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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausbilden eines Schutzelements aus Harz an der Gesamtheit einer der beiden Seiten eines plattenförmigen Werkstücks.
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Beschreibung des Stands der Technik
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In einem Herstellverfahren für einen Halbleiterwafer oder dergleichen kann es vorkommen, dass, wenn ein zylindrischer Ingot durch eine Drahtsäge geschnitten wird, um einen kreisförmigen Wafer auszubilden, eine Wölbung oder eine Welligkeit in dem Wafer ausgebildet wird. Als eine Technik zum Entfernen einer solchen Wölbung oder einer solchen Welligkeit gibt es ein Verfahren, das die Schritte beinhaltet, ein flüssiges Harz, wie zum Beispiel Polyethylen, an einer Seite des Wafers, an der die Wölbung oder die Welligkeit ausgebildet ist, aufzubringen, anschließend dieses flüssige Harz auszuhärten und anschließend aufeinanderfolgend die andere Seite des Wafers und diese eine Seite desselben zu schleifen, um dadurch beide Seiten des Wafers zu glätten.
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Bei dieser Technik wird das flüssige Harz zum Beispiel durch das folgende Verfahren an einer Seite des Wafers angebracht. Dieses Verfahren beinhaltet die Schritte, das flüssige Harz auf eine an einem Träger angeordnete Bahn zu tropfen, den Wafer durch Verwendung einer Ansaughalteeinheit, die oberhalb des Trägers angeordnet ist, unter Ansaugen zu halten, eine Seite (untere Oberfläche) des Wafers gegen die Bahn zu drücken, um dadurch das flüssige Harz über die Gesamtheit dieser einen Seite des Wafers von der Mitte zu dem Umfang des Wafers radial zu verteilen, und schließlich das flüssige Harz zu erwärmen oder ultraviolettes Licht auf das flüssige Harz aufzubringen, um dadurch das flüssige Harz auszuhärten (siehe zum Beispiel das offengelegte japanische Dokument
JP 2012 - 143 723 A ).
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Weiterer Stand der Technik kann den folgenden Dokumenten entnommen werden:
- US 2014 / 0 158 291 A1 betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines verbundenen Elements, bei dem eine Verteilung eines Klebstoffs zwischen zwei Elementen in einer kurzen Zeit durchgeführt werden kann.
- US 2009 / 0 183 819 A1 betrifft ein Herstellungsverfahren für eine Displayvorrichtung.
- EP 2 695 923 A2 betrifft ein Verfahren zur Verklebung von transparenten Schichten, bei dem ein aushärtbarer, transparenter Kleber verwendet wird.
- JP 2002 - 285 132 A betrifft ein Verfahren zum Verbinden eines Elements mit einem anderen Element mit einem Kunststoff.
- US 2011 / 0 130 065 A1 betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Displays.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Im Unterschied zu einer Flüssigkeit, wie zum Beispiel Wasser, wirkt eine schwache Oberflächenspannung auf das an der Bahn angesammelte flüssige Harz, so dass eine Aussparung (Ausnehmung) geringfügig an der Mitte des angesammelten flüssigen Harzes ausgebildet wird. Die Größe dieser Aussparung ist proportional zu der Größe des mit dem flüssigen Harz zu beschichtenden Wafers. Das heißt, die Menge des flüssigen Harzes, die in dem Fall des Aufbringens des flüssigen Harzes auf einen großen Wafer (zum Beispiel mit einem Durchmesser von 450 mm) zu verwenden ist, ist größer als die in dem Fall des Aufbringens des flüssigen Harzes auf einen kleinen Wafer (zum Beispiel mit einem Durchmesser von 200 mm). Dementsprechend ist die Größe der an der Mitte des angesammelten flüssigen Harzes ausgebildeten Aussparung für den großen Wafer größer als für den kleinen Wafer.
