DE102009034166A1

DE102009034166A1 - Kontaminationsarme optische Anordnung

Info

Publication number: DE102009034166A1
Application number: DE102009034166A
Authority: DE
Inventors: Yim-Bun-Patrick Dr. Kwan; Stefan Xalter
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2008-08-11
Filing date: 2009-07-22
Publication date: 2010-02-18
Also published as: KR101645750B1; EP2321700A2; JP2011530820A; US20110194091A1; WO2010017952A2; US9316930B2; KR20110046527A; WO2010017952A3; JP5215467B2; CN102171617B; EP2321700B1; CN102171617A

Abstract

Optische Anordnung mit einer Mehrzahl von optischen Elementen (8, 8'), wobei die optischen Elemente (8, 8') von einem Strahlenbündel (10) passiert werden können und wobei mindestens ein Teilgehäuse (9, 9') vorgesehen ist, das sich von einer Oberfläche eines optischen Elementes (8, 8') in Richtung des von dem optischen Element (8, 8') ausgehenden Strahlenbündels bzw. des auf das optische Element einfallenden Strahlenbündels erstreckt und dessen Form an die Form des Strahlenbündels angepasst ist, wobei das mindestens eine Teilgehäuse (9, 9') von einer mechanisch von diesem entkoppelten Messstruktur (11) mindestens teilweise umgeben ist und die Messstruktur (11) mindestens einen Sensor (12, 17) aufweist.

Description

Die Erfindung betrifft eine optische Anordnung, insbesondere eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie bzw. einen Teil einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, wie beispielsweise ein Projektionsobjektiv, die bzw. der einen optimalen Schutz reflektierender Oberflächen vor Kontamination und damit Verminderung der Reflektivität der Oberfläche bietet.
Projektionsoptiken für die EUV-Lithographie bestehen im Allgemeinen aus einer Mehrzahl reflektiver optischer Elemente, also Spiegeln, die gegenüber einander mit einer Präzision im Nanometerbereich in Position gehalten werden müssen. Um diesen hohen Präzisions- und Stabilitätsanforderungen gerecht zu werden und um Möglichkeiten zu schaffen, eine optische Feineinstellung zur Kompensation von Langzeiteffekten vorzunehmen, kann eines oder mehrere der optischen Elemente in bis zu sechs Freiheitsgraden aktuiert bzw. manipuliert werden. Die optischen Elemente bzw. die Spiegel und/oder ihre zugehörigen Aktuatoren werden dabei in der gewünschten Position mittels einer auch ”lens barrel” genannten Struktur gehalten. Eine derartige Struktur ist beispielsweise in der US-Patentschrift US 6,750,949 offenbart. In der genannten Schrift sind sowohl die Aktuatoren als auch die zugehörigen Sensoren auf derselben Struktur angeordnet, was dazu führt, dass für das störungsfreie Funktionieren der Optik eine ausreichende dynamische und thermische Stabilität der Struktur gewährleistet sein muss. Üblicherweise muss hierzu die erste Eigenfrequenz einer derartigen Struktur höher als die Regelungsbandbreite der Aktuatoren liegen, insbesondere um den Faktor fünf höher. Die thermische Stabilität muss so gewählt sein, dass sich unter allen denkbaren Einsatzbedingungen die Bildposition nicht um mehr als einen nm verschiebt, besser sind Verschiebungen von unter 0,5 nm zwischen Kalibrierungen der Bildposition.
Eine alternative Möglichkeit ist in der US 6,864,988 beschrieben, bei der die oben genannte Struktur in zwei Teile geteilt ist, einen sogenannten Force Frame, der statische oder dynamische Lasten aufnimmt, und eine Messstruktur, die auch als Metroframe bzw. Sensor Frame bezeichnet wird, die als Referenz für eine Vielzahl von Sensoren dient, mit denen die Spiegelposition gemessen wird. In dieser Ausführungsform gelten die hohen dynamischen und thermischen Anforderungen lediglich für die Messstruktur und nicht für den Force Frame. Die Messstruktur ist dabei sowohl hinsichtlich Vibrationen als auch thermischer Einflüsse von dem Force Frame entkoppelt, so dass die Messstruktur die Stabilität bzw. die Störungsresistenz der Projektionsoptik bestimmt.
