DE102009051129A1 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements - Google Patents

Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement weist einen Trägerkörper (3) mit einem Anschlussbereich (5) auf. Auf dem Trägerkörper (3) ist ein Halbleiterchip (7) angeordnet. Auf der vom Trägerkörper (3) abgewandten Oberfläche (8) des Halbleiterchips (7) ist ein Kontaktbereich (10) aufgebracht. Der Anschlussbereich (5) ist mit dem Kontaktbereich (10) über eine freitragende Leitungsstruktur (13) elektrisch leitend verbunden.
Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements beschrieben.

Description

• Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einem Trägerkörper, der einen Anschlussbereich aufweist. Auf dem Trägerkörper ist weiterhin ein Halbleiterchip aufgebracht. Darüber hinaus ist ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements angegeben.
• Ein Beispiel für ein solches optoelektronisches Bauelement und dem zugehörigen Herstellungsverfahren ist aus der Druckschrift DE10 2004 050 371 A1 bekannt. Hiernach ist auf einem Trägerkörper ein Halbleiterchip angeordnet, der zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist. Der Halbleiterchip weist an seiner vom Trägerkörper abgewandten Oberfläche einen Kontaktbereich auf. Weiter ist auf dem Trägerkörper ein Anschlussbereich vorgesehen. Auf der Anordnung ist eine transparente, elektrisch isolierende Verkapselungsschicht, insbesondere aus organischen Isolationsmaterialien, aufgebracht. Auf dieser Verkapselungsschicht wird eine elektrisch leitfähige Schicht zwischen dem Kontaktbereich auf dem Halbleiterchip und dem Anschlussbereich des Trägerkörpers geführt. Über diese elektrisch leitfähige Schicht wird der Halbleiterchip mit Strom versorgt.
• Es ist dabei oft problematisch, dass die Isolationsschicht, die von der vom Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung durchdrungen wird, nur eine begrenzte Temperaturbeständigkeit und eine begrenzte Strahlungsstabilität aufweist. Die Isolationsschicht führt darüber hinaus zu einem nicht vernachlässigbaren Stress auf die elektrischen Kontakte durch verschiedene thermische Ausdehnungskoeffizienten von Isolationsmaterial und Kontaktmaterial. Auch kommt es zu optischen Verlusten durch Einkoppeleffekte. Schließlich sind organische Isolationsmaterialien teuer.
• Der vorliegenden Erfindung liegt das Problem zugrunde, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen, mit dem die oben beschriebenen Nachteile gänzlich vermieden oder zumindest verringert werden.
• Dieses Problem wird durch ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß den unabhängigen Patentansprüchen 1 bzw. 10 gelöst.
• Weiterbildungen und vorteilhafte Ausgestaltungen des optoelektronischen Bauelements bzw. des Verfahrens zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
• Beispielhafte Ausführungsformen
• Verschiedene Ausführungsformen des optoelektronischen Bauelements weisen ein optoelektronisches Bauelement mit einem Trägerkörper auf. Auf dem Trägerkörper ist ein Halbleiterchip angeordnet und ein Anschlussbereich vorgesehen. Auf der vom Trägerkörper abgewandten Oberfläche des Halbleiterchips ist ein Kontaktbereich aufgebrachten. Der Anschlussbereich auf dem Trägerkörper ist mit dem Kontaktbereich auf dem Halbleiterchip über eine freitragende Leitungsstruktur elektrisch leitend verbunden.
• Der Trägerkörper kann ein Leadframe, eine Keramik, ein Printed Circuit Board (PCB), eine Metallkernplatine (MKP) oder ein elektrisch leitendes Substrat sein.
• Der Halbleiterchip kann ein Dünnfilmchip mit einer Dicke von etwa 10 μm, der als reiner Oberflächenemitter ausgelegt ist, sein. Alternativ kann der Halbleiterchip auch ein Volumenemitter mit einer Dicke in einer Größenordnung von etwa 100 μm bis 200 μm sein.
• Der Halbleiterchip weist als aktive Zone einen pn-Übergang auf, in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt wird. Der Halbleiterchip besteht bevorzugterweise aus einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial, insbesondere aus einem Nitridverbindungshalbleitermaterial.
• Die Tatsache, dass die elektrische Leitungsstruktur freitragend oder anders ausgedrückt selbsttragend ist, ist besonders vorteilhaft. Diese selbsttragende Struktur ermöglicht es beim fertig prozessierten Bauelement auf eine Verkapselungs- oder Isolierschicht zu verzichten. Die elektrische Leitungsstruktur ist in sich stabil genug, um ohne eine darunterliegende stützende Verkapselungsschicht auszukommen. Mit anderen Worten kann die Leitungsstruktur die Distanz zwischen dem Kontaktbereich des Halbleiterchips und dem Anschlussbereich des Trägerkörpers berührungslos überbrücken. Durch die Eigenschaft des Freitragens der Leitungsstruktur kann auf eine Isolierschicht zur elektrischen Abschirmung der Leitungsstruktur verzichtet werden. Insbesondere fehlt die Verkapselungs- oder Isolierschicht auf der Oberfläche und an den Seitenflächen des Halbleiterchips. Dies ergibt unter anderem die folgenden Vorteile: Die elektromagnetische Strahlung, die in der aktiven Zone erzeugt wird, kann das optoelektronische Bauelement verlassen, ohne irgendein Material, insbesondere Silikon, durchdringen zu müssen. Die Absorption der elektromagnetischen Strahlung durch Moleküle der Umgebungsluft ist vernachlässigbar klein. Dies ermöglicht eine hohe Strahlungsstabilität des Bauelements. Auch Einkoppeleffekte, die zu optischen Verlusten führen würden, entfallen. Weiter ist die Stressbelastung auf die Kontakte stark reduziert gegenüber Anordnungen, bei denen die Isolierschicht, meist aus Silikon, nach der Kontaktierung auf dem Halbleiterchip verbleibt. Bei Temperaturänderungen schrumpft bzw. expandiert das Silikon stark. Bei Temperaturen von über 150 C, die zum Beispiel in Autoscheinwerfern auftreten, versprödet und verglast das Silikon, es treten Risse auf. Dies verschlechtert die Auskopplung des Lichts und Feuchtigkeit dringt ein. Das Bauelement gemäß der vorliegenden Erfindung weist demnach eine hohe Temperaturstabilität auf. Schließlich sind die Kosten geringer, da statt einer kostenintensiven Isolierschicht eine preiswertere Opfersubstanz verwendet werden kann.
