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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Antireflexschicht-bildenden
Beschichtungen auf einem Substrat sowie eine Antireflexbeschichtung
auf einem Substrat.
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Es
ist bekannt, dass heutzutage transparente Kunststoffe und Glas mit
einer Antireflex-Schicht versehen werden, um die Verluste durch
die Reflexion an den Oberflächen zu minimieren. Für
z. B. Brillengläser und Fensterscheiben werden dazu hauptsächlich
Schichtkombinationen eingesetzt, die mindestens eine hochbrechende
Schicht enthalten. Diese Multilagenschichten werden hauptsächlich über PVD-Prozesse,
wie Sputtern oder Aufdampfen, hergestellt (
EP 1 206 715 A1 ) bzw. über PECVD/PICVD-Verfahren
(
DE 102 50 564 A1 ).
Allerdings sind diese Mehrschicht-Antireflexbeschichtungen nur für
Anwendungen geeignet, bei denen die spektrale Bandbreite der Entspiegelung
kleiner als eine Oktave sein darf (
A. Gombert, M. Rommel,
Forschungsverbund Sonnenenergie „Themen 97/98",
S. 81). Für eine breitbandige Entspiegelung, wie
sie z. B. für solare Anwendungen benötigt wird,
können diese Verfahren daher nicht eingesetzt werden. Zudem
sind die Vielschichtsysteme für viele Anwendungen zu teuer.
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Um
eine wirksame Erhöhung der solaren Transmission zu erreichen,
muss der Brechungsindex des Substratmaterials (nS ≅ 1,5)
an denjenigen von Luft (nL = 1) über
ein sehr niedrigbrechendes Dünnschichtsystem (nD < 1,3)
angepasst werden. Dies ist mit den klassischen Beschichtungstechnologien
als dichte Filme nicht erzielbar. Allerdings sind eine Reihe von
Verfahren für die breitbandige Transmissionserhöhung
von Acrylglas und Floatglas bereits untersucht worden (A.
Gombert, M. Rommel, Forschungsverbund Sonnenenergie „Themen 97/98",
S. 81), die auf porösen bzw. mikrostrukturierten
Materialien beruhen, bei denen ein Festkörper mit Luft
gemischt wird. Die Poren bzw. Strukturen müssen fein genug
sein, damit Sie von der einfallenden Strahlung nicht aufgelöst
werden.
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Im
Bereich der Solaranwendungen werden solche Antireflex-Eigenschaften
auf Glas über Sol-Gel-Schichten (Centrosolar,
EP 1 328 483 B1 ,
EP 1 181 256 B1 )
und geätzte Oberflächen (SUNARC) schon angeboten.
Eine weitere Möglichkeit ist die Abscheidung solcher porösen
Schichten mittels PECVD-Verfahren unter Niederdruckbedingungen,
wie es in
DE 199 12 737 beschrieben
ist.
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Wenn
Kunststoffe entspiegelt werden sollen, werden dazu häufig
Strukturen in die Oberfläche geprägt oder es wird
durch Plasmaätzen die Oberfläche strukturiert
(
DE 103 18 566 ).
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In
jüngster Zeit werden immer häufiger Plasmen eingesetzt,
die bei Umgebungsdruck arbeiten. Mit kalten, bei Atmosphärendruck
betriebenen, im technischen Sprachgebrauch auch. als „Corona-Entladungen” bezeichneten
dielektrisch behinderten Entladungen („(dielektrische)
Barrierenentladungen”) ist es möglich, mittels
PECVD ebenfalls Schichten abzuscheiden. Hierbei können
ebenfalls gezielt poröse Schichten hergestellt werden,
die als Antireflex-Schicht eingesetzt werden können. In
EP 1 342 810 ,
EP 1 819 843 A ,
WO 08/045226 A wird dies über den
Einsatz von Organosiloxanen auf Kunststoffen erreicht. Bei
Jidenko
(J. Phys. D: Appl. Phys. 40 (2007) 4155–4163) und
Borra
(J. Phys. D: Appl. Phys. 39 (2006) R19–R54) ist
die Bildung von porösen Schichten mittels Silan als Monomer
beschrieben.
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Alle
diese Schichten bzw. porösen Materialien zeigen einen sehr ähnlichen,
optisch nahezu gleichen Verlauf der Transmission bzw. Reflexion.
Sie können über die Schichtdicke und den Brechungsindex
in einem begrenzten spektralen Bereich auf eine gute Transmission
bzw. geringe Reflexion optimiert werden. Eine breitbandige Entspiegelung
kann damit aber nicht erreicht werden.
