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Die vorliegende Erfindung betrifft
ein in einem Halbleiterkörper
angeordnetes Halbleiterbauelement mit mindestens einem integrierten
Lateralwiderstand.
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Solche Halbleiterbauelemente können beliebig
ausgebildet sein, das heißt,
es kann sich hier. um einen Thyristor, einen IGBT, einen MOSFET,
einen J-FET, einen Bipolartransistor oder schlicht um eine Widerstandsstruktur
in einer wie auch immer ausgebildeten Halbleiterschicht handeln.
Der Aufbau und die Funktionsweise solcher Halbleiterbauelemente
ist vielfach bekannt, so dass hier auf eine detaillierte Beschreibung
dieser Halbleiterbauelemente verzichtet werden kann. Im folgenden
soll als Beispiel eines Halbleiterbauelementes von einem Thyristor
mit einer radialsymmetrisch ausgebildeten Widerstandsstruktur ausgegangen
werden, ohne jedoch die Erfindung auf dieses Halbleiterbauelement
zu beschränken.
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Integrierte widerstände spielen
in Leistungs-Halbleiterbauelementen im Allgemeinen und bei Hochspannungsthyristoren
im Besonderen eine große
Rolle. Sie werden beispielsweise in Thyristorstrukturen mit sogenannter
Amplifying-Gate-Struktur implementiert, um die Stromanstiegsgeschwindigkeit
beim Einschalten des Thyristors zu begrenzen. Ohne integrierte Widerstände riskieren
solche Thyristorstrukturen zerstört
zu werden.
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Der Aufbau eines Thyristors mit einer
Amplifying-Gate-Struktur
ist beispielsweise in dem Deutschen Patent
DE 42 15 378 C1 beschrieben.
Eine beispielhafte Weiterentwicklung dieser Thyristor-Struktur ist
in der
DE 196 50 762
A1 , insbesondere dort in den
1,
3 und
4, beschrieben.
Weiterhin sind Hochleistungsthyristoren und Verfahren zur Realisierung von
integrierten Widerständen
in Thyristoren in einem Artikel von V.A.K. Temple, "Advanced Light Triggered
Thyristor for Electric Power Systems", IEEE International Conference Thyristors
and Variable and Static Equipment for AC and DC Transmission (1981)
beschrieben.
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In Thyristorstrukturen haben integrierte
Widerstände
den Zweck, den Strom durch eine oder mehrere der sogenannten Amplifying-Gatestufen
zu begrenzen, um damit einer möglichen
Zerstörung
des Bauelements unter extremen Schaltbedingungen vorzubeugen. Ein
Thyristor mit Amplifying-Gatestruktur ist meist radialsymmetrisch
aufgebaut. Der Hauptemitter ist konzentrisch um eine oder mehrere
Hilfsemitter angeordnet, die über
Hilfsemitterelektroden bzw. sogenannte Amplifying-Gate-Elektroden kontaktiert
sind. Zwischen einer oder mehreren dieser Amplifying-Gate-Elektroden
kann ein integrierter Lateralwiderstand zum Schutz des Thyristors
vorgesehen sein, der in einem eigens dafür vorgesehenen Widerstandsbereich
angeordnet ist. Die Amplifying-Gate-Elektroden sind typischerweise
kreisringförmig
ausgebildet. Dadurch bedingt ist auch der integrierte Lateralwiderstand
vorzugsweise von radialsymmetrischer Form. Der Wert des integrierten
Lateralstandes R hängt
zum einen vom Schichtwiderstand R
s und zum
anderen vom Innen- r
i und Außenradius
r
a des Widerstandsbereiches ab. Bei radialsymmetrischen
Widerstandsstrukturen gilt also für den integrierten Lateralwiderstand
R:
Für den differentiellen Widerstand
dR(r) einer radialsymmetrischen Widerstandsstruktur gilt dann:
Der Schichtwiderstand R
s ist abhängig
von der Dotierungskonzentration sowie der Beweglichkeit der Ladungsträger in der
Halbleiterschicht. Bei einer durch Diffusion erzeugten Widerstandsschicht
wird der Schichtwiderstand R
S z.B. durch
eine Dotierungsbelegung sowie die gewählten Diffusionsparameter (Temperatur,
Dauer der Diffusion) eingestellt. Bei einer homogen dotierten Widerstandsstruktur
ist somit der Schichtwiderstand konstant.
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Radialsymmetrische Lateralwiderstände bestehen
jedoch häufig
aus einem kreisringförmigen
Widerstandsbereich, der eine oder mehrere kreisringförmige inhomogene
Widerstandsbereiche enthält.
