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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren zum Ausbilden
eines Schichtbauelements durch Schichten von Halbleiterbauelementen.
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Beschreibung des Stands der
Technik
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Bei
einem Halbleiterbauelement-Herstellungsschritt wird die vordere
Oberfläche eines im Wesentlichen scheibenartigen Halbleiterwafers
durch vorgegebene Trennlinien, die als Straßen bezeichnet werden
und in einem Gittermuster angeordnet sind, in mehrere Bereiche unterteilt
und werden Bauelemente, wie zum Beispiel ICs (Integrierte Schaltungen),
LSIs oder dergleichen, in den so abgeteilten Bereichen ausgebildet.
Zusätzlich wird der Halbleiterwafer entlang der Straßen
geschnitten, um die mit den Bauelementen ausgebildeten Bereiche
zur Herstellung einzelner Bauelemente zu trennen.
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Um
die Funktionalität des Halbleiterbauelements zu verbessern,
werden in der Praxis Schichtbauelemente oder gestapelte Bauelemente,
bei denen einzelne Bauelemente aufeinander geschichtet oder gestapelt
sind, verwendet. Ein Verfahren zur Herstellung eines Schichtbauelements,
bei dem einzelne Bauelemente aufeinander geschichtet werden, wird durch
das offengelegte
japanische
Patent Nr. Sho 60-206058 offenbart. Bei dem durch diese
Veröffentlichung offenbarten Schichtbauelement-Herstellungsverfahren
wird ein Wafer von dessen hinterer Oberfläche aus geschliffen,
so dass er eine Dicke von ungefähr 200 μm aufweist.
Eine vordere Oberfläche jedes der mehreren Wafer, deren
hintere Oberflächen wie oben beschrieben geschliffen wurden, wird
einer hinteren Oberfläche eines anderen Wafers gegenübergesetzt
und mit dieser verbunden, wobei entsprechende Straßen bündig
zueinander ausgerichtet sind, um einen Schichtwafer zu bilden. Danach
wird der Schichtwafer entlang der Straßen durch eine Zerteilungsvorrichtung,
wie zum Beispiel eine Schneidevorrichtung oder dergleichen, geschnitten,
um Schichtbauelemente auszubilden.
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Auf
diese Weise weist das Schichtbauelement, wenn fünf Wafer
geschichtet werden, eine Dicke von 1000 μm oder mehr auf,
da ein Wafer eine Dicke von ungefähr 200 μm aufweist.
In den letzten Jahren gab es eine große Nachfrage für
elektrische Geräte mit verringertem Gewicht und verringerter Größe.
Ein Wafer kann so ausgebildet werden, dass er eine Dicke von 100 μm
oder weniger aufweist. In einem solchen Fall kann der Schichtwafer
so ausgebildet werden, dass er eine Dicke von 1000 μm oder weniger
aufweist, sogar wenn zehn oder mehr Wafer geschichtet werden, was
die Funktionalität des Schichtbauelements weiter verbessern
kann. Jedoch nimmt, wenn der Wafer so ausgebildet ist, dass er eine
Dicke von 100 μm oder weniger aufweist, dessen Festigkeit
erheblich ab, so dass er brüchig wird. Dies wirft ein Problem
dahingehend auf, dass es schwierig ist, den Wafer zu handhaben,
zum Beispiel ihn zu befördern und zu schichten.
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Andererseits
offenbart das offengelegte
japanische
Patent Nr. 2007-19461 einen Wafer, der Festigkeit gewährleisten
kann, sogar wenn dessen Dicke verringert wird. Der in dieser Veröffentlichung offenbarte
Wafer beinhaltet einen mit mehreren Bauelementen ausgebildeten Bauelementbereich
und einen äußeren Umfangsumgebungsbereich, der
den Bauelementbereich umgibt. Zusätzlich wird der Wafer
von der hinteren Oberfläche aus, die dem Bauelementbereich
entspricht, geschliffen, so dass der Bauelementbereich eine vorgegebene
Dicke aufweisen kann, und wird der äußere Umfangsumgebungsbereich
der hinteren Oberfläche des Wafers belassen, um einen ringförmigen
verstärkten Abschnitt zu bilden.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Dementsprechend
ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Schichtbauelement-Herstellungsverfahren
bereitzustellen, das ein über die gesamte Dicke dünnes
Schichtbauelement bieten kann, indem Wafer ohne Beschädigung
geschichtet werden, sogar wenn die Wafer jeweils mit einer geringen Dicke
ausgebildet sind.
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Gemäß einem
Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Schichtbauelement-Herstellungsverfahren
zur Herstellung eines Schichtbauelements unter Verwendung eines
verstärkten Wafers bereitgestellt, bei dem der verstärkte
Wafer durch auf einer vorderen Oberfläche in einem Gittermuster
angeordnete Straßen in mehrere Bereiche unterteilt ist
und einen mit Bauelementen in den so abgeteilten Bereichen ausgebildeten
Bauelementbereich und einen äußeren Umfangsüberschussbereich
oder Umfangsrestbereich, der den Bauelementbereich umgibt, beinhaltet,
ein Bereich einer hinteren Oberfläche, der dem Bauelementbereich
entspricht, so geschliffen wird, dass der Bauelementbereich so ausgebildet werden
kann, dass er eine vorgegebene Dicke aufweist, und ein Bereich,
der dem äußeren Umfangsüberschussbereich
entspricht, belassen werden kann, um einen ringförmigen
verstärkten Abschnitt zu bilden. Das Verfahren beinhaltet:
einen Waferschichtungsschritt, bei dem ein unten liegender Wafer,
der einen Durchmesser aufweist, der geringfügig kleiner als
ein innerer Durchmesser des ringförmigen verstärkten
Abschnitts des verstärkten Wafers ist, und auf einer vorderen
Oberfläche mit mehreren Straßen und Bauelementen
ausgebildet ist, die jeweils in dem Bauelementbereich des verstärkten
Wafers ausgebildeten mehreren Straßen und Bauelementen
entsprechen, angefertigt wird und eine hintere Oberfläche des
verstärkten Wafers, die dem Bauelementbereich entspricht,
der vorderen Oberfläche des unten liegenden Wafers gegenübergesetzt
und mit dieser verbunden wird, wobei entsprechende Straßen
bündig miteinander ausgerichtet sind, wodurch ein Schichtwafer
ausgebildet wird; einen Elektrodenverbindungsschritt, bei dem ein
Durchgangsloch an einer Stelle ausgebildet wird, an der bei jedem
der Bauelemente des verstärkten Wafers, der einen Teil
des Schichtwafers bildet, eine Elektrode ausgebildet ist, so dass
eine bei jedem der Bauelemente des unten liegenden Wafers ausgebildete
entsprechende Elektrode erreicht wird, und das Durchgangsloch mit
einem leitfähigen Material gefüllt wird, um die
Elektroden zu verbinden; und einen Trennungsschritt, bei dem der
Schichtwafer, nachdem der Elektrodenverbindungsschritt durchgeführt
wurde, entlang der Straßen geschnitten und in einzelne
Schichtbauelemente getrennt wird.
