DE1021490B

DE1021490B - Transistor with elastically arranged and closely spaced tip electrodes

Info

Publication number: DE1021490B
Application number: DEI9602A
Authority: DE
Inventors: Anton Salecker
Original assignee: IBM Deutschland GmbH
Current assignee: IBM Deutschland GmbH
Priority date: 1953-12-31
Filing date: 1954-12-30
Publication date: 1957-12-27

Description

Transistor mit elastisch angeordneten und dicht benachbarten Spitzenelektroden Ein Punktkontakttransistor besteht allgemein aus einem Halbleiterkörper, einer am Halbleiterkörper befestigten und ihn tragenden Metallplatte, die einen festen Basiskontakt oder eine Basiselektrode mit größerem Flächenkontakt bildet, und zwei Punktkontakten bzw. -elektroden, die als Emitter und Kollektor bezeichnet werden. Emitter und Kollektor sind gewöhnlich als Spitzenelektroden durch Zuspitzen des Endes eines zylindrischen Drahtes derart ausgebildet, daß am Drahtende eine plangeschliffene Fläche mit einem Winkel von 45° zur Drahtachse vorhanden ist. Gewöhnlich werden Drähte mit Durchmessern in der Größenordnung von 0,13 mm verwendet. Die Spitze dieses Kontaktes wird auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgesetzt. Durch Biegen des Drahtes erreicht man einen gewissen Kontaktdruck, damit die Elektrodenspitze sich fest in ihrer Stellung auf dem Halbleiterkörper, der im allgemeinen aus Germanium besteht, hält.Transistor with elastically arranged and closely spaced tip electrodes A point contact transistor generally consists of a semiconductor body, one am Semiconductor body attached and supporting it metal plate, which has a fixed base contact or forms a base electrode with larger surface contact, and two point contacts or electrodes, which are referred to as emitter and collector. Emitter and collector are usually called tip electrodes by tapering the end of a cylindrical Wire formed such that at the end of the wire a plane-ground surface with a There is an angle of 45 ° to the wire axis. Usually wires with diameters on the order of 0.13 mm is used. The top of this contact will be on placed on the surface of the semiconductor body. Achieved by bending the wire a certain contact pressure so that the electrode tip is firmly in place on the semiconductor body, which generally consists of germanium, holds.

Bei Transistoren bestehen häufig dadurch Schwierigkeiten, daß sie ihre elektrischen Eigenschaften nicht für längere Zeit aufrechterhalten. Manche dieser Schwierigkeiten beruhen auf geringen Veränderungen in der Stellung der Kontakte oder sind auf Schwankungen in der Federspannung der Kontakte bei Alterung zurückzuführen. Die Eigenschaften der Transistoren sind außerdem Veränderungen durch Temperaturen unterworfen. Es ist anzunehmen, daß auch diese Veränderungen wenigstens teilweise einer gleichzeitigen Veränderung der Federspannung zuzuschreiben sind. Es ist bei Halbleiterdioden bekanntgeworden, zwischen Kontaktstift und Elektrodenanschluß eine Spiralfeder einzufügen. Derartige Kontaktanordnungen haben aber den Nachteil der zu großen Selbstinduktivität und der mangelnden mechanischen Stabilität der Kontaktfederspannung. In der Überwindung der bestehenden Schwierigkeiten liegt die der Erfindung zugrande liegende Aufgabe.With transistors there are often difficulties in that they do not maintain their electrical properties for long periods of time. Some these difficulties are due to slight changes in the position of the contacts or are due to fluctuations in the spring tension of the contacts with aging. The properties of the transistors are also changes due to temperatures subject. It can be assumed that these changes too, at least in part can be attributed to a simultaneous change in the spring tension. It is at Semiconductor diodes become known, one between the contact pin and the electrode connection Insert spiral spring. Such contact arrangements have the disadvantage of too high self-inductance and the lack of mechanical stability of the contact spring tension. The invention is based on overcoming the existing difficulties lying task.