In dem Europäischen
Patent
EP 472 880 B1 ,
insbesondere deren
1 und
2, ist ein Thyristor mit einer solchen
lateralen inhomogenen Widerstandsstruktur sowie ein Verfahren zu
dessen Herstellung offenbart. Diese radialsymmetrischen Inhomogenitäten sind
dort in äquidistanten
Abständen
zueinander angeordnet und weisen auch eine gleiche Ringdicke auf.
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Das Problem bei einer solchen radialsymmetrischen
Widerstandsstruktur besteht darin, dass der differentielle Widerstand
dR(r) bei ortsunabhängigem
Schichtwiderstand mit wachsendem Radius r immer kleiner wird. Eine
solche radiale Abhängigkeit
des differentiellen Widerstands dR ist dann besonders gravierend,
wenn der Lateralwiderstand R unter bestimmten Schaltbedingungen,
insbesondere bei hohen Strömen
und/oder Spannungen, extrem stark belastet wird. Aufgrund der Ortsabhängigkeit
des differentiellen Widerstandes wird in den inneren Widerstandsbereichen,
die gegenüber
den äußeren Widerstandsbereichen
einen signifikant höheren
differentiellen Widerstand aufweisen, eine entsprechend höhere Leistung
dissipiert. Die höhere
dissipierte Leistung führt
an diesen Stellen zu einer zusätzlichen
Temperaturerhöhung,
die sich auf das Temperaturverhalten sowohl des Lateralwiderstandes
selbst als auch der durch den BOD-Bereich eingestellten Schutzspannung
auswirkt. Da die Werte des Lateralwiderstandes und der Schutzspannung
von der Temperatur abhängen,
führt je de
weitere Temperaturerhöhung
im Bauelement selbst zu einer Veränderung dieser eingestellten
Werte. Bei extremen Bedingungen, das heißt bei hohen Strömen und/oder
Spannungen, wird der Lateralwiderstand daher dort überlastet
und thermisch zerstört,
was verständlicherweise
unter allen Umständen
vermieden werden sollte.
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Der vorliegenden Erfindung liegt
daher die Aufgabe zugrunde, eine vorzugsweise radiale Ortsabhängigkeit
des Schichtwiderstandes RS derart zu realisieren,
dass neben der Anforderung an den Gesamtwiderstand R eine weitere
Anforderung an einen zweiten physikalisch relevanten Parameter erfüllt ist.
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Die Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement
gemäß Anspruch
1 gelöst.
Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Erfindungsgedankens sind
in Unteransprüchen
gekennzeichnet.
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Eine erfindungsgemäße Realisierung
umfasst ein gattungsgemäßes Halbleiterbauelement
mit einem ortsunabhängigen
differentiellen Widerstand, also beispielsweise einem linear von
r abhängigem
Schichtwiderstand RS. Alternativ könnte ein
differentieller Widerstand vorgesehen werden, der so beschaffen
ist, dass die im Widerstand dissipierte Leistung nicht mehr (oder
nur noch schwach) von der Radialkomponente abhängt. In beiden vorgeschlagenen
Fällen
ist auch die Temperaturbelastbarkeit deutlich verbessert, da der
radial innen liegenden Widerstandsbereich durch einen stärkeren Widerstandsbeitrag
der außen
liegenden Bereiche entlastet wird.
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Die folgenden Ausführungen
beziehen sich auf die Realisierung eines gattungsgemäßen Halbleiterbauelementes,
bei dem der differentielle Widerstand dR des Laterialwiderstandes
ortsunabhängig
ausgebildet ist. Es gilt: dR/dr ≈ K, wobei
mit dr der differentielle Radius des Lateralwiderstandes bezeichnet
ist und K eine beliebige Konstante darstellt.
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Die Einstellung des weitestgehend
konstanten differentiellen Widerstandes erfolgt typischerweise mittels
im Widerstandsbereich angeordneten Inhomogenitäten. Diese Inhomogenitäten sind
in dem Widerstandsbereich vorzugsweise radialsymmetrisch angeordnet
und weisen z.B. gegenüber
der Dotierung der übrigen, homogen
dotierten Widerstandsbereiche eine unterschiedliche elektrisch aktive
Dotierungskonzentration auf.
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Die radialsymmetrischen Inhomogenität können wie
folgt ausgebildet sein:
- – Die Inhomogenitäten weisen
durch Bestrahlung einen lokal veränderten (vorzugsweise erhöhten) Schichtwiderstand
auf als der ursprüngliche
Widerstandsbereich.
