DE1021926B

DE1021926B - Device for controlling higher DC voltages

Info

Publication number: DE1021926B
Application number: DES48479A
Authority: DE
Inventors: Dipl-Ing Reinma Huebner-Kosney
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Siemens Corp
Priority date: 1956-04-26
Filing date: 1956-04-26
Publication date: 1958-01-02
Also published as: DE1021926C2

Description

DEUTSCHESGERMAN

In vielen Fällen liegt bei elektrischen Einrichtungen die Aufgabe vor, höhere Gleichspannungen steuern zu können. Als erstes Beispiel sei hierfür angeführt die Speisung des Steuerkreises eines Magnetverstärkers. An den Anschlußklemmen dieses Steuerkreises muß vielfach eine relativ hohe Spannung zur Verfügung stehen, damit bei gleichzeitiger Anordnung eines Widerstandes in dem Steuerkreis für die Erzielung einer möglichst kleinen Zeitkonstanten des Magnetverstärkers dieser Steuerkreis noch mit einem genügend hohen Stromwert ausgesteuert werden kann. Weitere Beispiele bilden Steuersätze für Stromrichter, wobei diese Steuersätze die Steuerspannung für den Steuerkreis des Metalldampfentladungsgefäßes zu liefern haben.In many cases the task of electrical equipment is to control higher DC voltages to be able to. The first example is the supply of the control circuit of a magnetic amplifier. In many cases, a relatively high voltage must be available at the terminals of this control circuit stand so with the simultaneous arrangement of a resistor in the control circuit for the achievement the smallest possible time constant of the magnetic amplifier, this control circuit still with a sufficiently high current value can be controlled. Other examples are tax rates for converters, these control rates the control voltage for the control circuit of the metal vapor discharge vessel have to deliver.

Die Erfindung hat eine Anordnung zum Gegenstand, bei welcher sich bei einem sehr kleinen Raumbedarf und einem geringen Aufwand, an zuverlässig arbeitenden Teilen mit einer geringen Steuerleistung eine sehr wirksame Steuerung erreichen läßt. Erfindungsgemäß werden zur Erreichung dieses Effekts eine Anzahl von. Transistoren mit ihren Emitter-Kollektor-Strecken untereinander und mit dem in seiner Speisung zu steuernden Verbraucher sowie der Speisespaninungsquelle des Stromkreises in Reihe geschaltet und mit ihren Basiselektroden über je einen Reihenwiderstand an solche Abgriffe eines an der Speisespannung liegenden Spannung.steilerwiderstandes angeschlossen, daß im gesperrten Zustand der Anordnung die Gesamtspannung sich in etwa gleiche Spannungswerte auf die Kollektor-Emitter-Strecken der einzelnen Transistoren aufteilen würde, und weiterhin wird einer der beiden die Enden der Transistorenreihe bildenden Transistoren an seiner Basis-Emitter-Strecke mittels einer an dieser liegenden Spannung in der Durchlässigkeit seiner Emitter-Kollektor-Strecke gesteuert. Die einzelnen Transistoren haben die gleiche Leitfähigkeitstypfolge, sind also z. B. alle vom n-p-n- oder alle vom p-n-p-Typ. Die Widerstände zwischen den Basiselektroden der einzelnen aufeinanderfolgenden Transistoren und den entsprechenden Abgriffen des Spannungsteilers müssen jeweils eine individuelle Bemessung erfahren. Sie bestimmt sich durch die Spannungsveränderung, die die Emitterelektrode und die Basiselektrode des einzelnen Transistors gegenüber dem Abgriff an dem Spannungsteiler bis zur vollen Aussteuerung des Systems annehmen, damit erstens jeder einzelne Transistor genügend weit geöffnet wird und zweitens der über seine Basis-Emitter-Strecke fließende Strom keinen zu hohen Stromwert annehmen kann, also begrenzt wird. Von diesen in Reihe geschalteten Transistoren dient nach dem bereits Gesagten der eine Transistor als Steuer-Einrichtung zur Steuerung
höherer GleichspannungenThe object of the invention is an arrangement in which a very effective control can be achieved with a very small space requirement and a low expenditure on reliably working parts with a low control power. According to the invention, to achieve this effect, a number of. Transistors with their emitter-collector paths with each other and with the consumer to be controlled in its supply as well as the supply voltage source of the circuit are connected in series and connected with their base electrodes via a series resistor to such taps of a voltage divider resistor connected to the supply voltage that the blocked State of the arrangement, the total voltage would be divided into approximately equal voltage values on the collector-emitter paths of the individual transistors, and one of the two transistors forming the ends of the row of transistors is also at its base-emitter path by means of a voltage in the The permeability of its emitter-collector path is controlled. The individual transistors have the same conductivity type sequence. B. all of the npn or all of the pnp type. The resistances between the base electrodes of the individual successive transistors and the corresponding taps on the voltage divider must each be individually rated. It is determined by the voltage change that the emitter electrode and the base electrode of the individual transistor assume compared to the tap on the voltage divider up to the full control of the system, so that firstly each individual transistor is opened sufficiently and secondly the one flowing through its base-emitter path Current cannot assume a current value that is too high, i.e. it is limited. Of these series-connected transistors, one transistor is used as a control device for the control, according to what has already been said
higher DC voltages

