-
Die
Erfindung betrifft eine abbildende Optik mit einer Mehrzahl von
Spiegeln, die ein Objektfeld in einer Objektebene in ein Bildfeld
in einer Bildebene abbilden und die in einer im Abbildungsstrahlengang
zwischen der Objektebene und der Bildebene angeordneten Pupillenebene
eine Blende aufweist. Ferner betrifft die Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage
mit einer derartigen abbildenden Optik, ein Verfahren zur Herstellung
eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage
sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikro- bzw. nanostrukturiertes
Bauelement.
-
Abbildende
Optiken der eingangs genannten Art sind bekannt aus der
US 7,414,781 und der
WO 2007/020 004 A1 .
-
Es
ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine abbildende Optik
der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass eine handhabbare
Kombination aus geringen Abbildungsfehlern, beherrschbarer Herstellung
und gutem Durchsatz für das Abbildungslicht erreicht ist.
-
Diese
Aufgabe ist gemäß einem ersten Aspekt erfindungsgemäß gelöst
durch eine abbildende Optik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
-
Erfindungsgemäß wurde
erkannt, dass eine zur Objektebene verkippte Pupillenebene die Möglichkeit schafft,
auch die dort angeordnete Blende ohne Verlust an Abschattungsqualität
entsprechend verkippt zur Objektebene anzuordnen und die Abbildungsstrahlen
so an der verkippten Blende vorbeizuführen, dass insbesondere
auf den Spiegeln, die im Abbildungsstrahlengang der abbildenden
Optik der verkippten Pupillenebene benachbart sind, im Vergleich
zum Stand der Technik geringe maximale Einfallswinkel realisiert
werden können. Diese maximalen Einfallswinkel können
kleiner sein als 35°, kleiner sein als 30°, kleiner
sein als 25° und können beispielsweise 22,2° und
18,9° betragen. Dies ermöglicht es, auf den Spiegeln
hoch reflektierende Beschichtungen einzusetzen, die lediglich eine
relativ geringe Toleranzbandbreite benötigen, was den Einfallswinkel
des Abbildungslichts angeht. Es resultiert die Möglichkeit,
eine abbildende Optik mit hohem Gesamtdurchsatz für das
Abbildungslicht zu schaffen. Dies ist insbesondere dort von Vorteil,
wo Durchsatzverluste vermieden werden müssen, beispielsweise
dann, wenn EUV-(extremes Ultraviolett-)Licht als Abbildungslicht zum
Einsatz kommt. Der Winkel zwischen der verkippten Pupillenebene
und der Objektebene kann größer sein als 1°,
größer sein als 10°, größer
sein als 20°, größer sein als 30°,
größer sein als 40°, größer
sein als 45° und insbesondere 47° betragen. Die
abbildende Optik kann mehr als eine Pupillenebene aufweisen. In
diesem Fall ist mindestens eine dieser Pupillenebenen erfindungsgemäß verkippt.
Bei der in der verkippten Pupillenebene angeordneten Blende kann
es sich um eine Aperturblende zur Vorgabe einer äußeren
Berandungsform einer Pupille der abbildenden Optik und/oder um eine
Obskurationsblende zur definierten Abschattung eines inneren Abschnitts
der Pupille handeln. Unter einer Pupille einer abbildenden Optik
versteht man im Allgemeinen alle Bilder der Aperturblende, die den
Abbildungsstrahlengang begrenzt. Die Ebenen, in denen diese Bilder
zu liegen kommen, bezeichnet man als Pupillenebenen. Da jedoch die
Bilder der Aperturblende nicht zwangsläufig exakt plan
sind, werden verallgemeinert auch die Ebenen, die näherungsweise
diesen Bildern entsprechen, als Pupillenebenen bezeichnet. Die Ebene
der Aperturblende selbst wird ebenfalls als Pupillenebene bezeichnet.
Ist die Aperturblende nicht plan, so wird, wie bei den Bildern der
Aperturblende, die Ebene, die der Aperturblende am ehesten entspricht,
als Pupillenebene bezeichnet.