• In einer bevorzugten Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist ein vom Halbleiterchip abgewandter Fußabschnitt der Leitungsstruktur eine räumliche Erstreckung auf dem Anschlussbereich des Trägerkörpers auf. Besonders vorteilhaft ist es, wenn die vom Fußabschnitt bedeckte Fläche des Anschlussbereichs möglichst groß ist, um einen möglichst kleinen elektrischen Widerstand zu erzeugen. Dadurch können hohe Ströme transportiert werden. Auch die mechanische Stabilität der Verbindung von Fußabschnitt und Anschlussbereich steigt mit steigender Fläche der Abdeckung des Anschlussbereichs durch den Fußabschnitt. Vorzugsweise weist der Fußabschnitt eine Fläche in einer Größenordnung von etwa 100 μm mal etwa 100 μm auf. Durch einen Sputterprozess wird eine ausreichende Haftkraft zwischen Fußabschnitt und Anschlussbereich erreicht. Die Haftkraft wird ohne zusätzliche Haftmittel vermittelt und basiert auf einer Bindung von Metall auf Metall.
• In einer bevorzugten Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist ein dem Halbleiterchip zugewandter Kopfabschnitt der Leitungsstruktur eine räumliche Erstreckung auf dem Kontaktbereich (Bond-Pad) des Halbleiterchips auf. In besonders vorteilhafter Weise entspricht die Größe des Kopfabschnitts der Größe des Kontaktbereichs. Der Kontaktbereich kann sich vorzugsweise über die gesamte Ausdehnung des Halbleiterchips in Querrichtung erstrecken. Dadurch können zum einen hohe Ströme transportiert werden. Zum anderen führt diese homogene Zufuhr von Strom zu einer hohen Injektionsrate von Ladungsträgern in die aktive Zone des Halbleiterchips und damit zu einer hohen Lichtausbeute. Um die Abschattung der emittierten elektromagnetischen Strahlung durch den Kontaktbereich zu minimieren, kann die Erstreckung des Kontaktbereichs in Längsrichtung minimiert werden. Mit anderen Worten ergibt dies einen besonders schmalen Bond-Pad. Vorzugsweise werden Bond-Pads mit einer Ausdehnung in Längsrichtung von etwa 50 μm verwendet. Auch kleinere Längen sind vorteilhaft, wobei eine untere Grenze durch die notwendige Querleitfähigkeit bestimmt wird.
• In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform beträgt der Abstand in einer Längsrichtung zwischen dem Fußabschnitt und dem Kopfabschnitt höchstens etwa dem Fünffachen der Dicke des Halbleiterchips. Typische Dicken der verwendeten Halbleiterchips betragen bis zu etwa 200 μm. Besonders vorteilhaft ist es, einen Abstand vom etwa dem Dreifachen der Dicke des Halbleiterchips zu überbrücken, also etwa 600 μm.
• In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weist die Leitungsstruktur zwischen ihrem Fußabschnitt und ihrem Kopfabschnitt eine gebogene Form auf. Besonders vorteilhaft ist eine S-Form. Durch die gebogene Form kann die Leitungsstruktur besser Ausdehnungen oder Kontraktionen der Materialen des Bauelements bei Temperaturänderungen tolerieren. Die Flexibilität der bebogenen Leitungsstruktur nimmt gegenüber einer vollkommen geraden Leitungsstruktur zu.
• In einer weiteren Ausführungsform weist die Leitungsstruktur ein Metall oder eine metallische Legierung auf. Vorteilhaft sind hierbei die hohe elektrische Leitfähigkeit und die gute mechanische Stabilität von Metallen oder metallischen Legierungen. Die Leitungsstruktur kann auch einen elektrisch leitfähigen Klebstoff oder eine Metallpaste aufweisen.
• In einer weiteren Ausführungsform weist die Leitungsstruktur über ihre gesamte Erstreckung eine in etwa homogene Leitungsstrukturdicke auf. Dies ist besonders vorteilhaft, da dadurch ein in etwa einheitlicher elektrischer Widerstand erreicht wird. Auch die Stabilität der Leitungsstruktur ist dadurch verbessert. Vorteilhaft sind Leitungsstrukturdicken von etwa 5 μm bis etwa 60 μm. Besonders vorteilhaft sind Leitungsstrukturdicken von etwa 15 μm bis etwa 25 μm.
• In einer weiteren Ausführungsform weist die Leitungsstruktur über ihre gesamte Erstreckung eine in etwa homogene Leitungsstrukturbreite auf. Dies ist besonders vorteilhaft, da dadurch ein in etwa einheitlicher elektrischer Widerstand erreicht wird. Auch die Stabilität der Leitungsstruktur ist dadurch verbessert. Vorteilhaft sind Leitungsstrukturbreiten von etwa 20 μm bis hin zur gesamten Erstreckung des Halbleiterchips in Querrichtung, mit anderen Worten bis hin zur Gesamtbreite des Halbleiterchips. Bei einer nach derzeitiger Technologie typischen Breite eines Halbleiterchips von etwa 2000 μm beträgt die maximale Leitungsstrukturbreite also etwa 2000 μm. Vorteilhaft sind Leitungsstrukturbreiten von etwa 50 μm bis etwa 150 μm. Beim herkömmlichen Drahtbonden kommen je nach verwendetem Material Bonddrähte mit einem Durchmesser zwischen etwa 25 μm und etwa 50 μm zum Einsatz. Durch Einsatz von Leitungsstrukturen mit Leitungsstrukturbreiten größer als 50 μm kann die Stromtragfähigkeit und die mechanische Stabilität im Vergleich zum herkömmlichen Drahtbonden verbessert werden.
