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DE102009028240A1 - Feldeffekttransistor mit integrierter TJBS-Diode - Google Patents

Feldeffekttransistor mit integrierter TJBS-Diode Download PDF

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DE102009028240A1
DE102009028240A1 DE102009028240A DE102009028240A DE102009028240A1 DE 102009028240 A1 DE102009028240 A1 DE 102009028240A1 DE 102009028240 A DE102009028240 A DE 102009028240A DE 102009028240 A DE102009028240 A DE 102009028240A DE 102009028240 A1 DE102009028240 A1 DE 102009028240A1
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trenches
tjbs
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semiconductor component
doped
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DE102009028240A
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Ning Qu
Alfred Goerlach
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Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
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Priority to CN2010800345562A priority patent/CN102473725A/zh
Priority to EP10721527A priority patent/EP2462618A1/de
Priority to PCT/EP2010/058166 priority patent/WO2011015397A1/de
Priority to TW099125667A priority patent/TW201108394A/zh
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Abstract

Es wird ein Halbleiterbauelement, das wenigstens einen MOS-Feldeffekttransistor und eine Diode umfasst, angegeben, bei dem die Diode eine Trench Junction Barrier Schottky Diode (TJBS) ist und die Anordnung mit MOS-Feldeffekttransistor und Trench Junction Barrier Schottky Diode (TJBS) als monolithisch integrierte Struktur ausgestaltet sind. Die Durchbruchspannungen des MOS-Feldeffekttransistors und der Trench Junction Barrier Schottky Diode (TJBS) werden dabei so gewählt, dass der MOS-Feldeffekttransistor im Durchbruch betrieben werden kann.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, insbesondere ein Leistungshalbleiterbauelement, speziell einen Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor mit integrierter Trench Junction Barrier Schottky (TJBS) Diode. Ein solchen Leistungshalbleiterbauelement kann beispielsweise bei Synchrongleichrichtern für Generatoren in Kraftfahrzeugen eingesetzt werden.
  • Leistungs-MOS-Feldeffekttransistoren werden seit Jahrzehnten als schnelle Schalter für Anwendungen in der Leistungselektronik eingesetzt. Neben planaren, doppelt diffundierten Strukturen (DMOS) werden auch Leistungs-MOSFETs mit Grabenstrukturen (TrenchMOS) eingesetzt. Bei Anwendungen mit sehr schnellen Schaltvorgängen, bei denen auch kurzzeitig Strom über die Bodydiode des MOSFETs fließt, z. B. bei Synchrongleichrichtern, DC-DC-Konvertern usw., wirken sich allerdings Durchlass- und Schaltverluste der pn-Bodydiode nachteilig aus. Als mögliche Abhilfe wird eine Parallelschaltung von MOSFET, z. B. mit seiner integrierten pn-Bodydiode und einer Schottkydiode vorgeschlagen.
  • So ist aus der Patentschrift US-5111253 eine Kombination von DMOS mit integrierter Schottky Barrier Diode (SBD) bekannt. Dem Vorteil von einer geringeren Flussspannung und geringeren Ausschaltverlusten steht bei Schottkydioden der Nachteil eines höheren Sperrstromes entgegen. Neben dem prinzipiell durch die Barriere des Metall-Halbleiter-Übergangs verursachten Sperrstrom tritt noch ein sperrspannungsabhängiger Anteil, verursacht durch das sogenannte Barrier-Lowering (BL), auf. In US-2005/0199918 wird eine Kombination von TrenchMOS mit integrierter Trench-MOS-Barrier Schottkydiode (TMBS) vorgeschlagen. Damit kann der nachteilige BL-Effekt weitgehend unterdrückt werden.
  • 1 zeigt einen vereinfachten Querschnitt einer Anordnung eines TrenchMOS mit integrierter MOS-Barriere-Schottkydiode (TMBS). Auf einem hoch n+-dotierten Siliziumsubstrat 1 befindet sich eine n-dotierte Siliziumschicht 2 (Epi-Schicht) in die eine Vielzahl von Gräben (Trenches) 3 eingebracht sind. An den Seitenwänden und am Boden der Gräben befindet sich eine dünne, meist aus Siliziumdioxid bestehende, dielektrische Schicht 4. Das Innere der Gräben ist mit einem leitfähigen Material 5, z. B. mit dotiertem Polysilizium, ausgefüllt. Bei der Mehrzahl der Gräben befindet sich eine p-dotiere Schicht (p-well) 6 zwischen den Gräben.
