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DE102011009834B4 - Verfahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid - Google Patents

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    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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    • C01B21/064Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with boron
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Abstract

Verfahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid, dadurch gekennzeichnet, dass ein Reaktionsgemisch bestehend aus (i) einer Borverbindung – mit Ausnahme von Bornitrid – und (ii) Melamin oder Dicyandiamid oder Cyanamid und (iii) einem oder mehreren Übergangsmetallen ausgewählt aus Nickel, Kobalt, Eisen und Mangan, elementar als Pulver und/oder als Legierungen, mit oder ohne Zugabe von Platin elementar als Pulver, bei Drücken von höchstens 30 kbar und Temperaturen zwischen 400 und 1100°C umgesetzt wird.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues Verfahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid.
  • Kubisches Bornitrid wurde 1957 erstmals synthetisiert. Es ist nach dem Diamant der härteste bekannte Werkstoff.
  • Im Vergleich zu Diamant besitzt kubisches Bornitrid jedoch eine höhere thermische Stabilität. Durch das gute thermische Verhalten von kubischem Bornitrid bleibt dessen Härte noch bei 1000°C fast unverändert, währenddem Diamant schon bei ca. 700°C einen massiven Härteverlust erleidet.
  • Durch die Eigenschaften, hohe Härte und hohe thermische Stabilität, wurde kubisches Bornitrid zu einem wichtigen Schleif-, Polier- und Schneidmaterial. Technisch bedeutend ist kubisches Bornitrid vor allem als Schneidstoff für Wendeschneidplatten zur Bearbeitung von Stahl, da es – im Gegensatz zum Diamanten- unter Temperatureinwirkung keinen Kohlenstoff an Stahl abgeben kann. Zur Herstellung von pulverförmigem kubischem Bornitrid werden Hochdruck-Hochtemperatur-Verfahren eingesetzt. Analog zu Diamant aus Graphit läßt sich kubisches Bornitrid unter hohen Temperaturen (1500–2200°C) und hohem Druck (30–90 kbar) aus hexagonalem Bornitrid herstellen. Als Katalysatoren werden hierbei üblicherweise Nitride, Amide, Imide und Carbide von Alkalimetallen und Erdalkalimetallen eingesetzt. Verfahren dieser Art sind unter anderem beschrieben in EP 04 02 672 A2 , DE 44 23 987 C2 sowie in DE 197 21 082 A1 und US 3 772 428 A und DE 198 54 487 B4 . Die Verwendung von organischen, Stickstoff enthaltenden, Verbindungen, wie beispielsweise Melamin, zur Herstellung von hexagonalem Bornitrid ist bekannt. Überraschenderweise wurde nun gefunden, dass kubisches Bornitrid gebildet wird bei der Wärmebehandlung von Reaktionsgemischen bestehend aus Bor und/oder Borverbindungen, Kohlenstoff und/oder Stickstoff und/oder Wasserstoff enthaltenden Verbindungen und Übergangsmetallen und/oder deren Verbindungen. Von Vorteil gegenüber den herkömmlichen Verfahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid ist bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ein niedriger Temperaturbereich von unter 1100°C.
  • Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist die Durchführung ohne Anwendung hoher Drucke von über 30 kbar.
  • Diese Vorteile werden durch ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid umfassend folgende Schritte erreicht:
    Umsetzung einer Reaktionsmischung bestehend aus einer Borverbindung – mit Ausnahme von Bornitrid – und Melamin oder Dicyandiamid oder Cyanamid und einem oder mehreren Übergangsmetallen ausgewählt aus Nickel, Kobalt, Eisen und Mangan, elementar als Pulver und/oder als Legierungen, mit oder ohne Zugabe von Platin elementar als Pulver, bei Drücken von höchstens 30 kbar und Temperaturen zwischen 400 und 1100°C.
  • Zur Verbesserung des Verfahrensablaufs des erfindungsgemäßen Verfahrens und/oder der Produkteigenschaften des kubischen Bornitrids werden der Reaktionsmischung Nitride bildende Elemente und/oder deren Verbindungen beigemischt.