• In einer weiteren Ausführungsform weist der Trägerkörper eine Anschlussschicht auf, die die Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und dem Trägerkörper vermittelt. Diese Anschlussschicht kann aus Metall oder einer metallischen Legierung oder einem anderen elektrisch leitfähigen Material sein. Insbesondere kann ein elektrisch leitfähiger Kleber, eine Lotverbindung oder ein monometallisches System eingesetzt werden, um den Halbleiterchip auf dem Trägerkörper zu befestigen. Als monometallisches System eignet sich vorzugsweise Gold auf Gold, das durch Ultraschallschweissen verbunden wird. Die Anschlussschicht ist dazu eingerichtet, neben dem mechanischen und elektrischen Kontakt auch den thermischen Kontakt zwischen Halbleiterchip und Träger sicherzustellen.
• In einer weiteren Ausführungsform ist eine Kontaktfläche vorgesehen, die zwischen der Anschlussschicht und dem Halbleiterchip liegt.
• Besonders vorteilhaft ist eine Kombination von Anschlussschicht und Kontaktfläche. Diese Kombination erhöht die mechanische, thermische und elektrische Verbindung vom Halbleiterchip zum Träger.
• Verschiedene Ausführungsformen des Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements mit einem Trägerkörper aufweisend einen Anschlussbereich, mit einem Halbleiterchip, der auf dem Trägerkörper angebracht ist und mit einem Kontaktbereich der auf der vom Trägerkörper abgewandten Oberfläche des Halbleiterchips aufgebrachten ist, weisen die folgenden Verfahrensschritte auf: Zunächst wird eine Opfersubstanz auf das optoelektronische Bauelement aufgebracht. Anschließend wird die Opfersubstanz über dem Kontaktbereich (bond-pad) und über dem Anschlussbereich zumindest teilweise entfernt. Daran anschließend wird eine Leitungsstruktur zwischen dem Kontaktbereich und dem Anschlussbereich aufgebracht. Die Leitungsstruktur verläuft dabei über die Opfersubstanz. In einem abschließenden Schritt wird die Opfersubstanz möglichst vollständig entfernt. Die Leitungsstruktur zwischen dem Kontaktbereich und dem Anschlussbereich wird dadurch freitragend. Insbesondere die Oberfläche und die Seitenflächen des Halbleiterchips, an denen die elektromagnetische Strahlung austreten kann, werden dabei von der Opfersubstanz weitestgehend befreit.
• Die Opfersubstanz, die vorzugsweise in Form einer Schicht ausgebildet ist, kann durch eine Vielzahl verschiedener Verfahren aufgebracht werden. Unter anderem kommen Vakuumlaminieren, Dispensen, Jetten, Aufsprühen, Schablonendruck, Moldprozesse und Aufschleudern, auch Spincoating genannt, in Frage. Die Opfersubstanz wird zumindest formschlüssig an den Trägerkörper und den Halbleiterchip angeformt, sodass sich zwischen der Opferschicht und den von der Opferschicht bedeckten Bereichen weder ein Spalt noch eine Unterbrechung ausbildet.
• Der Einsatz einer temporären Opfersubstanz an Stelle von Silikon-Isoliermaterialien ist besonders vorteilhaft, da im Gegensatz zu Silikon-Isolierfolien, die dauerhaft auf dem Bauelement verbleiben müssen, die Anforderungen an die Opfersubstanzen gering sind. Die Silikone müssen beispielsweise transparent im sichtbaren Bereich, UV-stabil und temperaturstabil ein.
• Als Opfersubstanzen können im Gegensatz zu den nicht temporären Isoliermaterialen eine Vielzahl von Substanzen verwendet werden. Unter anderem kommen Fotolack, Fotofolie, EPOXY, Polimid, Acrylate, Wachs, Antihaftschichten, Pasten und Gele in Frage. All diese Substanzen sind billiger als Silikon und weisen zudem gegenüber Silikon Vorteile in der Verarbeitbarkeit auf. So neigt Silikon in flüssigem Zustand zum kriechen und weist in ausgehärtetem Zustand eine schlechte Haftung auf.
• Das Entfernen der Opfersubstanz über dem Kontaktbereich und über dem Anschlussbereich geschieht vorzugsweise mittels Laserablation. Die minimal erreichbare Erstreckung des freigelegten Bereichs ist durch die minimal erreichbare Fläche des Laserspots begrenzt und liegt bei etwa 50 μm. Besonders vorteilhaft, da einfach und billig, kann, bei Verwendung von Fotofolie oder Fotolack als Opfersubstanz, die Opfersubstanz über dem Kontaktbereich und über dem Anschlussbereich durch Belichten und Entwickeln entfernt werden. Die aufwendigere Laserablation entfällt.
• In einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Leitungsstruktur auf die Opfersubstanz durch ein flächiges Aufbringen einer Metallisierung vorgenommen. Flächige Leitungsstrukturen sind besonders vorteilhaft, da diese im Vergleich zu Bonddrähten beim klassischen Drahtbonden eine viel höhere Stromtragfähigkeit aufweisen. Auch kann dadurch die Bauhöhe des optoelektronischen Bauelements gegenüber dem klassischen Drahtbonden reduziert werden.
• Das flächige Aufbringen der Metallisierung auf die Opfersubstanz und auf zumindest Teilbereiche des Anschlussbereichs und auf zumindest Teilbereiche des Kontaktbereichs kann strukturiert erfolgen. Unter anderem können alternativ folgende Verfahren verwendet werden:
• – Siebdrucken, bei dem durch Verwendung von Schablonen oder Abdeckmasken eine flächige Metallisierung auf die Opfersubstanz aufgebracht wird. Dabei können in einem Prozessschritt Metallisierungsdicken von etwa 30 μm erreicht werden. Vorzugsweise kann für eine erhöhte Stromleitfähigkeit und eine erhöhte Stabilität der metallisierten Struktur der Prozessschritt mehrfach wiederholt werden.