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Insbesondere besteht, falls das flüssige Harz auf den großen Wafer aufgebracht wird, die Möglichkeit, dass, wenn das angesammelte flüssige Harz durch eine Seite des Wafers nach unten gedrückt wird, Luft in die Aussparung des angesammelten flüssigen Harzes eintreten kann. Demensprechend können sogar nach dem Aushärten des verteilten flüssigen Harzes Luftblasen in dem ausgehärteten flüssigen Harz ausgebildet sein. Als Folge dessen kann, sogar wenn die andere Seite des Wafers in dem Zustand geschliffen wird, in dem die eine Seite des Wafers durch das ausgehärtete flüssige Harz geschützt wird, ein Vorsprung an dem geschliffenen Wafer ausgebildet werden. Daher ist es schwierig, den Wafer mit hoher Genauigkeit zu schleifen. Es ist deshalb ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Schutzelementausbildeverfahren bereitzustellen, welches das Eintreten von Luftblasen in ein flüssiges Harz, das zu einem Schutzelement zum Schützen der gesamten einen Seite eines Wafers ausgebildet werden soll, verhindern kann.
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Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Schutzelementausbildeverfahren zum Ausbilden eines Schutzelements an der Gesamtheit einer der beiden Seiten eines Wafers bereitgestellt, wobei das Schutzelementausbildeverfahren beinhaltet: einen Harzzuführschritt zum Zuführen einer vorgegebenen Menge eines ersten flüssigen Harzes zu der Mitte einer oberen Oberfläche eines Trägers, um eine Ansammlung des ersten flüssigen Harzes auszubilden, wobei das flüssige Harz eine derartig schwache Oberflächenspannung aufweist, dass eine Aussparung an einer Mitte des angesammelten flüssigen Harzes ausgebildet wird; einen Harzanbringschritt zum Anbringen einer geeigneten Menge eines zweiten flüssigen Harzes an der Mitte einer unteren Oberfläche des Wafers, der an einer dem Träger gegenüberliegenden Halteoberfläche einer Halteeinheit gehalten wird, wobei die geeignete Menge so festgelegt wird, dass das zweite flüssige Harz in dem an der unteren Oberfläche des Wafers angebrachten Zustand beibehalten werden kann, ohne herabzufallen; einen Verteilungsschritt zum in Übereinstimmung Bringen der Mitte des Trägers mit der Mitte des an der Halteoberfläche der Halteeinheit gehaltenen Wafers, anschließenden Bewegen des Trägers oder der Halteeinheit aufeinander zu, bis das zweite flüssige Harz mit dem ersten flüssigen Harz in Kontakt kommt und dann in das erste flüssige Harz gedrückt wird, um die Aussparung zu füllen, und anschließenden Aufbringen einer Herabdrückkraft auf das erste flüssige Harz, das zwischen dem Träger und der Halteeinheit eingefügt ist, um dadurch das erste flüssige Harz, in dem die Aussparung beseitigt ist, über die gesamte untere Oberfläche des Wafers zu verteilen; und einen Aushärteschritt zum Aushärten des über die gesamte untere Oberfläche des Wafers verteilten ersten flüssigen Harzes, um dadurch das Schutzelement auszubilden.