- – Die
Inhomogenitäten
weisen durch Dotierung, beispielsweise Diffusion oder Implantation,
eine veränderte,
vorzugsweise höhere
Dotierungskonzentration als der Widerstandsbereich auf.
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Radialsymmetrische Inhomogenitäten, bei
denen der Widerstand lokal erniedrigt bzw. die Dotierung lokal erhöht ist,
können
durch eine oder mehrere der nachfolgenden Maßnahmen realisiert sein:
- – Die
Breite oder der Durchmesser der Inhomogenitäten nimmt mit zunehmendem Radius
ab.
- – Der
Abstand der Inhomogenitäten
zueinander nimmt in radialer Richtung mit zunehmendem Radius zu.
- – Die
elektrisch aktive Dotierungskonzentration der Inhomogenitäten nimmt
mit zunehmendem Radius ab.
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Wird mit ansteigender Tiefe, mit
der die Bereiche mit Inhomogenitäten
in den Halbleiterkörper
hineinragen, der Schichtwiderstand an den jeweiligen Inhomogenitäten lokal
erhöht
(z.B. durch lokales Bestrahlen oder Ätzen), so nimmt diese Tiefe
mit zunehmendem Radius zu.
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Die radialsymmetrischen Inhomogenitäten können in
der Projektion Oberfläche
des Halbleiterkörpers die
folgenden Formen annehmen:
- – Die Inhomogenitäten sind
als konzentrische Kreisringe ausgebildet.
- – Die
Inhomogenitäten
sind als Punkte oder Kreise ausgebildet, die konzentrisch um den
Mittelpunkt des radialsymmetrischen Halbleiterbauelementes angeordnet
sind. Prinzipiell denkbar sind auch andere Geometrien (außer Punkte,
Kreise).
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Das Halbleiterbauelement selbst ist
vorteilhafterweise als Thyristor, insbesondere als Hochspannungsthyristor,
ausgebildet. Ferner ist der Thyristor in einer sehr vorteilhaften
Ausgestaltung radialsymmetrisch ausgebildet und weist insbesondere
radialsymmetrische Emitterbereiche auf.
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Nachfolgend wird die Erfindung anhand
der in den Figuren der Zeichnung angegebenen Ausführungsbeispiele
näher erläutert: Es
zeigt dabei:
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1 einen
Teilschnitt einer Amplifying-Gate Struktur eines Thyristors mit
erfindungsgemäßem integriertem
Widerstand;
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2 anhand
von Teilschnitten (a) – (b)
ein erstes Verfahren zur Realisierung eines integrierten Lateralwiderstands
mit ortsunabhängigem
differentiellen Widerstand;
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3 anhand
von Teilschnitten (a) – (c)
ein zweites Verfahren zur Realisierung eines integrierten Lateralwiderstands
mit ortsunabhängigem
differentiellen Widerstand.
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1 zeigt
einen Teilschnitt eines aus der eingangs genannten
DE 196 50 762 A1 bekannten
Thyristors. Ein Halbleiterkörper
1,
beispielsweise eine Siliziumscheibe, enthält eine n
–-dotierte
anodenseitige Basiszone
2. Anodenseitig grenzt eine p
+-dotierte Emitterzone
5 an die
Basiszone
2 an. Die Emitterzone
5 ist an der Scheibenrückseite
13 großflächig über eine
Anodenelektrode
6 elektrisch kontaktiert. Kathodenseitig
schließt sich
eine p-dotierte Basiszone
3 an. Die Basiszone
3 enthält eine
Aussparung
4, wobei die Basiszone
3 im zentralen
Bereich
8 des Thyristors über seine Geometrie einen Bereich
mit reduzierter Durchbruchspannung definiert. Ein solcher Bereich
mit reduzierter Durchbruchspannung ist dem Fachmann auch als BOD-Bereich bekannt
und wird insbesondere bei sogenannten überkopfzündbaren Thristoren verwendet.
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Kathodenseitig sind in der Basiszone 3 n+-dotierte Emitterzonen 7 eingebettet,
die beispielsweise die Hilfsemitterzonen von Hilfsthyristoren sein
können.
Die Emitterzonen 7 werden durch Emitterelektroden 10 kontaktiert.
Außerdem
kontaktieren die Emitterelektroden 10 an der Außenseite
auch die Basiszone 3.