• – Dispensen, bei dem Metallpartikel und ein organisches Medium zu einer Paste vermengt sind und diese Paste mittels einer Kanüle und einer Spritze durch Druckluftimpulse auf die Opfersubstanz aufgebracht wird. Anschließend wird die Paste getrocknet und getempert. Besonders vorteilhaft ist es dabei, dass über die Parameter Druck und Zeit eine beliebige Form der Metallisierung erreicht werden kann. Durch Dispensen wird eine sehr gut haltbare Metallisierungsschicht erzeugt. Es können Dicken der Metallisierungsschicht von etwa 50 μm erzeugt werden.
• – Jetten, bei dem aus einem Vorratsbehälter durch kurze Impulse Tröpfchen aus elektrisch leitfähigem Material auf die Opfersubstanz aufgebracht werden. Dieses Verfahren ist besonders vorteilhaft, da es kontaktlos abläuft.
• – Spritzen von elektrisch leitfähigem Material.
• In einer weiteren Ausführungsform wird die flächige Metallisierung als sogenannter Seedlayer, auch als Keimschicht bezeichnet, vorzugsweise durch Sputtern aufgebracht. Vorzugsweise werden dabei Seedlayerdicken von etwa 2 μm bis 3 μm erreicht. Als Material für den Seedlayer wird vorzugsweise eine Verbindung aus Titan und Kupfer verwendet. Das Titan und das Kupfer werden bevorzugt in einem Schritt aufgesputtert, wobei das Titan als Haftvermittler dient. Die flächige Metallisierung wird derart strukturiert, dass die Leitungsstruktur auf der Opfersubstanz verbleibt. Dieses nachträgliche Strukturieren der Metallisierung weist die folgenden Verfahrensschritte auf:
• – Fotolithografieren; für dreidimensionale Strukturen, wie sie in der vorliegenden Erfindung vorliegen, wird in bevorzugter Weise eine Fotofolie eingesetzt, die auf die dreidimensionale Topografie des optoelektronischen Bauelements auflaminiert wird. Die Fotofolie hat im Gegensatz zum Fotolack eine bessere Kantenabdeckung mit einer gleichmäßigeren Dicke über den Kanten. Fotolack läuft nach dem flächigen Aufbringen durch Rotationsbeschichtung auf den gesputterten Seedlayer über die Kanten des Halbleiterchips weg, bevor sich der Fotolack verfestigen kann. Fotolack eignet sich gut für zweidimensionale Strukturen, die aber nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind. Anschließend wird der Seedlayer über eine Fotomaske belichtet. Dann erfolgt eine Entwicklung des latenten Bildes, wobei die belichteten Bereiche des Fotolacks entfernt werden. Alternativ kann der Verfahrensschritt der Fotolithografie auch so ausgeführt werden, dass die belichteten Bereiche des Fotolacks nach dem Entwickeln bestehen bleiben.
• – Galvanisches Verstärken oder Elektroplattieren des fotolithografierten Seedlayer. Dabei erfolgt eine kontinuierliche elektrochemische Abscheidung von metallischen Niederschlägen auf dem Seedlayer. Dieser Verfahrensschritt ist notwendig, da die Stromtragfähigkeit des Seedlayers auf Grund seiner geringen Dicke zu gering wäre. Das metallische Material wird dabei in den Bereichen deponiert in denen beim Entwickeln der Fotolack entfernt wurde. Beim Elektroplattieren sind Dicken der Metallisierung bis zu etwa 50 μm erreichbar. Besonders vorteilhaft sind Dicken zwischen 15 μm und 30 μm. Als Metallisierungsmaterial wird vorzugsweise Kupfer verwendet.
• – Entfernen der Fotofolie,
• – Wegätzen des Seedlayers, der nicht von der galvanischen Verstärkung bedeckt ist. Dieser Schritt beugt einem Kurzschluss vor.
• In einem abschließenden Verfahrensschritt wird die Opfersubstanz entfernt. Es gibt eine Reihe von geeigneten Verfahren. Das anzuwendende Verfahren hängt wesentlich von der verwendeten Opfersubstanz ab.
• Bei Verwenden von Fotolack oder Fotofolie als Opfersubstanz, wird die Opfersubstanz durch Strippen entfernt. Dies wird in einem sogenannten Stripper durchgeführt.
• Bei Verwenden von Lacken als Opfersubstanz, kann die Opfersubstanz durch Plasmaveraschen entfernt werden. Vorzugsweise wird dabei Sauerstoffplasma eingesetzt. Der Lack wird beim Plasmaveraschen verbrannt. Dies wird in einem sogenannten Verascher durchgeführt.
• Bei Verwenden von beispielsweise EPOXY oder Acrylaten als Opfersubstanz, wird die Opfersubstanz durch Ätzen entfernt. Als Ätzmittel oder Ätzmedium wird unter anderem Aceton eingesetzt.
• KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
• Verschiedene Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Lösung werden im Folgenden anhand der Zeichnungen näher erläutert.
• 1 zeigt ein Ablaufdiagramm des Herstellungsverfahrens des erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements;
• 2a bis 2d zeigen die Zwischenprodukte des Herstellungsverfahrens aus 1 in einer schematischen Schnittansicht in x-z-Ebene;
• 2e zeigt ein Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements, als Endprodukt des Herstellungsverfahrens aus 1, in einer schematischen Schnittansicht in x-z-Ebene;
• 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements, in einer schematischen dreidimensionalen Ansicht
• 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements, in einer schematischen, dreidimensionalen Ansicht
• 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements, in einer schematischen Draufsicht auf die x-y-Ebene
• 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements, in einer schematischen, dreidimensionalen Ansicht
• 7 zeigt einen Ausschnitt eines Ausführungsbeispiels des optoelektronischen Bauelements, in einer schematischen, dreidimensionalen Ansicht
• Zur besseren Orientierung ist in sämtlichen Figuren ein Koordinatensystem angegeben, wobei die Längsrichtung mit X, die Querrichtung mit Y und die Richtung vertikal zu X und Y mit Z bezeichnet sind.