-
Unter
der Eintrittspupille der abbildenden Optik versteht man das Bild
der Aperturblende, das entsteht, wenn man die Aperturblende durch
den Teil der abbildenden Optik, der zwischen Objektebene und Aperturblende
liegt, abbildet. Entsprechend ist die Austrittspupille das Bild
der Aperturblende, das sich ergibt, wenn man die Aperturblende durch
den Teil der abbildenden Optik, der zwischen Bildebene und Aperturblende
liegt, abbildet.
-
Handelt
es sich bei der Eintrittspupille um ein virtuelles Bild der Aperturblende,
das heißt, dass die Eintrittspupillenebene vor dem Objektfeld
liegt, so spricht man von einer negativen Schnittweite der Eintrittspupille.
In diesem Fall verlaufen die Hauptstrahlen zu allen Objektfeldpunkten
so, als ob sie von einem Punkt vor dem abbildenden Strahlengang
kommen würden. Der Hauptstrahl zu jedem Objektpunkt ist
definiert als der Verbindungsstrahl zwischen dem Objektpunkt und
dem Mittelpunkt der Eintrittspupille. Bei einer negativen Schnittweite
der Eintrittspupille haben die Hauptstrahlen zu allen Objektpunkten
somit einen divergenten Strahlverlauf am Objektfeld.
-
Eine
alternative Definition einer Pupille ist derjenige Bereich im Abbildungsstrahlengang
der abbildenden Optik, in dem sich von den Objektfeldpunkten ausgehende
Einzelstrahlen schneiden, die, relativ zu den von diesen Objektfeldpunkten
ausgehenden Hauptstrahlen, jeweils dem gleichen Beleuchtungswinkel
zugeordnet sind. Als Pupillenebene kann diejenige Ebene bezeichnet
werden, in der die Schnittpunkte der Einzelstrahlen gemäß der
alternativen Pupillendefinition liegen oder die der räumlichen
Verteilung dieser Schnittpunkte, die nicht zwingend exakt in einer
Ebene liegen muss, am nächsten kommt.
-
Eine
Anordnung nach Anspruch 2 vereinfacht den Aufbau einer die abbildende
Optik aufweisenden Gesamtanlage.
-
Eine
Anordnung nach Anspruch 3 vermeidet Vignettierungsprobleme. Derartige
Probleme können beispielsweise dann auftreten, wenn die
verkippte Pupillenebene direkt an oder auf einem der Spiegel angeordnet ist,
so dass sowohl die auf diesen Spiegel hinlaufenden als auch die
von diesem Spiegel reflektierten Abbildungsstrahlen von der Blende
abgeschattet werden, was einem Doppeldurchlauf der Aperturblende
entspricht. Das einmalige Durchtreten der Pupille der verkippten
Pupillenebene kann zur Pupillenformung von Abbildungslicht genutzt
werden.
-
Auch
die Pupillenebene der abbildenden Optik nach Anspruch 4 wird nachfolgend
als verkippte Pupillenebene bezeichnet. Die Bezugsgröße,
relativ zu der die Pupillenebene nach diesem zweiten Aspekt verkippt ist,
ist der Hauptstrahl, der zum zentralen Objektfeldpunkt gehört,
und ist damit eine andere Bezugsgröße als bei
der verkippten Pupillenebene nach dem zuvor erläuterten
ersten Aspekt. So kann bei einer verkippten Pupillenebene nach dem
ersten Aspekt der zu einem zentralen Objektfeldpunkt gehörende
Hauptstrahl die Pupillenebene längs einer Normalen durchtreten.
Eine verkippte Pupillenebene gemäß dem zweiten
Aspekt kann wiederum parallel zur Objektebene bzw. zur Bildebene
angeordnet sein. Auch bei der abbildenden Optik nach dem zweiten
Aspekt kann die Bildebene parallel zur Objektebene verlaufen. Der
Winkel zwischen der Pupillenebene und dem Hauptstrahl, der zum zentralen
Objektfeldpunkt gehört, kann kleiner sein als 85°,
kleiner sein als 80°, kleiner sein als 75°, und
zum Beispiel etwa 70° betragen. Die Blende ist bei dieser
Ausgestaltung zur Hauptstrahlrichtung des Abbildungsstrahlengangs
verkippt. Auch dies vereinfacht ein Design mit einem geringen maximalen
Einfallswinkel insbesondere auf den der verkippten Pupillenebene
benachbarten Spiegeln. Auch bei der abbildenden Optik gemäß dem
zweiten Aspekt kann mehr als eine Pupillenblende vorhanden sein.