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Das Halbleiterbauelement ist rotationssymmetrisch
bezüglich
der senkrecht auf den beiden Oberflächen 13, 14 des
Halbleiterkörpers 1 stehenden
Achse 15, die im zentralen Bereich 8 des Halbleiterbauelementes
verläuft,
aufgebaut. Die kathodenseitige Basiszone 3 und die Emitterzonen 7 sowie
die entsprechenden Elektroden 10 sind in der Ebene der
Oberfläche
des Halbleiterkörpers 1 kreisförmig oder
kreisringförmig
ausgebildet. Der erfindungsgemäße Thyristor
ist vorzugsweise ein Ringthyristor. Die dargestellten Formen der oben
genannten Zonen und Schichten 3 bis 8 sind jedoch
nicht zwingend. Sie können
auch von der Kreisform bzw. Kreisringform abweichen und beispielsweise
polygonal ausgeformt sein.
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Der in dem Teilschnitt in 1 dargestellte Thyristor
weist ferner eine übliche
Amplifying-Gate-Struktur und einen in einem Widerstandsbereich 9 angeordneten
integrierten Lateral-Widerstand R auf. Der integrierte Widerstandsbereich 9 befindet
sich zwischen zwei Hilfsemittern der Amplifying-Gate-Struktur und zwar zwischen dem
dritten und vierten Amplifying-Gate AG3, AG4. Der Widerstandsbereich 9 weist
in 1 nicht dargestellte
radialsymmetrische, inhomogene Widerstandsbereiche derart auf, dass
der differentielle Widerstand des Lateralwiderstandes R dadurch
ortsunabhängig,
d. h. konstant ist.
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Solche inhomogenen Widerstandsbereiche,
die nachfolgend auch als Inhomogenitäten innerhalb des Widerstandsbereiches 9 bezeichnet
werden, können
beispielsweise wie folgt ausgebildet sein:
- – Der Widerstandsbereich 9 besteht
aus einer Mehrzahl kreisringförmiger
Widerstandsringe.
- – Der
Widerstandbereich 9 enthält kreisringförmige inhomogene
Bereiche, die gegenüber
den übrigen
Bereichen des Widerstandbereichs 9 einen erhöhten oder
erniedrigten Schichtwiderstand aufweisen und durch lokales Dotieren,
Bestrahlen oder Ätzen
erzeugt worden sind.
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Nachfolgend wird anhand zweier Ausführungsbeispiele
beschrieben, wie dieser erfindungsgemäße Widerstandsbereich 9 mit
konstantem differentiellen Widerstand hergestellt werden kann.
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Ausführungsbeispiel 1:
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2(a) zeigt
eine in einem Halbleiterkörper 1 angeordnete
Siliziumschicht 20, in den der radial homogen dotierte
Widerstandsbereich 9 eingebettet ist. Auf die Oberfläche des
Halbleiterkörpers 1 im
Bereich des Widerstandsbereiches 9 ist eine beliebige Maske 21,
beispielsweise aus Siliziumdioxid oder Photolack, aufgebracht worden.
Die freigelegten Bereiche der Maske 22 definieren radialsymmetrische,
kreissringförmige Bereiche.
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Die 2(b) zeigt
den Fortgang der Realisierung des erfindungsgemäßen Widerstandsbereiches 9 aus 2(a). Nach einem geeigneten Prozessschritt,
beispielsweise einer Bestrahlung, einer Diffusion, einer Implantation
oder dergleichen, werden die radialsymmetrischen kreissringförmigen Inhomogenitäten 23 innerhalb
des Widerstandsbereiches 9 erzeugt. Diese Inhomogenitäten 23 weisen
entweder eine durch Bestrahlung erzeugte erhöhte Defektdichte und somit
einen höheren
Widerstand auf oder können
alternativ eine durch Diffusion oder Ionenimplantation von Dotierelementen
gleichen Leistungstyps bewirkte höhere Dotierungskonzentration
und damit einen niedrigeren Widerstand aufweisen.
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Im ersteren Falle wird zur Erzielung
eines räumlich
inhomogenen Lateralwiderstands von einem radial konstanten Schichtwiderstand
im Widerstandsbereich ausgegangen, wobei der Widerstandsbereich über eine entsprechend
strukturierte Maske mit Ionen bestrahlt wird. Dadurch werden an
den Stellen der Bestrahlung Defekte im Widerstandsbereich
9 erzeugt,
so dass die Leitfähigkeit
an diesen Stellen abgesenkt wird. Eine typische Maskenform bildet
im Falle eines ringförmigen
Widerstandsbereiches beispielsweise eine Anordnung mit konzentrischen
Ringen, wobei die Breite b der darin eingebetteten Inhomogenitäten
23 nach
außen
hin zunimmt und/oder bei denen der Ringabstand a nach außen hin
abnimmt. Dabei werden die jeweiligen Breiten b und Abstände a so
angepasst, dass die geforderten Eigenschaften nach dem radial konstanten
differentiellen widerstand erfüllt
werden. Durch diese Maßnahme
wird im Gegensatz zu der in der Deutschen Patentanmeldung
DE 19 640 311 .1 (von H.-J.