• AUSFÜHRUNGSBEISPIELE DES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
• Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
• 1 zeigt ein Ablaufdiagramm zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements. Der Herstellungsprozess lässt sich in die Schritte S0 bis S4 aufgliedern.
• Im Schritt S0 wird ein Trägerkörper 3 mit einem Anschlussbereich 5 und einem auf dem Trägerkörper 3 angeordneten Halbleiterchip 7 bereitgestellt. Der Halbleiterchip 7 weist eine Halbleiterchipdicke 12 auf, die zwischen etwa 10 μm und etwa 200 μm liegt. Der Halbleiterchip 7 kann zum Beispiel durch Einsatz von sogenannten Vias direkt auf dem Trägerkörper 3 befestigt sein. Diese Befestigung durch Vias ist nicht in den Figuren dargestellt. Auf der vom Trägerkörper 3 abgewandten Oberfläche 8 des Halbleiterchips 7 ist ein Kontaktbereich 10 aufgebracht. Das zugehörige Zwischenprodukt ist in 2a dargestellt. Es zeigt eine schematische Schnittansicht in X-Z-Ebene. Die Oberfläche 4 des Trägerkörpers 3 ist teilweise vom Anschlussbereich 5 und vom Halbleiterchip 7 bedeckt. Der Anschlussbereich 5 und der Halbleiterchip 7 sind räumlich voneinander getrennt und elektrisch voneinander isoliert.
• Im Schritt S1 wird eine Opfersubstanz 16 auf das im Schritt S0 bereitgestellte Zwischenprodukt aufgebracht. Als Opfersubstanz kann eine Fotofolie auflaminiert werden oder Fotolack aufgeschleudert werden. Das Ergebnis dieses Verfahrensschrittes ist in 2b dargestellt. Es zeigt eine schematische Schnittansicht in X-Z-Ebene. Die Opfersubstanz bedeckt die gesamte Oberfläche des in 2a dargestellten Zwischenprodukts. Es sind der Anschlussbereich 5, der Halbleiterchip 7, der Kontaktbereich 10 und die Oberfläche 4 des Trägerkörpers 3 mit der Opfersubstanz bedeckt. Die Opfersubstanz 16 ist vorliegend als Opferschicht ausgebildet. Bei dreidimensionalen Strukturen ist eine Fotofolie besonders vorteilhaft, da über den Laminierdruck die Form der Fotofolie besonders gut und einfach steuerbar ist.
• Im Schritt S2 wird die Opfersubstanz 16 zumindest teilweise über dem Kontaktbereich 10 und dem Anschlussbereich 5 entfernt. Danach ist zumindest ein Abschnitt des Kontaktbereichs 10 und ein Abschnitt des Anschlussbereichs 5 vollständig von der Opfersubstanz befreit. Wenn als Opfersubstanz Fotofolie oder Fotolack verwendet wird, kann das teilweise Entfernen der Opfersubstanz durch Belichten und Entwickeln realisiert werden. Für andere Opfersubstanzen kann die Laserablation eingesetzt werden. Das Ergebnis des Verfahrensschrittes S2 ist in 2c dargestellt. Sie zeigt eine schematische Schnittansicht in X-Z-Ebene. Die Opfersubstanz 16 ist über dem gesamten Kontaktbereich 10 vollständig entfernt. Über dem dem Halbleiterchip 7 zugewandten Ende des Anschlussbereichs 5 ist noch etwas Opfersubstanz 16 verblieben.
• Im Schritt S3 wird eine Leitungsstruktur 13 auf die Opfersubstanz 16 zwischen dem Kontaktbereich 10 und dem Anschlussbereich 5 aufgebracht. Die Leitungsstruktur 13 wird dabei flächig auf die Opfersubstanz 16 aufgebracht.
• In 1 werden zwei alternative Wege zur Ausführung des Verfahrensschrittes S3 gezeigt, die zum gleichen Endprodukt, gezeigt in den 2e, 3, 4, 5, 6 und 7, führen.
• Die erste Alternative weist nur einen einzigen Verfahrensschritt (1: S3a) auf. Hierbei wird die metallische Leitungsstruktur in einer flächigen Ausprägung in einem einzigen Schritt auf Bereiche der Opfersubstanz 16 und zumindest auf Bereiche der Anschlussschicht 5 und des Kontaktbereichs 10 aufgebracht. Dies kann durch Siebdrucken oder Jetten oder Dispensen oder Spritzen realisiert werden. Um größere Leitungsstrukturdicken 14 zu erhalten, kann der gleiche Verfahrensschritt zwei oder mehrmals hintereinander ausgeführt werden.
• Die zweite Alternative (1: S3b) weist mehrere Teilschritte (1: S3b.1 bis S3b.5) auf. In Teilschritt S3b.1 wird eine Metallisierung flächig aufgebracht. Die Metallisierung bedeckt anschließend die Opfersubstanz, sowie zumindest Teile des Anschlussbereichs 5 und des Kontaktbereichs 10. Die Metallisierung kann in Form eines Seedlayers durch Sputtern aufgebracht werden. In Teilschritt S3b.2 wird Fotolithografie angewendet. Durch Belichten unter Einsatz einer Fotomaske und Entwickeln des dabei entstandenen Bildes wird eine Struktur auf dem Seedlayer ausgebildet. Diese Struktur bedeckt Teile der Opfersubstanz 16 und zumindest einen Bereich des Anschlussbereichs 5 und zumindest einen Bereich des Kontaktbereichs 10. Die Struktur ist durchgängig. Diese Struktur wird in dem Teilschritt S3b.3 galvanisch verstärkt. Der Teilschritt der galvanischen Verstärkung kann mehrfach wiederholt werden, um die Dicke der Metallisierung, meist aus Kupfer, zu erhöhen. Mit anderen Worten ist bei der zweiten Alternative der Metallisierungsprozess also 2-stufig (S3b.1 und S3b.3) mit einem dazwischen liegenden Fotolithografie-Schritt (S3b.2). Im anschließenden Teilschritt S3b.4 wird die Fotofolie entfernt. Der Bereich des Seedlayers der nicht von der galvanisch verstärkten Struktur bedeckt ist, wird in dem Teilschritt S3b.5 vollständig weggeätzt.