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Vorzugsweise
werden vor der Durchführung des Trennungsschritts die folgenden
Schritte durchgeführt: ein Ringformverstärkungsabschnitt-Entfernungsschritt,
bei dem ein ringförmiger verstärkter Abschnitt
entfernt wird, so dass der verstärkte Wafer, der einen
Teil des Schichtwafers bildet, einen Durchmesser aufweisen kann,
der geringfügig kleiner als der innere Durchmesser des
ringförmigen verstärkten Abschnitts ist; einen
zweiten Waferschichtungsschritt, bei dem eine hintere Oberfläche
eines als nächster zu schichtenden verstärkten
Wafers, die einem Bauelementbereich entspricht, der vorderen Oberfläche
des verstärkten Wafers des Schichtwafers, der dem Ringformverstärkungsabschnitt-Entfernungsschritt
unterzogen wurde, gegenübergesetzt und mit dieser verbunden
wird, wobei entsprechende Straßen bündig miteinander
ausgerichtet sind; und einen zweiten Elektrodenverbindungsschritt,
bei dem ein Durchgangsloch an einer Stelle ausgebildet wird, an
der bei jedem der Bauelemente des oberen verstärkten Wafers,
der durch den zweiten Waferschichtungsschritt geschichtet wurde,
eine Elektrode ausgebildet ist, so dass eine bei jedem der Bauelemente des
unteren verstärkten Wafers ausgebildete entsprechende Elektrode
erreicht wird, und mit einem leitfähigen Material zur Verbindung
der Elektroden gefüllt wird.
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Der
Ringformverstärkungsabschnitt-Entfernungsschritt, der zweite
Waferschichtungsschritt und der zweite Elektrodenverbindungsschritt,
die oben beschrieben wurden, werden wiederholt durchgeführt,
um einen vielschichtigen Schichtwafer auszubilden.
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Vorzugsweise
wird vor der Durchführung des Trennungsschritts ein Unterlagenwafer-Schleifschritt durchgeführt,
bei dem ein unten liegender Wafer (Unterlagenwafer) von einer hinteren
Oberfläche aus geschliffen wird, so dass er mit einer vorgegebenen
Dicke ausgebildet wird.
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Gemäß der
vorliegenden Erfindung wird der Schichtwafer durch Schichten des
Bauelementbereichs des verstärkten Wafers ausgebildet,
der den mit den Bauelementen ausgebildeten Bauelementbereich und
den äußeren Umfangsüberschussbereich,
der den Bauelementbereich umgibt, beinhaltet und bei dem ein Bereich
einer hinteren Oberfläche, der dem Bauelementbereich entspricht,
so geschliffen wird, dass der Bauelementbereich mit einer vorgegebenen
Dicke ausgebildet werden kann, und ein Bereich, der dem äußeren
Umfangsüberschussbereich entspricht, belassen werden kann,
um einen ringförmigen verstärkten Abschnitt auszubilden.
Obwohl die Dicke des Bauelementbereichs verringert wird, kann der
Wafer ohne Beschädigung geschichtet werden, da der Aufbau
des verstärkten Wafers beibehalten wird. Auf diese Weise
kann, da die Dicke des verstärkten Wafers in dem Bauelementbereich verringert
werden kann, sogar wenn die Wafer vielschichtig sind, ein Schichtbauelement
bereitgestellt werden, das über die gesamte Dicke dünn
ist.
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Die
obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden
Erfindung und die Art und Weise, diese zu verwirklichen, werden
offenkundiger werden und die Erfindung selbst wird am besten verstanden
werden, indem die folgende Beschreibung und die angefügten
Ansprüche mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen,
die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen,
studiert werden.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers als eines Wafers,
der bei einem Schichtbauelement-Herstellungsverfahren gemäß der
vorliegenden Erfindung verwendet wird;
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2 ist
eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand veranschaulicht,
bei dem ein Schutzelement an der vorderen Oberfläche des
in 1 gezeigten Halbleiterwafers befestigt ist;
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3 ist
eine perspektivische Ansicht einer Schleifvorrichtung, die verwendet
wird, um die hintere Oberfläche des in 1 gezeigten
Halbleiterwafers zu schleifen, um einen verstärkten Wafer
auszubilden;
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4 ist
ein Diagramm zur Unterstützung der Erklärung eines
Ringformverstärkungsabschnitt-Ausbildungsschritts, der
durch die in 3 gezeigte Schleifvorrichtung
durchgeführt wird;
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5 ist
eine Querschnittsdarstellung eines verstärkten Wafers,
der durch Durchführen eines in 4 gezeigten
Ringformverstärkungsabschnitt-Ausbildungsschritts ausgebildet
wurde;
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6 ist
eine perspektivische Ansicht einer Schneidevorrichtung, die verwendet
wird, um einen äußeren Umfangsüberschussbereich
des in 1 gezeigten Halbleiterwafers zu schneiden;
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7A und 7B sind
Diagramme zur Unterstützung der Erklärung eines
Außenumfangsüberschussbereich-Schneideschritts
zum Schneiden des äußeren Umfangsüberschussbereichs
des Halbleiterwafers durch Verwendung der in 6 gezeigten Schneidevorrichtung;
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8A und 8B sind
Diagramme zur Unterstützung der Erklärung eines
Waferschichtungsschritts bei dem Schichtbauelement-Herstellungsverfahren
gemäß der vorliegenden Erfindung;
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9 ist
eine perspektivische Ansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung,
die verwendet wird, um einen Durchgangsloch-Ausbildungsschritt bei
einem Elektrodenverbindungsschritt des Schichtbauelement-Herstellungsverfahrens
gemäß der vorliegenden Erfindung durchzuführen;
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10A und 10B sind
Diagramme zur Unterstützung der Erklärung des
Durchgangslochs-Ausbildungsschritts des Elektrodenverbindungsschritts
bei dem Schichtbauelement-Herstellungsverfahren gemäß der
vorliegenden Erfindung;
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11A und 11B sind
Diagramme zur Unterstützung der Erklärung eines
Leitmaterial-Einfügeschritts bei dem Elektrodenverbindungsschritt des Schichtbauelement-Herstellungsverfahrens
gemäß der vorliegenden Erfindung;
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12A und 12B sind
Diagramme zur Unterstützung der Erklärung eines
Ringformverstärkungsabschnitt-Entfernungsschritts bei dem
Schichtbauelement-Herstellungsverfahren gemäß der
vorliegenden Erfindung;
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13A und 13B sind
Diagramme zur Unterstützung der Erklärung eines
zweiten Waferschichtungsschritts bei dem Schichtbauelement-Herstellungsverfahren
gemäß der vorliegenden Erfindung;
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14A und 14B sind
Diagramme zur Unterstützung der Erklärung eines
Unterlagenwafer-Schleifschritts bei dem Schichtbauelement-Herstellungsverfahren
gemäß der vorliegenden Erfindung;
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15 ist
ein Diagramm zur Unterstützung der Erklärung eines
Waferhalteschritts und eines Schutzelement-Ablöseschritts
bei dem Schichtbauelement-Herstellungsverfahren gemäß der
vorliegenden Erfindung;
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16 ist
ein Diagramm zur Unterstützung der Erklärung eines
Trennungsschritts bei dem Schichtbauelement-Herstellungsverfahren
gemäß der vorliegenden Erfindung; und
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17 ist
eine perspektivische Ansicht eines durch das Schichtbauelement-Herstellungsverfahren
gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellten
Schichtbauelements.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Bevorzugte
Ausführungsformen eines Schichtbauelement-Herstellungsverfahrens
gemäß der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend
ausführlich mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Zunächst wird ein verstärkter Wafer beschrieben,
der bei dem Schichtbauelement-Herstellungsverfahren gemäß der
vorliegenden Erfindung verwendet wird.