Eine dritte Möglichkeit ist in der US 7,221,460 dargestellt, in der eine oder mehrere Messstrukturen kinematisch mit dem Forc Frame verbunden sind. Diese Variante hat zwar nicht die theoretisch idealen Isolationseigenschaften der vorgenannten Ausführungsform, sie ist jedoch wesentlich einfacher mechanisch herzustellen.
Darüber hinaus beschreiben die US 6,549,270 , US 6,593,585 und die JP 2004-327807 verschiedene Konfigurationen der Auslegung von Aktuatoren und Sensoren derartiger EUV-Projektionsoptiken.
Allen vorangegangenen Ausführungsformen ist gemeinsam, dass die optischen Elemente und insbesondere die Oberflächen der optischen Elemente in einem gemeinsamen Raum mit der Sensorik und Aktuatorik der Vorrichtung angeordnet sind, wodurch sich aufgrund von Kontaminationen, die von den genannten Elementen herrühren, die Lebensdauer der Optik erheblich verkürzt.
Es ist deswegen Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung anzugeben, durch die eine verbesserte Unterdrückung des schädlichen Einflusses von Kontaminationen auf optische Elemente in optischen Anordnungen, insbesondere in Projektionsobjektiven für die EUV-Halbleiterlithographie erreicht wird.
Diese Aufgabe wird durch die optische Anordnung mit den in Anspruch 1 beschriebenen Merkmalen gelöst. Die Unteransprüche beziehen sich auf vorteilhafte Ausführungsformen und Varianten der Erfindung.
Die erfindungsgemäße optische Anordnung zeigt eine Mehrzahl von optischen Elementen, wobei die optischen Elemente von einem Strahlenbündel passiert werden können und wobei mindestens ein Teilgehäuse vorgesehen ist, das sich von einer Oberfläche eines optischen Elementes in Richtung des von dem optischen Element ausgehenden Strahlenbündels bzw. in Richtung des auf das optische Element einfallenden Strahlenbündels erstreckt. Dabei ist die Form des Teilgehäuses an die Form des Strahlenbündels angepasst und mindestens ein Teilgehäuse ist von einer mechanisch von diesem entkoppelten Messstruktur mindestens teilweise umgeben. Die Messstruktur weist dabei mindestens einen Sensor auf, insbesondere einen Positionssensor. Das Teilgehäuse kann insbesondere auch vollständig von der Messstruktur umgeben sein.
Mit anderen Worten wird durch das Teilgehäuse eine Art „Mini-Environment” geschaffen. Der Rauminhalt des Teilgehäuses ist dabei dahingehend optimiert, dass er die Oberfläche des optischen Elementes sowie das von dieser Oberfläche ausgehenden bzw. auf die Oberfläche einfallenden Strahlenbündel gerade umfasst. Der durch das genannte Strahlenbündel beanspruchte Raum in dem Teilgehäuse kann dabei einen Anteil von insbesondere 70% bis 99% des gesamten Rauminhalts des Teilgehäuses beanspruchen. Damit wird durch das Mini-Environment eine effiziente Abschirmung des strahlungsdurchtretenen Raumbereiches gegenüber einer gegebenenfalls kontaminierenden Umgebung geschaffen, wodurch die Lebensdauer der verwendeten optischen Elemente erheblich gesteigert werden kann. Insbesondere wird durch das Mini-Environment erreicht, dass Kontamination verursachende Komponenten wie beispielsweise die optisch nicht relevanten Oberflächen der optischen Elemente, Aktuatoren, Positionssensoren, Kabel, Fassungen, Verbindungselemente oder me chanische Kupplungen o. ä. wirksam von den optischen Oberflächen der optischen Elemente abgeschirmt werden. Diese Abschirmung ist insbesondere in denjenigen Fällen wünschenswert, in denen als optische Elemente Spiegel, wie sie beispielsweise für den Betrieb einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage verwendet werden, eingesetzt werden.