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Ausgehend
hiervon ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine kostengünstige,
breitbandige Entspiegelung von Substraten zu ermöglichen,
wobei auch die Brechungsindices der benachbarten Schichten angepasst
sein sollen.
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Diese
Aufgabe wird durch das Verfahren mit den Merk malen des Anspruchs
1 gelöst. Anspruch 23 betrifft eine Antireflexbeschichtung.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen
enthalten.
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Erfindungsgemäß wird
ein Verfahren zur Herstellung mindestens einer eine Antireflexschicht bildenden
Beschichtung auf einem sich bewegenden Substrat, mittels eines PECVD-Verfahrens
bereitgestellt, wobei eine Gasmischung umfassend mindestens ein
Arbeits-, Träger- sowie Balancegas durch mindestens einen
zwischen mindestens zwei Hochspannungselektroden bildenden Spalt
geführt wird und mindestens zwischen dem sich bewegenden Substrat,
das von mindestens einer Gegenelektrode getragen wird, und den Hochspannungselektroden ein
Plasma erzeugt wird, das eine Plasmazone vorgibt mit der Maßgabe,
dass bei Atmosphärendruck bzw. annäherndem Atmosphärendruck
gearbeitet wird und eine Volumendosis des Plasmas von 105 bis 108 Ws/m3 in der Plasmazone eingehalten wird.
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Unter
annäherndem Atmosphärendruck wird erfindungsgemäß ein
Druck zwischen 0,9 und 1,1 bar verstanden. Mit dem erfindungsgemäßen
Verfahren ist es möglich, über einen PECVD-Prozess
bei Atmosphärendruck (bzw. annäherndem Atmosphärendruck)
eine sehr breitbandige (mehrere 100 nm) Entspiegelung bzw. Erhöhung
der Transmission zu erreichen. Dazu wurde die Anordnung eines Elektrodensystems
mit einem Gaseinlass und mehreren Hochspannungselektroden dahingehend
optimiert, dass die in einem Schritt, d. h. bei nur einer Passage
der zu entspiegelnden Scheibe durch eine Beschichtungsvorrichtung,
abgeschiedene Schicht unterschiedliche Brechungsindices enthält.
Wichtig ist dabei, dass die Anzahl der Elektroden sowie die Gaszufuhr
und Gasabfuhr genau auf das Monomer abgestimmt wer den, um die optimalen
optischen Eigenschaften zu erhalten.
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Bevorzugt
liegt die Volumendosis im Bereich von 2 × 105 bis
2 × 107 Ws/m3.
Dadurch wird eine optimale Beschichtung des Substrates ermöglicht.
So ist es möglich, eine Oberfläche zu erhalten,
die möglichst gleichmäßig beschichtet
ist. Die Volumendosis setzt sich dabei aus der Leistung pro Volumen
und der Verweilzeit des Prozessgases in der Plasmazone in dem Volumen
zusammen. Sie ist ein Maß für den Umsetzungsgrad
des Precursors.
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Weiterhin
kann in dem erfindungsgemäßen Verfahren mit einer
dielektrischen Barriereentladung gearbeitet werden.
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Die
Gasgeschwindigkeit der Gasmischung kann dabei so gewählt
werden, dass eine Verweildauer des Plasmas in der Plasmazone von
1 ms bis 1000 ms eingehalten wird. Dies ermöglicht eine
homogene Beschichtung der Oberfläche in Abhängigkeit
von den eingesetzten Substraten wie auch dem Arbeits-, Träger-
sowie Balancegas. Vorteilhaft ist eine Verweildauer von 5 ms bis
500 ms.
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Alternativ
kann das PECVD-Verfahren so betrieben werden, dass die Plasmazone
einen Vorionisationsbereich mit verminderter Abscheiderate und einen
Abscheidebereich umfasst.
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Bevorzugt
wird das PECVD-Verfahren so betrieben, dass die Vorionisation mindestens
teilweise im Spalt erfolgt. Dabei kann die Anordnung für
das Verfahren aus z. B. einer Gaszufuhr in der Mitte und mindestens
einer oder mehrerer beliebig breiter Elektroden auf je der Seite
der Gaszufuhr bestehen, wodurch auch eine gezielte Absaugung des
Gases so realisiert werden kann. Durch eine geeignete elektrische
Anordnung kann die Vorionisation auch zwischen den Elektroden erfolgen,
so dass auf dem Substrat nur die Abscheidung erfolgt. Im Bereich
der Vorionisation wird üblicherweise nur eine geringfügige
Schicht abgeschieden, wohingegen in der Abscheidungszone die eigentliche
Abscheidung erfolgt.