  • In diese p-dotierte Schicht sind an der Oberfläche hoch n+-dotierte Bereiche 8 (Source) und hoch p+-dotierte Bereiche 7 (zum Anschluss der p-well) eingebracht. Die Oberfläche der gesamten Struktur ist mit einer geeigneten, leitfähigen Schicht 9, z. B. mit Ti oder Titansilizid bedeckt. In den Bereichen bei denen ein Kontakt mit den p+- bzw. n+-dotierten Schichten 7 und 8 besteht, wirkt die leitfähige Schicht 9 als ohmscher Kontakt. In den Bereichen zwischen den Gräben, die nicht in einer p-dotierte Schicht 6 eingebettet sind, wirkt die leitfähige Schicht 9 als Schottkykontakt mit den darunterliegenden n-dotierten Bereichen 2. Über der leitfähigen Schicht 9 befindet sich i. a. noch eine dickere, leitfähige Metallschicht, bzw. ein Schichtsystem aus mehreren Metallschichten. Diese als Sourcekontakt wirkende Metallschicht 10 kann eine in der Siliziumtechnologie übliche Aluminiumlegierung mit Kupfer- und/oder Siliziumanteilen, oder ein sonstiges Metallsystem sein. Auf der Rückseite ist ein übliches, lötfähiges Metallsystem 11, z. B. aus einer Schichtenfolge, Cr, NiV und Ag aufgebracht. Das Metallsystem 11 dient als Drainkontakt. Die Polysilizumschichten 5 sind miteinander und mit einem nicht eingezeichneten Gatekontakt galvanisch verbunden.
  • Elektrisch ist die Schottkydiode also die Bereiche in denen die Metallschicht 9 das n-dotierte Silizium 2 kontaktiert, zur Bodydiode des MOSFETS, also der p-dotierten Schicht 6 und n-dotierten Schicht 2 parallel geschaltet. Wird Sperrspannung angelegt, bilden sich Raumladungszonen zwischen den den Schottkykontakten benachbarten Trenchstrukturen aus und schirmen das elektrische Feld von den eigentlichen Schottkykontakten also dem Übergang 9–2 ab. Durch das geringere Feld am Schottkykontakt wird der BL-Effekt reduziert, d. h. ein Sperrstromanstieg mit zunehmender Sperrspannung verhindert. Infolge der geringeren Flussspannung der Schottkydiode wird die pn-Bodydiode nicht in Flussrichtung betrieben. Als Inversdiode des MOSFET wirkt deshalb die Schottkydiode 9–2.
  • Da bei einer Schottkydiode keine gespeicherte Ladung von Minoritätsträgern ausgeräumt werden muss, ist im Idealfall nur die Kapazität der Raumladungszone zu laden. Die durch das Ausräumen auftretenden hohen Rückstromspitzen einer pn-Diode treten nicht auf. Mit der Integration einer Schottkydiode wird das Schaltverhalten des MOSFETs verbessert, Schaltzeit und -verluste sind geringer.
  • Für manche Anwendungen ist es vorteilhaft, den MOSFET auch im Avalancedurchbruch betreiben zu können. Spannungsspitzen können durch die Bodydiode begrenzt werden. Infolge des immer vorhandenen parasitären NPN-Transistors in MOSFETs kann es zu ungewünschten, zerstörenden Durchbrüchen der NPN-Struktur kommen. Dieser Betrieb ist deshalb i. a. nicht zugelassen. Im Fall der integrierten TMBS Diode ist ein solcher Betreib prinzipiell mögliche, aber wegen der dann auftretenden Ladungsträgerinjektion in die MOS-Struktur der TMBS aus Qualitätsgründen nicht zu empfehlen.