Die vorstehend skizzierte Anordnung der kontaminierenden Komponenten hat darüber hinaus den positiven Effekt, dass die genannten Komponenten hierdurch gut zugänglich werden, so dass beispielsweise austretende Ausgasungen effizient abgesaugt werden können.
Als weitere Maßnahme zur Vermeidung von Kontamination der optisch wirksamen Flächen kann es vorgesehen sein, das Teilgehäuse kontinuierlich oder auch intermittierend mittels eines Spülgases durchströmen zu lassen. Dabei sollte das Spülgas im EUV-Wellenlängenbereich eine hinreichende optische Transmittivität aufweisen. Als besonders geeignet hat sich hierfür Wasserstoff bei geringem Druck erwiesen.
Die Teilgehäuse können dabei kleine Öffnungen oder Fenster aufweisen, insbesondere für den Ein- bzw. Austritt optischer Strahlung. Ferner kann es erforderlich sein, im Bereich zwischen dem Teilgehäuse und der optisch aktiven, also von optischer Nutzstrahlung beaufschlagten Oberfläche des optischen Elementes einen kleinen Spalt vorzusehen, der als Spaltdichtung wirkt und die optisch aktive Oberfläche des optischen Elementes vor Deformationen durch die Umgebung schützt. Daneben sind gegebenenfalls Ein- bzw. Auslassöffnungen für das Spülgas vorzusehen.
In denjenigen Fällen, in denen die optische Anordnung austauschbare optische Elemente wie beispielsweise Aperturblenden enthält, sollten auch im Bereich der austauschbaren optischen Elemente Spaltdichtungen vorgesehen werden.
Die Erfindung ermöglicht es, dass an dem Teilgehäuse Komponen ten der optischen Anordnung, wie austauschbare optische Elemente bzw. Aperturblenden, Temperierelemente oder Aktuatoren angeordnet sind. Mit anderen Worten wird das Teilgehäuse bzw. eine aus mehreren Teilgehäusen bestehende Struktur als Tragstruktur, also als Force Frame, verwendet. Die in EUV-Projektionsbelichtungsanlagen verwendeten Abbildungsspiegel werden dabei unter Verwendung kontaktloser Kraftaktuatoren, wie beispielsweise Lorentzaktuatoren, ohne mechanischen Kontakt zum Teilgehäuse in Position gehalten. Eine Ausnahme kann dabei der dem Wafer räumlich nächste Spiegel darstellen, der in mechanischem Kontakt zu dem Teilgehäuse stehen kann. Die Verwendung kontaktloser Kraftaktuatoren lässt dabei die Bedeutung des dynamischen Verhaltens der Tragstruktur in den Hintergrund treten. Dies eröffnet die Möglichkeit, an der Tragstruktur, also an dem Teilgehäuse weitere Funktionselemente anzuordnen, die zu dynamischen Störungen führen könnten. Beispiele hierfür sind Wasserleitungen, Ein- bzw. Auslässe für Spülgas, Kabel oder ähnliches. Darüber hinaus kann die Tragstruktur beispielsweise mit dem nicht schwingungsisoliertem Rahmen einer Projektionsbelichtungsanlage verbunden werden. Daneben besteht die Möglichkeit, die Tragstruktur wie auch die Messstruktur auf dem Metroframe, also einem schwingungsisolierten Rahmen, auf dem sich auch der Scannertisch der Projektionsbelichtungsanlage befindet, anzuordnen.