Für einen Transistor mit elastisch angeordneten und dicht benachbarten Spitzenelektroden besteht danach die Erfindung darin, daß an dem dem Halbleiterkristall zugewandten Ende des durch den Sockel des Transistors isoliert durchgeführten Anschlußstiftes fahnenartig eine Blattfeder angeschweißt oder angelötet ist, an deren freiem, abgewinkeltem Ende ein Kontaktelement angeschweißt oder angelötet ist, dessen freies und zugespitztes Ende die Halbleiteroberfläche unter Federdruck berührt.For a transistor with elastically arranged and closely adjacent According to the invention, tip electrodes are that of the semiconductor crystal facing end of the pin passed through the base of the transistor in an insulated manner A leaf spring is welded or soldered like a flag, to the free, angled one End of a contact element is welded or soldered, its free and pointed End touches the semiconductor surface under spring pressure.

Der erfindungsgemäße Transistor weist gegenüber den bekannten Transistoren ein verbessertes Kontaktsystem mit höherer Federspannung und höheren Kontaktdrücken auf. Die Transistorenkontaktanordnung besitzt stabilere Eigenschaften, insbesondere in bezug auf Federspannung und Kontaktdruck, als die der bekannten Transistoren. Ein weiterer Vorteil der Transistorkontaktspitzenanordnung nach der Erfindung liegt in den besseren mechanischen Eigenschaften. Die Federspannung kann bei der erfindungsgemäßen Anordnung unabhängig von den Eigenschaften des Kontaktdrahtes bestimmt werden, so daß dieser Draht nur im Hinblick auf seine Kontakteigenschaften ausgewählt zu werden braucht. Höhere Kontaktdrücke und stabilere Kontaktdrücke können in dieser Weise erreicht werden.The transistor according to the invention differs from the known transistors an improved contact system with higher spring tension and higher contact pressures on. The transistor contact arrangement has more stable properties, in particular in terms of spring tension and contact pressure than those of the known transistors. Another advantage of the transistor contact tip assembly of the invention is in better mechanical properties. The spring tension can with the invention Arrangement can be determined independently of the properties of the contact wire, so that this wire should only be selected for its contact properties needs. Higher contact pressures and more stable contact pressures can be used in this way can be achieved.

Nach einer Abwandlung des Erfindungsgedankens ist die Kontaktspitze durch Abflachen des Endes des Drahtes oder eines Streifens, z. B. mit Hammer und Amboß, und durch Verwendung einer Ecke der abgeflachten Spitze als Kontakt hergestellt.According to a modification of the inventive concept, the contact tip by flattening the end of the wire or strip, e.g. B. with hammer and Anvil, and made by using a corner of the flattened tip as a contact.

Nach einer anderen zweckmäßigen Ausführungsform ist die Kontaktspitze aus Streifenmaterial anstatt aus Draht geformt.According to another expedient embodiment, the contact tip is formed from strip material instead of wire.

Das Streifenmaterial kann in herkömmlicher Weise zu einer Spitze abgeschliffen oder gehämmert werden. Der Kollektorkontaktkann vorteilhaft als zusammengesetzte Anordnung gebildet sein, während der Emitterkontakt durch Ausbildung einer Spitze am Ende des Federstreifens geformt sein kann.The strip material can be ground to a point in a conventional manner or be hammered. The collector contact can advantageously be used as a composite Arrangement be formed while the emitter contact by forming a tip can be shaped at the end of the spring strip.