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Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Schutzelementausbildeverfahren zum Ausbilden eines Schutzelements an der Gesamtheit einer der beiden Seiten eines Wafers bereitgestellt, wobei das Schutzelementausbildeverfahren beinhaltet: einen Harzzuführschritt zum Zuführen einer vorgegebenen Menge eines ersten flüssigen Harzes zu der Mitte einer oberen Oberfläche eines Wafers, der an einer Halteoberfläche einer Halteeinheit gehalten wird, um eine Ansammlung des ersten flüssigen Harzes auszubilden, wobei das flüssige Harz eine derartig schwache Oberflächenspannung aufweist, dass eine Aussparung an einer Mitte des angesammelten flüssigen Harzes ausgebildet wird; einen Harzanbringschritt zum Anbringen einer geeigneten Menge eines zweiten flüssigen Harzes an der Mitte einer unteren Oberfläche eines Trägers, welcher der Halteoberfläche der Halteeinheit gegenüberliegt, wobei die geeignete Menge so festgelegt wird, dass das zweite flüssige Harz in dem an der unteren Oberfläche des Trägers angebrachten Zustand beibehalten werden kann, ohne herabzufallen; einen Verteilungsschritt zum in Übereinstimmung Bringen der Mitte des an der Halteoberfläche der Halteeinheit gehaltenen Wafers mit der Mitte des Trägers, anschließenden Bewegen der Halteeinheit oder des Trägers aufeinander zu, bis das zweite flüssige Harz mit dem ersten flüssigen Harz in Kontakt kommt und dann in das erste flüssige Harz gedrückt wird, um die Aussparung zu füllen, und anschließenden Aufbringen einer Herabdrückkraft auf das erste flüssige Harz, das zwischen der Halteeinheit und dem Träger eingefügt ist, um dadurch das erste flüssige Harz, in dem die Aussparung beseitigt ist, über die gesamte obere Oberfläche des Wafers zu verteilen; und einen Aushärteschritt zum Aushärten des über die gesamte obere Oberfläche des Wafers verteilten ersten flüssigen Harzes, um dadurch das Schutzelement auszubilden.
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Gemäß dem Schutzelementausbildeverfahren der vorliegenden Erfindung wird in dem Harzzuführschritt die vorgegebene Menge des ersten flüssigen Harzes der Mitte der oberen Oberfläche des Trägers oder der Mitte der oberen Oberfläche des an der Halteoberfläche der Halteeinheit gehaltenen Wafers zugeführt. Danach wird in dem Harzanbringschritt die geeignete Menge des zweiten flüssigen Harzes an der Mitte der unteren Oberfläche des an der Halteoberfläche der Halteeinheit gehaltenen Wafers oder an der Mitte der unteren Oberfläche des Trägers angebracht. Danach wird in dem Verteilungsschritt eine Herabdrückkraft auf das erste flüssige Harz, das zwischen dem Träger und der Halteeinheit eingefügt ist, aufgebracht, um dadurch das erste flüssige Harz über die gesamte untere Oberfläche oder die gesamte obere Oberfläche des Wafers zu verteilen. Dementsprechend wird, sogar wenn eine Aussparung (Ausnehmung) an dem in dem Harzzuführschritt zugeführten ersten flüssigen Harz ausgebildet wird, diese Aussparung des ersten flüssigen Harzes mit dem zweiten flüssigen Harz gefüllt, das in dem Verteilungsschritt in das erste flüssige Harz gedrückt wird, wodurch die Aussparung in dem verteilten ersten flüssigen Harz beseitigt wird. Als Folge dessen kann in dem anschließenden Aushärteschritt das Schutzelement an einer der beiden Seiten des Wafers ohne Luftblasen ausgebildet werden. Dementsprechend können beim späteren Schleifen des Wafers beide Seiten des Wafers mit hoher Genauigkeit geglättet werden.