Bei der Blende kann es sich um eine Aperturblende und/oder um eine
Obskurationsblende handeln. Die in der Pupillenebene gemäß dem
zweiten Aspekt angeordnete Blende kann genau einmal durchtreten
werden, was zu Pupillenformungszwecken für das Abbildungslicht
genutzt werden kann.
-
Eine
Anordnung nach Anspruch 5 vermeidet Vignettierungsprobleme bei der
Führung des gefalteten Abbildungsstrahlengangs an den verschiedenen
Spiegeln und an der verkippten Pupillenblende vorbei.
-
Eine
Anordnung der verkippten Pupillenebene nach Anspruch 6 führt
zu einem kompakten Design der abbildenden Optik.
-
Der
Einsatz mindestens einer statischen Freiformfläche nach
Anspruch 7 vergrößert die Freiheitsgrade bei der
Führung des Abbildungslichts durch die Projektionsoptik
deutlich. Die Freiformfläche kann als statische Freiformfläche
ausgebildet sein. Unter einer statischen Freiformfläche
wird eine Freiformfläche verstanden, die während
des Projektions einsatzes der Projektionsoptik nicht aktiv in ihrer
Form verändert wird. Natürlich kann auch eine
statische Freiformfläche insgesamt zu Justagezwecken verlagert
werden. Die Freiformfläche wird ausgehend von einer asphärischen
Referenzfläche designt, die durch eine rotationssymmetrische Funktion
beschreibbar ist. Die an die Freiformfläche bestangepasste
asphärische Fläche kann mit der asphärischen
Referenzfläche zusammenfallen. Die abbildende Optik kann
genau eine derartige Freiformfläche oder auch eine Mehrzahl
derartiger Freiformflächen aufweisen.
-
Beim
Einsatz der abbildenden Optik als Projektionsoptik nach Anspruch
8 kommen deren Vorteile besonders gut zum Tragen.
-
Die
Vorteile eines erfindungsgemäßen optischen Systems
und einer erfindungsgemäßen Projektionsbelichtungsanlage
entsprechen denen, die vorstehen in Bezug auf die erfindungsgemäße
abbildende Optik ausgeführt wurden. Die Lichtquelle der
Projektionsbelichtungsanlage kann breitbandig ausgeführt
sein und beispielsweise eine Bandbreite haben, die größer
ist als 1 nm, die größer ist als 10 nm oder die
größer ist als 100 nm. Zudem kann die Projektionsbelichtungsanlage
so ausgeführt sein, dass sie mit Lichtquellen unterschiedlicher
Wellenlängen betrieben werden kann. Auch Lichtquellen für
andere, insbesondere für die Mikrolithographie eingesetzte
Wellenlängen, sind im Zusammenhang mit der erfindungsgemäßen
abbildenden Optik einsetzbar, beispielsweise Lichtquellen mit den
Wellenlängen 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, 126 nm, 109
nm und insbesondere auch mit Wellenlängen, die kleiner
sind als 100 nm, beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm.
-
Die
Lichtquelle der Projektionsbelichtungsanlage kann zur Erzeugung
von Beleuchtungslicht mit einer Wellenlänge zwischen 5
nm und 30 nm ausgebildet sein. Eine derartige Lichtquelle erfordert
Reflexionsbeschichtungen auf den Spiegeln, die, um eine Mindestreflektivität
zu erfüllen, nur eine geringe Einfallswinkel-Akzeptanzbandbreite
haben. Zusammen mit der erfindungsgemäßen abbildenden
Optik kann diese Forderung einer geringen Einfallswinkel-Akzeptanzbandbreite
erfüllt werden.
-
Entsprechende
Vorteile gelten für ein erfindungsgemäßes
Herstellungsverfahren und das hierdurch hergestellte mikro- oder
nanostrukturierte Bauteil. Ein Ausführungsbeispiel der
Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert.