  • In US2006/0202264 wird vorgeschlagen, in einen TrenchMOS zusätzlich sogenannte Junction Barrier Schottky Dioden zu integrieren. Junction Barrier Schottky Dioden sind planare Schottkydioden, in denen flache Bereiche mit zur Substratdotierung entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp eindiffundiert sind, z. B. p-dotierte Bereiche in n-dotiertem Substrat. Bei Anlegen von Sperrspannung wachsen die Raumladungszonen zwischen den p-dotierten Bereichen zusammen und schirmen das elektrische Feld etwas vom Schottkykontakt ab. Der BL-Effekt ist dadurch etwas reduziert, allerdings ist die Wirkung wesentlich geringer als bei einer TMBS-Struktur. Mit einer solchen Anordnung ist ein Betrieb des MOSFETs im Avalanchedurchbruch ohne Gefahr einer Aufsteuerung und Zerstörung des parasitären npn-Transistors möglich.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Mit dem erfindungsgemäßen Leistungshalbleiterbauelement kann in vorteilhafter Weise der Barrier-Lowering-Effekt (BL-Effekt), der bei herkömmlichen Bauelementen auftritt, wirksam unterdrückt werden. Dazu wird vorgeschlagen, in einen Leistungs-MOSFET zusätzlich TJBS-Dioden (Trench MOS Barrier Schottky) zu integrieren. Die Durchbruchsspannung der TJBS-Struktur kann dabei größer oder kleiner als die Durchbruchsspannung der – weiterhin vorhandenen PN-Bodydiode – gewählt werden. Im Fall dass die Avalanchedurchbruchsspannung (Z-Spannung) der TJBS-Struktur kleiner als die Durchbruchsspannung des NPN-Transistors bzw. der pn-Bodydiode ist, kann das Bauelement sogar bei höheren Strömen im Durchbruch betrieben werden.
  • Zeichnung
  • Die Erfindung wird in den Figuren der Zeichnung dargestellt und in der Beschreibung erläutert. Im einzelnen zeigen:
  • 1: Schematischer, ausschnittsweiser Querschnitt eines Leistungs-Trench-MOS-Feldeffekttransistors mit integrierter TMBS-Diode gemäß dem Stand der Technik.
  • 2: Schematischer, ausschnittsweiser Querschnitt einer ersten erfindungsgemäßen Anordnung.
  • 3: Schematischer, ausschnittsweise gezeigter Querschnitt einer zweiten erfindungsgemäßen Anordnung.
  • 4: Schematischer, ausschnittsweise gezeigter Querschnitt einer weiteren erfindungsgemäßen Anordnung.
  • 5: Schematischer, ausschnittsweise gezeigter Querschnitt einer weiteren erfindungsgemäßen Anordnung mit integrierten TJBS-Strukturen.
  • Detaillierte Beschreibung
  • In 2 ist ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung schematisch und auszugsweise im Querschnitt gezeigt. Dabei handelt es sich um eine monolithisch integrierte Struktur, die einen MOS-Feldeffekttransistor und eine TJBS-Diode enthält. Auf einem hoch n+-dotierten Siliziumsubstrat 1 befindet sich eine n-dotierte Siliziumschicht, beispielsweise eine Epi-Schicht 2, in die eine Vielzahl von Gräben (Trenches) 3 eingebracht sind. Die meisten Trenches sind wiederum an den Seitenwänden und am Boden mit einer dünnen, meist aus Siliziumdioxid bestehenden, dielektrischen Schicht 4 versehen. Bei diesen Gräben ist das Innere wieder mit einem leitfähigen Material 5, z. B. mit dotiertem Polysilizium, ausgefüllt. Die Polysilizumschichten 5 sind miteinander und mit einem nicht eingezeichneten Gatekontakt galvanisch verbunden.
  • Zwischen diesen Gräben befindet sich eine p-dotierte Schicht (p-well) 6. In diese p-dotierte Schicht sind an der Oberfläche hoch n+-dotierte Bereiche 8 (Source) und hoch p+-dotierte Bereiche 7, die zum Anschluss der p-well dienen, eingebracht. An einigen Bereichen des Bauelementes befindet sich zwischen den Gräben keine p-dotiere Schicht (p-well) 6, sondern nur die n-dotierte Epischicht 2. Diese Gräben sind auch nicht mit einer Siliziumdioxidschicht 4 versehen, sondern mit p-dotiertem Silizium oder Polysilizium 12 ausgefüllt.