Wie bereits angesprochen, ist die Messstruktur oder der Sensor Frame außerhalb der Tragstruktur angeordnet. Die Messstruktur gewährleistet eine thermisch und mechanisch bzw. dynamisch stabile Fixierung von Positionssensoren bzw. Messsystemen wie auch der nicht aktuierten Spiegel relativ zueinander und zu einem Referenzrahmen einer Anlage. Wie bereits erwähnt führt die Verwendung kontaktloser Kraftaktuatoren dazu, dass die Einhaltung der exakten Position der optischen Elemente fast ausschließlich von der Stabilität des Sensor Frame und nicht von der des Force Frame abhängt, wodurch sich die mechanischen Anforderungen an den Force Frame verringern. Die Verwendung der Messstruktur ermöglicht es also insbesondere, die Tragstruktur als Teilgehäuse oder als Kombination von Teilgehäusen auszulegen, da die konstruktiven Beschränkungen, die von den hohen mechanischen Anforderungen an die Tragstruktur herrühren, im Falle der Verwendung einer separaten Messstruktur nicht mehr gegeben sind. Umgekehrt wird durch die Verwendung der Teilgehäuse, die hinsichtlich ihres Bauraumes auf das zur Abschirmung der optischen Flächen und des Lichtwegs minimal notwendige Maß geschrumpft sind, erst die Möglichkeit geschaffen, die Messstruktur in der Weise zu realisieren, dass sie die Teilgehäuse, welche im Wesentlichen die Tragstruktur bilden, umschließt.
Die Struktur des Teilgehäuses isoliert die umgebende Messstruktur effizient gegenüber der Wärmestrahlung, die von den aufgrund der verwendeten optischen Strahlung erhitzten optischen Elementen ausgesandt wird. Daneben wirkt es sich positiv aus, für das Teilgehäuse ein Material mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit wie beispielsweise einen metallischen Werkstoff wie Edelstahl oder Aluminium zu wählen; auch die Verwendung anderer – nicht metallischer – Werkstoffe mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit ist denkbar. Daneben eröffnet sich die vorteilhafte Möglichkeit, das Teilgehäuse mittels einer Wasserkühlung thermisch zu erden, hierzu bietet sich eine Temperatur von 22°C an. Dabei wirkt sich die hohe Wärmeleitfähigkeit des gewählten Materials vorteilhaft auf die Effektivität der Wasserkühlung aus.
Vorteilhaft bei der Verwendung von Werkstoffen mit hohen Wärmeleitfähigkeiten ist es ferner, insbesondere auch für die Messstruktur, dass sich in derartigen Werkstoffen schnell eine vergleichsweise homogene Temperaturverteilung einstellt, wodurch sich die Möglichkeit eröffnet, mit einer Temperatursensorik zu arbeiten, die im Vergleich zur Verwendung von gering wärmeleitfähigen Stoffen eine geringere räumliche Auflösung zeigt. Damit wird es im Ergebnis möglich, eine zuverlässige Aussage über die Temperaturverteilung in der Messstruktur zu treffen, wozu eine vergleichsweise geringe Anzahl von Wärmesensoren ausreicht.
Das Teilgehäuse kann mindestens teilweise aus elektropoliertem Edelstahl bestehen, wobei die gute Verarbeitbarkeit des Edelstahls produktionstechnisch vorteilhaft zur Geltung kommt. Daneben wird hierdurch Kontamination reduziert und die Robustheit des Teilgehäuses gegenüber Wasserstoffgas erhöht. Insbesondere lassen sich mehrere Teilgehäuse miteinander verbinden, insbesondere verschrauben, so dass praktisch der gesamte Lichtweg von dem Teilgehäuse umgeben ist. Die verschraubten Teilgehäuse können dabei vollständig von der Messstruktur umgeben sein.
Für die mechanische Eigenfrequenz der Messstruktur sind Werte von mehr als 200 Hz vorteilhaft.
Ferner empfiehlt es sich, für die Messstruktur ein Material mit einer Wärmeleitfähigkeit von mehr als 100 W / mK und einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von weniger als 5 ppm/K zu wählen.