  • Elementares handelsübliches Bor besitzt ebenso wie Lithiumborid eine hohe Reaktivität, so dass bei den erfindungsgemäßen Reaktionsbedingungen ein hoher Umsetzungsgrad erzielt wird.
  • Als C-N-Verbindungen oder C-N-H-Verbindungen werden handelsübliche Materialien wie Melamin, Dicyandiamid, Cyanamid eingesetzt. Ein entscheidendes Merkmal des Verfahrens ist die Wärmebehandlung der vorstehend beispielhaft aufgeführten Reaktionskomponenten in Gegenwart von Übergangsmetallen der 6. bis 8. Nebengruppe des Periodensystems.
  • Solche Übergangsmetalle können in das Reaktionsgemisch elementar als feines Pulver oder/und in körniger Form oder/und als chemische Verbindung eingebracht werden.
  • Erfindungsgemäß werden die Übergangsmetalle Nickel, Kobalt, Eisen, Platin, Mangan elementar als Pulver und/oder als Legierungen eingesetzt.
  • Es ist bevorzugt, dass die Wärmebehandlung des Reaktionsgemisches eine oder mehrere Vorbehandlungsstufen umfasst.
  • Der Vorbehandlung folgt eine ein- oder eine mehrstufige Hauptbehandlung.
  • Die Vorbehandlung umfasst ein Erwärmen des Reaktionsgemisches auf eine oder mehrere Vorbehandlungstemperaturen und ein Verweilen bei diesen Vorbehandlungstemperaturen. Die Vorbehandlungstemperaturen liegen vorzugsweise im Bereich zwischen 200°C und 450°C, insbesondere zwischen 210°C und 430°C. Bei der Vorbehandlung ist eine Verweildauer von wenigen Minuten bis zu mehreren Stunden üblich. Durch die Vorbehandlung bildet sich ein Zwischenprodukt, in welchem das Übergangsmetall in einer teilweise oder ganz reagierten Form vorliegt.
  • Der Vorbehandlung folgt eine Hauptbehandlung. Die Hauptbehandlung umfasst vorzugsweise ein Erwärmen des aus der Vorbehandlung erhaltenen Zwischenprodukts auf ein oder mehrere Temperaturniveaus, ein Verweilen auf dem jeweiligen Temperaturniveau und ein Abkühlen auf Raumtemperatur. Die Temperaturniveaus der Hauptbehandlung liegen vorzugsweise im Bereich zwischen 400°C und 1100°C, insbesondere zwischen 430°C und 750°C. Die Dauer des Verweilens bei der Hauptbehandlung hat Einfluss auf die Korngröße des Reaktionsprodukts. Üblich ist eine Verweildauer bei der Hauptbehandlung zwischen wenigen Minuten und mehreren hundert Stunden.
  • Die Wärmebehandlung der erfindungsgemäßen Reaktionsgemische wird bevorzugt in einem verschlossenen und/oder abgedichteten und/oder offenen Behältnis vorgenommen insbesondere in einem Autoklaven oder in einem Quarzglasreaktor.
  • Nebenprodukte werden vorzugsweise nach jedem Behandlungsschritt abgetrennt. Bevorzugt soll im erfindungsgemäßen Verfahren unter dem Abtrennen der Nebenprodukte ein Entweichenlassen dieser Nebenprodukte, soweit sie gasförmig vorliegen, verstanden werden. Die bei der Wärmebehandlung entstehenden flüchtigen bzw. gasförmigen Nebenprodukte kann man beispielsweise beim Öffnen des gasdichten Behältnisses entweichen lassen, oder durch Einsatz entsprechender Werkstoffe ein Diffundieren oder Absorbieren zulassen.
  • Die Wärmebehandlung wird drucklos oder bei mäßigem Überdruck oder bei durch Anlegen von äußeren oder/und inneren Drucks erzeugten hohen Drucken durchgeführt. In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die Wärmebehandlung durch Anlegen eines äußeren Drucks bei hohen Drucken im Bereich bis zu 5 kilobar durchgeführt.
  • Üblicherweise wird als Reaktionsprodukt ein Gemisch erhalten bestehend aus kubischem Bornitrid und geringen Anteilen hexagonalen Bornitrid, Kohlenstoff, Übergangsmetall und abhängig von zugesetzten Additiven weiteren Nitriden.
