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DE102009030303A1 - Process for the preparation of antireflective coating-forming coatings and antireflective coatings - Google Patents

Process for the preparation of antireflective coating-forming coatings and antireflective coatings Download PDF

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Abstract

The method for the production of a coating having antireflexion layer on a movable substrate (30) by a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), comprises providing a gas mixture having process-, carrier- and/or balance gas through a slit formed between two high-voltage electrodes (20) and producing plasma between a self-moving substrate that is supported by a counter electrode (50), and the high-voltage electrode. The plasma presets a plasma zone with standard, where the plasma is processed at atmospheric pressure and/or approximate atmospheric pressure. The method for the production of a coating having antireflexion layer on a movable substrate (30) by a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), comprises providing a gas mixture having process-, carrier- and/or balance gas through a slit formed between two high-voltage electrodes (20) and producing plasma between a self-moving substrate that is supported by a counter electrode (50), and the high-voltage electrode. The plasma presets a plasma zone with standard, where the plasma is processed at atmospheric pressure and/or approximate atmospheric pressure and a volume dose of the plasma of 2x 10 5>to 2x 10 7>Ws/m 3>is kept in the plasma zone. The plasma zone is worked with dielectric barrier discharge. The gas speed of the gas mixture is selected so that a time spent of the plasma in the plasma zone is 5-500 ms. The PECVD process is carried out so that the plasma zone comprises a pre-ionization area with decreased deposition rate and deposition area and the pre-ionization is partially carried out in gap. A reflection reduction is achieved to 2.5% in a wavelength range of 200 nm per coated substrate surface related to the uncoated substrate. The substrate has a reflexion reduction of 2.5% in the range of 300-1000 nm. A further layer is deposited on a layer that forms antireflexion layer. A layer influencing the wetting of the surface is deposited as a further layer. A layer improving the scraper stability of the surface is deposited as a further layer. The glass is float glass or cast glass. The substrate is optical transparent plastic. An independent claim is included for an antireflexion coating on a substrate.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Antireflexschicht-bildenden Beschichtungen auf einem Substrat sowie eine Antireflexbeschichtung auf einem Substrat.The The invention relates to a process for the preparation of antireflective coating-forming Coatings on a substrate as well as an antireflective coating on a substrate.

Es ist bekannt, dass heutzutage transparente Kunststoffe und Glas mit einer Antireflex-Schicht versehen werden, um die Verluste durch die Reflexion an den Oberflächen zu minimieren. Für z. B. Brillengläser und Fensterscheiben werden dazu hauptsächlich Schichtkombinationen eingesetzt, die mindestens eine hochbrechende Schicht enthalten. Diese Multilagenschichten werden hauptsächlich über PVD-Prozesse, wie Sputtern oder Aufdampfen, hergestellt ( EP 1 206 715 A1 ) bzw. über PECVD/PICVD-Verfahren ( DE 102 50 564 A1 ). Allerdings sind diese Mehrschicht-Antireflexbeschichtungen nur für Anwendungen geeignet, bei denen die spektrale Bandbreite der Entspiegelung kleiner als eine Oktave sein darf ( A. Gombert, M. Rommel, Forschungsverbund Sonnenenergie „Themen 97/98”, S. 81 ). Für eine breitbandige Entspiegelung, wie sie z. B. für solare Anwendungen benötigt wird, können diese Verfahren daher nicht eingesetzt werden. Zudem sind die Vielschichtsysteme für viele Anwendungen zu teuer.It is known today that transparent plastics and glass are provided with an antireflection coating in order to minimize the losses due to the reflection on the surfaces. For z. As lenses and windows are used mainly layer combinations that contain at least one high refractive index layer. These multilayer films are mainly produced by PVD processes, such as sputtering or vapor deposition ( EP 1 206 715 A1 ) or via PECVD / PICVD methods ( DE 102 50 564 A1 ). However, these multilayer antireflective coatings are only suitable for applications in which the spectral bandwidth of the antireflection coating may be less than one octave ( A. Gombert, M. Rommel, Research Group Solar Energy "Themen 97/98", p. 81 ). For a broadband anti-reflection, as z. B. is required for solar applications, these methods can therefore not be used. In addition, the multilayer systems are too expensive for many applications.

Um eine wirksame Erhöhung der solaren Transmission zu erreichen, muss der Brechungsindex des Substratmaterials (nS ≅ 1,5) an denjenigen von Luft (nL = 1) über ein sehr niedrigbrechendes Dünnschichtsystem (nD < 1,3) angepasst werden. Dies ist mit den klassischen Beschichtungstechnologien als dichte Filme nicht erzielbar. Allerdings sind eine Reihe von Verfahren für die breitbandige Transmissionserhöhung von Acrylglas und Floatglas bereits untersucht worden ( A. Gombert, M. Rommel, Forschungsverbund Sonnenenergie „Themen 97/98”, S. 81 ), die auf porösen bzw. mikrostrukturierten Materialien beruhen, bei denen ein Festkörper mit Luft gemischt wird. Die Poren bzw. Strukturen müssen fein genug sein, damit Sie von der einfallenden Strahlung nicht aufgelöst werden.In order to achieve an effective increase in solar transmission, the refractive index of the substrate material (n S ≅ 1.5) must be adjusted to that of air (n L = 1) over a very low refractive index thin film system (n D <1.3). This is not achievable with the classical coating technologies as dense films. However, a number of methods for the broadband transmission enhancement of acrylic glass and float glass have already been investigated ( A. Gombert, M. Rommel, Research Group Solar Energy "Themen 97/98", p. 81 ), which are based on porous or microstructured materials in which a solid is mixed with air. The pores or structures must be fine enough so that they are not dissolved by the incident radiation.

Im Bereich der Solaranwendungen werden solche Antireflex-Eigenschaften auf Glas über Sol-Gel-Schichten (Centrosolar, EP 1 328 483 B1 , EP 1 181 256 B1 ) und geätzte Oberflächen (SUNARC) schon angeboten. Eine weitere Möglichkeit ist die Abscheidung solcher porösen Schichten mittels PECVD-Verfahren unter Niederdruckbedingungen, wie es in DE 199 12 737 beschrieben ist.In the field of solar applications, such antireflective properties on glass via sol-gel layers (Centrosolar, EP 1 328 483 B1 . EP 1 181 256 B1 ) and etched surfaces (SUNARC) already offered. Another possibility is the deposition of such porous layers by means of PECVD processes under low pressure conditions as described in US Pat DE 199 12 737 is described.