Anmelder:Applicant:

Siemens-SchuckertwerkeSiemens-Schuckertwerke

Aktiengesellschaft,Corporation,

Berlin und Erlangen,Berlin and Erlangen,

Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50

Dipl.-Ing. Reinmar Hübner-Kosney,Dipl.-Ing. Reinmar Huebner-Kosney,

Berlin-Schlachtensee,
ist als Erfinder genannt wordenBerlin-Schlachtensee,
has been named as the inventor

transistor des Systems, während die anderen einander der Reihe nach steuern bzw. mitnehmen. Entsprechend dem Wert der Steuerspannung an der Emitter-Basis-Strecke dieses Steuertransistors ergibt sich, dann eine entsprechende Steuerung der Spannung, welche an dem Verbraucher entsteht, und damit der Speisung dieses Verbrauchers. Wirkungsmäßig arbeitet die Anordnung im einzelnen derart, daß durch einen Steuereffekt am Steuertransistor über dessen Kollektor-Emitter-Strecke eine entsprechende selbsttätige Steuerung des in der Reihenschaltung nachfolgenden Transistors in dessen Steuerkreis und damit in seiner Kollektor-Emitter-S trecke stattfindet. Durch den Kollektorstrom dieses Transistors erfolgt wieder eine entsprechende Steuerung des Steuerkreises des in der Reihenschaltung nachfolgenden Transistors usf., bis schließlich der Steuereffekt sich durch die gesamte Reihenschaltung der Transistoren fortgepflanzt hat und die gesamte Strombahn für die Speisung des Verbrauchers durchgesteuert ist.transistor of the system, while the others control or take each other in turn. Corresponding the value of the control voltage at the emitter-base path of this control transistor then results in a corresponding control of the voltage that arises at the consumer, and thus the supply this consumer. Effectively, the arrangement works in detail such that by a Control effect on the control transistor via its collector-emitter path a corresponding automatic control of the following in the series connection Transistor in its control circuit and thus in its collector-emitter S range takes place. Through the Collector current of this transistor takes place again a corresponding control of the control circuit of the in the series circuit following transistor etc., until finally the control effect is through the has propagated the entire series connection of the transistors and the entire current path for the Feeding the consumer is controlled.

Eine entsprechende beispielsweise Ausführung für die Anwendung der Erfindung veranschaulicht die Zeichnung.A corresponding exemplary embodiment for the application of the invention is illustrated by FIG Drawing.

In dieser bezeichnen 1, 2, 3 z. B. drei Flächentransistoren, welche in diesem Fall vom n-p-n-Leitfähigkeitstyp sind. Die Emitterelektroden, der Transistoren sind jeweils mit α bezeichnet, die Basiselektroden mit b und die Kollektorelektroden mit c. 4 bezeichnet den Verbraucherwiderstand der Anordnung, 5 die Spannungsquelle, die in diesem Fall beispielsweise in Form einer Batterie angedeutet ist. Wie aus der Figur zu. erkennen ist, liegen die dreiIn this denote 1, 2, 3 z. B. three junction transistors, which in this case are of the npn conductivity type. The emitter electrodes of the transistors are each designated with α , the base electrodes with b and the collector electrodes with c. 4 designates the load resistance of the arrangement, 5 the voltage source, which in this case is indicated, for example, in the form of a battery. As shown in the figure too. can be seen, lie the three

709 847/255709 847/255

3 43 4

Transistoren über ihre Emitter-Kollektor-Strecken Spannungsteilerwiderstand zwischen 7 und 8 bzw. untereinander und mit dem Widerstand 4 in Reihe 6 und 7.Transistors have a voltage divider resistance between 7 and 8 resp. with each other and with resistor 4 in series 6 and 7.