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1 ist
eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers als eines Wafers
zum Ausbilden eines verstärkten Wafers, der bei dem Schichtbauelement-Herstellungsverfahren
gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
Der in 1 gezeigte Halbleiterwafer 2 besteht
zum Beispiel aus einem Siliziumwafer mit einem Durchmesser von 200
mm und einer Dicke von 350 μm. Eine vordere Oberfläche 2a des
Halbleiterwafers 2 ist mit mehreren Straßen 21 in einem
Gittermuster und Bauelementen 22, wie zum Beispiel ICs,
LSIs oder dergleichen, in mehreren durch die Straßen 21 abgeteilten
Bereichen ausgebildet. Der wie oben beschrieben ausgebildete Halbleiterwafer 2 beinhaltet
einen mit den Bauelementen 22 ausgebildeten Bauelementbereich 23 und
einen äußeren Umfangsüberschussbereich 24,
der den Bauelementbereich 23 umgibt. Im Übrigen
ist jedes der Bauelemente 22 mit mehreren Elektroden 25 auf
einer vorderen Oberfläche davon ausgebildet. Zusätzlich
ist der Halbleiterwafer 2 an dem äußeren
Umfang mit einer Kerbe 2c ausgebildet, welche die Kristallorientierung
des Siliziumwafers anzeigt.
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Ein
verstärkter Wafer wird wie nachfolgend beschrieben hergestellt.
Die hintere Oberfläche des in 1 gezeigten
Halbleiterwafers 2 wird an einem Bereich geschliffen, der
dem Bauelementbereich 23 entspricht, so dass der Bauelementbereich 23 eine vorgegebene
Dicke aufweisen kann. Zusätzlich wird die hintere Oberfläche
des Halbleiterwafers 2 an einem Bereich, der dem äußeren
Umfangsüberschussbereich 24 entspricht, mit einem
ringförmigen verstärkten Abschnitt versehen. Um
solch einen verstärkten Wafer auszubilden, wird zunächst
ein Schutzelement 3 an der vorderen Oberfläche 2a des
Halbleiterwafers 2 befestigt, wie in 2 gezeigt
ist (der Schutzelement-Befestigungsschritt). Dementsprechend ist
die hintere Oberfläche 2b des Halbleiterwafers 2 freigelegt.
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Nachdem
der Schutzelement-Befestigungsschritt durchgeführt wurde,
wird ein Ringformverstärkungsabschnitt-Ausbildungsschritt
wie nachfolgend beschrieben durchgeführt. Der Bereich auf
der hinteren Oberfläche 2b des Halbleiterwafers 2,
der dem Bauelementbereich 23 entspricht, wird geschliffen, so
dass der Bauelementbereich 23 mit einer vorgegebenen Dicke
ausgebildet werden kann. Zusätzlich wird ein Bereich auf
der hinteren Oberfläche 2b des Halbleiterwafers 2,
der dem äußeren Umfangsüberschussbereich 24 entspricht,
belassen, um einen ringförmigen verstärkten Abschnitt
auszubilden. Dieser Ringformverstärkungsabschnitt-Ausbildungsschritt
wird durch eine in 3 gezeigte Schleifvorrichtung
durchgeführt.
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Die
in 3 gezeigte Schleifvorrichtung 4 beinhaltet
einen Einspanntisch 41, der geeignet ist, einen Wafer als
ein Werkstück zu halten, und ein Schleifmittel 42 zum
Schleifen einer Bearbeitungsoberfläche des durch den Einspanntisch 41 gehaltenen
Wafers. Der Einspanntisch 41 saugt einen Wafer auf seine
obere Oberfläche und hält diesen und wird in einer
durch den Pfeil 41a in 3 angezeigten Richtung
gedreht. Das Schleifmittel 42 beinhaltet ein Spindelgehäuse 421;
eine Drehspindel 422, die durch das Spindelgehäuse 421 drehbar
gehalten und durch einen nicht gezeigten Drehantriebsmechanismus
gedreht wird; ein an dem unteren Ende der Drehspindel 422 angebrachtes
Anbringungselement 423; und eine an der unteren Oberfläche
des Anbringungselements 423 angebrachte Schleifscheibe 424. Die
Schleifscheibe 424 beinhaltet eine scheibenförmige
Basis 425 und einen Schleifstein 426, der ringförmig
an der unteren Oberfläche der Basis 425 angebracht
ist. Die Basis 425 ist an der unteren Oberfläche
des Anbringungselements 423 angebracht.