  • Die Isolierung des kubischen Bornitrids erfolgt auf bekannte Weise durch chemische und physikalische Behandlung des Reaktionsprodukts.
  • Beispiel
  • Herstellung von kubischem Bornitrid durch Wärmebehandlung eines Reaktionsgemisches bestehend aus Lithiumborid, Dicyandiamid und Nickelpulver.
  • Ein Gemisch von 0,5 g Lithiumborid LiB12, 1,5 g Dicyandiamid und 0,25 g Nickelpulver (4–7 micron) wurde unter Aceton 10 Minuten lang gerieben, dann das Aceton abgedampft.
  • Von der auf diese Weise erhaltenen Ausgangsmischung wurden etwa 50 Milligramm in ein Platinröhrchen (Platintube Durchmesser 3 mm) gefüllt. Das gefüllte Platinröhrchen wurde anschließend im Lichtbogen zugeschweißt. Das gasdicht verschlossene, gefüllte Platinröhrchen wurde in einen außenbeheizten Autoklaven einer Hydrothermalanlage eingelegt.
  • Die Wärmebehandlung des aus Lithiumborid, Dicyandiamid und Nickelpulver bestehenden Reaktionsgemisches wurde in zwei aufeinanderfolgenden Schritten durchgeführt.
  • Erster Schritt: Vorbehandlung mit einer Verweildauer von 4 Tagen, bei einer Temperatur von 400°C und einem Druck von 1 kbar.
  • Zweiter Schritt: Anschließend an die Vorbehandlung erfolgte ohne Abkühlen die Hauptbehandlung bei einer Temperatur von 600°C und einem Druck von 3 kbar mit einer Verweildauer von 24 Stunden.
  • Nach Abkühlen und Öffnen des Platinröhrchens wurde ein schwarzes Pulver als Reaktionsprodukt erhalten.
  • Die Elementaranalyse lieferte folgendes Resultat: Das Reaktionsprodukt enthält 40 Gewichtsprozent Bornitrid, 13 Gewichtsprozent Kohlenstoff und 47 Gewichtsprozent Übergangsmetall.
  • Zur Prüfung der Härte wurde folgender Test durchgeführt: Auf eine polierte und gesäuberte Hartmetall-Fläche (Tizit S 22 T 1,2) wurde ein Tropfen Aethanol gegeben, dann einige Körnchen des Reaktionsprodukts darauf gestreut. Eine zweite polierte und gesäuberte Hartmetall-Fläche (Tizit S 22 T 1,2) wurde darauf gelegt und mit einem Pressdruck von ca. 10 kg wurden beide Hartmetallflächen aneinander gerieben. Dann wurden die aneinandergeriebenen Hartmetall-Flächen unter dem Mikroskop betrachtet. Die polierten Hartmetall-Flächen zeigten zahlreiche Kratzspuren.
  • Die Röntgendiffraktometeraufnahme des Reaktionsprodukts, dargestellt in 1, zeigt einen peak im hexagonalen Bereich bei einem 2 Theta-Wert von 26,5 sowie ausgeprägte peaks im kubischen Bereich mit 2 Theta-Werten von 43,3, 50,5 und 74,2 entsprechend den 2 Theta-Werten von kubischem Bornitrid. Jeweils in der rechten Flanke der peaks vom kubischen Bornitrid sind in schwacher Ausprägung die 2 Theta-Werte von kubischem Nickel zu erkennen.
  • Bei einem Vergleichsversuch ohne Zusatz von Nickel wurde ausschließlich hexagonales Bornitrid erhalten.

Claims (7)

  1. Verfahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid, dadurch gekennzeichnet, dass ein Reaktionsgemisch bestehend aus (i) einer Borverbindung – mit Ausnahme von Bornitrid – und (ii) Melamin oder Dicyandiamid oder Cyanamid und (iii) einem oder mehreren Übergangsmetallen ausgewählt aus Nickel, Kobalt, Eisen und Mangan, elementar als Pulver und/oder als Legierungen, mit oder ohne Zugabe von Platin elementar als Pulver, bei Drücken von höchstens 30 kbar und Temperaturen zwischen 400 und 1100°C umgesetzt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1 dadurch ausgezeichnet, dass dem Reaktionsgemisch Nitride bildende Elemente und/oder deren Verbindungen beigemischt werden.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2 dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung eine oder mehrere Vorbehandlungen und/oder eine oder mehrere Hauptbehandlungen umfasst.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3 dadurch gekennzeichnet, dass die Vorbehandlung ein Erwärmen des Reaktionsgemisches auf Temperaturen im Bereich zwischen 200°C und 450°C umfasst und ein Verweilen bei diesen Temperaturen.