• Das Ergebnis des Verfahrensschrittes S3, also unabhängig davon, ob dieser Schritt gemäß Alternative S3a oder Alternative S3b ausgeführt wird, ist in 2d dargestellt. 2d zeigt in einer schematischen Schnittansicht die Leitungsstruktur 13, die auf der Opfersubstanz 16 angebracht ist. Die Leitungsstruktur ist formschlüssig an die Opfersubstanz angeformt. Die Leitungsstruktur 13 verbindet den Anschlussbereich 5 und den Kontaktbereich 10 des Halbleiterchips 7. Die Leitungsstruktur 13 weist einen Kopfabschnitt 13k und einen Fußabschnitt 13f auf. Der Fußabschnitt 13f ist mit dem Anschlussbereich 5 elektrisch leitend und mechanisch verbunden. Der Kopfabschnitt 13k ist mit dem Kontaktbereich 10 elektrisch leitend und mechanisch verbunden. Die Leitungsstruktur 13 weist zwischen ihrem Fußabschnitt 13f und ihrem Kopfabschnitt 13k eine gebogene Form in der X-Z-Ebene auf. Die gebogene Form kann eine S-Form sein. Diese Form ist durch die Form der Oberfläche der Opfersubstanz 16 zwischen dem Kontaktbereich 10 und dem Anschlussbereich 5 bedingt. Die Leitungsstruktur 13 ist ein Metall oder eine metallische Legierung.
• Im abschließenden Schritt S4 wird die Opfersubstanz 16 vollständig entfernt. In Abhängigkeit von der verwendeten Opfersubstanz 16 kommen verschiedene Verfahren zum Entfernen der Opfersubstanz 16 zum Einsatz. Bei Verwendung von Fotolack oder Fotofolie als Opfersubstanz 16 kann die Opfersubstanz durch Strippen entfernt werden. Die Opfersubstanz kann auch durch Plasmaveraschen entfernt werden. Bei Verwendung von EPOXY oder Acrylate als Opfersubstanz kann die Opfersubstanz 16 durch Ätzen entfernt werden.
• Das Ergebnis des Verfahrensschrittes S4 ist in 2e dargestellt. 2e stellt das erzeugte Endprodukt des in den Schritten S0 bis S4 durchgeführten Verfahrens dar. 2e zeigt eine schematische Schnittansicht des fertig prozessierten optoelektronischen Bauelements 1. Elemente die schon bei der Beschreibung der 2a bis 2d beschrieben wurden, gelten auch für das in 2e dargestellte Ausführungsbeispiel. Die Leitungsstruktur 13 ist zwischen dem Kontaktbereich 10 und dem Anschlussbereich 5 freitragend. Der Abstand in der Längsrichtung X zwischen dem Fußabschnitt 13f und dem Kopfabschnitt 13k beträgt in 2e etwa dem 2,5-fachen der Dicke 12 des Halbleiterchips 7. In nicht gezeigten Ausführungsbeispielen kann dieser Abstand kleiner oder größer als das 2,5-fache der Dicke 12 des Halbleiterchips 7 sein. Höchstens kann der Abstand etwa dem Fünffachen der Dicke 12 des Halbleiterchips 7 entsprechen. Die Leitungsstruktur 13 weist über ihre gesamte Erstreckung eine in etwa homogene Leitungsstrukturdicke 14 auf. Die Leitungsstrukturdicke 14 kann zwischen etwa 5 μm und etwa 60 μm betragen. Besonders bevorzugt sind Leitungsstrukturdicken 14 in einem Bereich von etwa 15 μm bis etwa 25 μm.
• 3 zeigt eine schematische dreidimensionale Ansicht des fertig prozessierten optoelektronischen Bauelements 1. Elemente die schon bei der Beschreibung der 2a bis 2e beschrieben wurden, gelten auch für das in 3 dargestellte Ausführungsbeispiel. Der vom Halbleiterchip 7 abgewandter Fußabschnitt 13f der Leitungsstruktur 13 weist eine räumliche Erstreckung auf dem Anschlussbereich 5 auf. Der Fußabschnitt 13f ist flächig ausgebildet und dehnt sich in Längsrichtung X und in die Querrichtung Y aus. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel bedeckt der Fußabschnitt 13f nur einen Teil der Anschlussbereichs 5. Der Kopfabschnitt 13k der Leitungsstruktur 13 weist eine räumliche Erstreckung auf dem Kontaktbereich 10 des Halbleiterchips 7 auf. Der Kopfabschnitt 13k dehnt sich in Längsrichtung X und in Querrichtung Y aus. Um die Abschattung von elektromagnetischer Strahlung 2, die von dem Halbleiterchip 7 emittiert wird, gering zu halten, beträgt die Ausdehnung des Kontaktbereichs 10 in Längsrichtung etwa 50 μm. Auch kleinere Ausdehnungen sind vorteilhaft. Der Kopfabschnitts 13k bedeckt im vorliegenden Ausführungsbeispiel nur einen Teil des Kontaktbereichs 10. Zwischen der Oberfläche 4 des Trägerkörper 3 und der flächigen Leitungsstruktur 13 ist ein Volumenbereich 15 gebildet. Der Volumenbereich 15 ist vollständig von der Opfersubstanz 16 befreit. Auch die Seitenflächen 11 und die Oberfläche 8 des Halbleiterchips 7 sind vollständig von der Opfersubstanz 16 befreit. Die vom Halbleiterchip 7 emittierte elektromagnetische Strahlung 2 muss keine Isolierschicht mehr passieren. Die Leitungsstruktur (13) weist über ihre gesamte Erstreckung eine in etwa homogene Leitungsstrukturbreite (17) auf. Bevorzugt sind Leitungsstrukturbreiten (17) von etwa 20 μm bis etwa 200 μm. Besonders bevorzugt sind Leitungsstrukturbreiten (17) zwischen 50 μm und 150 μm.
• 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung in einer dreidimensionalen Ansicht. Elemente die schon bei der Beschreibung der 2a bis 2e und der 3 beschrieben wurden, gelten auch für das in 4 dargestellte Ausführungsbeispiel. Im Unterschied zum ersten Ausführungsbeispiel ist in 4 die räumliche Erstreckung des Fußabschnitts 13f und des Kopfabschnitts 13k maximal. Der Fußabschnitt 13f bedeckt den gesamten Anschlussbereich 5 und der Kopfabschnitt 13k bedeckt den gesamten Kontaktbereich 10. Besonders vorteilhaft ist im vorliegenden Ausführungsbeispiel, dass sich der Kontaktbereich 10 in Querrichtung Y über die gesamte Erstreckung des Halbleiterchips in Querrichtung Y erstreckt. Dies führt zu einer gegenüber dem ersten Ausführungsbeispiel vergrößerten Stromtragfähigkeit. Auch die Haftkraft, die den Fußabschnitt 13f auf dem Anschlussbereich 5 und die den Kopfabschnitt 13k auf dem Kontaktbereich 10 hält, ist gegenüber dem ersten Ausführungsbeispiel vergrößert. Durch die im Vergleich zum ersten Ausführungsbeispiel größere Ausdehnung in Querrichtung Y der Leitungsstruktur 13 in dem Bereich, der freitragend ist, also zwischen dem Fußabschnitt 13f und dem Kopfabschnitt 13k, wird die Stromtragfähigkeit und die mechanische Stabilität der Leitungsstruktur 13 vergrößert. Die Leitungsstrukturbreite 17 beträgt im vorliegenden Ausführungsbeispiel die gesamte Erstreckung des Halbleiterchips 7 in Querrichtung Y. Bei einer typischen Breite Y des Halbleiterchips 7 von 2000 μm beträgt die Leitungsstrukturbreite 17 also 2000 μm.