Schulze) beschriebenen radial homogenen Absenkung des Schichtwiderstandes
der radiale Verlauf des Schichtwiderstandes derart modifiziert,
dass eine über
dem Widerstand abfallende elektrische Spannung gleichmäßiger über den
Widerstand verteilt wird und somit auch die im Widerstand dissipierte
Leistung radial besser verteilt wird.
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Außer den genannten ringförmigen Geometrien
sind eine Reihe weiterer Maskengeometrien wie beispielsweise entsprechend
angeordnete Lochmasken denkbar, die ebenfalls in etwa radialsymmetrisch
angeordnet sind. Denkbar ist auch, die Maske 21 als Maske
mit entsprechend räumlichen
Dickenvariationen auszulegen, so dass an den Stellen erhöhter Dicke
eine stärkere
Absorption der Strahlung als an Stellen geringerer Dicke stattfindet,
wodurch an den Stellen höherer
Dicke eine geringere Defektdichte und somit ein geringerer Widerstand
generiert wird. Während
die Maskenform wesentlich durch den räumlichen Verlauf des Widerstandes
bestimmt wird, kann der absolute Widerstandswert des Lateralwiderstandes
darüber
hinaus durch eine zusätzliche
räumliche
homogene Bestrahlung sehr genau eingestellt werden.
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In dem vorstehenden Absatz wurden
jeweils die Inhomogenitäten
durch die Erzeugung von Defekten bewirkt. Bei durch Implantation
oder Diffusion erzeugten Inhomogenitäten, bei denen die Dotierung
lokal erhöht
ist, ist hinsichtlich der Abstände
a der Kreisringe zueinander bzw. deren Breite b umgekehrt zu verfahren.
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Zur Erzeugung eines konstanten differentiellen
Widerstandes könnten
darüber
hinaus auch die Tiefen t1, t2 der Inhomogenitäten 23 und/oder des
Widerstandsbereiches 9 in geeigneter Weise variiert werden.
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Ausführungsbeispiel 2:
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In 3(a) ist
auf der Oberfläche
der Siliziumschicht 20 eine homogene Dotierstoffbelegung 24 aufgebracht.
Auf dieser ist wiederum eine strukturierte Maske 21, die
die Funktion einer Ätz-Barriere
inne hat, aufgebracht.
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Die 3(b) zeigt
den Fortgang der Realisierung des erfindungsgemäßen Widerstandsbereiches 9 aus 3(a), bei der der Halbleiterkörper 1 einem Ätzprozess – im Beispiel
in 3(b) ist dies ein nasschemischer Ätzprozess – ausgesetzt
wird. Durch das Ätzen
werden die freiliegenden Bereiche 22 der Dotierstoffbelegung 24 weggeätzt, wobei
die Bereiche der Dotierstoffbelegung 24 unterhalb der Maske 21 mit
Ausnahme einer mehr oder weniger starken Unterätzung bestehen bleiben und
eine strukturierte Dotierstoffbelegung 24' bilden.
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Die 3(c) zeigt
den Fortgang der Realisierung aus 3(b).
Hier ist die Siliziumschicht 20 nach einem Diffusionsprozess
dargestellt, bei dem Dotierstoffe aus der strukturierten Dotierstoffbelegung 24' in die Schicht 20 diffundieren
und dort den räumlich
strukturierten Widerstandsbereich 9 bilden kann.
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Der in 3 skizzierte
integrierte näherungsweise
ortsunabhängige
Widerstand mit ortsabhängigem Schichtwiderstand
ist vorteilhafterweise das Ergebnis eines relativ schnell diffundierenden,
dotierenden Elements. Bei einem p-dotierten Widerstandsbereich kann
dieses Element beispielsweise durch Aluminium gebildet sein.
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Der absolute Widerstandswert kann
durch den Belegungswert, die gewählte
Diffusionszeit und die Diffusionstemperatur eingestellt werden.