Die Erfindung sei an Hand der Zeichnungen für einige beispielsweise Ausführungsformen näher beschrieben. Fig. 1 ist ein waagerechter Schnitt gemäß der Linie I-I in Fig. 2 und zeigt einen nach der Erfindung hergestellten Transistor; Fig. 2 ist ein senkrechter Schnitt gemäß der Linie II-II in Fig. 1, in Pfeilrichtung gesehen; Fig.3 enthält eine genaue vergrößerte Darstellung, teilweise im Aufriß und teilweise im Schnitt nach Linie III-III in Fig. 1; die Fig. 3 zeigt auch Einzelheiten eines der Kontakte; Fig. 4 zeigt einen Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers in Draufsicht; auf dieser Oberfläche liegt ein sogenannter 2,Punkt,<-Kontakt auf, der stark vergrößert dargestellt ist, um den Umriß des Kontaktbereiches zu veranschaulichen; Fig. 5 ist ein im Aufriß gezeichneter Kontakt nach der Erfindung; Fig. 6 ist eine Ansicht von rechts für die Anordnung nach Fig. 5; Fig. 7 zeigt den Umriß des Kontaktbereiches, den man mit der Kontaktausbildung nach den Fig.5 und 6 erreicht; Fig. 8 ist eine Darstellung ähnlich Fig. 5 ; die Anordnung nach Fig. 8 bildet einen Teil der Anordnung nach Fig. 1; sie zeigt das Verhältnis des Kontaktaufbaues nach Fig. 5 zu den sie tragenden Teilen Fig. 9 zeigt teilweise eine abgewandelte Form für die Auflage des Federelementes, das seinerseits den Kontakt trägt; Fig. 10 zeigt ein abgewandeltes Kontaktsystem; Fig. 11 ist ein Schnitt nach der Linie XI-XI in Fig. 10, in Pfeilrichtung gesehen; Fig. 12 zeigt eine abgewandelte Form des Kontaktsystems; Fig.13 ist eine Schnittdarstellung nach der Linie XIII-XIII in Fig. 12.The invention is based on the drawings for some, for example Embodiments described in more detail. Fig. 1 is a horizontal section according to the Line I-I in Figure 2 showing a transistor made in accordance with the invention; Fig. 2 is a vertical section along the line II-II in Fig. 1, in the direction of the arrow seen; Fig. 3 contains a detailed enlarged view, partly in elevation and partly in section after Line III-III in Fig. 1; the fig. Figure 3 also shows details of one of the contacts; Fig. 4 shows part of the surface of the semiconductor body in plan view; on this surface lies a so-called 2, point, <- contact on, which is shown greatly enlarged to the outline of the To illustrate the contact area; Figure 5 is a contact drawn in elevation according to the invention; Fig. 6 is a right side view for the arrangement of Fig. 5; Figure 7 shows the outline of the contact area associated with contact formation achieved according to Figures 5 and 6; Fig. 8 is a view similar to Fig. 5; the The arrangement of Figure 8 forms part of the arrangement of Figure 1; she shows that The relationship of the contact structure according to FIG. 5 to the parts carrying it, FIG. 9 shows partially a modified form for the support of the spring element, which in turn carries the contact; Fig. 10 shows a modified contact system; Fig. 11 is a Section along the line XI-XI in FIG. 10, seen in the direction of the arrow; Fig. 12 shows a modified form of the contact system; Fig.13 is a sectional view according to the line XIII-XIII in FIG. 12.

Die Fig. 1 bis 3 zeigen einen Transistor, bestehend aus der Metallgrundplatte 1, die einen Pfosten 2 trägt, welcher senkrecht vom Mittelpunkt der Grundplatte absteht und auf einer Seite nahe dem oberen Ende den Halbleiterkörper 3 trägt. Der Pfosten 2 bildet zugleich die Basiselektrode für den Transistor. Zwei Drähte 4 und 5 sind aufrecht durch die metallische Grundplatte 1 geführt, von der sie durch Isoliermuffen 6 und 7 isoliert sind. Der Transistor befindet sich in einem Metallgehäuse 19.1 to 3 show a transistor consisting of the metal base plate 1, which carries a post 2 which is perpendicular to the center of the base plate protrudes and carries the semiconductor body 3 on one side near the upper end. Of the Post 2 also forms the base electrode for the transistor. Two wires 4 and 5 are guided upright through the metallic base plate 1, from which they are through insulating sleeves 6 and 7 are isolated. The transistor is located in a metal housing 19.