  5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4 dadurch gekennzeichnet, dass Nebenprodukte, soweit diese gasförmig vorliegen, aus dem Reaktionsgemisch durch Entweichenlassen oder Absorbieren oder Diffundieren oder Sublimieren abgetrennt werden.
  6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5 dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung ohne oder mit Anlegen eines äußeren Drucks durchgeführt wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5 dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung in einem Behältnis vorgenommen wird, das mit einer Vakuumquelle verbunden ist, vorzugsweise in einem evakuierten Autoklaven oder in einer CVD- oder PVD-Apparatur und das Abtrennen von flüchtigen Nebenprodukten mittels Unterdruck vorgenommen wird.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2947617A (en) * 1958-01-06 1960-08-02 Gen Electric Abrasive material and preparation thereof
US3918219A (en) * 1971-07-01 1975-11-11 Gen Electric Catalyst systems for synthesis of cubic boron nitride
DE2461821C3 (de) * 1974-12-30 1984-10-18 Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München Verfahren zur Herstellung von hexagonalem Bornitrid
JPS62108707A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Denki Kagaku Kogyo Kk 立方晶窒化ほう素の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3772428A (en) 1971-01-28 1973-11-13 Gen Electric Continuous growth of cubic boron nitride
ZA901859B (en) 1989-06-16 1991-08-28 Gen Electric Process for preparing polycrystalline cubic boron nitride and resulting product
JP3400842B2 (ja) 1993-07-09 2003-04-28 昭和電工株式会社 立方晶窒化ホウ素の製造方法
JP3471167B2 (ja) 1996-05-21 2003-11-25 昭和電工株式会社 立方晶窒化ホウ素の製造方法
KR100636415B1 (ko) 1997-11-25 2006-12-28 쇼와 덴코 가부시키가이샤 입방정질화붕소의제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2947617A (en) * 1958-01-06 1960-08-02 Gen Electric Abrasive material and preparation thereof
US3918219A (en) * 1971-07-01 1975-11-11 Gen Electric Catalyst systems for synthesis of cubic boron nitride
DE2461821C3 (de) * 1974-12-30 1984-10-18 Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München Verfahren zur Herstellung von hexagonalem Bornitrid
JPS62108707A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Denki Kagaku Kogyo Kk 立方晶窒化ほう素の製造方法

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HIRANO, S.I. [u.a.]:Effects of AIN Additions and Atmosphere on the Synthesis of Cubic Boron Nitride. In: J. Am. Ceram. Soc., Vol. 64, 1981, Nr. 12, S. 734-736. - ISSN 0002-7820 *
SACHDEV, H. [u.a.]: Pathways to c-BN from melts at atmospheric pressure. In: Int. J. Refract. Hard Met., Vol. 16, 1998, Nr. 3, S. 243-251. - ISSN 0263-4368 *
SEN, R. [u.a.]: B-C-N, C-N and B-N nanotubes produced by the pyrolysis of precursor molecules over Co catalysts, Chem. Phys. Lett., Vol. 287, 1998, Nr. 5-6, S. 671-676. - ISSN 0009-2614 *
SEN, R. [u.a.]: B–C–N, C–N and B–N nanotubes produced by the pyrolysis of precursor molecules over Co catalysts, Chem. Phys. Lett., Vol. 287, 1998, Nr. 5-6, S. 671-676. - ISSN 0009-2614
TERRONES, M. [u.a.]: Pyrolytically grown BxCyNz nanomaterials: nanofibres and nanotubes. In: Chem. Phys. Lett., Vol. 257, 1996, Nr. 5-6, S. 576-582. - ISSN 0009-2614 *

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