geschaltet an den Klemmen der Gleichspannungs- In der Darstellung nach dem Ausführungsbeispielconnected to the terminals of the DC voltage. In the illustration according to the exemplary embodiment

quelle 5. An den Klemmen der Gleichspannungs- sind einzelne Reihenwiderstände 6, 7 und 8 für die quelle 5 liegt außerdem noch ein Spannungsteiler, 5 Bildung des Spannungsteilers benutzt. Es ist sinnder aus den Widerständen 6 bis 8 besteht. Die Ver- gemäß zu übersehen, daß an deren Stelle natürlich bindungsleitungen zwischen den Spannungsteiler- auch ein durchgehender Widerstand benutzt werden widerständen 7 und 8 bzw. zwischen den Spannungs- kann, der mit entsprechenden einstellbaren Spanteilerwiderständen 6 und 7 sind über einen. Widerstand nungsabgrift'en versehen ist. source 5. Individual series resistors 6, 7 and 8 are connected to the DC voltage terminals for source 5, there is also a voltage divider, 5 used to form the voltage divider. It is made up of resistors 6 to 8. The alternative to overlook the fact that in their place of course connection lines between the voltage divider resistors 7 and 8 or between the voltage divider resistors 7 and 8 can be used, which are connected to corresponding adjustable chip splitter resistors 6 and 7 via a. Resistance is provided nungsabgrift'en.

10 an die Basiselektrode 3 6 des Transistors 3 bzw. io Eine Schaltung nach dem Ausführuiigsbeispiel über den Widerstand 9 an die Basiselektrode 2 b des kann weiterhin dadurch vereinfacht werden, daß gar Transistors 2 angeschlossen. An den Klemmen 11 kein besonderer Spannungsteiler l>enutzt wird, son- und 12 liegt eine veränderbare Spannung zur Steue- dem daß die Spannungsquelle 5 eine solche ist, die rung des Transistors 1 in seinem Steuerkreis. Wird an sich mit entsprechenden Spannungsabgriffen verdie Spannung an den Klemmen 11 und 12 erhöht, so 15 sehen ist und somit unmittelbar gleichzeitig für die wird auf diese Weise der Transistor 1 geöffnet. Es Bildung bzw. Lieferung der Teilspannungen benutzt kann daher ein Strom von dem Anschluß des Wider- werden kann, wie z. B. eine Batterie. Standes 9 an dem Spannungsteiler 6 bis 8 über die Weiterhin sind in dem Ausführungsbeispiel drei10 to the base electrode 3 6 of the transistor 3 or io. A circuit according to the exemplary embodiment via the resistor 9 to the base electrode 2 b of the can furthermore be simplified in that even transistor 2 is connected. No special voltage divider 1 is used at terminals 11, but a variable voltage is applied to control that voltage source 5 is one that controls transistor 1 in its control circuit. If the voltage at the terminals 11 and 12 is increased with the corresponding voltage taps, then the transistor 1 is opened in this way, and thus immediately at the same time for the. The formation or delivery of the partial voltages can be used, therefore, a current from the connection of the resistor can be used, such as B. a battery. Standes 9 on the voltage divider 6 to 8 via the Furthermore, there are three in the exemplary embodiment