Die oberen Enden der Drähte 4 und 5 sind abgebogen und mit 4cs bzw. 5a bezeichnet. An den abgebogenen Teilen 4 a und 5 a sind flache Blattfederelemente 8 befestigt. Diese Befestigung kann z. B. durch Punktschweißen oder Löten erfolgen. Die Blattfedern 8 stehen seitlich von dem Draht 4a ab, und ihre freien Enden 8a (Fig. 1) sind etwa um 135' gebogen. An den gebogenen Enden 8ca der Blattfedern 8 sind, z. B. durch Punktschweißen oder Löten, Kontaktspitzen 9 befestigt. Jede dieser Kontaktspitzen 9 besteht aus einem kurzen Ende zylindrischen Drahtes, dessen Ende durch Schleifen einer einzigen Fläche 9 a in einem Winkel von 45' zur Achse des Drahtes zugespitzt ist. Die Spitze dieser Fläche 9 a wird unter Druck gegen den Halbleiterkörper 3 durch die Spannung des Federelementes 8 gehalten.The upper ends of wires 4 and 5 are bent and marked with 4cs and 5a. On the bent parts 4 a and 5 a are flat leaf spring elements 8 attached. This attachment can, for. B. be done by spot welding or soldering. The leaf springs 8 protrude laterally from the wire 4a, and their free ends 8a (Fig. 1) are bent about 135 '. At the bent ends 8ca of the leaf springs 8 are e.g. B. by spot welding or soldering, contact tips 9 attached. Any of these Contact tips 9 consists of a short end of cylindrical wire, the end of which by grinding a single surface 9 a at an angle of 45 'to the axis of the Wire is pointed. The tip of this surface 9 a is under pressure against the Semiconductor body 3 held by the tension of spring element 8.

Bei einem Vergleich des dargestellten Transistors nach der Erfindung mit den Kontaktsystemen bekannter Halbleitervorrichtungen zeigt sich, daß ein üblicher Draht mit einem Durchmesser von 0,13 mm um 0,09 mm aus seiner freien Lage abgelenkt wurde, um einen Transistorkontakt zu bilden, wobei der Druck in dem Draht bei seiner Ablenkung 2,7 g betrug. Ein anderer üblicher Draht von 0,17 mm Durchmesser und mit derselben Ablenkung von 0,09 mm hatte einen Druck von 9,2 g. Vergleichsweise enthielt eine erfindungsgemäße Kontaktanordnung ein Federelement 8 aus Nickel mit einer Breite von 0,79 mm und einer Dicke von 0,13 mm. Bei Ablenkung um 0,09 mm zur Bildung eines Transistorkontaktes betrug der Druck in dem Federelement 24 g. Die dadurch erreichte Federspannung war fast dreimal so groß wie die größte mit der bekannten Kontaktkonstruktion erreichbare Federspannung und mehr als achtmal so groß wie die Spannung des anderen erwähnten bisher üblichen Kontaktes. Der Kontaktdruck wurde proportional vergrößert, da in beiden Fällen derselbe Kontaktumriß verwendet wurde.When comparing the illustrated transistor according to the invention with the contact systems of known semiconductor devices it is found that a common Wire with a diameter of 0.13 mm deflected 0.09 mm from its free position was to form a transistor contact, the pressure in the wire at its Deflection was 2.7 g. Another common wire 0.17mm in diameter and with the same deflection of 0.09 mm had a pressure of 9.2 g. Contained for comparison a contact arrangement according to the invention a spring element 8 made of nickel with a width of 0.79 mm and a thickness of 0.13 mm. When deflected by 0.09 mm to form a At the transistor contact, the pressure in the spring element was 24 g. The thereby achieved Spring tension was almost three times as great as the largest with the known contact construction achievable spring tension and more than eight times the tension of the other previously mentioned contact. The contact pressure was increased proportionally, since the same contact outline was used in both cases.

Die Fig. 4 zeigt den Umriß des Kontaktbereiches, den man bei den bisher üblichen Kontaktkonstruktionen erhält. Es ist in Fig. 4 ein Teil 10 des Germaniumkörpers dargestellt, wobei ein in gestrichelten Linien gezeigter länglicher Bereich 11 angibt, wo die Spitze eines Kontaktes (z. B. des Kontaktes 9) das Germanium berührt. In diesem Bereich 11 befindet sich ein kleiner mittlerer Bereich 11a von etwa kreisförmigem Umriß, wo ein sehr hoher Kontaktdruck entwickelt wird.Fig. 4 shows the outline of the contact area, which one in the hitherto usual contact constructions. In FIG. 4 it is a part 10 of the germanium body shown, with an elongated area 11 shown in dashed lines indicating where the tip of a contact (e.g. contact 9) touches the germanium. In This area 11 is a small central area 11a of approximately circular Outline where a very high contact pressure is developed.

