteht darin, daß der Halbleiterkörper zwei übereinander angeordnete Reflektoren enthält, von denen der eine zur Reflexion der Laserwellenlänge und der andere zur Reflexion der Pumpstrahlung dient.
• Vorzugsweise ist zwischen dem Reflektor für die Pumpstrahlung und der aktiven Zone eine Zwischenschicht eingefügt. In der Ausführungsform mit zwei unterschiedlichen Spiegeln für die Reflexion der Pumpstrahlung und der Laserstrahlung kann sich auch zwischen den beiden Spiegeln eine Zwischenschicht befinden.
• Durch die Wahl der Zusammensetzung und der Dicke der Zwischenschicht oder der Zwischenschichten wird das stehende Wellenfeld der Pumpstrahlung verändert. Da die Absorption der Pumpstrahlung an den Positionen der Bäuche des elektrischen Feldes verstärkt ist, ist es so möglich, die Absorption der Pumpstrahlung räumlich zu beeinflussen. Insbesondere läßt es sich in Kombination mit einer geeigneten Kombination aus Wellenlänge und Einfallswinkel der Pumpstrahlung erreichen, dass die Bäuche des elektrischen Feldes mit den Positionen der Quantentröge in der aktiven Zone zusammenfallen und so die Absorption in den Quantentrögen verstärkt wird.
• Vorteilhafte Erweiterungen der Erfindung sind durch das Aufbringen von zusätzlichen Schichten an der der Pumpstrahlungsquelle zugewandten Seite des Halbleiterkörpers möglich, insbesondere durch Schichten, die eine Ver- oder Entspiegelung der Oberfläche bewirken.
• Durch das Aufbringen einer reflexionserhöhenden Schichtenfolge, insbesondere einer Kombination aus einer oder mehreren dielektrischen Schichten, metallischen Schichten oder epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichten, läßt sich erreichen, dass die Reflexion für von der Innenseite des Halbleiterkörpers auftreffende Pumpstrahlung verstärkt wird. So wird in Kombination mit dem rückseitigem Reflektor ein Mehrfachdurchgang des Pumplichts durch die aktive Zone erreicht.
• Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht in einigen Fällen auch darin, daß durch die aufgebrachte Schichtenfolge eine Entspiegelung der Oberfläche für die Laserwellenlänge bewirkt wird. Dies ist insbesondere dann sinnvoll, wenn ein durch die Oberfläche des Schichtsystems und dem externen Spiegel gebildeter Resonator zu einer Instabilität des Lasers führt.
• In einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die Schichtenfolge unterschiedliche Reflexionsgrade für die Pump- und die Laserstrahlung auf. Dies kann durch eine geeignete Wahl der Schichtdicken und Kompositionen von zusätzlich aufgebrachten Schichten erreicht werden. Beispielsweise kann so eine hohe Reflektivität für die Pumpstrahlung zur Erzielung einer starken Absorption und eine Entspiegelung für das Laserlicht zur Stabilisierung des Resonators erreicht werden.
• Die Wellenlänge und der Einfallswinkel der Pumpstrahlung werden bevorzugt so eingestellt, daß innerhalb des Halbleiterkörpers eine stehende Welle auftritt, bei der die Quantentröge in den Bäuchen des elektrischen Feldes der Pumpstrahlung liegen, um eine resonante Absorption in den Quantentrögen zu erzielen.
• Eine bevorzugte Variante der Erfindung nutzt einen Resonator, der aus dem Reflektor für die Pumpstrahlung und der wenigstens teilweise reflektierenden Oberfläche des Halbleiterkörpers gebildet wird. Eine Teilverspiegelung der Oberfläche ist bereits durch den Brechungsindexunterschied zwischen der obersten Schicht des Halbleiterkörpers und der umgebenden Luft gegeben. Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Pumpstrahlung die Resonanzbedingung einer longitudinalen Mode des Resonators, der aus dem Reflektor für die Pumpstrahlungsquelle und der vorzugsweise teilverspiegelten Oberfläche des Halbleiterkörpers gebildet wird, erfüllt, da in diesem Fall die Absorption in den Quantentrögen resonant verstärkt wird. Um die Resonanzbedingung für die Pumpstrahlung zu erfüllen, ist eine geeignete Kombination aus Einfallswinkel und Wellenlänge aufzufinden. Dabei kann auch die vorzugsweise vorhandene Zwischenschicht zwischen dem Reflektor für die Pumpstrahlung und der Quantentrogstruktur derart in ihrer Dicke und Zusammensetzung verändert werden, daß die Resonanzbedingung durch eine Änderung der Länge des Resonators erfüllt wird.