Basis-Emitter-Strecke des Transistors 2 und über die einzelne Transistoren 1, 2 und 3 benutzt. Eine solche Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 1 fließen. 20 Anordnung läßt sich dahingehend aufbaumäßig weiter Mit dem Anwachsen des Stromes in dem Steuerkreis vereinfachen, daß gegebenenfalls ein einheitliches des Transistors 2 wird dieser Transistor aber an Halbleitersystem benutzt wird, welches unmittelbar seiner Kollektor-Emitter-Strecke geöffnet, so daß eine entsprechende Folge von p-n-Übergängen aufsinngemäß nun ein entsprechender Strom von dem weist. Es würde beispielsweise an die Stelle der drei Anschluß des Widerstandes 10 an dem Spannungs- 25 Transistoren 1 bis 3 eine Halbleiteranordnung treten teiler 6 bis 8 über die Basis-Emitter-Strecke des können, welche die Folge n-p-n-p-n-p-n aufweist, Transistors 3 und die Kollektor-Emitter-Strecken der wobei sinngemäß die einzelnen Zonen bei verschie-Transistoren 2 und 1 fließen kann. Mit dem Öffnen denem Leitfähigkeitscharakter der Transistoranorddes Transistors 3 kann aber ein entsprechender Strom nung mit entsprechenden Anschlüssen versehen sind. über den Verbraucherwiderstand 4 entstehen, der in 30 In der Anordnung kann erfindungsgemäß geseiner Speisung gesteuert werden soll. Es entsteht gebenenfalls ein Widerstand 13 vorgesehen sein. An also am Verbraucherwiderstand dann eine ent- diesem wird unter dem Einfluß des Stromes, welcher sprechende Spannung, die bestimmt wird durch die über den Spannungsteiler 6 bis 8 fließt, ein ent-Steuerspannung, mit welcher der Transistor 1 aus- sprechender Spannungsabfall entstehen, welcher sogesteuert wird. Aus der Anordnung ist zu erkennen, 35 mit eine konstante Vorspannung für den Steuerkreis daß die Spannung, die am Verbraucherwiderstand 4 des Transistors 1 bildet. Mit dieser konstanten Vorentstehen! kann, maximal etwa gleich der Summe der spannung kann die eigentliche Steuerspannung an den Kollektor-Emitter-Spannungen sein kann, die an Klemmen 11 und 12 entweder additiv oder subtrakallen in der Reihenschaltung benutzten Transistoren 1 tiv zusammenwirken.Base-emitter path of transistor 2 and the individual transistors 1, 2 and 3 used. Such Collector-emitter path of transistor 1 flow. 20 arrangement can be further structured in this respect With the increase of the current in the control circuit simplify that, if necessary, a uniform of the transistor 2, this transistor is used on semiconductor systems, which directly its collector-emitter path opened, so that a corresponding sequence of p-n junctions in accordance with now a corresponding stream of the points. For example, it would take the place of the three Connection of the resistor 10 to the voltage 25 transistors 1 to 3 join a semiconductor arrangement divider 6 to 8 over the base-emitter path of the can, which has the sequence n-p-n-p-n-p-n, Transistor 3 and the collector-emitter paths of the individual zones in the case of different transistors 2 and 1 can flow. With the opening the conductivity character of the transistor array However, transistor 3 can be provided with appropriate connections for a corresponding current voltage. arise via the consumer resistance 4, which in 30 In the arrangement can be healthier according to the invention Feed is to be controlled. If necessary, a resistor 13 may be provided. At So at the consumer resistance then a de- this becomes under the influence of the current, which Speaking voltage, which is determined by the voltage flowing through the voltage divider 6 to 8, an ent control voltage, with which transistor 1 a pronounced voltage drop occurs, which one is controlled will. The arrangement shows 35 with a constant bias voltage for the control circuit that the voltage that forms across the load resistor 4 of the transistor 1. With this constant advancement! can, at most approximately equal to the sum of the voltage, the actual control voltage to the Collector-emitter voltages can be either additive or subtractive at terminals 11 and 12 In the series circuit used transistors 1 cooperate tiv.