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Der
Ringformverstärkungsabschnitt-Ausbildungsschritt wird wie
nachfolgend beschrieben durch Verwendung der oben beschriebenen
Schleifvorrichtung 4 durchgeführt. Der durch ein
nicht gezeigtes Waferbefördermittel beförderte
Halbleiterwafer 2 wird auf der oberen Oberfläche
(der Halteoberfläche) des Einspanntischs 41 angeordnet,
wobei die Seite des Schutzelements 3 der oberen Oberfläche
des Einspanntischs 41 gegenüberliegt, und auf
dem Einspanntisch 41 eingespannt und gehalten. Nun wird die
Beziehung zwischen dem auf dem Einspanntisch 41 gehaltenen
Halbleiterwafer 2 und dem ringförmigen Schleifstein 426,
der einen Teil der Schleifscheibe 424 bildet, mit Bezug
auf 4 beschrieben. Das Drehzentrum P1 des Einspanntischs 41 ist
von dem Drehzentrum P2 des ringförmigen Schleifsteins 426 verschoben.
Der äußere Durchmesser des ringförmigen
Schleifsteins 426 ist auf eine Größe
festgelegt, die kleiner als der Durchmesser einer Grenzlinie 26 zwischen
dem Bauelementbereich 23 und dem äußeren
Umfangsüberschussbereich 25 des Halbleiterwafers 2 und
größer als der Radius der Grenzlinie 26 ist.
Zusätzlich ist der Schleifstein 426 so gestaltet, dass
er durch das Drehzentrum P1 des Einspanntischs 41 (das
Zentrum des Halbleiterwafers 2) tritt.
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Als
nächstes wird, wie in 3 und 4 gezeigt
ist, die Schleifscheibe 424 zum Beispiel bei 6000 Umdrehungen
pro Minute (U/min) in der durch den Pfeil 424a angezeigten
Richtung gedreht, während der Einspanntisch 41 zum
Beispiel mit 300 U/min in der durch den Pfeil 41a angezeigten
Richtung gedreht wird. Zusätzlich wird die Schleifscheibe 424 nach
unten bewegt, um den Schleifstein 426 mit der hinteren
Oberfläche des Halbleiterwafers 2 in Kontakt zu
bringen. Dann wird die Schleifscheibe 424 um einen vorgegebenen
Betrag bei einer vorgegebenen Schleifüberführungsrate
nach unten schleifüberführt. Als Folge wird der
Bereich der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers, der
dem Bauelementbereich entspricht, wie in 5 gezeigt
ist, geschliffen und entfernt, um einen kreisförmigen ausgesparten Abschnitt 23b mit
einer vorgegebenen Dicke (zum Beispiel 60 μm) auszubilden.
Zusätzlich wird der Bereich, der dem äußeren
Umfangsüberschussbereich 24 entspricht, belassen,
so dass er eine Dicke von 350 μm aufweist, um den ringförmigen
verstärkten Abschnitt 24b bei der veranschaulichten
Ausführungsform zu bilden. Somit ist der verstärkte
Wafer 20 konfiguriert (Ringformverstärkungsabschnitt-Ausbildungsschritt).
Im Übrigen ist bei der veranschaulichten Ausführungsform
der innere Durchmesser des ringförmigen verstärkten
Abschnitts 24b auf 196 mm festgelegt. Obwohl der durch
Durchführen des Ringformverstärkungsabschnitt-Ausbildungsschritts wie
oben beschrieben ausgebildete verstärkte Wafer 20 an
dem Bereich, der dem Bauelementbereich 23 entspricht, geschliffen
und entfernt wird, so dass er mit einer so geringen Dicke wie zum
Beispiel 60 μm ausgebildet wird, wird der ringförmige
verstärkte Abschnitt 24b ausgebildet, der den
Bauelementbereich 23 umgibt. Deshalb kann die Steifheit
und Festigkeit gewährleistet werden, um die Handhabung
danach zu ermöglichen.
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Um
den oben beschriebenen verstärkten Wafer 20 zu
schichten, wird ein unten liegender Wafer (Unterlagenwafer) wie
nachfolgend beschrieben angefertigt. Der unten liegende Wafer weist
einen Durchmesser auf, der geringfügig kleiner als der
innere Durchmesser des ringförmigen verstärkten
Abschnitts 24b ist, und ist auf dessen vorderer Oberfläche
mit mehreren Straßen und Bauelementen ausgebildet, die
jeweils mit den mehreren Straßen 21 und Bauelementen 22 identisch
sind, die in dem Bauelementbereich 23 des verstärkten
Wafers 20 ausgebildet sind. Der unten liegende Wafer kann
ausgebildet werden, indem der äußere Umfangsüberschussbereich 24 des
in 1 gezeigten und oben beschriebenen Halbleiterwafers 2 geschnitten
wird. Das Schneiden des äußeren Umfangsüberschussbereichs 24 des
Halbleiterwafers 2 wird durch Verwendung einer in 6 gezeigten
Schneidevorrichtung 5 durchgeführt. Die in 6 gezeigte
Schneidevorrichtung 5 beinhaltet einen Einspanntisch 51,
der mit einem Ansaughaltemittel versehen ist; ein mit einer Schneideklinge 521 versehenes
Schneidemittel 52; und ein Abbildungsmittel 53.
Um den äußeren Umfangsüberschussbereich 24 des
Halbleiterwafers 2 durch Verwendung der Schneidevorrichtung 5 zu schneiden,
wird ein Ausrichtungsschritt wie nachfolgend beschrieben durchgeführt.
Nachdem das Schutzelement 3 an der hinteren Oberfläche
des Halbleiterwafers 2 wie in 6 gezeigt
befestigt wurde, wird der Halbleiterwafer 2 auf dem Einspanntisch 51 angeordnet,
wobei das Schutzelement 3 dem Einspanntisch 51 gegenüberliegt.
Der Halbleiterwafer 2 wird unmittelbar unterhalb des Abbildungsmittels 53 angeordnet,
wie in 6 gezeigt ist. Dann wird ein zu schneidender Bereich
des Halbleiterwafers 2 durch das Abbildungsmittel 53 und
ein nicht gezeigtes Steuermittel erfasst. Mit anderen Worten führen
das Abbildungsmittel 53 und das nicht gezeigte Steuermittel
einen Ausrichtungsschritt zur Anordnung zwischen der Schneideklinge 521 und
dem Grenzabschnitt zwischen dem Bauelementbereich 23 und dem äußeren
Umfangsüberschussbereich 24 des Halbleiterwafers 2 durch.
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Die
Ausrichtung zum Erfassen des zu schneidenden Bereichs des auf dem
Einspanntisch 51 gehaltenen Halbleiterwafers 2 wird
wie oben beschrieben durchgeführt. Danach wird der den
Halbleiterwafer 2 haltende Einspanntisch 51 zu
einem Schneidebereich bewegt. Die Schneideklinge 521 des
Schneidemittels 52 wird unmittelbar oberhalb des Grenzabschnitts
zwischen dem Bauelementbereich 23 und dem äußeren
Umfangsüberschussbereich 24 des auf dem Einspanntisch 51 gehaltenen Halbleiterwafers 2 angeordnet.