• Nicht in den Figuren dargestellt sind Ausführungsbeispiele, die bezüglich der räumlichen Erstreckung des Fußbereichs 13f auf dem Anschlussbereich 5 und/oder des Kopfbereichs 13k auf dem Kontaktbereich 10 und/oder der Leitungsstrukturbreite 17 zwischen dem in 3 und 4 gezeigten Ausführungsbeispielen liegen.
• 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung in einer schematischen Draufsicht auf die X-Y-Ebene. Elemente die schon bei der Beschreibung der 2a bis 2e und der 3 und 4 beschrieben wurden, gelten auch für das in 5 dargestellte Ausführungsbeispiel. In 5 ist die Leitungsstruktur 13 in der X-Y-Ebene gebogen. Die Biegung in einer S-Form ist besonders vorteilhaft. Mit anderen Worten liegt der Fußabschnitt 13f auf dem Anschlussbereich 5 an einer anderen Position in der Querrichtung Y als der Kopfabschnitt 13k auf dem Kontaktbereich 10. Der Kopfabschnitt 13k bedeckt nur einen Teil des Kontaktbereichs 10. Die S-förmige Biegung der Leitungsstruktur 13 in der X-Y-Ebene erhöht die Stabilität der Leitungsstruktur 13. In einem nicht gezeigten Ausführungsbeispiel sind die Biegungen der Leitungsstruktur 13 in der X-Z-Ebene und in der X-Y-Ebene kombiniert.
• 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung in einer schematischen dreidimensionalen Ansicht. Elemente die schon bei der Beschreibung der 2a bis 2e und der 3 bis 5 beschrieben wurden, gelten auch für das in 6 dargestellte Ausführungsbeispiel. Im Unterschied zu den Ausführungsbeispielen, die in den 2e, 3 und 4 gezeigt sind, weist der Trägerkörper 3 zusätzlich zum Anschlussbereich 5 eine Anschlussschicht 6 auf. Zwischen der Anschlussschicht 6 und dem Halbleiterchip 7 ist zudem eine Kontaktfläche 9 des Halbleiterchips 7 vorgesehen. Die Anschlussschicht 6 ist durch eine Lotverbindung oder einen elektrisch leitenden Kleber mit der Kontaktfläche 9 verbunden. Dies vermittelt eine mechanische, elektrische und thermische Verbindung des Halbleiterchips 7 mit dem Trägerkörper 3. In nicht gezeigten Ausführungsbeispielen kann die Verbindung zwischen dem Halbleiterchip 7 und dem Trägerkörper 3 alternativ nur durch die Anschlussschicht 6 oder nur durch die Kontaktfläche 9 realisiert werden.
• 7 zeigt einen Ausschnitt eines Ausführungsbeispiels des optoelektronischen Bauelements, in einer schematischen, dreidimensionalen Ansicht. Elemente die schon bei der Beschreibung der 2a bis 2e und der 3 bis 6 beschrieben wurden, gelten auch für den in 7 dargestellten Ausschnitt des Ausführungsbeispiels. In 7 ist der Halbleiterchip 7 mit seinem Kontaktbereich 10 und ein Teil der Leitungsstruktur 13 mit ihrem Kopfabschnitt 13k gezeigt. Der Kopfabschnitt 13k weist eine Einbuchtung 13e auf. Die Form der Einbuchtung in der X-Y-Ebene ist kreisrund. Die Seitenwand 13s der Einbuchtung 13e ist vorzugsweise geneigt zur Oberfläche 8 des Halbleiterchips 7, die parallel zur X-Y-Ebene liegt. Diese Neigung wird durch die Form der Öffnung in der Opfersubstanz 16 über dem Kontaktbereich 10 gesteuert. Die Form der Öffnung der Opfersubstanz über dem Kontaktbereich 10 kann durch das Laserablationsverfahren kontrolliert und beeinflusst werden. Durch die Neigung der Seitenwand 13s wird erreicht, dass beim Metallisierungsprozess eine gleichmäßig dicke, homogene Metallisierung über die Seitenwand 13s erzeugt wird. Dies ist günstig im Hinblick auf die Stromtragfähigkeit. In nicht gezeigten Ausführungsbeispielen weist die Einbuchtung 13e eine elliptische, ovale oder längliche Form auf. Im in 4 gezeigten Ausführungsbeispiel erstreckt sich der Kopfabschnitt 13k über die gesamte Breite in Querrichtung Y des Kontaktbereichs 10 bzw. des Halbleiterchip 7. Die Einbuchtung 13e erstreckt sich dann über die gesamte Breite des Kopfabschnitts 13k. Die Form der Einbuchtung 13e ist dann länglich.
• Das optoelektronische Halbleiterbauelement und das Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements wurden zur Veranschaulichung des zugrundeliegenden Gedankens anhand einiger Ausführungsbeispiele beschrieben. Die Ausführungsbeispiele sind dabei nicht auf bestimmte Merkmalskombinationen beschränkt. Auch wenn einige Merkmale und Ausgestaltungen nur im Zusammenhang mit einem besonderen Ausführungsbeispiel oder einzelnen Ausführungsbeispielen beschrieben wurden, können sie jeweils mit anderen Merkmalen aus anderen Ausführungsbeispielen kombiniert werden. Es ist ebenso denkbar, in Ausführungsbeispielen einzelne dargestellte Merkmale oder besondere Ausgestaltungen wegzulassen oder hinzuzufügen, soweit die allgemeine technische Lehre realisiert bleibt.
• Auch wenn die Schritte des Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements in einer bestimmten Reihenfolge beschrieben sind, so ist es selbstverständlich, dass jedes der in dieser Offenbarung beschriebenen Verfahren in jeder anderen, sinnvollen Reihenfolge durchgeführt werden kann, wobei auch Verfahrensschritte ausgelassen oder hinzugefügt werden können, soweit nicht von dem Grundgedanken der beschriebenen technischen Lehre abgewichen wird.
• Bezugszeichenliste