Zusätzlich
kann natürlich
dem gesamten Prozessverlauf ein vorhergehender, nicht maskierter
Dotierprozess (Diffusion oder Implanation) zur Erzeugung einer homogenen
Grunddotierung vorausgehen.
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Eine weitere alternative Möglichkeit
im Rahmen des zweiten Ausführungsbeispiels
zur Herstellung eines Widerstandsverlaufs mit bestimmten räumlichen
Eigenschaften besteht darin, die Dotierungselemente statt durch
eine maskierte Dotierstoffbelegung durch eine maskierte Ionenimplantation
(oder auch Diffusion) radial inhomogen im Halbleiterkörper 1 zu
verteilen. Hierbei wird durch eine Maske, beispielsweise aus Siliziumdioxid
(SiO2), Siliziumnitrid (Si3N4) oder Photolack, dafür gesorgt, dass der zu diffundierende
Dotierstoff während
der Dotierphase (Implantation oder Diffusion) nur lokal in den Halbleiterkörper 1 eindringen
kann. Es werden dadurch lokale Dotierwannen im Halbleiterkörper 1 erzeugt.
Anschließend
wird der Dotierstoff weiter in den Halbleiterkörper 1 eindiffundiert.
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Im Falle eines ringförmigen Widerstandsbereiches
9 bietet
sich für
die Struktur der Ätzmaske
21 wiederum
eine Anordnung konzentrischer Ringe an, deren Breite (b1) zur Erzielung
eines radial konstanten differentiellen Widerstands nach außen hin
abnimmt und/oder bei denen der Ringabstand (a1) nach außen hin
zunimmt. Durch diese Maßnahme
wird im Gegensatz zu der in der Europäischen Patentanmeldung
EP 0 472 880 (von Kuhnert,
Mitlehner, Schulze, Pfirsch) beschriebenen Einstellung des Schichtwiderstandes
mit radial unveränderten
Parametern a1 und b1, der radiale Verlauf des Schichtwiderstandes
derart modifiziert, dass eine über
dem Widerstand abfallende elektrische Spannung gleichmäßiger über den
Widerstand verteilt wird und somit auch die im Widerstand dissipierte
Leistung radial besser verteilt wird. Der endgültige Widerstandsverlauf wird
durch einen abschließenden
Diffusionsschritt hergestellt.
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Die Erfindung sei nicht ausschließlich auf
die gezeigten Ausführungsbeispiele
der 1 bis 3 beschränkt. Vielmehr können dort
beispielsweise durch Austauschen der Leitfähigkeitstypen n gegen p und
umgekehrt sowie durch Variation der Dotierungskonzentrationen eine
Vielzahl neuer Varianten angegeben werden. Die oben beschriebenen
unterschiedlichen Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
mit integriertem, inhomogenen Widerstandsbereich können auch
kombiniert werden und lassen sich sowohl auf n- als auch auf p-leitende Widerstandsbereiche
anwenden. Grundsätzlich
können
die erfindungsgemäßen Verfahren
zur Realisierung jeder Art von Halbleiterbauelement angewendet werden.
Besonders bevorzugt werden die beschriebenen Verfahren zur Herstellung
eines Thyristors eingesetzt. Ferner ließen sich selbstverständlich noch
viele andere bekannte Verfahren zur Erzeugung der radialsymmetrischen
Widerstandstrukturen mit konstantem differenziellen Widerstand angeben,
die im Rahmen des handwerklichen Wissens eines Fachmanns liegen.
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- 1
- Halbleiterkörper
- 2
- anodenseitige
Basiszone
- 3
- kathodenseitig
Basiszone
- 4
- Aussparung
- 5
- anodenseitig
Emitterzone
- 6
- Anodenelektrode
- 7
- kathodenseitig
Emitterzonen, Hilfsemitterzonen
- 8
- zentraler
Bereich, BOD-Bereich
- 9
- Widerstandsbereich
- 10
- Emitterelektroden
- 12
- Gateelektrode
- 13
- Oberfläche, Scheibenrückseite
- 15
- Achse
- 20
- Siliziumschicht
- 21
- Maske
- 22
- freigelegte
Bereiche in der Maske
- 23
- Inhomogenitäten
- 24
- Dotierstoffbelegung
- 24'
- strukturierte
Dotierstoffbelegung
- a,
a1
- Abstände
- AG1–AG5
- Amplifying-Gate
- HE
- Hauptemitter
- b,
b1
- Breite
- R
- Lateralwiderstand
- r
- Radius
- t1,
t2
- Tiefe