Wie in 7A gezeigt ist, wird die Schneideklinge 521,
während sie in der durch den Pfeil 521a angezeigten
Richtung gedreht wird, von der durch eine zweigepunktete Strichpunktlinie
angezeigten Bereitschaftsposition nach unten schnittüberführt
und, wie durch eine durchgezogene Linie gezeigt ist, an einer vorgegebenen Schnittüberführungsposition
angeordnet. Diese Schnittüberführungsposition
ist an einer Position festgelegt, an welcher der äußere
Umfangsrand der Schneideklinge 521 das Schutzelement 3 erreicht.
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Als
nächstes wird, während die Schneideklinge 521 wie
oben beschrieben in der durch den Pfeil 521a angezeigten
Richtung gedreht wird, der Einspanntisch 51 in der durch
den Pfeil 51a in 7A angezeigten
Richtung gedreht. Wenn der Einspanntisch einmal gedreht wird, wird
der Halbleiterwafer 2 entlang des Grenzabschnitts zwischen dem
Bauelementbereich 23 und dem äußeren
Umfangsüberschussbereich 24 geschnitten, wie in 7B gezeigt
ist (der Außenumfangsüberschussbereich-Schneideschritt).
Der unten liegende Wafer 200, bei dem der Grenzabschnitt
zwischen dem Bauelementbereich 23 und dem äußeren
Umfangsüberschussbereich 24 des Halbleiterwafers 2 geschnitten wurde,
um den äußeren Umfangsüberschussbereich 24 wie
oben beschrieben zu entfernen, ist bei der veranschaulichten Ausführungsform
so festgelegt, dass er einen Durchmesser von 195 mm aufweist.
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Nachdem
der verstärkte Wafer 20 und der unten liegende
Wafer 200 wie oben beschrieben angefertigt wurden, wird
ein Waferschichtungsschritt wie nachfolgend beschrieben durchgeführt.
Wie in 8A und 8B gezeigt
ist, wird die hintere Oberfläche 20b des verstärkten
Wafers 20, die dem Bauelementbereich 23 entspricht,
der vorderen Oberfläche 200a des unten liegenden
Wafers 200 gegenübergesetzt und mit dieser verbunden,
wobei deren entsprechende Straßen 21 bündig
zueinander ausgerichtet sind. Somit wird ein Schichtwafer ausgebildet.
Spezieller wird, wie in 8B gezeigt
ist, der in der hinteren Oberfläche des verstärkten
Wafers 20 ausgebildete, kreisförmige ausgesparte
Abschnitt 23b an den unten liegenden Wafer 200 gepasst.
Die vordere Oberfläche 200a des unten liegenden
Wafers 200 wird mit einer Haftverbindung 30 mit der
hinteren Oberfläche 20b des verstärkten
Wafers 20, die dem Bauelementbereich 23 entspricht,
verbunden, um dadurch den Schichtwafer 250 auszubilden.
In diesem Fall kann der verstärkte Wafer 20 auf den
unten liegenden Wafer 200 geschichtet werden, wobei deren
Richtungen bündig miteinander ausgerichtet werden, indem
die Kerben 2c, welche die Richtungen in dem Wafer 200 anzeigen,
geringfügig belassen werden. Im Übrigen ist es
wünschenswert, einen Polymerstoff mit niedriger dielektrischer
Konstante, wie zum Beispiel ein Benzocyclobuten oder dergleichen,
als die Haftverbindung 30 zu verwenden.
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Nachdem
der Schichtwafer 250 durch Durchführen des Waferschichtungsschritts
wie oben beschrieben ausgebildet wurde, wird ein Elektrodenverbindungsschritt
wie nachfolgend beschrieben durchgeführt. In dem verstärkten
Wafer 20, der einen Teil des Schichtwafers 250 bildet,
auszubildende Durchgangslöcher werden jeweils an einer
Stelle ausgebildet, an der eine Elektrode 25 bei jedem
der Bauelemente 22 davon ausgebildet ist, so dass eine entsprechende
Elektrode 25, die bei jedem der Bauelemente 22 des
unten liegenden Wafers 200 ausgebildet ist, erreicht wird.
Das Durchgangsloch wird mit einem leitfähigen Material
gefüllt, um die einander entsprechenden Elektroden zu verbinden.
Bei dem Elektrodenverbindungsschritt wird ein Durchgangsloch-Ausbildungsschritt
wie nachfolgend beschrieben durchgeführt. Zunächst
werden die in dem verstärkten Wafer 20, der einen
Teil des Schichtwafers 250 bildet, auszubildenden Durchgangslöcher
jeweils an einer Stelle ausgebildet, an der eine Elektrode 25 bei
jedem der Bauelemente 22 davon ausgebildet ist, so dass
eine bei jedem der Bauelemente 22 davon ausgebildete entsprechende
Elektrode 25 erreicht wird. Dieser Durchgangsloch-Ausbildungsschritt
wird bei der veranschaulichten Ausführungsform durch Verwendung
einer in 9 gezeigten Laserbearbeitungsvorrichtung
durchgeführt. Die in 9 gezeigte
Laserbearbeitungsvorrichtung 6 beinhaltet einen Einspanntisch 61,
der geeignet ist, ein Werkstück zu halten; und ein Laserstrahlbestrahlungsmittel 62 zum
Richten eines Laserstrahls auf das auf dem Einspanntisch 61 gehaltene
Werkstück. Der Einspanntisch 61 ist konfiguriert,
das Werkstück anzusaugen und zu halten. Der Einspanntisch 61 wird
durch einen nicht gezeigten Bearbeitungsüberführungsmechanismus
in einer durch den in 9 gezeigten Pfeil X angezeigten
Bearbeitungsüberführungsrichtung bewegt. Zusätzlich
wird der Einspanntisch 61 durch einen nicht gezeigten Teilungsüberführungsmechanismus
in einer durch den Pfeil Y angezeigten Teilungsüberführungsrichtung
bewegt.