In dieser zeigen:
-
1 schematisch
eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie;
und
-
2 eine
abbildende Optik der Projektionsbelichtungsanlage, dargestellt im
Meridionalschnitt.
-
Eine
Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie
hat eine Lichtquelle 2 für Beleuchtungslicht bzw.
Beleuchtungsstrahlung 3. Bei der Lichtquelle 2 handelt
es sich um eine EUV-Lichtquelle, die Licht in einem Wellenlängenbereich
beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm, insbesondere zwischen 5
nm und 15 nm erzeugt. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich
insbesondere um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge
von 13,5 nm oder um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge
von 6,9 nm handeln. Auch andere EUV-Wellenlängen sind möglich.
Generell sind sogar beliebige Wellenlängen, zum Beispiel
sichtbare Wellenlängen oder auch andere Wellenlängen,
die in der Mikrolithographie Verwendung finden können und
für die geeigneten Laserlichtquellen und/oder LED-Lichtquellen
zur Verfügung stehen (beispielsweise 365 nm, 248 nm, 193
nm, 157 nm, 129 nm, 109 nm), für das in der Projektionsbelichtungsanlage 1 geführte
Beleuchtungslicht 3 möglich. Ein Strahlengang
des Beleuchtungslichts 3 ist in der 1 äußerst
schematisch dargestellt.
-
Zur
Führung des Beleuchtungslichts 3 von der Lichtquelle 2 hin
zu einem Objektfeld 4 in einer Objektebene 5 dient
eine Beleuchtungsoptik 6. Mit einer Projektionsoptik bzw.
abbildenden Optik 7 wird das Objektfeld 4 in ein
Bildfeld 8 in einer Bildebene 9 mit einem vorgegebenen
Verkleinerungsmaßstab abgebildet. Die Projektionsoptik 7 nach 2 verkleinert
um einen Faktor 4.
-
Auch
andere Verkleinerungsmaßstäbe sind möglich,
zum Beispiel 5x, 6x oder 8x oder auch Verkleinerungsmaßstäbe,
die größer sind als 8x oder die kleiner sind als
4x, z. B. 2x oder 1x. Für das Beleuchtungslicht 3 mit
EUV-Wellenlänge eignet sich insbesondere ein Abbildungsmaßstab
von 4x, da dies ein für die Mikrolithographie gebräuchlicher
Maßstab ist und einen hohen Durchsatz bei einer vertretbaren
Größe einer Reflexionsmaske 10, die auch
als Retikel bezeichnet ist und das abbildende Objekt trägt,
ermöglicht. Zudem ist bei einem Abbildungsmaßstab
von 4x die benötigte Strukturgröße auf
der Reflexionsmaske 10 ausreichend groß, um Herstellungs-
und Qualifizierungsaufwände für die Reflexionsmaske 10 in
Grenzen zu halten. Die Bildebene 9 ist bei der Projektionsoptik 7 in
den Ausführungen nach den Figuren 2ff. parallel zur Objektebene 5 angeordnet. Abgebildet
wird hierbei ein mit dem Objektfeld 4 zusammenfallender
Ausschnitt der Reflexionsmaske 10.
-
Die
Abbildung durch die Projektionsoptik 7 erfolgt auf die
Oberfläche eines Substrats 11 in Form eines Wafers,
der von einem Substrathalter 12 getragen wird. In der 1 ist
schematisch zwischen dem Retikel 10 und der Projektionsoptik 7 ein
in diese einlaufendes Strahlenbündel 13 des Beleuchtungslichts 3 und
zwischen der Projektionsoptik 7 und dem Substrat 11 ein
aus der Projektionsoptik 7 auslaufendes Strahlenbündel 14 des Beleuchtungslichts 3 dargestellt.
Das von der Projektionsoptik 7 abgebildete Beleuchtungslicht 3 wird
auch als Abbildungslicht bezeichnet. Eine bildfeldseitige numerische
Apertur der Projektionsoptik 7 in der Ausführung nach 2 beträgt
0,38. Dies ist in der 1 nicht maßstäblich
wiedergegeben.