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Vorteilhafterweise
wird mit dem erfindungsgemäßen Verfahren pro beschichteter
Substratoberfläche, bezogen auf das unbeschichtete Substrat, eine
Reflektionsminderung um mindestens 2,5% in einem Wellenlängenbereich
von mindestens 200 nm erreicht. Dieser Bereich kann variabel zwischen
200 nm und 1500 nm eingestellt werden und z. B. zwischen 300 nm
und 500 nm, 400 nm und 600 nm oder 500 nm und 700 nm liegen.
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Beim
Durchgang eines Lichtstrahls durch eine Scheibe wird das Licht an
Grenzflächen reflektiert und in den Materialien absorbiert;
aus Gründen der Energieerhaltung ist die transmittierte
Intensität, bezogen auf eine einfallende Intensität
von 100%, gegeben durch T = 100% – R – A, wobei
R und A die „Energieverluste” durch Reflexion
und Absorption bezeichnen. Wenn es gelingt, durch Entspiegelung
einer Grenzfläche des ursprünglich unbeschichteten Glases
die Reflexion um x% zu verringern, steigt T um x% an. Die theoretisch
maximal mögliche Entspiegelung einer Grenzfläche
eines Materials mit dem Brechungsindex ns beträgt
dabei [(ns – 1)/(ns + 1)]2, bei gewöhnlichem Glas mit ns ≈ 1,5 also 4,0%.
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Das
Substrat weist bevorzugt im Bereich von 300 bis 1000 nm eine Reflektionsminderung
von mindestens 2,5% auf. Dies umfasst folglich nicht nur den Bereich
des sichtbaren Lichtes, sondern auch einen Teil des nahen Infrarot-Bereichs
sowie auch des UV-Lichtes. Somit ist das erfindungsgemäße
Verfahren für eine große spektrale Bandbreite
und damit verbundenen, verschiedenen Anforderungen einsetzbar.
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Es
kann auch mit dem erfindungsgemäßen Verfahren
eine eine Antireflexschicht bildende Beschichtung abgeschieden werden.
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Weiterhin
kann auf der mindestens einen Schicht, die eine Antireflexschicht
bildet, mindestens eine weitere Schicht abgeschieden werden.
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Vorteilhafterweise
kann als mindestens eine weitere Schicht eine die Benetzung der
Oberfläche beeinflussende Schicht abgeschieden werden.
Dies kann eine hydrophobe Schicht sein, die z. B. mittels Hexamethylcyclotrisiloxan,
Hexamethyldisiloxan oder einer Fluorverbindung (c-C4F8 oder CF4) unter inerten
Bedingungen (Ar, He, N2 als Trägergas)
abgeschieden werden kann und einen Wasserrandwinkel über
90° aufweist.
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Bevorzugt
wird als mindestens eine weitere Schicht eine die Kratzfestigkeit
der Oberfläche verbessernde Schicht abgeschieden. Dies
ermöglicht einen Einsatz der Substrate auch unter extremeren Umgebungsbedingungen,
wie z. B. im Außenbereich. Dies kann eine glasartige SiOx-Schicht sein, wie sie im Beispiel 3 beschrieben
ist.
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Als
Arbeitsgas wird bevorzugt mindestens ein Precursor ausgewählt
aus Silanen, Organosilanen, Organosiloxanen, Organosilazanen, Alkoxysilanen,
fluorhaltigen Monomeren und/oder Mischungen hiervon eingesetzt.
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Hierbei
ist das Organosilan ausgewählt aus Substanzen wie z. B.
Tetramethylsilan, Trimethylsilan oder Mischungen hiervon. Hierbei
ist das Organosiloxan ausgewählt aus Substanzen wie z.
B. Hexamethyldisiloxan, Octamethyltrisiloxan oder Mischungen hiervon.
Hierbei ist das Organosilazan ausgewählt aus Substanzen
wie z. B. Hexamethyldisilazan, Octamethyltrisilazan oder Mischungen
hiervon. Hierbei ist das Alkoxysilan ausgewählt aus Substanzen
wie z. B. Tetramethoxysilan, Tetraethoxysilan, Aminopropyltrimethoxysilan
oder Mischungen hiervon.