  • Dabei sind die Gräben entweder vollständig – wie in 2 gezeigt – ausgefüllt, oder können nur die Oberfläche der Trenchwände und -böden bedecken. An der Oberseite können diese p-dotierten Bereiche mit hoch p+-dotierten Silizium ganzflächig oder nur teilweise aufdotiert sein, um ein bessere ohmsche Kontaktierung mit dem darüber liegenden Metall oder Silizid 9 zu erreichen. Aus Günden der Übersichtlichkeit ist diese Schicht in den Abbildungen nicht eingezeichnet. Die Tiefe der Gräben beträgt bei einem (20–40) Volt Bauelement ca. 1–3 μm, der Abstand zwischen den Gräben, das Messgebiet, ist dann typischerweise kleiner als 0,5 Mikrometer. Natürlich sind die Dimensionen nicht auf diese Werte beschränkt. So werden z. B. bei höher sperrenden MOSFETs vorzugsweise tiefere Gräben und breitere Messgebiete gewählt. An die jeweils äußersten mit p-dotierten Material aufgefüllten Graben schließt sich die bekannte p-dotiere Schicht (p-well) 6 an. Allerdings befinden sich in dem Abschnitt bis zum nächsten, mit Siliziumdioxid 4 und Polysilizium 5 gefüllten Graben jeweils keine hoch n+-dotierte Bereiche 8 und meist auch keine hoch p+-dotierten Bereiche 7.
  • An den Stellen des Trenches bzw. Gräben, die mit p-dotiertem Silizium gefüllt sind, ist die Epischicht 2 mit einem Schottkymetall 9, z. B. mit Titansilizid kontaktiert. Der Übergang 9–2 bildet die eigentliche Schottkydiode. Wird Sperrspannung angelegt, bilden sich Raumladungszonen zwischen den den Schottkykontakten benachbarten, mit p-Silizium gefüllten, Trenchstrukturen aus und schirmen das elektrische Feld von den eigentlichen Schottkykontakten (Übergang 9–2) ab. Durch das geringere Feld am Schottkykontakt wird der BL-Effekt reduziert, d. h. ein Sperrstromanstieg mit zunehmender Sperrspannung verhindert.
  • Der Bereich I stellt eine sogenannte Trench-Junction Barrier-Schottky Diode (TJBS) dar. Die Dotierung der p-Schicht 12 ist so gewählt, dass die Durchbruchsspannung UZ_TJBS zwischen der p-Schicht 12 und der n-dotierten Epischicht 2 (TJBS) kleiner als die Durchbruchsspannung UZ_SBD der Schottkydiode 9–2 ist. Üblicherweise ist die Durchbruchsspannung auch kleiner als die Durchbruchsspannung der pn-Inversdiode 6–2 bzw. der Durchbruchsspannung des parasitären NPN-Transistors der sich aus den Bereichen 8, (7, 6) und 2 zusammensetzt.
  • Analog zu einer bekannten Anordnung nach 1 wird mit einer Anordnung gemäß 2 ein verbessertes Schaltverhalten erzielt, ohne die Sperrstromnachteile einer einfachen Schottkydiode zu haben. Im Gegensatz dazu eignet sich die Anordnung auch zur zuverlässigen Spannungsbegrenzung. Über der leitfähigen Schicht 9 befindet sich wie im Fall von 1 i. a. wieder eine dickere, leitfähige Metallschicht, bzw. ein Schichtsystem aus mehreren Metallschichten (Sourcekontakt). An der Rückseite des Bauelementes dient das Metallsystem 11 als Drainkontakt. Die Polysilizumschichten 5 sind miteinander und mit einem nicht eingezeichneten Gatekontakt galvanisch verbunden.
  • In 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Anordnung mit einer monolithisch integrierten Struktur, die einen MOS-Feldeffekttransistor und eine TJBS-Diode umfasst, gezeigt. Struktur, Funktion und Bezeichnung sind mit Ausnahme des inneren Bereichs mit der erfindungsgemäßen Anordnung nach 2 identisch. Im Unterschied dazu sind die inneren Trenches, die Trenches der TJBS, nicht mit p-dotiertem Silizium oder Polysilizium, sondern ganz oder teilweise mit Metall gefüllt. An den Seitenwänden und am Boden dieser Trenches schließt sich ein flaches hoch p+-dotiertes Gebiet 13 mit einer Eindringtiefe von kleiner als 100 nm an. Dieses Gebiet ist mit der Metallschicht 9 ohmsch kontaktiert.