-
Zur
Erleichterung der Beschreibung der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie
der Projektionsoptik 7 ist in der Zeichnung ein kartesisches
xyz-Koordinatensystem angegeben, aus dem sich die jeweilige Lagebeziehung
der in den Figuren dargestellten Komponenten ergibt. In der 1 verläuft
die x-Richtung senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Richtung
verläuft nach rechts und die z-Richtung nach unten.
-
Die
Projektionsbelichtungsanlage 1 ist vom Scannertyp. Sowohl
das Retikel 10 als auch das Substrat 11 werden
beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 in der
y-Richtung gescannt. Auch ein Steppertyp der Projektionsbelichtungsanlage 1,
bei dem zwischen einzelnen Belichtungen des Substrats 11 eine
schrittweise Verlagerung des Retikels 10 und des Substrats 11 in
der y-Richtung erfolgt, ist möglich.
-
2 zeigt
das optische Design der Projektionsoptik 7. Dargestellt
ist der Strahlengang jeweils dreier Einzelstrahlen 15,
die von drei in der 2 zueinander in der y-Richtung
beabstandeten Objektfeldpunkten ausgehen. Die drei Einzelstrahlen 15,
die zu einem dieser drei Objektfeldpunkte gehören, sind
jeweils drei unterschiedlichen Beleuchtungsrichtungen für
die drei Objektfeldpunkte zugeordnet. Hauptstrahlen 16 verlaufen durch
das Zentrum von Pupillen in Pupillenebenen 17, 18 der
Projektionsoptik 7. Diese Hauptstrahlen 16 verlaufen,
ausgehend von der Objektebene 5, zunächst divergent.
Dies wird nachfolgend auch als negative Schnittweite einer Eintrittspupille
der Projektionsoptik 7 bezeichnet. Die Eintrittspupille
liegt bei der Projektionsoptik 7 nicht im Strahlengang
zwischen dem Objektfeld 4 und dem Bildfeld 8,
sondern im Abbildungsstrahlengang vor dem Objektfeld 4.
Dies ermöglicht es beispielsweise, im Strahlengang vor
der Projektionsoptik 7 eine Pupillenkomponente der Beleuchtungsoptik 6 in
der Eintrittspupille der Projektionsoptik 7 anzuordnen,
ohne dass zwischen dieser Pupillenkomponente und der Objektebene 5 weitere
abbildende optische Komponenten vorhanden sein müssen.
-
Die
Projektionsoptik 7 nach 2 hat insgesamt
sechs Spiegel, die in der Reihenfolge des Abbildungsstrahlengangs
der Einzelstrahlen 15, ausgehend vom Objektfeld 4,
mit M1 bis M6 durchnummeriert sind. Dargestellt sind in der 2 lediglich
die berechneten Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M6.
Die Spiegel M1 bis M6 sind in der Regel größer
als die tatsächlich genutzten Reflexionsflächen.
-
Die
Spiegel M1, M4 und M6 sind als Konkavspiegel ausgeführt.
Die Spiegel M2 und M5 sind als Konvexspiegel ausgeführt.
Der Spiegel M3 ist nahezu als Planspiegel ausgeführt.
-
Die
Spiegel M1 und M6 sind, was die Orientierung ihrer Reflexionsflächen
angeht, Rücken an Rücken angeordnet.
-
Eine
erste innerhalb der Projektionsoptik 7 liegende Pupillenebene 17 liegt
bei der Projektionsoptik 7 zwischen den Spiegeln M2 und
M3. Eine Zwischenbildebene 18 liegt im Abbildungsstrahlengang
zwischen den Spiegeln M4 und M5 direkt neben dem Spiegel M6. Eine
weitere Pupillenebene liegt im Abbildungsstrahlengang zwischen den
Spiegeln M5 und M6.
-
Bei
der Pupillenebene 17 handelt es sich um eine zur Anordnung
einer Blende mechanisch zugängliche, verkippte Pupillenebene.
Dort ist eine Aperturblende 20 zur Pupillenformung des
Beleuchtungs- bzw. Abbildungslichts 3 angeordnet. Die Pupillenebene 17 nimmt
einen Winkel α zur Objektebene 5 bzw. zur Bildebene 9 ein,
der 47,4° beträgt. Die Aperturblende 20 gibt
eine äußere Berandungsform einer Austrittspupille
der Projektionsoptik 7 vor. Alternativ oder zusätzlich
kann in der Pupillenebene 17 auch eine Obskurationsblende
zur definierten Abschattung eines inneren Abschnitts der Austrittspupille
angeordnet sein.