bis 3 höchstzulässig auftreten darf. Bei ordnungs- 40 Für die Arbeitsweise der gesamten Anordnung gemäßem Betriebszustand ist dabei trotzdem jeder muß außerdem in Betracht gezogen werden, daß der einzelnen Transistoren mit der entsprechenden eventuell die einzelnen Transistoren, abhängig vom anteiligen Spannung beansprucht, die bestimmt ist Belastungszustand der Anordnung einen gewissen durch den Spannungswert, der zwischen den An- Temperaturgang aufweisen. Damit dieser Tempeschlußpunkten der Basiselektroden zweier in der 45 raturgang der Transistoren, keine Fehler in die Reihenschaltung aufeinanderfolgenden Transistoren Steueranordnung hineinträgt, kann dieser Tempeam Spannungsteiler 6 bis 8 bestimmt ist. Mit An- raturgang weitgehend kompensiert werden, beispielswachsen des Spannungsabfalls an dem Verbraucher- weise durch Einschaltung eines Widerstandes 14 in widerstand 4 verschiebt sich das Potential der Ver- die Zuleitung zur Emitterelektrode des Steuerbindungsleitungen der Emitter-Kollektor-Strecken je 50 transistors 1. Der an diesem Widerstand mit der zweier in der Reihenfolge aufeinanderfolgenden Tran- Änderung der Belastung des Verbrauchers 4 entsistoren immer mehr derart, daß dieser Potentialwert stehende Spannungsabfall ändert sich proportional niedriger wird als das Potential des Anschlusses der mit diesem. Er bildet also in dem Emitter-Basis-Basis des in der Reihenfolge nachfolgenden Tran- Kreis bzw. Steuerkreis des ersten Transistors 1 eine sistors an dem Spannungsteiler. Hierdurch würde 55 Gegenspannung, Diese Gegenspannung wächst sinnsich sinngemäß ein entsprechendes Anwachsen des gemäß, wie angegeben, mit der Belastung des VerStromes über die Basis-Emitter-Elektrode des in der brauchers. Nun kann aber der Fall eintreten, daß Reihenschaltung nachfolgenden Transistors ergeben. durch äußere Wärmeeinflüsse die Transistoren in Damit dieser Stromwert keinen zu hohen Wert an- ihrer Wirkung verändert werden, so daß bei unvernehmen kann, muß der Widerstand zwischen dem 6° änderter Steuerspannung am Steuertransistor unge-Spannungsteileranschluß und der Basiselektrode jedes wolke Änderungen in der Speisung des Verder Transistoren entsprechend als Begrenzungswider- brauchers 4 eintreten. Eine solche Änderung der stand bemessen werden. Wie die Überlegung ergibt, Speisung des Verbrauchers 4 beispielsweise im Sinne muß also bei einer Anordnung nach dem Aus- einer Erhöhung des über ihn fließenden Stromes führungsbeispiel der Widerstand 10 einen größeren 65 erzeugt aber sinngemäß einen entsprechenden größe-Wert haben als der Widerstand 9, denn die Ver- ren Spannungsabfall an dem Widerstand 14 im bindungsleitung zwischen 3a und 2 c verschiebt sich Steuerkreis des ersten Transistors 1. Hierdurch wird potentialmäßig um einen größeren Wert als die Ver- die Spannung zwischen der Basis- und der Emitterbindungsleitung zwischen 2a und ic gegenüber dem elektrode des ersten Transistors 1 herabgesetzt. Das jeweiligen Anschluß der Basis 3 6 bzw. 2 6 an dem 70 bedeutet aber eine Steuerung des Transistors inup to 3 is allowed to occur. For the operation of the entire arrangement in accordance with the operating state, everyone must also take into account that the individual transistors with the corresponding possibly the individual transistors, depending on the proportional voltage, which is determined by the load state of the arrangement, stresses a certain amount the voltage value between the temperature response. This temperature can be determined at the voltage divider 6 to 8 so that these temperature termination points of the base electrodes of two transistors control arrangements in the range of the transistors do not introduce errors into the series connection of transistors. Can be largely compensated for with an output response, for example the increase in the voltage drop at the consumer mode by switching on a resistor 14 in resistor 4, the potential of the supply line to the emitter electrode of the control connection lines of the emitter-collector paths is shifted for 50 transistors 1 each this resistance with the two consecutive Tran- change the load of the load 4 desistors more and more so that this potential value standing voltage drop changes proportionally lower than the potential of the connection with this. It thus forms a transistor on the voltage divider in the emitter-base-base of the Tran circuit or control circuit of the first transistor 1 following in the sequence. This would result in 55 countervoltage, this countervoltage grows in a corresponding manner, as indicated, with the load on the VerStroms over the base-emitter electrode of the user. But now the case can arise that series connection results in the following transistor. Due to external heat influences the transistors in So that this current value does not change its effect too high, so that in case of unresponsiveness, the resistance between the 6 ° changed control voltage at the control transistor un-voltage divider connection and the base electrode must change every cloud in the supply of the Verder transistors enter accordingly as limiting resistance 4. Such a change in the stand will be sized. As the consideration shows, the supply of the consumer 4, for example, in the sense of an arrangement after an increase in the current flowing through it management example, the resistor 10 generates a larger 65 but, in the same way, has a corresponding size value than the resistor 9, because the voltage drop across the resistor 14 in the connection line between 3a and 2 c shifts the control circuit of the first transistor 1. This increases the potential between the base and the emitter connection line between 2a and ic by a greater value than the voltage electrode of the first transistor 1 reduced. The respective connection of the base 3 6 or 2 6 to the 70 means, however, a control of the transistor in

Richtung seines Schließens, wodurch der über seine Kollektor-Emitter-Strecke fließende Strom herabgesetzt wird. Diese Herabsetzung des Kollektor-Emitter-Stromes des ersten Transistors pflanzt sich aber wieder sinngemäß durch die ganze Reihenschaltung der Transistoren 1 bis 3 fort, so daß eine entsprechende Verringerung der Zunahme des Stromes über den Verbraucherwiderstand 4 durch die äußeren Temperatureinflüsse bis auf einen für die Anordnung noch zulässigen Wert herbeigeführt wird.Direction of its closing, as a result of which the current flowing through its collector-emitter path is reduced will. This reduction in the collector-emitter current of the first transistor grows but again analogously through the whole series connection of transistors 1 to 3, so that one corresponding reduction in the increase in the current through the load resistor 4 by the external temperature influences are brought about up to a value that is still permissible for the arrangement.