  • Die Gebiete 13 können z. B. mit Hilfe einer Diboran-Gasphasenbelegung mit anschließendem Diffusions- oder Ausheizschritt z. B. Rapid Thermal Annealing RTP, erzeugt werden. Dotierung und Diffusions- bzw. Ausheizschritt werden so gewählt, dass die entsprechende Durchbruchsspannung UZ_TJBS erreicht wird. Alle weiteren Varianten der erfindungsgemäßen Anordnungen können wahlweise mit p-dotiertem Silizium oder Polysilizium ausgefüllten Gräben 12 ausgeführt werden.
  • In 4 ist eine weitere Variante einer erfindungsgemäßen Anordnung gezeigt. Dabei stehen den Trenches der TJBS Trenches mit Gatestruktur gegenüber. Wenn der MOSFET im Durchbruch betrieben werden soll, werden die Durchbruchsspannungen wieder so eingestellt, dass die TJBS die niedrigste Spannung aller Strukturen aufweist.
  • In den Ausführungsbeispielen gemäß den 2–4 befinden sich die äußersten Trenchstrukturen des TJBS entweder im Kontakt mit dem Bodygebiet 6, wie in den 2 und 3 gezeigt, oder sie sind wie in 4 gegenüber den MOS-Trenchstrukturen angeordnet. Die Trenches bzw. Gräben der TJBS können sich aber auch in einem gewissen Abstand, wie in 5 gezeigt, zwischen p-dotierten Bodygebieten 6 befinden. Dabei können sich die TJBS-Strukturen in Inneren des MOSFET-Chips befinden, oder am Chiprand angeordnet sein.
  • Die bei der Beschreibung der erfindungsgemäßen Lösungen gewählten Halbleitermaterialien und Dotierungen sind beispielhaft. Es könnte auch jeweils statt n-Dotierung p.Dotierung und statt p-Dotierung n-Dotierung gewählt werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - US 5111253 [0003]
    • - US 2005/0199918 [0003]
    • - US 2006/0202264 [0009]

Claims (22)

  1. Halbleiterbauelement das wenigstens einen MOS-Feldeffekttransistor und eine Diode umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass die Diode eine Trench Junction Barrier Schottky Diode (TJBS) ist.
  2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der MOS-Feldeffekttransistor und die Trench Junction Barrier Schottky Diode (TJBS) als monolithisch integrierte Struktur ausgestaltet sind.
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass, die Durchbruchspannungen des MOS-Feldeffekttransistors und der Trench Junction Barrier Schottky Diode (TJBS) so gewählt werden, dass der MOS-Feldeffekttransistor im Durchbruch betrieben werden kann.
  4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchbruchspannung (UZ_TJBS) der Trench Junction Barrier Schottky Diode (TJBS) als kleinste Durchbruchsspannung gewählt wird und damit kleiner ist als UZ_Schottkydiode und kleiner als UZ-pn Bodydiode und kleiner als die Durchbruchsspannung des parasitären npn-Transistors des Halbleiterbauelements.
  5. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf ein hoch n+-dotiertes Siliziumsubstrat (1) eine n-dotierte Siliziumschicht, beispielsweise eine Epi-Schicht (2) aufgebracht ist, in die eine Vielzahl von Gräben bzw. Trenches (3) eingebracht sind und einige der Gräben bzw. Trenches (3) an den Seitenwänden und/oder am Boden mit einer dünnen dielektrischen Schicht (4) versehen sind, wobei das Innere mit einer Schicht aus leitfähigen Material (5) ausgefüllt ist und die Schichten (5) miteinander und mit einem Gatekontakt galvanisch verbunden sind.
  6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die dielektrischen Schicht (4) aus Siliziumdioxid besteht.
  7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass das leitfähigen Material (5) dotiertes Polysilizium ist.
  8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass sich zwischen den Gräben eine p-dotierte Schicht (p-well) (6) befindet, in die an der Oberfläche hoch n+-dotierte Bereiche (8) als Source und hoch p+-dotierte Bereiche (7), die zum Anschluss der p-well dienen, eingebracht sind.
  9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass an einigen Bereichen zwischen den Gräben keine p-dotiere Schicht (p-well) (6) vorhanden ist, sondern nur die n-dotierte Epischicht (2), wobei in diesen Gräben die Siliziumdioxidschicht 4 durch p-dotiertes Silizium oder Polysilizium (12) ersetzt ist, die die Gräben ausfüllt.