-
Die
Pupillenebene 17 wird vom Abbildungslicht 3 genau
einmal durchtreten.
-
Die
Pupillenebene 17 nimmt zu einem Hauptstrahl 16z , der zu einem zentralen Objektfeldpunkt
in der in der 2 dargestellten Meridionalebene
gehört, einen Winkel β ein, der etwa 70° beträgt.
-
Aufgrund
der Verkippung der Pupillenebene 17 um die Winkel α bzw. β ist
ein Design der Projektionsoptik 7 ermöglicht,
bei dem insbesondere auf den beiden der Pupillenebene 17 benachbarten
Spiegeln M2 und M3 kleine maximale Einfallswinkel des Abbildungslichts 3 ermöglicht
sind.
-
Der
maximale Einfallswinkel des Abbildungslichts 3 auf dem
Spiegel M2 beträgt 22,2°.
-
Der
maximale Einfallswinkel des Abbildungslichts 3 auf dem
Spiegel M3 beträgt 18,9°.
-
Ein
erster Abbildungs-Teilstrahl 21 vor dem Spiegel M2, also
vor dem letzten Spiegel vor der Pupillenebene 17, und ein
zweiter Abbildungs-Teilstrahl 22 direkt nach dem Spiegel
M3, also direkt nach dem ersten Spiegel nach der Pupillenebene 17,
passieren gegenüberliegende äußere Randkanten
der Aperturblende 20.
-
Die
optischen Daten der Projektionsoptik 7 nach 2 werden
nachfolgend anhand einer in mehrere Untertabellen unterteilten Tabelle
wiedergegeben.
-
Die
genaue Form der einzelnen Reflexionsflächen der Spiegel
M1 bis M6 ergibt sich als die Summe eines bikonischen Terms und
eines Freiform-Terms in Form eines XY-Polynoms gemäß der
nachfolgenden Formel:
-
x
und y bezeichnen dabei die Koordinaten auf der jeweiligen Fläche.
Die lokalen Koordinatensysteme sind dabei bezüglich eines
globalen Referenzsystems in y-Koordinatenrichtung verschoben (y-Dezentrierung) und
um die x-Achse verkippt (x-Verkippung).
-
z
bezeichnet die Pfeilhöhe der Freiformfläche im
jeweiligen lokalen Flächenkoordinatensystem. RDX und RDY
sind die Radien der Freiformfläche im xz- und im yz-Schnitt,
also die Inversen der jeweiligen Flächenkrümmungen
im Koordinatenursprung. CCX und CCY sind konische Parameter. Die
angegebenen Polynomkoeffizienten sind die Koeffizienten ai,j.
-
Der
Wert „Abstand” in der ersten der nachfolgenden
Untertabellen bezeichnet den Abstand zur jeweils nachfolgenden Komponente.