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Das
Laserstrahlbestrahlungsmittel 62 emittiert einen Pulslaserstrahl
von einem Kollektor 622, der an dem führenden
Ende eines im Wesentlichen horizontal angeordneten zylindrischen
Gehäuses 621 angebracht ist. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 6 ist
mit einem Abbildungsmittel 63 ausgestattet, das an dem
führenden Ende des Gehäuses 621, das einen
Teil des Laserstrahlbestrahlungsmittels 62 bildet, angebracht
ist. Dieses Abbildungsmittel 63 beinhaltet ein Beleuchtungsmittel
zum Beleuchten eines Werkstücks; ein optisches System zum
Einfangen eines durch das Beleuchtungsmittel beleuchteten Bereichs;
und ein Abbildungselement (CCD) oder dergleichen zum Aufnehmen eines
durch das optische System eingefangenen Bilds. Das Abbildungsmittel 63 leitet
ein Signal eines aufgenommenen Bilds an ein nicht gezeigtes Steuermittel
weiter.
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Nachfolgend
wird der durch Verwendung der in 9 gezeigten
Laserbearbeitungsvorrichtung 6 durchgeführte Durchgangsloch-Ausbildungsschritt beschrieben.
Zunächst wird der Schichtwafer 250 auf dem Einspanntisch 61 der
Laserbearbeitungsvorrichtung 6 angeordnet, wobei der unten
liegende Wafer 200 dem Einspanntisch 61 gegenüberliegt,
und auf dem Einspanntisch 61 angesaugt und gehalten. Dementsprechend
wird der Schichtwafer 250 gehalten, wobei die vordere Oberfläche 20a des
verstärkten Wafers 20 nach oben zeigt.
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Der
Einspanntisch 61, der den Schichtwafer 250 wie
oben beschrieben ansaugt und hält, wird unmittelbar unterhalb
des Abbildungsmittels 63 durch einen nicht gezeigten Bearbeitungsüberführungsmechanismus
angeordnet. Als nächstes wird ein Ausrichtungsschritt durchgeführt,
bei dem bestimmt wird, ob die auf dem verstärkten Wafer 20,
der einen Teil des Schichtwafers 250 bildet, ausgebildeten
gitterartigen Straßen 21 parallel zu der X- und
der Y-Richtung angeordnet sind oder nicht. Spezieller wird der Ausrichtungsschritt
wie nachfolgend beschrieben durchgeführt. Der verstärkte
Wafer 20, der einen Teil des auf dem Einspanntisch 61 gehaltenen
Schichtwafers 250 bildet, wird durch das Abbildungsmittel 63 abgebildet
und eine Bildverarbeitung, wie zum Beispiel ein Musterabgleich und
dergleichen, wird durchgeführt. Wenn die Straßen 21 nicht
parallel zu der X- und der Y-Richtung angeordnet sind, wird der
Einspanntisch 61 gedreht, um die Straßen 21 parallel
zu der X- und der Y-Richtung auszurichten. Der Ausrichtungsschritt
wird wie oben beschrieben durchgeführt, um den Schichtwafer 250 auf
dem Einspanntisch 61 an vorgegebenen Koordinatenpositionen
anzuordnen.
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Als
nächstes wird der Einspanntisch 61 bewegt, um
eine vorgegebene Elektrode 25 (eine ganz linke Elektrode
in 10A), die an einem an dem verstärkten
Wafer 20, der einen Teil des Schichtwafers 250 bildet,
ausgebildeten vorgegebenen Bauelement 22 vorgesehen ist,
an einer Position unmittelbar unterhalb des Kollektors 622 des
Laserstrahlbestrahlungsmittels 62 anzuordnen, wie in 10A gezeigt ist. Das Laserstrahlbestrahlungsmittel 62 wird
betätigt, um es dem Kollektor 622 zu ermöglichen,
einen Pulslaserstrahl mit einer Wellenlänge (zum Beispiel 355
nm), die geeignet ist, durch einen Siliziumwafer absorbiert zu werden,
auf den verstärkten Wafer 20 zu richten. In diesem Fall
wird es einem fokussierten Punkt P des von dem Kollektor 622 emittierten
Pulslaserstrahls ermöglicht, mit einer Position nahe zu der
vorderen Oberfläche 20a des verstärkten
Wafers 20, der einen Teil des Schichtwafers 250 bildet, übereinzustimmen.
Auf diese Weise wird, wie in 10B gezeigt ist, der verstärkte
Wafer 20 durch Bestrahlung mit dem Pulslaserstrahl mit
einem vorgegebenen Puls mit einem Durchgangsloch 26 ausgebildet,
das an der Elektrode 25 angeordnet ist und die an dem unten
liegenden Wafer 200 ausgebildete Elektrode 25 erreicht
(der Durchgangsloch-Ausbildungsschritt). Im Übrigen wird
die Anzahl von Pulsen des bei dem Durchgangsloch-Ausbildungsschritt
emittierten Pulslaserstrahls entsprechend der Ausgabeleistung des Pulslaserstrahls
und der Dicke des Bauelementbereichs 23 empirisch bestimmt.
Der oben beschriebene Durchgangsloch-Ausbildungsschritt wird bei
jedem der an dem verstärkten Wafer 20 ausgebildeten Bauelemente 22 an
einer Stelle durchgeführt, an der die Elektrode 25 angeordnet
ist.
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Nachdem
der Durchgangsloch-Ausbildungsschritt wie oben beschrieben durchgeführt
wurde, folgt ein Leitmaterial-Einfügeschritt zum Füllen
des Durchgangslochs 26 mit einem leitfähigen Material und
Verbinden der Elektroden. Wie in 11A und 11B gezeigt ist, wird bei dem Leitmaterial-Einfügeschritt
das in dem verstärkten Wafer 20, der einen Teil
des Schichtwafers 250 bildet, ausgebildete Durchgangsloch 26 mit
dem leitfähigen Material 27, wie zum Beispiel
Kupfer oder dergleichen, gefüllt, um die an dem unten liegenden
Wafer 200 ausgebildete Elektrode 25 mit der an
dem verstärkten Wafer 20 ausgebildeten Elektrode 25 zu
verbinden.
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Nachdem
der aus dem Durchgangsloch-Ausbildungsschritt und dem Leitmaterial-Einfügeschritt
bestehende Elektrodenverbindungsschritt wie oben beschrieben durchgeführt
wurde, kann ein später beschriebener Trennungsschritt durchgeführt werden.
Jedoch wird ferner ein Ringformverstärkungsabschnitt-Entfernungsschritt
wie nachfolgend beschrieben durchgeführt. Um den verstärkten
Wafer 20 zu schichten, wird ein ringförmiger verstärkter
Abschnitt 24b entfernt, um es dem verstärkten
Wafer 20, der einen Teil des Schichtwafers 250 bildet,
zu ermöglichen, einen Durchmesser aufzuweisen, der geringfügig
kleiner als der innere Durchmesser des ringförmigen verstärkten
Abschnitts 24b ist. Obwohl der Ringformverstärkungsabschnitt-Entfernungsschritt
durch Verwendung der in 6 gezeigten Schneidevorrichtung 5 durchgeführt
werden kann, wird er bei der veranschaulichten Ausführungsform durch
Verwendung der in 9 gezeigten Laserbearbeitungsvorrichtung 6 durchgeführt.