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Der
Begriff „Arbeitsgas” beinhaltet eine reaktive
Substanz, die bei Standard-Bedingungen (Raumtemperatur, Normaldruck)
gasförmig sein kann und polymerisierbar ist, so dass sie
auf dem Substrat eine Beschichtung bilden kann.
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Je
nach Precursor können die Hydrophilie der Oberfläche
erhöht werden oder hydrophobe Schichten aufgebracht werden
bzw. die Kratzfestigkeit und damit die Stabilität der Schichten
erhöht werden. Ein Maß für den Umsetzungsgrad
des Precursors in der Plasmazone ist die bereits genannte Volumendosis.
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Bevorzugt
ist das Balancegas ausgewählt aus Luft, CO2,
O2, NH3, N2O, He, N2, Ar. Das
Balancegas ist erfindungsgemäß ein reaktives oder
nicht reaktives Gas, das dem Trägergas und Arbeitsgas vor
der Plasmazone beigemischt wird.
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Das
Trägergas ist vorzugsweise ausgewählt aus Edelgasen
oder Inertgasen, insbesondere Helium, Argon und Stickstoff. Trägergase
sind Gase, die das Arbeitsgas in die Plasmazone trägt.
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Vorteilhafterweise
wird als Substrat Glas, insbesondere Floatglas oder Gussglas, eingesetzt. Somit
sind diese Schichten hervorragend u. a. für den Einsatz
im Bereich Verglasung und solare Anwendung geeignet. Mit diesem
Verfahren können alle möglichen planaren Substrate,
wie Folien, Platten oder Scheiben aus Glas, Silizium, Gummi oder Kunststoff
beschichtet werden. Weiterhin kann durch eine dynamische Beschichtung,
d. h. durch Bewegung des Substrates oder des Elektrodenkopfes, eine
besonders gute Beschichtung und damit eine breitbandige Entspiegelung
erreicht werden.
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Als
Substrat können ferner auch Polymere, insbesondere optisch
transparente Kunststoffe, eingesetzt werden.
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Weiterhin
ist eine durch eines der bisher beschriebenen Verfahren herstellbare
Antireflexbeschichtung auf einem Substrat erfindungsgemäß.
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Anhand
der nachfolgenden 1 bis 5 sowie
der Beispiele 1 bis 3 soll der anmeldungsgemäße Gegenstand
näher erläutert werden, ohne diesen auf diese
speziellen Varianten einzuschränken.
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1 zeigt
die berechnete Reflexion eines mit porösen SiO2-Schichten
beidseitig entspiegelten Floatglases.
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2A zeigt
den schematischen Aufbau zur Beschichtung von Substraten.
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2B zeigt
die Schichtdicke sowie den Brechungsindex in Abhängigkeit
von der Messposition.
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3A zeigt
die Abhängigkeit der Reflexion von der Wellenlänge.
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3B zeigt
die Abhängigkeit der Transmission von der Wellenlänge.
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4A zeigt
eine mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigen
Antireflexbeschichtung, wobei das Substrat breiter ist als der Bereich der
Gaszufuhr bzw. des Gasauslasses und der Hochspannungselektroden.
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4B zeigt
eine weitere mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigen
Antireflexbeschichtung, wobei hier das Substrat schmaler ist als
die Summe aus Hochspannungselektroden und Gaszufuhr bzw. Auslass.
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4C zeigt
eine weitere mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigen
Antireflexbeschichtung, wobei die Gaszufuhr zwischen den zwei Hochspannungselektroden
erfolgt und der Auslass links bzw. rechts neben den Hochspannungselektroden
angeordnet ist.
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5A zeigt
den Einfluss der elektrischen Anordnung auf die Bereiche der Vorionisation
und der Abscheidung, wobei die Hochspannung auf beiden Elektroden
gleichphasig geschaltet ist.
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5B zeigt
den Einfluss der elektrischen Anordnung auf die Bereiche der Vorionisation
und der Abscheidung, wobei die Hochspannung gegenphasig geschaltet
ist.
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1 zeigt
die berechnete Reflexion eines mit po rösen SiO2-Schichten
beidseitig entspiegelten Floatgases. Der effektive Brechungsindex
n = 1,24 und die Schichtdicke beträgt 150 nm. Die berechnete Reflexion
steigt im Bereich von 250 bis 400 nm auf 9% und fällt bis
zu einer Wellenlänge von 700 nm wieder auf 0 ab. Danach
erhöht sich der Wert für die berechnete Reflexion
in einem Wellenlängen-Bereich von 700 bis 1.500 nm nahezu
linear und nähert sich im darauf folgenden einem Maximum
von 7% an.