1

optoelektronisches Bauelement

2

elektromagnetische Strahlung

3

Trägerkörper

4

Oberfläche des Trägerkörpers

5

Anschlussbereich

6

Anschlussschicht

7

Halbleiterchip

8

Oberfläche des Halbleiterchips

9

Kontaktfläche

10

Kontaktbereich

11

Seitenfläche

12

Halbleiterchipdicke (Z-Richtung)

13

Leitungsstruktur

13f

Fußabschnitt

13k

Kopfabschnitt

13e

Einbuchtung

13s

Seitenwand

14

Leitungsstrukturdicke (Z-Richtung)

15

Volumenbereich

16

Opfersubstanz

17

Leitungsstrukturbreite (Y-Richtung)

X

Längsrichtung

Y

Querrichtung

Z

Richtung, vertikal zu X und vertikal zu Y

• ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
• Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
• Zitierte Patentliteratur
• DE 102004050371 A1 [0002]

Claims (15)

1. Optoelektronisches Bauelement (1) mit: – einem Trägerkörper (3) mit – einem Anschlussbereich (5); – einem auf dem Trägerkörper (3) angeordneten Halbleiterchip (7); – einem auf der vom Trägerkörper (3) abgewandten Oberfläche (8) des Halbleiterchips (7) aufgebrachten Kontaktbereich (10); wobei der Anschlussbereich (5) mit dem Kontaktbereich (10) über eine freitragende Leitungsstruktur (13) elektrisch leitend verbunden ist.
2. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 1, wobei ein vom Halbleiterchip (7) abgewandter Fußabschnitt (13f) der Leitungsstruktur (13) eine räumliche Erstreckung auf dem Anschlussbereich (5) und/oder ein dem Halbleiterchip (7) zugewandter Kopfabschnitt (13k) der Leitungsstruktur (13) eine räumliche Erstreckung auf dem Kontaktbereich (10) aufweist.
3. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 2, wobei der Abstand in einer Längsrichtung (X) zwischen dem Fußabschnitt (13f) und dem Kopfabschnitt (13k) höchstens etwa dem Fünffachen der Halbleiterchipdicke (12) entspricht.
4. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 2 oder Anspruch 3, wobei die Leitungsstruktur (13) zwischen ihrem Fußabschnitt (13f) und ihrem Kopfabschnitt (13k) eine gebogene Form aufweist.
5. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Leitungsstruktur (13) ein Metall oder eine metallische Legierung aufweist.
6. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Leitungsstruktur (13) über ihre gesamte Erstreckung eine in etwa homogene Leitungsstrukturdicke (14) aufweist.
7. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Leitungsstruktur (13) über ihre gesamte Erstreckung eine in etwa homogene Leitungsstrukturbreite (17) aufweist und wobei die Leitungsstruktur (13) eine Breite (17) in der Größenordnung von etwa 20 μm bis hin zur gesamten Erstreckung des Halbleiterchips (7) in Querrichtung (Y) aufweist.
8. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Trägerkörper (3) eine Anschlussschicht (6) aufweist.
9. Optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 8, wobei zwischen der Anschlussschicht (6) und dem Halbleiterchip (7) eine Kontaktfläche (9) vorgesehen ist.
10. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (1), mit – einem Trägerkörper (3) mit – einem Anschlussbereich (5); – einem auf dem Trägerkörper (3) angeordneten Halbleiterchip (7); – einem auf der vom Trägerkörper (3) abgewandten Oberfläche (8) des Halbleiterchips (7) aufgebrachten Kontaktbereich (10); aufweisend die folgenden Verfahrensschritte: – Aufbringen einer Opfersubstanz (16) auf das optoelektronische Bauelement (1); – Entfernen der Opfersubstanz (16) über dem Kontaktbereich (10) und über dem Anschlussbereich (5); – Aufbringen einer Leitungsstruktur (13) zwischen dem Kontaktbereich (10) und dem Anschlussbereich (5); – Entfernen der Opfersubstanz (16) derart, dass die Leitungsstruktur (13) zwischen dem Kontaktbereich (10) und dem Anschlussbereich (5) freitragend ist.
11. Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei das Aufbringen der Leitungsstruktur (13) zwischen dem Kontaktbereich (10) und dem Anschlussbereich (5) durch ein flächiges Aufbringen einer Metallisierung (16) erfolgt.
12. Verfahren gemäß Anspruch 11, wobei das flächige Aufbringen der Metallisierung strukturiert erfolgt durch: – Siebdrucken oder – Jetten oder – Dispensen oder – Spritzen.
13. Verfahren gemäß Anspruch 11, wobei die flächig aufgebrachte Metallisierung derart strukturiert wird, dass die Leitungsstruktur (13) zwischen dem Kontaktbereich (10) und dem Anschlussbereich (5) verbleibt.
14. Verfahren gemäß Anspruch 13, wobei das Strukturieren der Metallisierung die folgenden Verfahrensschritte aufweist: – Fotolithografieren – galvanisches Verstärken – Entfernen der Fotofolie – Wegätzen des Seedlayers.
15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 14, wobei das Entfernen der Opfersubstanz (16) erfolgt durch: – Strippen oder – Ätzen oder – Plasmaveraschen.

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