Wenn Kunststoffe entspiegelt werden sollen, werden dazu häufig Strukturen in die Oberfläche geprägt oder es wird durch Plasmaätzen die Oberfläche strukturiert ( DE 103 18 566 ).If plastics are to be anti-reflective, structures are often embossed into the surface or the surface is patterned by plasma etching ( DE 103 18 566 ).

In jüngster Zeit werden immer häufiger Plasmen eingesetzt, die bei Umgebungsdruck arbeiten. Mit kalten, bei Atmosphärendruck betriebenen, im technischen Sprachgebrauch auch. als „Corona-Entladungen” bezeichneten dielektrisch behinderten Entladungen („(dielektrische) Barrierenentladungen”) ist es möglich, mittels PECVD ebenfalls Schichten abzuscheiden. Hierbei können ebenfalls gezielt poröse Schichten hergestellt werden, die als Antireflex-Schicht eingesetzt werden können. In EP 1 342 810 , EP 1 819 843 A , WO 08/045226 A wird dies über den Einsatz von Organosiloxanen auf Kunststoffen erreicht. Bei Jidenko (J. Phys. D: Appl. Phys. 40 (2007) 4155–4163) und Borra (J. Phys. D: Appl. Phys. 39 (2006) R19–R54) ist die Bildung von porösen Schichten mittels Silan als Monomer beschrieben.More recently, plasmas that operate at ambient pressure are being used more and more frequently. With cold, operated at atmospheric pressure, in technical usage as well. dielectrically impeded discharges ("(dielectric) barrier discharges") called "corona discharges", it is also possible to deposit layers by means of PECVD. In this case, targeted porous layers can also be produced, which can be used as an antireflection layer. In EP 1 342 810 . EP 1 819 843 A . WO 08/045226 A This is achieved through the use of organosiloxanes on plastics. at Jidenko (J. Phys. D: Appl. Phys. 40 (2007) 4155-4163) and Borra (J. Phys. D: Appl. Phys. 39 (2006) R19-R54) describes the formation of porous layers by means of silane as a monomer.

Alle diese Schichten bzw. porösen Materialien zeigen einen sehr ähnlichen, optisch nahezu gleichen Verlauf der Transmission bzw. Reflexion. Sie können über die Schichtdicke und den Brechungsindex in einem begrenzten spektralen Bereich auf eine gute Transmission bzw. geringe Reflexion optimiert werden. Eine breitbandige Entspiegelung kann damit aber nicht erreicht werden.All these layers or porous materials show a very similar, optically almost the same course of the transmission or reflection. You can about the layer thickness and the refractive index in a limited spectral range to a good transmission or low reflection can be optimized. A broadband anti-reflective coating but can not be achieved with it.

Ausgehend hiervon ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine kostengünstige, breitbandige Entspiegelung von Substraten zu ermöglichen, wobei auch die Brechungsindices der benachbarten Schichten angepasst sein sollen.outgoing It is the object of the present invention to provide a cost-effective, to enable broadband antireflective of substrates wherein also the refractive indices of the adjacent layers are adjusted should be.

Diese Aufgabe wird durch das Verfahren mit den Merk malen des Anspruchs 1 gelöst. Anspruch 23 betrifft eine Antireflexbeschichtung. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen enthalten.These The object is achieved by the method with the features of the claim 1 solved. Claim 23 relates to an antireflective coating. Further advantageous embodiments are in the dependent claims contain.

Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Herstellung mindestens einer eine Antireflexschicht bildenden Beschichtung auf einem sich bewegenden Substrat, mittels eines PECVD-Verfahrens bereitgestellt, wobei eine Gasmischung umfassend mindestens ein Arbeits-, Träger- sowie Balancegas durch mindestens einen zwischen mindestens zwei Hochspannungselektroden bildenden Spalt geführt wird und mindestens zwischen dem sich bewegenden Substrat, das von mindestens einer Gegenelektrode getragen wird, und den Hochspannungselektroden ein Plasma erzeugt wird, das eine Plasmazone vorgibt mit der Maßgabe, dass bei Atmosphärendruck bzw. annäherndem Atmosphärendruck gearbeitet wird und eine Volumendosis des Plasmas von 105 bis 108 Ws/m3 in der Plasmazone eingehalten wird.According to the invention, a process is provided for producing at least one antireflection coating on a moving substrate by means of a PECVD process, wherein a gas mixture comprising at least one working, carrier and balance gas is passed through at least one gap forming between at least two high voltage electrodes and at least between the moving substrate carried by at least one counterelectrode and the high voltage electrodes, a plasma is generated which provides a plasma zone with the proviso that operating at atmospheric pressure or approximately atmospheric pressure and a volume dose of the plasma from 10 5 to 10 8 Ws / m 3 is maintained in the plasma zone.

Unter annäherndem Atmosphärendruck wird erfindungsgemäß ein Druck zwischen 0,9 und 1,1 bar verstanden. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, über einen PECVD-Prozess bei Atmosphärendruck (bzw. annäherndem Atmosphärendruck) eine sehr breitbandige (mehrere 100 nm) Entspiegelung bzw. Erhöhung der Transmission zu erreichen. Dazu wurde die Anordnung eines Elektrodensystems mit einem Gaseinlass und mehreren Hochspannungselektroden dahingehend optimiert, dass die in einem Schritt, d. h. bei nur einer Passage der zu entspiegelnden Scheibe durch eine Beschichtungsvorrichtung, abgeschiedene Schicht unterschiedliche Brechungsindices enthält. Wichtig ist dabei, dass die Anzahl der Elektroden sowie die Gaszufuhr und Gasabfuhr genau auf das Monomer abgestimmt wer den, um die optimalen optischen Eigenschaften zu erhalten.Under approximate atmospheric pressure is understood according to the invention a pressure between 0.9 and 1.1 bar. With the method according to the invention, it is possible via a PECVD process at atmo Spherical pressure (or approximate atmospheric pressure) to achieve a very broadband (several 100 nm) anti-reflection or increase in the transmission. For this purpose, the arrangement of an electrode system with a gas inlet and a plurality of high-voltage electrodes has been optimized such that the layer deposited in one step, ie, only one passage of the wafer to be coated by a coating apparatus, contains different refractive indices. It is important that the number of electrodes and the gas supply and gas removal matched exactly to the monomer who the, to obtain the optimum optical properties.