| Projektionsoptik 7 |
| |
| | Objekt | M1 | M2 | M3 | M4 | M5 | M6 |
| Abstand | 1330,69385 | –557,627303 | 708,243742 | –1142,85285 | 1430,866193 | 351,192399 | 430,425369 |
| y-Dezentrierung [mm] | | –189,153638 | –271,278827 | –593,835308 | –766,851306 | –277,066725 | –259,250977 |
| x-Verkippung
[°] | | –0,068634 | 10,892544 | 12,747514 | –11,95434 | 0,995543 | –2,191898 |
| RDX
[mm] | | –1070,871391 | 378,073494 | –1300,303855 | –1899,56342 | 199,567522 | –452,627131 |
| RDY
[mm] | | –976,69765 | –90,047429 | –917,175204 | 7743,717633 | 202,531238 | –443,435387 |
| CCX | | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| CCY | | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Polynomkoeffizienten | |
| x**i | y**j | M1 | M2 | M3 | M4 | M5 | M6 |
| 2 | 0 | 7,651793E-06 | –3,785153E-04 | 2,879773E-04 | –2,868417E-05 | –1,635862E-03 | 6,086975E-05 |
| 0 | 2 | 5,371476E-05 | 1,737947E-03 | 4,733410E-04 | –3,507888E-04 | –1,692949E-03 | 8,446692E-05 |
| 2 | 1 | 1,528780E-08 | 7,635459E-07 | –1,466654E-07 | –3,520507E-10 | 1,761890E-06 | –9657166E-08 |
| 0 | 3 | –2,033494E-09 | 1,096626E-06 | –4,802219E-08 | –3,350169E-09 | 3,860919E-07 | –1,773111E-08 |
| 4 | 0 | 8,724018E-12 | –1,715400E-10 | –4,158718E-11 | –1,483351E-12 | –1,174518E-08 | 1,345443E-10 |
| 2 | 2 | 5,339897E-11 | 2,367333E-09 | 1,583325E-10 | –6,032420E-11 | –1,926549E-08 | 3,881972E-10 |
| 0 | 4 | 4,470798E-11 | 3,803124E-09 | 1,267599E-10 | –2,797153E-11 | –1,069009E-08 | 2,103339E-10 |
| 4 | 1 | 6,471511E-15 | 5,213579E-12 | –2,647019E-13 | 3,326177E-15 | 1,846376E-11 | –4,424293E-13 |
| 2 | 3 | –1,998756E-14 | 4,308265E-11 | –2,044010E-13 | 1,601139E-14 | 4,345954E-11 | –5,340721E-13 |
| 0 | 5 | 2,392437E-14 | –1,325441E-11 | 1,895192E-13 | 4,070884E-14 | –7,295815E-12 | –4,450410E-14 |
| 6 | 0 | 7,901848E-18 | –1,041209E-14 | –5,024097E-17 | 3,715636E-18 | –1,342384E-13 | 3,310262E-16 |
| 4 | 2 | 4,343412E-17 | 5,797301E-14 | –6,124526E-16 | –3,346679E-18 | –4,520468E-13 | 1,672236E-15 |
| 2 | 4 | 9,741217E-17 | –1,327696E-13 | 5,825645E-17 | –7,394452E-17 | –2,559015E-13 | 1,962740E-15 |
| 0 | 6 | –1,062718E-16 | 1,959294E-13 | 7,887476E-16 | –2,655830E-16 | –7,477396E-14 | 1,204820E-15 |
| 6 | 1 | –1,391817E-22 | 1,371466E-16 | –1,243631E-19 | 4,750035E-21 | 4,450177E-16 | –1,749391E-18 |
| 4 | 3 | –5,042526E-20 | 2,051000E-16 | –1,055869E-18 | –3,605139E-20 | 6,169208E-16 | –4,286471E-18 |
| 2 | 5 | –7,517225E-20 | 2,888296E-15 | –6,421060E-19 | 2,063961E-19 | 5,728123E-16 | –3,972902E-18 |
| 0 | 7 | 4,514499E-19 | –7,458838E-16 | –6,965850E-18 | 1,317042E-18 | –1,169984E-15 | –3,751270E-18 |
| 8 | 0 | –2,249703E-25 | 1,879685E-19 | 1,865490E-22 | 2,858313E-24 | –2,789321E-18 | 1,020537E-21 |
| 6 | 2 | 9,618696E-23 | –1,307586E-18 | –7,040576E-22 | 2,693660E-23 | –6,359395E-18 | 7,515349E-21 |
| 4 | 4 | 4,152614E-22 | 5,476085E-19 | –2,793697E-21 | 2,342709E-22 | –1,097113E-17 | 1,613314E-20 |
| 2 | 6 | 2,012692E-21 | –4,982682E-17 | –5,582448E-21 | –3,599690E-22 | –7,896961E-18 | 2,276418E-20 |
| 0 | 8 | –1,670620E-21 | 4,999865E-18 | –4,696409E-20 | –4,362010E-21 | –1,302749E-17 | 1,243271E-20 |
| 8 | 1 | 9,121520E-27 | –3,901016E-22 | 1,020670E-24 | –1,489633E-28 | 9,554198E-21 | –6,739667E-24 |