  10. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass an den Stellen des Trenches bzw. Gräben, die mit p-dotiertem Silizium gefüllt sind, ist die Epischicht (2) mit einem Schottkymetall (9), insbesondere mit Titansilizid kontaktiert, wobei der Übergang (9–2) eine Schottkydiode bildet, wodurch sich bei angelegter Sperrspannung Raumladungszonen zwischen den den Schottkykontakten benachbarten, mit p-Silizium gefüllten, Trenchstrukturen ausbilden, die das elektrische Feld von den eigentlichen Schottkykontakten an dem Übergang (9–2) abschirmen und so durch das geringere Feld am Schottkykontakt den BL-Effekt reduzieren und ein Sperrstromanstieg mit zunehmender Sperrspannung verhindert wird.
  11. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bereich (I) eine Trench-Junction Barrier-Schottky Diode (TJBS) darstellt.
  12. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dotierung der p-Schicht (12) so gewählt ist, dass die Durchbruchsspannung (UZ_TJBS) zwischen der p-Schicht (12) und der n-dotierten Epischicht (TJBS) (2) kleiner als die Durchbruchsspannung UZ_SBD der Schottkydiode (9–2) ist.
  13. Halbleiterbauelement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchbruchsspannung auch kleiner als die Durchbruchsspannung der pn-Inversdiode (6–2) und der Durchbruchsspannung des parasitären NPN-Transistors der sich aus den Bereichen (8, 7, 6) und (2) zusammensetzt.
  14. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass über der leitfähigen Schicht (9) eine dickere, leitfähige Metallschicht oder ein Schichtsystem aus mehreren Metallschichten vorhanden ist und den Sourcekontakt bildet und dass an der Rückseite ein Metallsystem (11) vorhanden ist, das als Drainkontakt dient, wobei die Polysilizumschichten (5) miteinander und mit einem Gatekontakt zur zuverlässigen Spannungsbegrenzung galvanisch verbunden sind.
  15. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gräben der TJBS-Strukturen im Bereich (I) mit Metall gefüllt sind und die Seitenwände und Böden der Gräben flache p-dotierte Gebiete enthalten.
  16. Halbleiterbauelement nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass bei vollständig mit p-Gebiet gefüllten Gräben der TJBS-Struktur die Oberseite der p-Gebiete mit p+-Silizium aufdotiert ist, wobei die Aufdotierung von den Trenchwänden zurückgezogen sein kann.
  17. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die inneren Trenches, die Trenches der TJBS, nicht mit p-dotiertem Silizium oder Polysilizium, sondern ganz oder teilweise mit Metall gefülltsind und sich an den Seitenwänden und am Boden dieser Trenches ein flaches hoch p+-dotiertes Gebiet (13) mit einer Eindringtiefe von kleiner als 100 nm anschließt, das mit der Metallschicht (9) ohmsch kontaktiert ist.
  18. Halbleiterbauelement nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Gebiete (13) mit Hilfe einer Diboran-Gasphasenbelegung mit anschließendem Diffusions- oder Ausheizschritt z. B. Rapid Thermal Annealing RTP, erzeugt werden, wobei Dotierung und Diffusions- bzw. Ausheizschritt so gewählt werden, dass die entsprechende Durchbruchsspannung (UZ_TJBS) erreicht wird.
  19. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gräben (12) wahlweise mit p-dotiertem Silizium oder Polysilizium ausgefüllt sind.
  20. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass den Trenches der TJBS Trenches mit Gatestruktur gegenüber stehen, wobei wenn der MOSFET im Durchbruch betrieben werden soll, werden die Durchbruchsspannungen wieder so eingestellt ist, dass die TJBS die niedrigste Spannung aller Strukturen aufweist.
  21. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Trenches bzw. Gräben der TJBS sich in einem gewissen Abstand zwischen p-dotierten Bodygebieten (6) befinden, wobei sich die TJBS-Strukturen in Inneren des MOSFET-Chips befinden, oder am Chiprand angeordnet sein.
  22. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass alle Dotierungen im jeweils entgegen gesetzte Leitfähigkeitstyp ausgeführt sind und n-Dotierungen durch p-Dotierungen ersetzt sind.
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