Bevorzugt liegt die Volumendosis im Bereich von 2 × 105 bis 2 × 107 Ws/m3. Dadurch wird eine optimale Beschichtung des Substrates ermöglicht. So ist es möglich, eine Oberfläche zu erhalten, die möglichst gleichmäßig beschichtet ist. Die Volumendosis setzt sich dabei aus der Leistung pro Volumen und der Verweilzeit des Prozessgases in der Plasmazone in dem Volumen zusammen. Sie ist ein Maß für den Umsetzungsgrad des Precursors.Preferably, the volume dose is in the range of 2 × 10 5 to 2 × 10 7 Ws / m 3 . As a result, an optimum coating of the substrate is made possible. So it is possible to obtain a surface that is coated as evenly as possible. The volume dose is composed of the power per volume and the residence time of the process gas in the plasma zone in the volume. It is a measure of the degree of conversion of the precursor.

Weiterhin kann in dem erfindungsgemäßen Verfahren mit einer dielektrischen Barriereentladung gearbeitet werden.Farther can in the inventive method with a dielectric barrier discharge to be worked.

Die Gasgeschwindigkeit der Gasmischung kann dabei so gewählt werden, dass eine Verweildauer des Plasmas in der Plasmazone von 1 ms bis 1000 ms eingehalten wird. Dies ermöglicht eine homogene Beschichtung der Oberfläche in Abhängigkeit von den eingesetzten Substraten wie auch dem Arbeits-, Träger- sowie Balancegas. Vorteilhaft ist eine Verweildauer von 5 ms bis 500 ms.The Gas velocity of the gas mixture can be chosen so be that a residence time of the plasma in the plasma zone of 1 ms to 1000 ms is maintained. This allows a homogeneous coating of the surface in dependence of the substrates used as well as the working, carrier as well as balance gas. An advantage is a residence time of 5 ms to 500 ms.

Alternativ kann das PECVD-Verfahren so betrieben werden, dass die Plasmazone einen Vorionisationsbereich mit verminderter Abscheiderate und einen Abscheidebereich umfasst.alternative The PECVD method can be operated so that the plasma zone a Vorionisationsbereich with reduced deposition rate and a Separation area includes.

Bevorzugt wird das PECVD-Verfahren so betrieben, dass die Vorionisation mindestens teilweise im Spalt erfolgt. Dabei kann die Anordnung für das Verfahren aus z. B. einer Gaszufuhr in der Mitte und mindestens einer oder mehrerer beliebig breiter Elektroden auf je der Seite der Gaszufuhr bestehen, wodurch auch eine gezielte Absaugung des Gases so realisiert werden kann. Durch eine geeignete elektrische Anordnung kann die Vorionisation auch zwischen den Elektroden erfolgen, so dass auf dem Substrat nur die Abscheidung erfolgt. Im Bereich der Vorionisation wird üblicherweise nur eine geringfügige Schicht abgeschieden, wohingegen in der Abscheidungszone die eigentliche Abscheidung erfolgt.Prefers the PECVD process is operated so that the pre-ionization at least partially done in the gap. The arrangement for the method of z. B. a gas supply in the middle and at least one or more arbitrarily wide electrodes on each side consist of gas supply, whereby a targeted extraction of the Gases can be realized. By a suitable electrical Arrangement, the preionization can also take place between the electrodes, so that only the deposition takes place on the substrate. In the area The preionization is usually only a minor Layer deposited, whereas in the deposition zone, the actual Deposition takes place.

Vorteilhafterweise wird mit dem erfindungsgemäßen Verfahren pro beschichteter Substratoberfläche, bezogen auf das unbeschichtete Substrat, eine Reflektionsminderung um mindestens 2,5% in einem Wellenlängenbereich von mindestens 200 nm erreicht. Dieser Bereich kann variabel zwischen 200 nm und 1500 nm eingestellt werden und z. B. zwischen 300 nm und 500 nm, 400 nm und 600 nm oder 500 nm und 700 nm liegen.advantageously, is coated with the method according to the invention pro Substrate surface, based on the uncoated substrate, a Reflection reduction by at least 2.5% in one wavelength range of at least 200 nm. This area can be variable between 200 nm and 1500 nm are set and z. B. between 300 nm and 500 nm, 400 nm and 600 nm or 500 nm and 700 nm.

Beim Durchgang eines Lichtstrahls durch eine Scheibe wird das Licht an Grenzflächen reflektiert und in den Materialien absorbiert; aus Gründen der Energieerhaltung ist die transmittierte Intensität, bezogen auf eine einfallende Intensität von 100%, gegeben durch T = 100% – R – A, wobei R und A die „Energieverluste” durch Reflexion und Absorption bezeichnen. Wenn es gelingt, durch Entspiegelung einer Grenzfläche des ursprünglich unbeschichteten Glases die Reflexion um x% zu verringern, steigt T um x% an. Die theoretisch maximal mögliche Entspiegelung einer Grenzfläche eines Materials mit dem Brechungsindex ns beträgt dabei [(ns – 1)/(ns + 1)]2, bei gewöhnlichem Glas mit ns ≈ 1,5 also 4,0%.As a light beam passes through a disk, the light is reflected at interfaces and absorbed in the materials; for energy conservation reasons, the transmitted intensity, based on an incident intensity of 100%, is given by T = 100% - R - A, where R and A denote the "energy losses" by reflection and absorption. If it is possible to reduce the reflection by x% by antireflecting an interface of the originally uncoated glass, T increases by x%. The theoretically maximum possible antireflection of an interface of a material with the refractive index n s is [(n s -1) / (n s + 1)] 2 , in the case of ordinary glass with n s ≈ 1.5 that is 4.0%.

Das Substrat weist bevorzugt im Bereich von 300 bis 1000 nm eine Reflektionsminderung von mindestens 2,5% auf. Dies umfasst folglich nicht nur den Bereich des sichtbaren Lichtes, sondern auch einen Teil des nahen Infrarot-Bereichs sowie auch des UV-Lichtes. Somit ist das erfindungsgemäße Verfahren für eine große spektrale Bandbreite und damit verbundenen, verschiedenen Anforderungen einsetzbar.The Substrate preferably has a reflection reduction in the range of 300 to 1000 nm of at least 2.5%. Consequently, this does not only cover the area of visible light, but also a part of the near infrared range as well as the UV light. Thus, the invention Method for a large spectral bandwidth and related, various requirements can be used.