• Eine weitere bevorzugte Variante der Erfindung besteht darin, dass die Energiedifferenz zwischen den Photonenenergien der Pumpstrahlung und der Laserstrahlung einem ganzzahligen Vielfachen der für das Material des Quantentrogs typischen LO-Phononenenergie entspricht. Dieses hat den Vorteil, dass die Elektronen aus den angeregten Pumpniveaus durch eine resonant verstärkte Emission mehrerer Phononen schnell in die oberen Laserniveaus übergehen.
• Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den im folgenden in Verbindung mit den 1 bis 6 beschriebenen Ausführungsbeispielen.
• Es zeigen:
• 1: einen schematisch dargestellten Aufbau eines vertikal emittierenden Halbleiterlasers mit externem Resonator.
• 2: eine Ausführungsform des Halbleiterkörpers eines erfindungsgemäßen Lasers.
• 3: eine weitere Ausführungsform des Halbleiterkörpers eines erfindungsgemäßen Lasers.
• 4: ein berechnetes Absorptionsspektrum des in 3 dargestellten Halbleiterkörpers.
• 5: eine optimierte Ausführungsform des Halbleiterkörpers eines erfindungsgemäßen Lasers.
• 6: ein berechnetes Absorptionsspektrum des in 5 dargestellten Halbleiterkörpers.
• 1 zeigt schematisch den Aufbau eines vertikal emittierenden Halbleiterlasers mit externem Resonator. Der Laser enthält einen Halbleiterkörper 1, der auf einem Substrat 2 einen Reflektor 3 enthält. Bei dem Reflektor 3 handelt es sich vorzugsweise um einen Bragg-Reflektor. Der Halbleiterkörper 1 enthält außerdem eine Quantentrogstruktur 4 als aktive Zone, die aus mehreren Barriereschichten 5 und Quantentrögen 6 besteht. Bei den Barriereschichten 6 kann es sich auch um eine Kombination mehrerer Schichten verschiedener Halbleitermaterialien handeln. Der Reflektor 3 bildet zusammen mit einem externem Spiegel 7 einen Resonator für die Laserstrahlung 8. Der Laser wird optisch durch eine Pumpstrahlungsquelle 9 gepumpt, die Pumpstrahlung 10 mit einer Wellenlänge λ_p unter einem Einfallswinkel α_p in die Quantentrogstruktur 4 einstrahlt. Vorzugsweise handelt es sich bei der Pumpstrahlungsquelle 9 um einen Halbleiterlaser.
• 2 zeigt schematisch eine bevorzugte Ausführungsform des Halbleiterkörpers eines erfindungsgemäßen Lasers. Auf dem Substrat 2 befindet sich ein Reflektor 3, der zwei übereinander angeordnete Reflektoren 11, 13 enthält. Die beiden Reflektoren sind so ausgeführt, dass einer von ihnen die Pumpstrahlung und der andere die Laserstrahlung reflektiert, beispielsweise der Reflektor 11 die Pumpstrahlung und der Reflektor 13 die Laserstrahlung. Sowohl zwischen den beiden Spiegeln als auch zwischen einem der Spiegel und der aktiven Zone können sich Zwischenschichten 12A und/oder 12B befinden. Die Zwischenschichten 12A und/oder 12B bewirken bei geeigneter Zusammensetzung und Dicke, dass eine stehende Welle der Pumpstrahlung mit den Maxima des elektrischen Feldes in den Quantentrögen entsteht.
• Auf die der Pumpstrahlungsquelle zugewandte Oberfläche des Halbleiterkörpers ist eine aus einer oder mehreren Schichten bestehende Schichtenfolge 14 aufgebracht, die zu einer Erhöhung oder Erniedrigung der Reflexion der Oberfläche dient.