Die Fig. 5 bis 8 stellen eine abgewandelte Kontaktanordnung nach der Erfindung dar. Diese Figuren zeigen einen Kontakt, der aus der Spitze eines Drahtes 12 durch Abflachen des Drahtendes, z. B. mit Hilfe von Hammer und Amboß, geformt ist, um so eine keilförmige Spitze 12a zu bilden. Die Fig.7 zeigt den Umriß des Kontaktbereiches, den man mit einer Spitze (nach Fig. 5 und 6) erreicht. Man sieht also, daß der Kontaktbereich 13 eine Form hat, die im allgemeinen der eines Kreissegmentes gleicht, welcher etwas größer als ein Halbkreis ist und entlang der geraden Seite scharf abgeschnitten ist.5 to 8 represent a modified contact arrangement according to the Invention. These figures show a contact emerging from the tip of a wire 12 by flattening the end of the wire, e.g. B. with the help of a hammer and anvil so as to form a wedge-shaped tip 12a. 7 shows the outline of the Contact area that can be reached with a tip (according to FIGS. 5 and 6). One sees so that the contact area 13 has a shape that is generally that of a segment of a circle which is slightly larger than a semicircle and along the straight side is cut off sharply.

Die keilförmige Spitze 12a kann wesentlich leichter und schneller hergestellt werden als die bisher bekannten geschliffenen Spitzen und hat gleich gute elektrische Eigenschaften.The wedge-shaped tip 12a can be much lighter and faster are manufactured than the previously known ground tips and has the same good electrical properties.

Die Fig. 8 zeigt, wie man den Kontakt 12 anbringen kann, um geeignete Kontaktdruckbedingungen zu sichern. Gemäß Fig. 8 wird der Kontakt 12 von einer Feder 14 festgehalten, die im rechten Winkel abgebogen und z. B. durch Löten oder Punktschweißen an einem aufrecht stehenden Pfosten 15 befestigt ist. Der Pfosten 15 kann z. B. dem Draht 5 in Fig. 1 und 2 entsprechen.Fig. 8 shows how you can attach the contact 12 to appropriate To secure contact printing conditions. According to Fig. 8, the contact 12 is from a spring 14 held, the bent at right angles and z. B. by soldering or spot welding is attached to an upright post 15. The post 15 can, for. B. correspond to wire 5 in Figs.

Die Fig.9 veranschaulicht eine abgewandelte Ausführungsform zum Festhalten der Feder B. Nach Fig. 9 ist die Feder 8 z. B. durch Löten an dem oberen Ende eines Drahtes 16 befestigt, dessen Durchmesser etwas größer als der des Drahtes 5 von Fig. 2 ist. Der Draht 16 verläuft in seiner gesamten Länge senkrecht. Sein oberes Ende ist nicht abgewinkelt. Obwohl durch das Nichtvorhandensein eines abgewinkelten Endes die Länge der Verbindung zwischen der Feder 8 und dem Draht 16 gegenüber der entsprechenden Verbindung bei der abgebogenen Spitze 6« des Drahtes 5 verkleinert ist, hat es sich doch gezeigt, daß dadurch, daß man dem Draht 16 einen größeren Durchmesser als dem Draht 5 gibt, die Verbindung stark genug und die Herstellung des Transistors erleichtert wird.9 illustrates a modified embodiment for holding the spring B. According to FIG. 9, the spring 8 is z. By soldering to the top of one Wire 16 attached, the diameter of which is slightly larger than that of the wire 5 of Fig. 2 is. The wire 16 runs vertically over its entire length. Its upper one End is not angled. Although due to the absence of an angled End the length of the connection between the spring 8 and the wire 16 opposite the corresponding connection at the bent tip 6 ″ of the wire 5 is reduced is, it has been shown that by giving the wire 16 a larger Diameter than the wire 5 gives, the connection strong enough and the manufacture of the transistor is facilitated.