Es kann auch mit dem erfindungsgemäßen Verfahren eine eine Antireflexschicht bildende Beschichtung abgeschieden werden.It can also with the method according to the invention a coating forming an antireflective layer is deposited.

Weiterhin kann auf der mindestens einen Schicht, die eine Antireflexschicht bildet, mindestens eine weitere Schicht abgeschieden werden.Farther can be on the at least one layer containing an antireflective layer forms, at least one further layer to be deposited.

Vorteilhafterweise kann als mindestens eine weitere Schicht eine die Benetzung der Oberfläche beeinflussende Schicht abgeschieden werden. Dies kann eine hydrophobe Schicht sein, die z. B. mittels Hexamethylcyclotrisiloxan, Hexamethyldisiloxan oder einer Fluorverbindung (c-C4F8 oder CF4) unter inerten Bedingungen (Ar, He, N2 als Trägergas) abgeschieden werden kann und einen Wasserrandwinkel über 90° aufweist.Advantageously, a layer influencing the wetting of the surface can be deposited as at least one further layer. This may be a hydrophobic layer, the z. B. by hexamethylcyclotrisiloxane, hexamethyldisiloxane or a fluorine compound (cC 4 F 8 or CF 4 ) under inert conditions (Ar, He, N 2 as a carrier gas) can be deposited and has a water edge angle over 90 °.

Bevorzugt wird als mindestens eine weitere Schicht eine die Kratzfestigkeit der Oberfläche verbessernde Schicht abgeschieden. Dies ermöglicht einen Einsatz der Substrate auch unter extremeren Umgebungsbedingungen, wie z. B. im Außenbereich. Dies kann eine glasartige SiOx-Schicht sein, wie sie im Beispiel 3 beschrieben ist.Preferably, a layer which improves the scratch resistance of the surface is deposited as at least one further layer. This allows use of the substrates even under extreme environmental conditions, such. B. in the outdoor area. This may be a glassy SiO x layer, as described in Example 3.

Als Arbeitsgas wird bevorzugt mindestens ein Precursor ausgewählt aus Silanen, Organosilanen, Organosiloxanen, Organosilazanen, Alkoxysilanen, fluorhaltigen Monomeren und/oder Mischungen hiervon eingesetzt.As the working gas is preferably at least a precursor selected from silanes, organosilanes, organosiloxanes, organosilazanes, alkoxysilanes, fluorine-containing monomers and / or mixtures thereof used.

Hierbei ist das Organosilan ausgewählt aus Substanzen wie z. B. Tetramethylsilan, Trimethylsilan oder Mischungen hiervon. Hierbei ist das Organosiloxan ausgewählt aus Substanzen wie z. B. Hexamethyldisiloxan, Octamethyltrisiloxan oder Mischungen hiervon. Hierbei ist das Organosilazan ausgewählt aus Substanzen wie z. B. Hexamethyldisilazan, Octamethyltrisilazan oder Mischungen hiervon. Hierbei ist das Alkoxysilan ausgewählt aus Substanzen wie z. B. Tetramethoxysilan, Tetraethoxysilan, Aminopropyltrimethoxysilan oder Mischungen hiervon.in this connection is the organosilane selected from substances such. B. Tetramethylsilane, trimethylsilane or mixtures thereof. in this connection is the organosiloxane selected from substances such. Hexamethyldisiloxane, octamethyltrisiloxane or mixtures thereof. Here, the organosilazane is selected from substances such as As hexamethyldisilazane, octamethyltrisilazane or mixtures hereof. Here, the alkoxysilane is selected from substances such as For example, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane or mixtures thereof.

Der Begriff „Arbeitsgas” beinhaltet eine reaktive Substanz, die bei Standard-Bedingungen (Raumtemperatur, Normaldruck) gasförmig sein kann und polymerisierbar ist, so dass sie auf dem Substrat eine Beschichtung bilden kann.Of the Term "working gas" includes a reactive one Substance which under standard conditions (room temperature, normal pressure) may be gaseous and is polymerizable, so they can form a coating on the substrate.

Je nach Precursor können die Hydrophilie der Oberfläche erhöht werden oder hydrophobe Schichten aufgebracht werden bzw. die Kratzfestigkeit und damit die Stabilität der Schichten erhöht werden. Ein Maß für den Umsetzungsgrad des Precursors in der Plasmazone ist die bereits genannte Volumendosis.ever After Precursor, the hydrophilicity of the surface be increased or hydrophobic layers are applied or the scratch resistance and thus the stability of the layers increase. A measure of the degree of implementation of the precursor in the plasma zone is the volume dose already mentioned.

Bevorzugt ist das Balancegas ausgewählt aus Luft, CO2, O2, NH3, N2O, He, N2, Ar. Das Balancegas ist erfindungsgemäß ein reaktives oder nicht reaktives Gas, das dem Trägergas und Arbeitsgas vor der Plasmazone beigemischt wird.Preferably, the balance gas is selected from air, CO 2 , O 2 , NH 3 , N 2 O, He, N 2 , Ar. The balance gas according to the invention is a reactive or non-reactive gas which is added to the carrier gas and working gas in front of the plasma zone.

Das Trägergas ist vorzugsweise ausgewählt aus Edelgasen oder Inertgasen, insbesondere Helium, Argon und Stickstoff. Trägergase sind Gase, die das Arbeitsgas in die Plasmazone trägt.The Carrier gas is preferably selected from noble gases or inert gases, in particular helium, argon and nitrogen. carrier gases are gases that carry the working gas into the plasma zone.