Insgesamt bieten sich Leichtbaumaterialien für den Sensor Frame an, die eine hohe Steifigkeit bei geringem thermischen Ausdehnungskoeffizienten und guter Wärmeleitfähigkeit zeigen. Als Beispiele seien faserverstärktes, insbesondere kohlefaserverstärktes PEEK oder Epoxidharz mit Nickelbeschichtung zur Verminderung des Ausgasens, faserverstärkte, insbesondere kohlefaserverstärkte Keramiken, Kordierit, Zerodur, ULE, Invar oder Siliziumkarbid genannt.
Darüber hinaus kann das Teilgehäuse eine Kühlvorrichtung, insbesondere eine Wasserkühlung, aufweisen. Zwar spielt die thermische Stabilität des Teilgehäuses bzw. der Tragstruktur, wie oben dargestellt, nur eine untergeordnete Rolle. Der Vorteil der Kühlung liegt darin, dass die Messstruktur von thermischen Einflüssen, die beispielsweise von der aufgrund der Strahlung erwärmten Oberfläche der optischen Elemente herrühren könnten, weiter abgeschirmt werden kann. Damit umfasst das erfindungsgemäße Teilgehäuse mindestens drei Teilfunktionen: Zunächst dient es als Tragstruktur für die optischen Elemente und weitere Komponenten der Vorrichtung, darüber hinaus schafft es das genannte „Mini-Environment” zur Kontaminationsunterdrückung und schließlich wirkt es als thermische Abschirmung. Je nach konkreter Anwendung kann sich eine unterschiedliche Gewichtung dieser Funktionalitäten ergeben, die sich konstruktiv entsprechend auswirkt.
Zur Manipulation der optischen Elemente können vorteilhaft an dem Teilgehäuse angeordnete kontaktlose Kraftaktuatoren zur Anwendung kommen, die ihrerseits eine Kühlvorrichtung, insbesondere eine Wasserkühlung, aufweisen. Dabei kann die Wasserkühlung der Kraftaktuatoren einen eigenen Kühlkreislauf besitzen. Diese Maßnahme hat die weitere Wirkung, dass die Aktuatoren bei gleicher Größe stärker ausgelegt werden können.
Ferner kann die Messstruktur mindestens einen Temperatursensor zur Bestimmung der Temperatur an einem Ort der Messstruktur aufweisen, wobei eine Steuerungs-/Regelungseinheit mit dem Temperatursensor und mit mindestens einem Lorentzaktuator verbunden ist und wobei die Steuerungs-/Regelungseinheit geeignet ist, auf Basis der durch den Temperatursensor gemessenen Temperaturen mittels des mindestens einen Lorentzaktuators eine Korrektur thermisch verursachter Deformationen der Messstruktur vorzunehmen. Diese Korrektur kann bei Kenntnis der mechanischen Parameter der Messstruktur rein modellbasiert erfolgen. Es kann also ein mechanisches Modell der Messstruktur in der Steuerungs-/Regelungseinheit hinterlegt werden, das dazu herangezogen werden kann, aufgrund der gemessenen Temperaturen die resultierenden Deformationen der Messstruktur zu bestimmen und allein aufgrund der aus dem Modell ermittelten Daten über die Aktuatoren eine entsprechenden Korrektur vorzunehmen.
Zusätzlich kann die Messstruktur mindestens teilweise von einer thermischen Abschirmung, insbesondere mit einer Temperatur von 22°C, zur Unterdrückung thermischer Einflüsse aus der Umgebung umgeben sein, wodurch sich die Robustheit der erfindungsgemäßen Vorrichtung insbesondere gegenüber äußeren ther mischen Einflüssen weiter erhöht.
Wie bereits erwähnt, kann die Erfindung besonders vorteilhaft in Projektionsbelichtungsanlagen für die Halbleiterlithographie insbesondere einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage oder in einem Teil einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage zur Anwendung kommen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung weiter erläutert.