Es ist zu übersehen, daß an die Stelle des Reihenwiderstandes 13 auch eine entsprechende aktive Spannungsquelle, z. B. in Form einer Batterie, treten kann.It is to be overlooked that in place of the series resistance 13 also has a corresponding active voltage source, e.g. B. in the form of a battery can.

Der Verbraucherwiderstand 4 kann im Rahmen der Erfindung beliebigen Charakters sein, er kann beispielsweise ein ohmscher Widerstand oder eine beliebige Impedanz sein.The consumer resistor 4 can be of any character within the scope of the invention, it can for example be an ohmic resistor or any impedance.

Im Sinne der eingangs angeführten Beispiele kann also beispielsweise der Widerstand 4 die Steuerwicklung eines Magnetverstärkers sein, die in Reihe mit einem entsprechenden Widerstand geschaltet ist, um auf diese Weise die Zeitkonstante des Magnetverstärkers auf einen erwünschten niedrigen Wert herabsetzen zu können. Der Verbraucher kann aber auch sinngemäß der Steuersatz für ein Entladungsgefäß mit Gittersteuerung oder Zündstiftsteuerung (Initialzündung mit kapazitivem Zünder) sein. Im Falle eines Steuersatzes für Stromrichter kann der Widerstand 4 entweder die Steuerwicklung eines Schaltdrosselsteuersatzes sein, oder er kann auch unmittelbar den Widerstand zwischen Gitter und Kathode eines Entladungsgefäßes bilden und damit die Steuerspannung an der Gitter-Kathoden-Strecke dieses Gefäßes bestimmen.In the sense of the examples given at the beginning So, for example, the resistor 4 can be the control winding of a magnetic amplifier, which is in series is connected with an appropriate resistor in order to reduce the time constant of the magnetic amplifier to be able to reduce it to a desired low value. But the consumer can also analogously to the tax rate for a discharge vessel with grid control or ignition pin control (Initial ignition with capacitive igniter). In the case of a tax rate for converters, the Resistor 4 can either be the control winding of a switching throttle control set, or it can directly form the resistance between the grid and cathode of a discharge vessel and thus determine the control voltage at the grid-cathode section of this vessel.

Claims

Patent claims:

1. Device for controlling higher DC voltages for the supply of consumers, characterized in that a number of transistors with their emitter-collector paths in the same direction with each other and with the consumer in series with the supply voltage source are applied, the first transistor with its control circuit at a variable control voltage and the base electrodes of the various transistors each have a resistor are connected to such voltage values, based on the voltage source, that im In the locked state of the arrangement, the total voltage is approximately the same voltage values on the collector-emitter paths of the individual transistors.

2. Device according to claim 1, characterized in that the base electrodes in the Series connection of successive transistors connected to taps of a voltage divider which is connected with its end connections to the voltage source of the system, which feeds the consumer group.

3. Device according to claim 1 or 2, characterized in that on. Place of the special Voltage divider resistor directly provided with corresponding voltage taps Voltage source is used to power the arrangement.

4. Device according to claim 1, characterized in that the resistors through which the individual base electrodes to the corresponding voltage value for the voltage distribution are connected, are dimensioned such that they are on the one hand one for the supply of the consumer conditional shift in the potential of the emitter-collector connecting line of two allow successive transistors and also for the control circuits of the transistors act as current limiting resistors.

5. Device according to claim 1 or one of the following, characterized in that in the control circuit of the expensive transistor a resistor or a voltage source is provided for the Definition of the operating point from which the variable control voltage of the control circuit starts can control this transistor.

6. Device according to claim 1 or one of the following, characterized in that in the supply line to the emitter electrode of the control transistor, a resistor is provided which is dimensioned in this way is that on him under the influence of undesirable changes in the consumer current such Voltage drop occurs as the counter voltage together with the control voltage in the control circuit of the first transistor reduces the undesired modulation of the load supply brings about a value permissible for the arrangement.

1 sheet of drawings