Vorteilhafterweise wird als Substrat Glas, insbesondere Floatglas oder Gussglas, eingesetzt. Somit sind diese Schichten hervorragend u. a. für den Einsatz im Bereich Verglasung und solare Anwendung geeignet. Mit diesem Verfahren können alle möglichen planaren Substrate, wie Folien, Platten oder Scheiben aus Glas, Silizium, Gummi oder Kunststoff beschichtet werden. Weiterhin kann durch eine dynamische Beschichtung, d. h. durch Bewegung des Substrates oder des Elektrodenkopfes, eine besonders gute Beschichtung und damit eine breitbandige Entspiegelung erreicht werden.advantageously, is used as a substrate glass, in particular float glass or cast glass. Consequently These layers are excellent u. a. for use suitable for glazing and solar applications. With this Methods can be any possible planar substrates, such as foils, plates or discs made of glass, silicon, rubber or plastic be coated. Furthermore, by means of a dynamic coating, d. H. by movement of the substrate or the electrode head, a particularly good coating and thus a broadband anti-reflection coating be achieved.

Als Substrat können ferner auch Polymere, insbesondere optisch transparente Kunststoffe, eingesetzt werden.When Substrate can also polymers, in particular optically transparent plastics, are used.

Weiterhin ist eine durch eines der bisher beschriebenen Verfahren herstellbare Antireflexbeschichtung auf einem Substrat erfindungsgemäß.Farther is a producible by one of the methods described so far Antireflection coating on a substrate according to the invention.

Anhand der nachfolgenden 1 bis 5 sowie der Beispiele 1 bis 3 soll der anmeldungsgemäße Gegenstand näher erläutert werden, ohne diesen auf diese speziellen Varianten einzuschränken.Based on the following 1 to 5 as well as Examples 1 to 3, the object according to the application is intended to be explained in more detail, without restricting it to these special variants.

1 zeigt die berechnete Reflexion eines mit porösen SiO2-Schichten beidseitig entspiegelten Floatglases. 1 shows the calculated reflection of a double-coated with porous SiO 2 layers float glass.

2A zeigt den schematischen Aufbau zur Beschichtung von Substraten. 2A shows the schematic structure for coating substrates.

2B zeigt die Schichtdicke sowie den Brechungsindex in Abhängigkeit von der Messposition. 2 B shows the layer thickness and the refractive index as a function of the measuring position.

3A zeigt die Abhängigkeit der Reflexion von der Wellenlänge. 3A shows the dependence of the reflection on the wavelength.

3B zeigt die Abhängigkeit der Transmission von der Wellenlänge. 3B shows the dependence of the transmission on the wavelength.

4A zeigt eine mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigen Antireflexbeschichtung, wobei das Substrat breiter ist als der Bereich der Gaszufuhr bzw. des Gasauslasses und der Hochspannungselektroden. 4A shows a possible arrangement for the deposition of the broadband antireflection coating, wherein the substrate is wider than the area of the gas supply or the gas outlet and the high voltage electrodes.

4B zeigt eine weitere mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigen Antireflexbeschichtung, wobei hier das Substrat schmaler ist als die Summe aus Hochspannungselektroden und Gaszufuhr bzw. Auslass. 4B shows a further possible arrangement for the deposition of the broadband antireflection coating, in which case the substrate is narrower than the sum of high voltage electrodes and gas supply or outlet.

4C zeigt eine weitere mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigen Antireflexbeschichtung, wobei die Gaszufuhr zwischen den zwei Hochspannungselektroden erfolgt und der Auslass links bzw. rechts neben den Hochspannungselektroden angeordnet ist. 4C shows another possible arrangement for depositing the broadband antireflection coating, wherein the gas supply between the two high-voltage electrodes is carried out and the outlet is arranged to the left or right of the high voltage electrodes.

5A zeigt den Einfluss der elektrischen Anordnung auf die Bereiche der Vorionisation und der Abscheidung, wobei die Hochspannung auf beiden Elektroden gleichphasig geschaltet ist. 5A shows the influence of the electrical arrangement on the areas of the preionization and the deposition, wherein the high voltage is connected in phase on both electrodes.

5B zeigt den Einfluss der elektrischen Anordnung auf die Bereiche der Vorionisation und der Abscheidung, wobei die Hochspannung gegenphasig geschaltet ist. 5B shows the influence of the electrical arrangement on the areas of the preionization and the deposition, wherein the high voltage is connected in phase opposition.

1 zeigt die berechnete Reflexion eines mit po rösen SiO2-Schichten beidseitig entspiegelten Floatgases. Der effektive Brechungsindex n = 1,24 und die Schichtdicke beträgt 150 nm. Die berechnete Reflexion steigt im Bereich von 250 bis 400 nm auf 9% und fällt bis zu einer Wellenlänge von 700 nm wieder auf 0 ab. Danach erhöht sich der Wert für die berechnete Reflexion in einem Wellenlängen-Bereich von 700 bis 1.500 nm nahezu linear und nähert sich im darauf folgenden einem Maximum von 7% an. 1 shows the calculated reflection of a floating SiO 2 layers coated on both sides with floating SiO 2 layers. The effective refractive index n = 1.24 and the layer thickness is 150 nm. The calculated reflection increases in the range of 250 to 400 nm to 9% and falls to a wavelength of 700 nm back to 0. Thereafter, the value for the calculated reflection in a wavelength range of 700 to 1,500 nm almost linearly increases and thereafter approaches a maximum of 7%.

In 2A ist der Aufbau für das erfindungsgemäße Beschichtungsverfahren dargestellt. Der Gaseinlass 10 erfolgt zwischen den zwei Hochspannungselektroden 20 auf das Glassubstrat 30. Das Glassubstrat 30 ist hierbei auf der Gegenelektrode 50 angeordnet. Mit den Ziffern 1 bis 5 sind verschiedene Messpositionen, die sich auf dem Glassubstrat 30 befinden, bezeichnet.In 2A the structure for the coating process according to the invention is shown. The gas inlet 10 occurs between the two high voltage electrodes 20 on the glass substrate 30 , The glass substrate 30 is here on the counter electrode 50 arranged. With the numbers 1 to 5 are different measuring positions that are on the glass substrate 30 are designated.

2B zeigt die Abhängigkeit der Schichtdicke sowie der Brechungsindices von der Messposition 1 bis 5. Die Schichtdicke liegt bei Messposition 1 bis 3 im Bereich von 50 nm und bei Messposition 4 und 5 im Bereich von 350 nm. Der Brechungsindex liegt für Messposition 1 bei 1,125 und für Messposition 2 und 3 im Bereich von 1,05. Für die Messpositionen 4 und 5 liegt der Brechungsindex bei 1,2 bzw. 1,1525. In 2b ist der Brechungsindex und Schichtdickenverlauf einer statischen Beschichtung mit Silan dargestellt. 2 B shows the dependence of the layer thickness and the refractive indices on the measuring position 1 to 5 , The layer thickness is at the measuring position 1 to 3 in the range of 50 nm and at the measuring position 4 and 5 in the range of 350 nm. The refractive index is for measuring position 1 at 1,125 and for measurement position 2 and 3 in the range of 1.05. For the measuring positions 4 and 5 the refractive index is 1.2 or 1.1525. In 2 B the refractive index and layer thickness profile of a static coating with silane is shown.