• 3 zeigt eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Halbleiterkörpers. Das Schichtsystem beginnt auf dem Substrat 2 mit einer periodischen Folge von jeweils dreißig etwa 80 nm dicken AlAs-Schichten 15 und etwa 70 nm dicken Al_0.2Ga_{0. 8}As-Schichten 16, die mit einer etwa 80 nm dicken AlAs-Schicht 17 abschließt. Diese Schichtenfolge stellt einen Bragg-Spiegel 18 dar. Auf den Bragg-Spiegel 18 folgt eine aus 14 Perioden bestehende Quantentrogstruktur 4. Eine Periode der Quantentrogstruktur 4 setzt sich aus einer etwa 110 nm dicken Al_0.1Ga_0.9As-Barriereschicht 19, einer etwa 25 nm dicken GaAsP Barriereschicht 20, sowie dem etwa 10 nm dicken InGaAs Quantentrog 21 zusammen. Die Verwendung von GaAsP als zweites Barriereschichtmaterial dient zur Spannungskompensation.
• Die Emissionswellenlänge dieser Quantentrogstruktur beträgt etwa 985 nm. Auf die Quantentrogstruktur sind eine etwa 280 nm dicke Al_0.1Ga_0.9As-Schicht 22 und anschließend eine etwa 430 nm dicke Al_0.3Ga_0.7As-Schicht 23 (oder alternativ eine GaInP-Schicht) aufgebracht. Diese Schichten verhindern die Diffusion von Ladungsträgern aus der aktiven Zone heraus.
• 4 zeigt ein berechnetes Absorptionsspektrum A(λ) des in 3 dargestellten Halbleiterkörpers unter einem Einfallswinkel von 45° für die s-Polarisation (durchgezogene Linie) und die p-Polarisation (gestrichelte Linie). Dabei wurden folgende Schichtdicken für die Simulation verwendet: AlAs-Schichten 15: 82 nm, Al_0.2Ga_0.8As-Schichten 16: 71 nm, AlAs-Schicht 17: 82 nm, Al_0.1Ga_0.9As-Barriereschicht 19: 106 nm, GaAsP Barriereschicht 20: 25 nm, InGaAs Quantentrog 21: 10 nm, Al_0.1Ga_0.9As-Schicht 22: 279 nm, Al_0.3Ga_0.7-Schicht 23 : 432 nm. Das hier dargestellte Absorptionspektrum zeigt eine starke Absorptionslinie 24 der Quantentröge 6, die bei einer größeren Wellenlänge und damit energetisch unterhalb des Absorptionsbereichs 25 der Barriereschichten, der bei ca. 800 nm auftritt, liegt. Die hier beispielhaft dargestellte Simulation der spektralen Absorption des die Quantentrogstruktur 4 enthaltenden Halbleiterkörpers dient zum Aufsuchen des optimalen Einfallswinkels α_p, bei dem die Absorptionslinien der Quantentröge am stärksten hervortreten.
• 5 zeigt eine optimierte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Halbleiterkörpers. Der Halbleiterkörper unterscheidet sich von dem in 3 dargestellten durch 4 zusätzlich aufgebrachte Schichten. Dabei handelt es sich um eine etwa 180 nm dicke SiO₂-Schicht 26, eine etwa 120 nm dicke SiN-Schicht 27, eine etwa 180 nm dicke SiO₂-Schicht 28 und eine etwa 120 nm dicke SiN-Schicht 29. Diese auf die der Pumpstrahlungsquelle zugewandte Seite des Halbleiterkörpers aufgebrachte Schichtfolge 14 erhöht die Reflexion für von der Innenseite des Halbleiterkörpers auftreffende Pumpstrahlung. Im Zusammenwirken mit dem Reflektor 18 bewirken diese Schichten die Ausbildung einer stehenden Welle für die Pumpstrahlung in der Quantentrogstruktur, bei der die Maxima des elektrischen Feldes in den Quantentrögen liegen.
• 6 zeigt ein berechnetes Absorptionsspektrum A(λ) des in 5 dargestellten Halbleiterkörpers. Dabei wurden folgende Schichtdicken für die Schichtenfolge 14 verwendet: SiO₂-Schicht 26: 185 nm, SiN-Schicht 27: 120 nm, SiO₂-Schicht 28: 179 nm und SiN-Schicht 29: 124 nm. Alle weiteren Schichtdicken stimmen mit denen der in 4 dargestellten Simulation überein. Die aufgebrachte Schichtenfolge 14 bewirkt eine resonant verstärkte Absorption der Pumpstrahlung 10 in den Quantentrögen 5, die sich in einer deutlichen Erhöhung der Absorptionslinie 30 bei der Wellenlänge 925 nm im Vergleich zu der in 3 dargestellten Linie 24 zeigt. Strahlung der Wellenlänge der Absorptionslinie 30, die bei ca. 925 nm liegt, wird annähernd zu 100% absorbiert. Die optimale Wellenlänge für das Pumpen der Quantentröge 5 liegt sehr viel näher an der Emissionswellenlänge 985 nm des Lasers als bei einem Pumpen der Barriereschichten 6 bei ca. 800 nm. Der Energieverlust des Pumpprozesses, der durch die Energiedifferenz zwischen den Photonenenergien der Laserstrahlung 8 und der Pumpstrahlung 10 auftritt, wird dadurch deutlich reduziert.