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In 2A ist
der Aufbau für das erfindungsgemäße Beschichtungsverfahren
dargestellt. Der Gaseinlass 10 erfolgt zwischen den zwei
Hochspannungselektroden 20 auf das Glassubstrat 30.
Das Glassubstrat 30 ist hierbei auf der Gegenelektrode 50 angeordnet.
Mit den Ziffern 1 bis 5 sind verschiedene Messpositionen,
die sich auf dem Glassubstrat 30 befinden, bezeichnet.
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2B zeigt
die Abhängigkeit der Schichtdicke sowie der Brechungsindices
von der Messposition 1 bis 5. Die Schichtdicke
liegt bei Messposition 1 bis 3 im Bereich von
50 nm und bei Messposition 4 und 5 im Bereich
von 350 nm. Der Brechungsindex liegt für Messposition 1 bei
1,125 und für Messposition 2 und 3 im
Bereich von 1,05. Für die Messpositionen 4 und 5 liegt
der Brechungsindex bei 1,2 bzw. 1,1525. In 2b ist
der Brechungsindex und Schichtdickenverlauf einer statischen Beschichtung mit
Silan dargestellt.
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3A zeigt
die Reflexion in Abhängigkeit von der Wellenlänge
bei einer erfindungsgemäßen, beidseitigen Antireflexbeschichtung
auf Floatglas, wobei das Substrat oder der Elektrodenkopf bewegt wird.
die Reflexion der Antireflexschicht liegt im Bereich von 0 bis 600
nm bei 1% und sinkt in einem Bereich bis ca. 800 nm auf 0,5% ab.
Danach folgt ein Anstieg der Reflexion, der im Bereich von 2.000
bis 2.500 gegen ein Maximum, hier 5%, geht. Die Referenz (unbeschichtetes
Floatglas) weist im Bereich von 0 bis 100 nm einen Anstieg der Reflexion
von 5,5 auf 8,5% auf. Danach sinkt die prozentuale Reflexion geringfügig,
liegt aber über den ganzen gemessenen Wellenlängenbereich
deutlich über der Reflexion der erfindungsgemäßen
Antireflexschicht.
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3B zeigt
die Transmission einer Referenz sowie der erfindungsgemäßen
Antireflexbeschichtung in Abhängigkeit von der Wellenlänge.
Die Kurven für die Transmission verlaufen nahezu parallel,
wobei für die erfindungsgemäße Antireflexbeschichtung
die Transmission durchgängig über den ganzen gemessenen
Wellenlängenbereich einen höheren Wert aufweist
als für die Referenz (unbeschichtetes Floatglas).
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4A zeigt
eine mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigen
Antireflexbeschichtung. Hier sind die Hochspannungselektroden 20 links
und rechts von der Gaszufuhr 40 angeordnet. Das Substrat 30 liegt
dieser Anordnung gegenüber. Auf der Gegenelektrode 50 ist
das Substrat 30 angeordnet. Der Pfeil unterhalb der Gegenelektrode
zeigt die Bewegungsrichtung von Gegenelektrode 50 und dem
darauf befindlichen Substrat 30 an.
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4B zeigt
eine weitere mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigen
erfindungsgemäßen Antireflexbeschichtung. Das
Substrat 30 ist auf der Gegenelektrode 50 angeordnet,
die der Gaszufuhr 40 gegenüber liegt. Die Gaszufuhr 40 ist
zwischen zwei Hochspannungselektroden 20 angeordnet. Der
Pfeil unterhalb der Gegenelektrode 50 zeigt die Bewegungs richtung
des Substrates 30 an.
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4C zeigt
eine weitere Variante zur Abscheidung der Antireflexbeschichtung.
Hier ist die Gaszufuhr 40 zwischen zwei Hochspannungselektroden 20 oberhalb
des Substrates 30 angeordnet. Der Gasauslass 45 ist
links bzw. rechts der Hochspannungselektroden 20 angeordnet.
Das Substrat 30 befindet sich auf der Gegenelektrode 50,
die in Pfeilrichtung bewegt wird.
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5A zeigt
eine weitere mögliche Anordnung, wobei hier der Einfluss
der elektrischen Anordnung auf die Bereiche der Vorionisation 60 und
der Abscheidung 70 dargestellt ist. Die Hochspannung ist
auf beiden Hochspannungselektroden 20 gleichphasig geschaltet.
Hier befindet sich das Substrat 30 auf der Gegenelektrode 50.