3A zeigt die Reflexion in Abhängigkeit von der Wellenlänge bei einer erfindungsgemäßen, beidseitigen Antireflexbeschichtung auf Floatglas, wobei das Substrat oder der Elektrodenkopf bewegt wird. die Reflexion der Antireflexschicht liegt im Bereich von 0 bis 600 nm bei 1% und sinkt in einem Bereich bis ca. 800 nm auf 0,5% ab. Danach folgt ein Anstieg der Reflexion, der im Bereich von 2.000 bis 2.500 gegen ein Maximum, hier 5%, geht. Die Referenz (unbeschichtetes Floatglas) weist im Bereich von 0 bis 100 nm einen Anstieg der Reflexion von 5,5 auf 8,5% auf. Danach sinkt die prozentuale Reflexion geringfügig, liegt aber über den ganzen gemessenen Wellenlängenbereich deutlich über der Reflexion der erfindungsgemäßen Antireflexschicht. 3A shows the reflection as a function of the wavelength in a two-sided antireflection coating according to the invention on float glass, wherein the substrate or the electrode head is moved. the reflection of the antireflection layer is in the range of 0 to 600 nm at 1% and decreases in a range up to about 800 nm to 0.5%. This is followed by an increase in the reflection, which goes in the range of 2,000 to 2,500 against a maximum, here 5%. The reference (uncoated float glass) has an increase in reflection from 5.5 to 8.5% in the range of 0 to 100 nm. Thereafter, the percentage reflection decreases slightly, but is well above the reflection of the antireflection coating according to the invention over the entire measured wavelength range.

3B zeigt die Transmission einer Referenz sowie der erfindungsgemäßen Antireflexbeschichtung in Abhängigkeit von der Wellenlänge. Die Kurven für die Transmission verlaufen nahezu parallel, wobei für die erfindungsgemäße Antireflexbeschichtung die Transmission durchgängig über den ganzen gemessenen Wellenlängenbereich einen höheren Wert aufweist als für die Referenz (unbeschichtetes Floatglas). 3B shows the transmission of a reference and the anti-reflection coating according to the invention as a function of the wavelength. The curves for the transmission run almost parallel, wherein for the antireflection coating according to the invention the transmission has a higher value over the entire measured wavelength range throughout than for the reference (uncoated float glass).

4A zeigt eine mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigen Antireflexbeschichtung. Hier sind die Hochspannungselektroden 20 links und rechts von der Gaszufuhr 40 angeordnet. Das Substrat 30 liegt dieser Anordnung gegenüber. Auf der Gegenelektrode 50 ist das Substrat 30 angeordnet. Der Pfeil unterhalb der Gegenelektrode zeigt die Bewegungsrichtung von Gegenelektrode 50 und dem darauf befindlichen Substrat 30 an. 4A shows a possible arrangement for depositing the broadband antireflection coating. Here are the high voltage electrodes 20 left and right of the gas supply 40 arranged. The substrate 30 lies opposite this arrangement. On the counter electrode 50 is the substrate 30 arranged. The arrow below the counter electrode shows the direction of movement of the counter electrode 50 and the substrate thereon 30 at.

4B zeigt eine weitere mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigen erfindungsgemäßen Antireflexbeschichtung. Das Substrat 30 ist auf der Gegenelektrode 50 angeordnet, die der Gaszufuhr 40 gegenüber liegt. Die Gaszufuhr 40 ist zwischen zwei Hochspannungselektroden 20 angeordnet. Der Pfeil unterhalb der Gegenelektrode 50 zeigt die Bewegungs richtung des Substrates 30 an. 4B shows a further possible arrangement for the deposition of the broadband antireflective coating according to the invention. The substrate 30 is on the counter electrode 50 arranged the gas supply 40 is opposite. The gas supply 40 is between two high voltage electrodes 20 arranged. The arrow below the counter electrode 50 shows the direction of movement of the substrate 30 at.

4C zeigt eine weitere Variante zur Abscheidung der Antireflexbeschichtung. Hier ist die Gaszufuhr 40 zwischen zwei Hochspannungselektroden 20 oberhalb des Substrates 30 angeordnet. Der Gasauslass 45 ist links bzw. rechts der Hochspannungselektroden 20 angeordnet. Das Substrat 30 befindet sich auf der Gegenelektrode 50, die in Pfeilrichtung bewegt wird. 4C shows a further variant for depositing the antireflection coating. Here is the gas supply 40 between two high voltage electrodes 20 above the substrate 30 arranged. The gas outlet 45 is left or right of the high voltage electrodes 20 arranged. The substrate 30 is located on the counter electrode 50 which is moved in the direction of the arrow.

5A zeigt eine weitere mögliche Anordnung, wobei hier der Einfluss der elektrischen Anordnung auf die Bereiche der Vorionisation 60 und der Abscheidung 70 dargestellt ist. Die Hochspannung ist auf beiden Hochspannungselektroden 20 gleichphasig geschaltet. Hier befindet sich das Substrat 30 auf der Gegenelektrode 50. Dieser Anordnung gegenüber ist die Gaszufuhr 40, die zwischen den beiden Hochspannungselektroden 20 erfolgt, angeordnet. 5A shows another possible arrangement, in which case the influence of the electrical arrangement on the areas of preionization 60 and the deposition 70 is shown. The high voltage is on both high voltage electrodes 20 in-phase switched. Here is the substrate 30 on the counter electrode 50 , Opposite this arrangement is the gas supply 40 between the two high voltage electrodes 20 done, arranged.