Claims (13)

1. Vertikal emittierender Halbleiterlaser mit einem externen Resonator, einem Halbleiterkörper (1), in dem sich eine Quantentrogstruktur (4) als aktive Zone befindet, die Quantentröge (6) und dazwischen liegende Barriereschichten (5) enthält, und mindestens einer Pumpstrahlungsquelle (9) zur Einstrahlung von Pumpstrahlung (10) einer Wellenlänge λ_p unter einem Einfallswinkel α_P in die aktive Zone (4), dadurch gekennzeichnet, daß die Wellenlänge λ_p und der Einfallswinkel α_p der Pumpstrahlung (10) derart gewählt sind, dass die Absorption der Pumpstrahlung im wesentlichen innerhalb der Quantentröge (6) erfolgt.
2. Laser nach Anspruch 1, der auf der Seite der Quantentrogstruktur (4), die der Pumpstrahlungsquelle (9) abgewandt ist, einen rückseitigen Reflektor (11) zur Reflexion der Pumpstrahlung (10) enthält.
3. Laser nach Anspruch 2, bei dem der rückseitige Reflektor (11) aus einer Schicht oder Schichtenfolge gebildet ist.
4. Laser nach Anspruch 3, bei dem der rückseitige Reflektor (11) ein Bragg-Reflektor ist.
5. Laser nach einem der Ansprüche 2 bis 4, bei dem der rückseitige Reflektor (11) ein Reflektor ist, der sowohl die Pumpstrahlung (10) als auch die Laserstrahlung (8) reflektiert.
6. Laser nach einem der Ansprüche 2 bis 4, der einen Reflektor (13) zur Reflexion der Laserstrahlung enthält und bei dem sich eine Zwischenschicht (12A) zwischen diesem Reflektor (13) und dem rückseitigen Reflektor (11) befindet.
7. Laser nach einem der Ansprüche 2 bis 6, der zwischen dem rückseitigen Reflektor (11) und der Quantentrogstruktur (4) eine Zwischenschicht (128) enthält.
8. Laser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem auf die der Pumpstrahlungsquelle (9) zugewandte Seite des Halbleiterkörpers (1) eine Schichtenfolge (14) aufgebracht ist, welche die Reflexion für von der Innenseite des Halbleiterkörpers (1) auftreffende Pumpstrahlung (10) erhöht.
9. Laser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem auf die der Pumpstrahlungsquelle (9) zugewandte Seite des Halbleiterkörpers (1) eine Schichtenfolge (14) aufgebracht ist, welche die Reflexion für die Laserstrahlung (8) erniedrigt.
10. Laser nach Anspruch 8 oder 9, bei dem die Schichtenfolge (14) unterschiedliche Reflexionsgrade für die Pumpstrahlung (10) und die Laserstrahlung (8) aufweist.
11. Laser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Einfallswinkel und die Wellenlänge der Pumpstrahlung (10) so gewählt sind, daß innerhalb des Halbleiterkörpers (1) eine stehende Welle der Pumpstrahlung auftritt, deren Bäuche des elektrischen Feldes innerhalb der Quantentrogstruktur (4) in den Quantentrögen (6) liegen.
12. Laser nach einem der Ansprüche 2 bis 11, bei dem die Pumpstrahlung (10) die Resonanzbedingung einer 1ongitudinalen Mode des Resonators, der aus dem rückseitigen Reflektor (11) und der Oberseite des Halbleiterkörpers (1) gebildet wird, erfüllt.
13. Laser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Energiedifferenz zwischen den Photonenenergien der Pumpstrahlung (10) und der Laserstrahlung (8) gleich einem ganzzahligen Vielfachen der LO-Phononenenergie der Quantentröge (6) ist.