Spezieller wird, wie in 12A gezeigt
ist, der Schichtwafer 250 auf dem Einspanntisch 61 der
Laserbearbeitungsvorrichtung 6 angeordnet, wobei der unten
liegende Wafer 200 des Schichtwafers 250 dem Einspanntisch 61 gegenüberliegt,
und auf dem Einspanntisch 61 angesaugt und gehalten. Daher
wird der Schichtwafer 250 gehalten, wobei die vordere Oberfläche 20a des
verstärkten Wafers 20 nach oben zeigt.
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Wie
in 12A und 12B gezeigt
ist, wird der verstärkte Wafer 20 so angeordnet,
dass eine Stelle, die geringfügig (zum Beispiel 1 mm) innerhalb
der inneren Oberfläche des an dem verstärkten
Wafer 20 ausgebildeten ringförmigen verstärkten Abschnitts 24b liegt,
unmittelbar unterhalb des Kollektors 622 des Laserstrahlbestrahlungsmittels 62 liegen
kann. Dann wird der Einspanntisch 61 gedreht, während
das Laserstrahlbestrahlungsmittel 62 betätigt
wird, wie in 12B gezeigt ist, um es dem Kollektor 622 zu
ermöglichen, einen Pulslaserstrahl mit einer Wellenlänge
(zum Beispiel 355 nm) zu emittieren, die geeignet ist, durch einen
Siliziumwafer absorbiert zu werden. In diesem Fall wird es dem fokussierten
Punkt P des von dem Kollektor 622 emittierten Pulslaserstrahls
ermöglicht, mit einer Position nahe zu der vorderen Oberfläche 20a des
verstärkten Wafers 20, der einen Teil des Schichtwafers 250 bildet, übereinzustimmen.
Als Folge wird, wenn der Einspanntisch 61 einmal gedreht
wird, der ringförmige verstärkte Abschnitt 24b des
verstärkten Wafers 20 wie in 12B gezeigt geschnitten. Dementsprechend wird
der äußere Durchmesser des verstärkten Wafers 20 im
Wesentlichen gleich groß wie der des unten liegenden Wafers 200.
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Nachdem
der Ringformverstärkungsabschnitt-Entfernungsschritt durchgeführt
wurde, wird wie in 13A und 13B gezeigt
ein zweiter Waferschichtungsschritt durchgeführt, wie nachfolgend beschrieben
wird. Eine hintere Oberfläche eines als nächster
zu schichtenden verstärkten Wafers 20, die dem
Bauelementbereich 23 entspricht, wird der vorderen Oberfläche 20a des
verstärkten Wafers 20 des Schichtwafers 250 gegenübergesetzt
und mit dieser verbunden, wobei deren entsprechende Straßen bündig
zueinander ausgerichtet sind. Der zweite Waferschichtungsschritt
ist im Wesentlichen der gleiche wie der in 8 gezeigte
Waferschichtungsschritt.
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Nachdem
der zweite Waferschichtungsschritt durchgeführt wurde,
wird ein zweiter Elektrodenverbindungsschritt durchgeführt,
wie nachfolgend beschrieben wird. In dem verstärkten Wafer 20,
der auf der Oberseite geschichtet ist, so dass er einen Teil des
Schichtwafers 250 bildet, auszubildende Durchgangslöcher
werden jeweils an einer Stelle ausgebildet, an der eine Elektrode 25 bei
jedem der Bauelemente 22 davon ausgebildet ist, so dass
eine bei jedem der Bauelemente 22 des verstärkten
Wafers 20 an der unteren Seite ausgebildete entsprechende
Elektrode 25 erreicht wird. Dann werden die Durchgangslöcher
mit einem leitfähigen Material gefüllt, um die
entsprechenden Elektroden zu verbinden. Der zweite Elektrodenverbindungsschritt
ist im Wesentlichen der gleiche wie der in 10A und 10B gezeigte Durchgangsloch-Ausbildungsschritt
und der in 11A und 11B gezeigte Leitmaterial-Einfügeschritt.
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Nachdem
der zweite Elektrodenverbindungsschritt durchgeführt wurde,
wird ein in 12A und 12B gezeigter
Ringformverstärkungsabschnitt-Entfernungsschritt durchgeführt.
Der zweite Waferschichtungsschritt, der zweite Elektrodenverbindungsschritt
und der Ringformverstärkungsabschnitt-Entfernungsschritt
werden wiederholt durchgeführt, bis die vorgegebene Anzahl
der verstärkten Wafer 20 geschichtet ist. Somit
wird ein vielschichtiger Schichtwafer ausgebildet.
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Als
nächstes wird ein Unterlagenwafer-Schleifschritt durchgeführt,
bei dem die hintere Oberfläche 200b des unten
liegenden Wafers 200, der einen Teil des Schichtwafers 250 bildet,
geschliffen wird, so dass der unten liegende Wafer 200 eine vorgegebene
Dicke aufweisen kann. Der Unterlagenwafer-Schleifschritt wird durch
Verwendung einer in 14A gezeigten Schleifvorrichtung
durchgeführt. Die in 14A gezeigte
Schleifvorrichtung 7 beinhaltet einen Einspanntisch 71,
der geeignet ist, ein Werkstück zu halten; und ein Schleifmittel 73,
das mit einem Schleifstein 72 versehen ist, der geeignet
ist, das auf dem Einspanntisch 71 gehaltene Werkstück zu
schleifen. Um den Unterlagenwafer-Schleifschritt durch Verwendung
der wie oben beschrieben aufgebauten Schleifvorrichtung 7 durchzuführen,
wird ein Schutzelement 3 an der vorderen Oberfläche
des oberen verstärkten Wafers 20, der einen Teil
des Schichtwafers 250 bildet, befestigt, wie in 14B gezeigt ist. Danach wird der Schichtwafer 250 auf dem
Einspanntisch 71 angeordnet, wobei das Schutzelement 3 dem
Einspanntisch 71 gegenüberliegt, und auf dem Einspanntisch 71 angesaugt
und gehalten, wie in 14A gezeigt ist. Daher liegt
der Schichtwafer 250 so, dass die hintere Oberfläche 200b des
unten liegenden Wafers 200 nach oben zeigt. Wenn der Schichtwafer 250 auf
dem Einspanntisch 71 wie oben beschrieben gehalten wird,
wird, während der Einspanntisch 71 mit zum Beispiel
300 U/min gedreht wird, der Schleifstein 72 des Schleifmittels 73 mit
zum Beispiel 6000 U/min gedreht und mit der hinteren Oberfläche 200b des
unten liegenden Wafers 200 in Kontakt gebracht, um sie
zu schleifen. Auf diese Weise wird der unten liegende Wafer 200 so
ausgebildet, dass er eine Dicke von zum Beispiel 60 μm
aufweist.