In 5B ist die Hochspannung der Hochspannungselektroden 20 gegenphasig geschaltet. Dadurch zündet das Plasma auch zwischen den Elektroden 20 und die Vorionisation 60 befindet sich nicht direkt auf der Substratoberfläche 30. Die Gaszufuhr 40 erfolgt zwischen den zwei Hochspannungselektroden 20 auf das Substrat 30, das auf der Gegenelektrode 50 angeordnet ist. Durch den Pfeil unterhalb der Gegenelektrode 50 ist die Bewegungsrichtung des Substrates 30 dargestellt.In 5B is the high voltage of the high voltage electrodes 20 switched in antiphase. As a result, the plasma also ignites between the electrodes 20 and the preionization 60 is not located directly on the substrate surface 30 , The gas supply 40 occurs between the two high voltage electrodes 20 on the substrate 30 that on the counter electrode 50 is arranged. By the arrow below the counter electrode 50 is the direction of movement of the substrate 30 shown.

Diese verschiedenen Anordnungen sind beliebig kombinierbar in Abhängigkeit von den Substraten wie auch den gewünschten Oberflächeneigenschaften.These various arrangements can be combined as desired in dependence from the substrates as well as the desired surface properties.

Beispiel 1example 1

Antireflex-Beschichtung eines Floatglases (dynamisch)Antireflective coating of a float glass (dynamic)

Ein Beschichtungssystem mit einem zentralen Gaseinlass und je einer Hochspannungselektrode auf jeder Seite wird verwendet. Die Gasgeschwindigkeit wird so gewählt, dass eine Verweilzeit von 12 ms erreicht wird, mit einer Mischung aus Helium, Kohlendioxid, Ammoniak und Silan. Es wird eine dielektrische Barrierenentladung betrieben, so dass eine Volumendosis von 6·105 W·s/m3 erreicht wird. Ein sich bewegendes Glassubstrat wird so einseitig mit einer Geschwindigkeit von 1 mm/s beschichtet. Danach wird die Probe gedreht und mit den gleichen Parametern auf der Rückseite beschichtet. Bei der mittels UV-VIS-Spektroskopie vermessenen Probe reduziert sich die Reflexion im Bereich von 300 bis 1000 nm auf etwa 1%.A coating system with a central gas inlet and a high voltage electrode on each side is used. The gas velocity is chosen to achieve a residence time of 12 ms with a mixture of helium, carbon dioxide, ammonia and silane. A dielectric barrier discharge is operated, so that a volume dose of 6 · 10 5 W · s / m 3 is achieved. A moving glass substrate is coated on one side at a speed of 1 mm / s. The sample is then rotated and coated with the same parameters on the back. In the case of the UV-VIS spectroscopy measured sample, the reflection in the range of 300 to 1000 nm reduced to about 1%.

Beispiel 2Example 2

Antireflex-Beschichtung eines Floatglases (statisch)Antireflective coating of a float glass (static)

Ein Beschichtungsreaktor mit zwei Glasplatten (10 × 30 cm2) und Kupferband als planare Elektroden (5 × 25 cm2) wird von einer Seite mit einer Gasmischung aus Helium, Distickstoffoxid, Ammoniak und Silan gespült. Die Gesamtverweilzeit im Reaktor beträgt 360 ms und die gesamte Volumendosis 2·105 Ws/m3. Es zeigt sich, dass nach einer Verweilzeit von ca. 5 ms die Schichtabscheidung einer Antireflex-Schicht beginnt und aufgrund der gewählten Volumendosis diese bis zu einer Verweilzeit von ca. 140 ms als Antireflex-Schicht reicht. Danach ist der Precursor nahezu vollständig abreagiert.A coating reactor with two glass plates (10 × 30 cm 2 ) and copper tape as planar electrodes (5 × 25 cm 2 ) is rinsed from one side with a gas mixture of helium, nitrous oxide, ammonia and silane. The total residence time in the reactor is 360 ms and the total volume dose 2 × 10 5 Ws / m 3 . It turns out that after a residence time of about 5 ms, the layer deposition of an antireflection layer begins and, due to the selected volume dose, this extends as an antireflection layer up to a residence time of about 140 ms. Thereafter, the precursor is almost completely reacted.

Beispiel 3Example 3

Antireflex und Antikratz-BeschichtungAnti-reflective and anti-scratch coating

Ein Floatglas wird zuerst mit den in Beispiel 1 beschriebenen Parametern mit einer Antireflex-Schicht beschichtet. Allerdings wird diese Schicht bei einer Geschwindigkeit von 2 mm/s abgeschieden. Im Anschluss wird mit einer identischen Anordnung mit dem Precursor TMOS (Tetramethoxysilan) sowie Stickstoff und Ammoniak als Prozessgasen die Gasgeschwindigkeit so gewählt, dass eine Verweilzeit von 10 ms und eine Volumendosis von 5·105 Ws/m3 und einer Geschwindigkeit von 4 mm/s betrieben. Diese Schichtkombination zeigt neben der Antireflex-Wirkung auch eine verbesserte Kratzstabilität.A float glass is first coated with the antireflective layer using the parameters described in Example 1. However, this layer is deposited at a speed of 2 mm / s. Subsequently, with an identical arrangement with the precursor TMOS (tetramethoxysilane) and nitrogen and ammonia as process gases, the gas velocity is chosen so that a residence time of 10 ms and a volume dose of 5 × 10 5 Ws / m 3 and a speed of 4 mm / s operated. In addition to the antireflection effect, this layer combination also exhibits improved scratch stability.

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Claims (23)