Dieser Anordnung gegenüber ist die Gaszufuhr 40,
die zwischen den beiden Hochspannungselektroden 20 erfolgt,
angeordnet.
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In 5B ist
die Hochspannung der Hochspannungselektroden 20 gegenphasig
geschaltet. Dadurch zündet das Plasma auch zwischen den Elektroden 20 und
die Vorionisation 60 befindet sich nicht direkt auf der
Substratoberfläche 30. Die Gaszufuhr 40 erfolgt
zwischen den zwei Hochspannungselektroden 20 auf das Substrat 30,
das auf der Gegenelektrode 50 angeordnet ist. Durch den
Pfeil unterhalb der Gegenelektrode 50 ist die Bewegungsrichtung
des Substrates 30 dargestellt.
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Diese
verschiedenen Anordnungen sind beliebig kombinierbar in Abhängigkeit
von den Substraten wie auch den gewünschten Oberflächeneigenschaften.
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Beispiel 1
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Antireflex-Beschichtung eines Floatglases
(dynamisch)
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Ein
Beschichtungssystem mit einem zentralen Gaseinlass und je einer
Hochspannungselektrode auf jeder Seite wird verwendet. Die Gasgeschwindigkeit
wird so gewählt, dass eine Verweilzeit von 12 ms erreicht
wird, mit einer Mischung aus Helium, Kohlendioxid, Ammoniak und
Silan. Es wird eine dielektrische Barrierenentladung betrieben,
so dass eine Volumendosis von 6·105 W·s/m3 erreicht wird. Ein sich bewegendes Glassubstrat
wird so einseitig mit einer Geschwindigkeit von 1 mm/s beschichtet. Danach
wird die Probe gedreht und mit den gleichen Parametern auf der Rückseite
beschichtet. Bei der mittels UV-VIS-Spektroskopie vermessenen Probe reduziert
sich die Reflexion im Bereich von 300 bis 1000 nm auf etwa 1%.
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Beispiel 2
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Antireflex-Beschichtung eines Floatglases
(statisch)
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Ein
Beschichtungsreaktor mit zwei Glasplatten (10 × 30 cm2) und Kupferband als planare Elektroden
(5 × 25 cm2) wird von einer Seite
mit einer Gasmischung aus Helium, Distickstoffoxid, Ammoniak und
Silan gespült. Die Gesamtverweilzeit im Reaktor beträgt
360 ms und die gesamte Volumendosis 2·105 Ws/m3. Es zeigt sich, dass nach einer Verweilzeit
von ca. 5 ms die Schichtabscheidung einer Antireflex-Schicht beginnt
und aufgrund der gewählten Volumendosis diese bis zu einer
Verweilzeit von ca. 140 ms als Antireflex-Schicht reicht. Danach
ist der Precursor nahezu vollständig abreagiert.
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Beispiel 3
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Antireflex und Antikratz-Beschichtung
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Ein
Floatglas wird zuerst mit den in Beispiel 1 beschriebenen Parametern
mit einer Antireflex-Schicht beschichtet. Allerdings wird diese Schicht
bei einer Geschwindigkeit von 2 mm/s abgeschieden. Im Anschluss
wird mit einer identischen Anordnung mit dem Precursor TMOS (Tetramethoxysilan)
sowie Stickstoff und Ammoniak als Prozessgasen die Gasgeschwindigkeit
so gewählt, dass eine Verweilzeit von 10 ms und eine Volumendosis
von 5·105 Ws/m3 und
einer Geschwindigkeit von 4 mm/s betrieben. Diese Schichtkombination
zeigt neben der Antireflex-Wirkung auch eine verbesserte Kratzstabilität.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - EP 1206715
A1 [0002]
- - DE 10250564 A1 [0002]
- - EP 1328483 B1 [0004]
- - EP 1181256 B1 [0004]
- - DE 19912737 [0004]
- - DE 10318566 [0005]
- - EP 1342810 [0006]
- - EP 1819843 A [0006]
- - WO 08/045226 A [0006]
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Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- - A. Gombert,
M. Rommel, Forschungsverbund Sonnenenergie „Themen 97/98”,
S. 81 [0002]
- - A. Gombert, M. Rommel, Forschungsverbund Sonnenenergie „Themen
97/98”, S. 81 [0003]
- - Jidenko (J. Phys. D: Appl. Phys. 40 (2007) 4155–4163) [0006]
- - Borra (J. Phys. D: Appl. Phys. 39 (2006) R19–R54) [0006]