Es zeigen:
1 einen prinzipmäßigen Aufbau einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Lichtquelle, einem Beleuchtungssystem und einem Projektionsobjektiv;
2 eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie, bei der das erfindungsgemäße Konzept verwirklicht worden ist, und
In 1 ist eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage 1 nach dem Stand der Technik mit einer Lichtquelle 2, einem EUV-Beleuchtungssystem 3 zur Ausleuchtung eines Feldes in einer Objektebene 4, in welcher eine strukturtragende Maske angeordnet ist, sowie ein Projektionsobjektiv 5 mit einem Gehäuse 6 und einem Strahlenbündel 10 zur Abbildung der strukturtragenden Maske in der Objektebene 4 auf ein lichtempfindliches Substrat 7 zur Herstellung von Halbleiterbauelementen dargestellt. Das Projektionsobjektiv 5 weist zur Strahlformung als Spiegel 8 ausgebildete optische Elemente auf. Auch das Beleuchtungssystem 3 weist derartige optische Elemente zur Strahlformung bzw. Strahlleitung auf. Diese sind jedoch in 1 nicht näher dargestellt.
2 zeigt eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie, bei der das erfindungsgemäße Konzept ver wirklicht ist. Die in 2 dargestellte EUV-Projektionsbelichtungsanlage unterscheidet sich von der in 1 dargestellten Anlage nach dem Stand der Technik dadurch, dass die optischen Elemente 8, 8' von den Teilgehäusen 9, 9' umgeben sind, so dass der Lichtweg gekapselt ist. Die Teilgehäuse 9, 9' umgeben dabei die optischen Elemente 8, 8' so weit, dass die optisch aktiven Flächen der optischen Elemente 8, 8' von den Teilgehäusen 9, 9' umgeben sind. Insbesondere kann zwischen den Teilgehäusen 9, 9' und den optischen Elementen 8, 8' ein Spalt verbleiben, der eine Bewegung des optischen Elements 8, 8' gegenüber dem Teilgehäuse 9, 9' ermöglicht, ohne dass es zu mechanischen Auswirkungen auf das Teilgehäuse 9 kommt. Wie exemplarisch anhand des optischen Elements 8' dargestellt, kann das optische Element 8' über kontaktlose Kraftaktuatoren 16 berührungslos gehaltert werden. Die Teilgehäuse 9, 9' sind dabei an ihren Kontaktstellen miteinander verschraubt. Die Anordnung aus den Teilgehäusen 9, 9' und den optischen Elementen 8, 8' wird weiter von einer Messstruktur 11 umgeben, die beispielsweise den Positionssensor 12 und den Temperatursensor 17 trägt. Der Positionssensor 12 dient dabei dazu, den Ort des optischen Elements 8' relativ zur Messstruktur 11 zu bestimmen und kann beispielsweise als kontaktloser Sensor ausgebildet sein; der Temperatursensor 17 ermöglicht eine Bestimmung der Temperatur in dem ihn umgebenden Bereich der Messstruktur 11. Erkennbar aus 2 wird, dass die miteinander verbundenen Teilgehäuse 9 bzw. 9' insgesamt eine Tragstruktur, also einen Force Frame, für die optischen Elemente 8 bzw. 8' bilden. Darüber hinaus trägt das Teilgehäuse 9' die Wasserkühlung 13 nebst ihren Zu- und Ableitungen 14 bzw. 15. Wenn sich aufgrund thermischer Effekte die Geometrie der Messstruktur 11 ändert, kann die daraus resultierende Geometrieänderung der Messstruktur 11 aus den Messwerten bestimmt werden, die von dem Temperatursensor 17 ermittelt werden, der auf der Messstruktur 11 angeordnet ist. Zur Bestimmung der Geometrieänderung der Messstruktur 11 kann insbesondere ein in der Steuerung/Regelungseinheit 18 hinterlegtes Modell des thermomechanischen Verhaltens der Messstruktur 11 verwendet werden. Die so errechnete Geometrieänderung der Messstruktur 11 kann dann für die Positionsbestimmung der optischen Elemente 8, 8' berücksichtigt werden. Die gesamte Anordnung aus Messstruktur 11 und Teilgehäusen 9 bzw. 9' ist zur thermischen Abschirmung gegenüber äußeren Einflüssen, die aus der Umgebung herrühren, von der thermischen Abschirmung 20 umgeben.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- US 6750949 [0002]
- US 6864988 [0003]
- US 7221460 [0004]
- US 6549270 [0005]
- US 6593585 [0005]
- JP 2004-327807 [0005]

Claims