Die Fig. 10 und 11 veranschaulichen eine abgewandelte Ausführungsform der Kontaktspitzenelemente. Die Federelemente 8 und der Halbleiterkörper 3 sind dieselben wie in den Anordnungen nach den vorhergehenden Figuren. Die Kontaktspitzenelemente 17 sind jedoch insofern anders, als sie aus flachem Bandmaterial anstatt aus Drahtmaterial wie bei den Anordnungen nach den vorhergehenden Figuren bestehen. Die Spitzen an den Kontaktelementen 17 können durch Schleifen wie bei der bekannten Drahtspitze geformt werden, oder man kann eine keilförmige Spitze durch Hämmern wie bei der Ausführung nach den Fig. 5 bis 8 formen.FIGS. 10 and 11 illustrate a modified embodiment the contact tip elements. The spring elements 8 and the semiconductor body 3 are the same as in the arrangements according to the previous figures. The contact tip elements 17 are different, however, in that they are made of flat strip material instead of wire material exist as in the arrangements according to the previous figures. The tips on the contact elements 17 can be made by grinding as with the known wire tip can be shaped, or you can create a wedge-shaped tip by hammering as with the Shape according to FIGS. 5 to 8.

Die Fig. 12 und 13 zeigen eine weitere abgewandelte Form der Transistorausbildung. Bei dem hier gezeigten Transistor ist an der Kollektorelektrode eine Spitze 17 geformt, wie sie in Fig. 10 und 11 gezeigt ist. Die Emitterelektrode ist jedoch insofern anders, als sie direkt am freien Ende eines Federelementes 18 geformt ist, das das Federelement 8 nach den vorhergehenden Figuren ersetzt. Diese Kontaktspitze 18r am Ende des Federelementes 18 kann entweder nach dem üblichen Schleifverfahren oder durch Hämmern - wie hier beschrieben - geformt werden.FIGS. 12 and 13 show a further modified form of transistor design. In the transistor shown here, a tip 17 is formed on the collector electrode, as shown in Figs. However, the emitter electrode is so far differently than it is formed directly at the free end of a spring element 18 that the Replaced spring element 8 according to the previous figures. This contact tip 18r at the end of the spring element 18 can either by the usual grinding process or by hammering - as described here - shaped.

Es hat sich gezeigt, daß hinsichtlich der elektrischen Eigenschaften der Emitterelektrode weniger Gefahr besteht, daß diese durch Veränderungen in der Qualität des verwendeten Kontaktmaterials ungünstig beeinflußt werden, und daß man in vielen Fällen einen zufriedenstellenden Emitterelektrodenkontakt gemäß Fig. 12 und 13 direkt am Ende eines Federelementes 18 formen kann, dessen Material vor allem nach seinen Federeigenschaften anstatt nach seinen elektrischen Eigenschaften ausgewählt wird.It has been shown that in terms of electrical properties the emitter electrode is less likely to be affected by changes in the Quality of the contact material used are adversely affected, and that one in many cases a satisfactory emitter electrode contact according to FIG. 12 and 13 can form directly at the end of a spring element 18, the material of which above all selected for its spring properties rather than its electrical properties will.