| 6 | 3 | 3,378031E-25 | –3,600711E-21 | –4,982307E-24 | –9,208653E-26 | 5,644310E-20 | –2,305324E-23 |
| 4 | 5 | –2,303521E-24 | 7,184598E-21 | –1,597483E-23 | –6,298048E-25 | 5,165746E-20 | –4,548523E-23 |
| 2 | 7 | –9,766881E-24 | 4,344373E-19 | –8,766463E-23 | 4,036785E-26 | 3,470226E-19 | –6,515923E-23 |
| 0 | 9 | 5,282909E-24 | –6,407964E-20 | 1,170643E-23 | 7,707831E-24 | 2,187385E-19 | –1,671689E-23 |
| 10 | 0 | 3,721162E-29 | –7,642119E-24 | –1,067762E-27 | 1,403956E-29 | –4,087293E-23 | 1,653756E-28 |
| 8 | 2 | –3,652356E-28 | 5,605620E-23 | 8,063235E-28 | 8,158023E-29 | –2,522082E-22 | –3,800397E-27 |
| 6 | 4 | –2,437748E-27 | 2,654084E-22 | –3,554079E-26 | 3,062915E-28 | –4,744488E-22 | 1,939290E-26 |
| 4 | 6 | 7,335216E-27 | 7,431988E-23 | –1,458571E-25 | 7,138636E-28 | –9,182602E-22 | 9,938038E-26 |
| 2 | 8 | 1,058829E-26 | –7,352344E-22 | –5,826656E-26 | 4,949294E-28 | –4,503482E-23 | 1,259617E-25 |
| 0 | 10 | –4,497373E-27 | 3,175801E-22 | 6,641212E-25 | –5,402030E-27 | –2,284624E-22 | 2,740074E-26 |
-
Bei
der Projektionsoptik 7 sind alle Spiegel M1 bis M6 als
Freiformflächen ausgebildet.
-
Das
Bildfeld 8 der Projektionsoptik 7 ist rechteckig
und hat in x-Richtung eine Erstreckung von 26 mm und in y-Richtung
eine Erstreckung von 2 mm.
-
Nachfolgend
werden typische Kenngrößen der Projektionsoptik
7 nochmals
zusammengefasst.
| | Projektionsoptik 7 |
| NA | 0,38 |
| Feldgröße
[mm2] | 26 × 2 |
| Feldform | Rechteck |
| Ringfeldradius
[mm] | |
| (nur
für Ringfelder) | keine
Daten |
| Abstand
Eintrittspupille-Reticle [mm] | –1495 |
| Hauptstrahlwinkel
am Reticle [°] | –6 |
| Baulänge
[mm] | 1849 |
| Wellenfrontfehler
rms [mλ] | 12,7 |
| Verzeichnung
[nm] | 0,87 |
| Telezentrie
[mrad] | 0,62 |
-
NA
bezeichnet die bildseitige numerische Apertur des Projektionsobjektivs 7.
-
Die
Baulänge bezeichnet hierbei den Abstand zwischen der Objektebene 5 und
der Bildebene 9.
-
Die
in der vorstehenden Tabelle angegebenen Abbildungsfehler, also der
Wellenfrontfehler, die Verzeichnung sowie die Telezentrie stellen
Maximalwerte über das jeweilige Bildfeld 8 dar.
-
Der
in der Tabelle angegebene Telezentriewert ist der Winkel eines Schwerstrahls
eines von einem Punkt des Objektfeldes 4 ausgehenden Beleuchtungslichtbündels
gegen eine Flächennormale der Bildebene 9.
-
Zur
Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils wird die
Projektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen
eingesetzt: Zunächst werden die Reflexionsmaske 10 bzw.
das Retikel und das Substrat bzw. der Wafer 11 bereitgestellt.
Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 10 auf
eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 11 mithilfe der
Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung
der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- oder Nanostruktur
auf dem Wafer 11 und somit das mikrostrukturierte Bauteil
erzeugt.
-
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
-
Diese Liste
der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert
erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information
des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen
Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt
keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
-
Zitierte Patentliteratur
-
- - US 7414781 [0002]
- - WO 2007/020004 A1 [0002]