Optische Anordnung mit einer Mehrzahl von optischen Elementen (8, 8'), wobei die optischen Elemente (8, 8') von einem Strahlenbündel (10) passiert werden können und wobei mindestens ein Teilgehäuse (9, 9') vorgesehen ist, das sich von einer Oberfläche eines optischen Elementes (8, 8') in Richtung des von dem optischen Element (8, 8') ausgehenden Strahlenbündels bzw. des auf das optische Element einfallenden Strahlenbündels erstreckt und dessen Form an die Form des Strahlenbündels (10) angepasst ist, dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine Teilgehäuse (9, 9') von einer mechanisch von diesem entkoppelten Messstruktur (11) mindestens teilweise umgeben ist und die Messstruktur (11) mindestens einen Sensor (12, 17) aufweist.
Optische Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass an dem Teilgehäuse (9, 9') Komponenten der optischen Anordnung, wie Temperierelemente (13) oder Aktuatoren (16) angeordnet sind.
Optische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Teilgehäuse (9, 9') mindestens teilweise aus Metall, insbesondere Edelstahl besteht.
Optische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Teilgehäuse (9, 9') miteinander verbunden, insbesondere verschraubt sind.
Optische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Messstruktur (11) eine mechanische Eigenfrequenz von mehr als 200 Hz besitzt.
Optische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der Messstruktur (11) eine Wärmeleitfähigkeit von mehr als 100W/(m·K) auf weist.
Optische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der Messstruktur (11) einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von weniger als 5 ppm/K, vorzugsweise 1 ppm/K besitzt.
Optische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Teilgehäuse (9, 9') eine Kühlvorrichtung (13), insbesondere eine Wasserkühlung, aufweist.
Optische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Teilgehäuse (9, 9') kontaktlose Kraftaktuatoren, insbesondere Lorentzaktuatoren (16) zur Manipulation der optischen Elemente aufweist.
Optische Anordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Lorentzaktuatoren (16) eine Kühlvorrichtung, insbesondere eine Wasserkühlung, aufweisen.
Optische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Temperatursensor (17) zur Bestimmung der Temperatur an einem Ort der Messstruktur (11) vorhanden ist.
Optische Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass eine Steuerungs-/Regelungseinheit mit dem Temperatursensor (17) und mit mindestens einem kontaktlosen Kraftaktuator (16) verbunden ist und wobei die Steuerungs-/Regelungseinheit (18) geeignet ist, die auf Basis der durch den Temperatursensor (17) gemessenen Temperaturen errechnete Geometrieänderung der Messstruktur (11) für die Positionsbestimmung der optischen Elemente (8, 8') zu berücksichtigen.
Optische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Messstruktur (11) mindestens teilweise von einer thermischen Abschirmung (20) zur Unterdrückung thermischer Einflüsse aus der Umgebung umgeben ist.
Optische Anordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die thermische Abschirmung (20) eine Temperatur von 22°C aufweist.
Optische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der optischen Anordnung um eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie, insbesondere um eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage oder um einen Teil einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage handelt.
Optische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine Teilgehäuse (9, 9') bzw. die miteinander verschraubten Teilgehäuse (9, 9') vollständig von der Messstruktur umgeben ist bzw. sind.
Optische Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor (12) als Positionssensor ausgebildet ist.
Optische Anordnung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor (12) als kontaktloser Positionssensor ausgebildet ist.