Um eine lange Lebensdauer und stabile Eigenschaften bei Transistoren zu erreichen, hat man versucht, die Feuchtigkeit aus den Transistoren auszuheizen, bevor sie in Kunststoff-, Glas- oder anderen Kolben verschlossen werden. Es hat sich jedoch als unmöglich erwiesen, bei sehr hohen Temperaturen zu heizen, weil die üblicherweise verwendeten Drahtmaterialien, z. B. Kupferlegierungen, bei solchen Temperaturen ihre Spannung verlieren. Jeder nach der Erfindung hergestellte Transistor kann jedoch in vorteilhafter Weise auch bei hohen Temperaturen ausgeheizt werden, indem man für die Federn 8 Federmaterialien auswählt, die eine geringe Entspannung oder einen geringen Spannungsverlust bei hohen Temperaturen erfahren; z. B. gestatten bestimmte Nickellegierungen (78,50/0 Ni, 14°/o Cr, 6,5°/'° Fe, 0,20/0 Cu, 0,250j0 Mn und 0,25°/o Si oder 74°/o Ni, 150'o Cr, 7% Fe, 0,40;'0 Si, 2,50/0 Ti und 0,90/0 Al oder 700j0 Ni, 14,160/0 Cr, 2,25 bis 2,75°/° Ti, 0,7 bis 1,2°/0 Nb, 0,4 bis 1,00/0 Al, 5 bis 90j0 Fe und 0,3 bis 10/, Mn) und die aushärtbare Legierung mit den Bestandteilen 98,5°;'° Ni, 0,030/0 Cu, 0,2°/0 Mn, 0,10;`0 Fe, 0,150/0 S1, 0,40/0 T1, 0,350/0 Mg, 0,250j0 C und 0,00501, S eine Verarbeitung bei hoher Temperatur und behalten trotzdem ihre guten Federeigenschaften. Nickeleisenlegierungen und einige Siliziumstäbe sind von diesem Gesichtspunkt aus ebenfalls vorteilhaft zu verwenden.In order to achieve a long service life and stable properties in transistors, attempts have been made to heat the moisture out of the transistors before they are sealed in plastic, glass or other flasks. However, it has proven impossible to heat at very high temperatures because the wire materials commonly used, e.g. B. copper alloys lose their tension at such temperatures. Each transistor produced according to the invention can, however, be baked out in an advantageous manner even at high temperatures by selecting spring materials for the springs 8 which experience a low relaxation or a low voltage loss at high temperatures; z. B. allow certain nickel alloys (78.50 / 0 Ni, 14% Cr, 6.5 ° / '° Fe, 0.20 / 0 Cu, 0.250 / 0 Mn and 0.25% Si or 74% o Ni, 150'o Cr, 7% Fe, 0.40; '0 Si, 2.50 / 0 Ti and 0.90 / 0 Al or 700j0 Ni, 14.160 / 0 Cr, 2.25 to 2.75 ° / ° Ti, 0.7 to 1.2 ° / 0 Nb, 0.4 to 1.00 / 0 Al, 5 to 90j0 Fe and 0.3 to 10 /, Mn) and the hardenable alloy with the components 98, 5 °; '° Ni, 0.030 / 0 Cu, 0.2 ° / 0 Mn, 0.10; `0 Fe, 0.150 / 0 S1, 0.40 / 0 T1, 0.350 / 0 Mg, 0.250 / 0 C and 0 , 00501, S can be processed at high temperatures and still retain their good spring properties. Nickel iron alloys and some silicon rods are also to be used advantageously from this point of view.

Claims

PATENT CLAIMS: 1. Transistor with elastically arranged and closely adjacent tip electrodes, characterized in that a leaf spring (8, 14, 8, 14, 18) is welded or soldered on, at the free, angled end (8a) of which a contact element (9) is welded or soldered, the free and pointed end (9a) of which touches the semiconductor surface (10) under spring pressure.

2. Device according to claim 1, characterized in that as a contact tip of the electrode (9) a corner of a flattened wire or strip end is used.

3. Device according to claims 1 and 2, characterized in that on a metallic base plate (1) two through the base plate (1) guided and against the base plate (1) insulated holding wires (4, 5) are erected, the upper ends ( 4a, 5a) are angled and have flat springs (8) pointing laterally to one another, which in turn are angled at their free ends (8a), in particular are angled by about 135 ', and each spring end (8a) one the semiconductor body (3) under pressure contacting tip electrode (9) carries.

4. Apparatus according to claim 3, characterized in that the flat spring (8) from Nickel is made.

5. Device according to claims 1 to 4, characterized in that that the electrode (12) on the contact side (12a) in the manner of a countersunk head with a wedge-shaped Tip is formed.

6. Apparatus according to claim 5, characterized in that that the longitudinal axis of the electrode (12) is parallel and the contact tip (12a) of the electrode is upright to the semiconductor surface when the wedge-shaped electrode tip the Touches the semiconductor surface.

7. Apparatus according to claim 6, characterized in that that the end of the electrode (12) lying parallel to the semiconductor surface with a Spring (14) is firmly connected, the other end of which is angled and a fixed Has connection to the support wire (15). B.

Device according to the claims 1 to 7, characterized in that the spring (8) carrying the electrode (9) Inconel or Permanickel is made.

9. Device according to claims 1 to 8, characterized in that the spring (8) is thicker than the electrode (9). Considered publications: German Patent Specifications Nos. 256 970, 287 607, 818 654; Swiss patent specification No. 124 623, French patent specification No. 585 406, 586 288; British Patent No. 635,690; U.S. Patent No. 2,606,960.