Verfahren zur Herstellung mindestens einer eine Antireflexschicht bildenden Beschichtung auf einem sich bewegenden Substrat, mittels eines PECVD-Verfahrens, wobei eine Gasmischung umfassend mindestens ein Arbeits-, Träger- sowie Balancegas durch mindestens einen zwischen mindestens zwei Hochspannungselektroden bildenden Spalt geführt wird und mindestens zwischen dem sich bewegenden Substrat, das von mindestens einer Gegenelektrode getragen wird, und den Hochspannungselektroden ein Plasma erzeugt wird, das eine Plasmazone vorgibt mit der Maßgabe, dass: a) bei Atmosphärendruck bzw. annäherndem Atmosphärendruck gearbeitet wird und b) eine Volumendosis des Plasmas von 105 bis 108 Ws/m3 in der Plasmazone eingehalten wird.A process for producing at least one coating which forms an antireflection coating on a moving substrate by means of a PECVD process, wherein a gas mixture comprising at least one working, carrier and balance gas is passed through at least one gap forming between at least two high voltage electrodes and at least between them moving substrate supported by at least one counter electrode, and generating a plasma defining a plasma zone with the proviso that: a) operating at atmospheric pressure and approximate atmospheric pressure; and b) a volume dose of the plasma from 10 5 to 10 8 Ws / m 3 is maintained in the plasma zone. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Volumendosis im Bereich von 2 × 105 bis 2 × 107 Ws/m3 liegt.A method according to claim 1, characterized in that the volume dose in the range of 2 × 10 5 to 2 × 10 7 Ws / m 3 . Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass mit einer dielektrischen Barriereentladung gearbeitet wird.Method according to claim 1 or 2, characterized that works with a dielectric barrier discharge. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasgeschwindigkeit der Gasmischung so gewählt wird, dass eine Verweildauer des Plasmas in der Plasmazone von 1 ms bis 1000 ms eingehalten wird.Method according to at least one of the claims 1 to 3, characterized in that the gas velocity of Gas mixture is chosen so that a residence time of Plasma is maintained in the plasma zone from 1 ms to 1000 ms. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass eine Verweildauer von 5 ms bis 500 ms eingehalten wird.Method according to claim 4, characterized in that that a residence time of 5 ms to 500 ms is maintained. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das PECVD-Verfahren so betrieben wird, dass die Plasmazone einen Vorionisationsbereich mit verminderter Ab scheiderate und einen Abscheidebereich umfasst.Method according to at least one of the claims 1 to 5, characterized in that the PECVD method so operated is that the plasma zone with a Vorionisationsbereich with reduced From a rate and a separation area includes. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das PECVD-Verfahren so betrieben wird, dass die Vorionisation mindestens teilweise im Spalt erfolgt.Method according to at least one of the claims 1 to 5, characterized in that the PECVD method so operated is that the pre-ionization takes place at least partially in the gap. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass pro beschichtete Substratoberfläche bezogen auf das unbeschichtete Substrat eine Reflektionsminderung um mindestens 2,5% in einem Wellenlängenbereich von mindestens 200 nm erreicht wird.Method according to at least one of the claims 1 to 7, characterized in that per coated substrate surface based on the uncoated substrate, a reflection reduction by at least 2.5% in a wavelength range of at least 200 nm is achieved. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat im Bereich von 300 bis 1000 nm eine Reflektionsminderung von mindestens 2,5% aufweist.Method according to claim 8, characterized in that that the substrate in the range of 300 to 1000 nm, a reflection reduction of at least 2.5%. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine eine Antireflexschicht bildende Beschichtung abgeschieden wird.Method according to at least one of the claims 1 to 9, characterized in that one an antireflection layer forming coating is deposited. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass auf der mindestens einen Schicht, die eine Antireflexschickt bildet, mindestens eine weitere Schicht abgeschieden wird.Method according to at least one of the claims 1 to 9, characterized in that on the at least one layer, which forms an antireflex, at least one further layer is deposited. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass als mindestens eine weitere Schicht eine die Benetzung der Oberfläche beeinflussende Schicht abgeschieden wird.Method according to claim 11, characterized in that that as at least one further layer, the wetting of the Surface influencing layer is deposited. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass als mindestens eine weitere Schicht eine die Kratzfestigkeit der Oberfläche verbessernde Schicht abgeschieden wird.Method according to claim 11 or 12, characterized that as at least one further layer, the scratch resistance the surface improving layer is deposited. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass als Arbeitsgas mindestens ein Precursor ausgewählt aus Silanen, Organosilanen, Organosiloxanen, Organosilazanen, Alkoxysilanen, fluorhaltigen Monomeren und/oder Mischungen hiervon eingesetzt wird.Method according to at least one of the claims 1 to 13, characterized in that at least as working gas a precursor selected from silanes, organosilanes, organosiloxanes, Organosilazanes, alkoxysilanes, fluorine-containing monomers and / or Mixtures thereof is used. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Organosilan ausgewählt ist aus Substanzen, wie z. B. Tetramethylsilan, Trimethylsilan oder Mischungen hiervon.Method according to claim 14, characterized in that that the organosilane is selected from substances such as z. Tetramethylsilane, trimethylsilane or mixtures thereof. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Organosiloxan ausgewählt ist aus Substanzen wie z. B. Hexamethyldisiloxan, Octamethyltrisiloxan oder Mischungen hiervon.Method according to claim 14, characterized in that that the organosiloxane is selected from substances such as z. As hexamethyldisiloxane, octamethyltrisiloxane or mixtures hereof. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Organosilazan ausgewählt ist aus Substanzen wie z. B. Hexamethyldisilazan, Octamethyltrisilazan oder Mischungen hiervon.Method according to claim 14, characterized in that that the organosilazane is selected from substances such as z. As hexamethyldisilazane, octamethyltrisilazane or mixtures hereof. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Alkoxysilan ausgewählt ist aus Substanzen wie z. B. Tetramethoxysilan, Tetraethoxysilan, Aminopropyltrimethoxysilan oder Mischungen hiervon.Method according to claim 14, characterized in that that the alkoxysilane is selected from substances such as z. For example, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane or mixtures thereof. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass das Balancegas ausgewählt ist aus Luft, CO2, O2, NH3, N2O, He, N2, Ar.Method according to at least one of claims 1 to 18, characterized in that the balance gas is selected from air, CO 2 , O 2 , NH 3 , N 2 O, He, N 2 , Ar. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägergas ausgewählt ist aus Edelgasen oder Inertgasen, insbesondere Helium, Argon und Stickstoff.Method according to at least one of the claims 1 to 19, characterized in that the carrier gas is selected is from noble gases or inert gases, in particular helium, argon and Nitrogen. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass als Substrat Glas, insbesondere Floatglas oder Gussglas, eingesetzt wird.Method according to at least one of Claims 1 to 20, characterized in that as the substrate glass, in particular float glass or cast glass, is used. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass als Substrat Polymere, insbesondere optisch transparente Kunststoffe, eingesetzt werden.Method according to at least one of the claims 1 to 20, characterized in that as a substrate polymers, in particular optically transparent plastics are used. Antireflexbeschichtung auf einem Substrat, herstellbar durch ein Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 22.Antireflection coating on a substrate, manufacturable by a method according to at least one of the claims 1 to 22.
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