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Nachdem
der oben beschriebene Unterlagenwafer-Schleifschritt durchgeführt
wurde, wird ein Trennungsschritt durchgeführt, bei dem
der Schichtwafer 250 entlang der Straßen geschnitten
wird, d. h. in einzelne Schichtbauelemente getrennt wird. Bevor der
Trennungsschritt durchgeführt wird, wird ein Waferhalteschritt
durchgeführt, bei dem die hintere Oberfläche 200b des
unten liegenden Wafers 200, der einen Teil des Schichtwafers 250 bildet,
an der vorderen Oberfläche eines Zerteilungsbands (dicing tage)
T befestigt wird, das an einem ringförmigen Rahmen F angebracht
ist, wie in 15 gezeigt ist. Dann wird das
an der vorderen Oberfläche des oberen verstärkten
Wafers 20, der einen Teil des Schichtwafers 250 bildet,
befestigte Schutzelement 3 davon abgelöst (der
Schutzelement-Ablösungsschritt).
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Nachdem
der Waferhalteschritt und der Schutzelement-Ablösungsschritt
wie oben beschrieben ausgeführt wurden, wird der oben beschriebene Trennungsschritt
durch Verwendung der in 6 gezeigten Schneidevorrichtung 5 durchgeführt.
Spezieller wird das an dem Schichtwafer 250 bei dem oben beschriebenen
Waferhalteschritt befestigte Zerteilungsband T auf dem Einspanntisch 51 der
Schneidevorrichtung 5 angeordnet, wie in 16 gezeigt ist.
Dann wird ein nicht gezeigtes Ansaugmittel betätigt, um
den Schichtwafer 250 über das Zerteilungsband
T auf dem Einspanntisch 51 zu halten. Somit wird der Schichtwafer 250 so
auf dem Einspanntisch 51 gehalten, dass die vordere Oberfläche 20a des oberen
verstärkten Wafers 20 nach oben zeigt. Im Übrigen
wird, obwohl der an dem Zerteilungsband T angebrachte ringförmige
Rahmen F in 16 weggelassen ist, der ringförmige
Rahmen F durch ein geeignetes Rahmenhaltemittel, das an dem Einspanntisch 51 angebracht
ist, gehalten. Der Einspanntisch 51, der den Schichtwafer 250 wie
oben beschrieben ansaugt und hält, wird unmittelbar unterhalb
des Abbildungsmittels 53 durch einen nicht gezeigten Schneideüberführungsmechanismus
angeordnet.
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Nachdem
der Einspanntisch 51 unmittelbar unterhalb des Abbildungsmittels 53 angeordnet
wurde, wird ein Ausrichtungsschritt durchgeführt, bei dem
das Abbildungsmittel 53 und ein nicht gezeigtes Steuermittel
einen zu schneidenden Bereich des Schichtwafers 250 erfassen.
Spezieller führen das Abbildungsmittel 53 und
das nicht gezeigte Steuermittel eine Positionierung zwischen der
Schneideklinge 521 und jeder der auf dem verstärkten
Wafer 20, der einen Teil des Schichtwafers 250 bildet,
ausgebildeten Straßen 21 durch.
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Die
auf dem verstärkten Wafer 20, der einen Teil des
wie oben beschrieben auf dem Einspanntisch 51 gehaltenen
Schichtwafers 250 bildet, ausgebildete Straße 21 wird
zur Ausrichtung eines zu schneidenden Bereichs erfasst. Danach wird
der den Schichtwafer 250 haltende Einspanntisch 51 zu
einer Schneideanfangsposition des zu schneidenden Bereichs bewegt,
so dass eine vorgegebene Straße 21 mit der Schneideklinge 521 bündig
ausgerichtet werden kann. Während sie in der durch den
Pfeil 521a in 16 angezeigten Richtung gedreht
wird, wird die Schneideklinge 521 nach unten bewegt, um
eine Schnittüberführung um einen vorgegebenen
Betrag durchzuführen. Die Schnittüberführungsposition
ist auf eine Position festgelegt, an welcher der äußere Umfangsrand
der Schneideklinge 521 das Zerteilungsband T erreicht.
Nachdem die Schnittüberführung der Schneideklinge 521 auf
diese Weise durchgeführt wurde, wird, während
die Schneideklinge 521 mit einer Drehrate von zum Beispiel
40000 U/min gedreht wird, der Einspanntisch 51 in der durch
den Pfeil X in 16 angezeigten Richtung mit
einer Schneideüberführungsrate von zum Beispiel
50 mm/s schneideüberführt. Als Folge wird der Schichtwafer 250 entlang
einer vorgegebenen Straße 21 geschnitten (der
Schneideschritt).
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Der
Schneideschritt wird entlang aller Straßen 21 des
Schichtwafers 250 durchgeführt, die sich wie oben
beschrieben in der vorgegebenen Richtung erstrecken. Danach wird
der Einspanntisch 51 um 90 Grad gedreht und der Schneideschritt
entlang der Straßen 21 durchgeführt,
die sich in der Richtung senkrecht zu der vorgegebenen Richtung
des Schichtwafers 250 erstrecken. Somit wird der Schichtwafer 250 in
einzelne Schichtbauelemente getrennt. Im Übrigen werden
die Schichtbauelemente durch die Wirkung des Zerteilungsbands T
nicht auseinandergenommen, d. h. sie werden in einem Waferzustand
gehalten, bei dem die Schichtbauelemente durch den ringförmigen
Rahmen F über das Zerteilungsband T gehalten werden. Die
wie oben beschrieben getrennten Schichtbauelemente werden in einem
nachfolgenden Aufnahmeschritt jeweils von dem Zerteilungsband T
abgelöst, um ein Schichtbauelement 220 zu werden,
wie es in 17 gezeigt ist.
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Die
vorliegende Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der oben beschriebenen
bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der
Umfang der Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche
definiert und alle Änderungen und Abwandlungen, die innerhalb
der Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche liegen,
werden deshalb durch die Erfindung umfasst.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - JP 60-206058 [0003]
- - JP 2007-19461 [0005]