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Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise, diese zu verwirklichen, werden offenkundiger werden und die Erfindung selbst wird am besten verstanden werden, indem die folgende Beschreibung und die angefügten Ansprüche mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen, studiert werden.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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- 1A und 1B sind Schnittdarstellungen, die einen Harzzuführschritt zum Zuführen eines ersten flüssigen Harzes gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen;
- 2 ist eine Schnittdarstellung, die einen Harzanbringschritt zum Anbringen eines zweiten flüssigen Harzes gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
- 3 ist eine Schnittdarstellung, die einen Zustand zeigt, in dem das zweite flüssige Harz in dem in 2 gezeigten Harzanbringschritt an der unteren Oberfläche eines Wafers angebracht wurde;
- 4 ist eine Schnittdarstellung, die einen Verteilungsschritt zum Verteilen des ersten flüssigen Harzes nach dem Drücken des zweiten flüssigen Harzes in dieses gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
- 5 ist eine Schnittdarstellung, die einen Zustand zeigt, in dem das erste flüssige Harz in dem in 4 gezeigten Verteilungsschritt in der radialen Richtung des Wafers verteilt wurde;
- 6 ist eine Schnittdarstellung, die einen Aushärteschritt zum Aushärten des verteilten ersten flüssigen Harzes gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
- 7 ist eine Schnittdarstellung, die einen Harzzuführschritt und einen Harzanbringschritt gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
- 8 ist eine Schnittdarstellung, die einen Verteilungsschritt gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform zeigt; und
- 9 ist eine Schnittdarstellung, die einen Aushärteschritt gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform zeigt.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Nachfolgend wird ein Verfahren zum Ausbilden eines Schutzelements zum Schützen der Gesamtheit einer der beiden Seiten eines Wafers als ein Werkstück unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
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1. Erste bevorzugte Ausführungsform des Schutzelementausbildeverfahrens
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(1) Harzzuführschritt
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Wie in 1A gezeigt ist, wird eine Bahn 2 an der oberen Oberfläche 1a eines Trägers 1 angeordnet und eine durch eine Vakuumquelle (nicht gezeigt) erzeugte Ansaugkraft auf die obere Oberfläche 1a des Trägers 1 aufgebracht, um dadurch die Bahn 2 an der oberen Oberfläche 1a unter Ansaugen zu halten. Das Material der Bahn 2 ist nicht besonders beschränkt. Zum Beispiel kann die Bahn 2 aus PET (Polyethylenterephthalat) ausgebildet sein.
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Danach wird eine vorgegebene Menge eines flüssigen Harzes 4 von einer oberhalb des Trägers 1 angeordneten Harzzuführdüse 3 auf die Mitte der oberen Oberfläche der an der oberen Oberfläche 1a des Trägers 1 unter Ansaugen gehaltenen Bahn 2 getropft. Das flüssige Harz 4 ist ein Material des Schutzelements zum Schützen der Gesamtheit einer der beiden Seiten des Wafers. Zum Beispiel kann ultraviolett-härtbares Harz als das flüssige Harz 4 verwendet werden. Wenn das getropfte flüssige Harz 4 auf die obere Oberfläche der Bahn 2 aufgetragen wurde, um eine Ansammlung von flüssigem Harz 40 auszubilden, wie in 1B gezeigt ist, wird die Zufuhr des flüssigen Harzes 4 von der Harzzufuhrdüse 3 auf die Bahn 2 angehalten. Wie in 1B gezeigt ist, wird eine Aussparung (Ausnehmung) 5 an dem mittleren Abschnitt des an der Bahn 2 angesammelten flüssigen Harzes 40 ausgebildet. Die Menge des zu tropfenden flüssigen Harzes 4 wird durch die Dicke des Schutzelements, das später durch Aushärten des flüssigen Harzes 40 ausgebildet werden soll, und die Fläche des Wafers bestimmt.
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(2) Harzanbringschritt
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Wie in 2 gezeigt ist, wird ein durch eine Halteeinheit 10 gehaltener Wafer W so angeordnet, dass er der oberen Oberfläche 1a des Trägers 1 gegenüberliegt. Der Wafer W ist ein durch Schneiden eines zylindrischen Ingots mit einer Drahtsäge ausgebildeter kreisförmiger Wafer, wobei an diesem Wafer noch keine Bauelemente ausgebildet wurden.
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Die Halteeinheit 10 weist ein poröses Element 11 mit einer Halteoberfläche 12 zum Halten des Wafers W unter Ansaugen auf. Das poröse Element 11 wird gezielt in einer solchen Weise mit einer Vakuumquelle (nicht gezeigt) verbunden, dass eine durch diese Vakuumquelle erzeugte Ansaugkraft lösbar auf die Halteoberfläche 12 aufgebracht wird. Ein Hebemittel 13 ist mit der Halteeinheit 10 verbunden, um so die Halteeinheit 10 vertikal in Richtung auf den Träger 1 oder von diesem weg zu bewegen. Ein Harzanbringmittel 14 ist in der Umgebung der Halteeinheit 10 vorgesehen, um so ein flüssiges Harz 6 an der unteren Oberfläche Wb des Wafers W anzubringen. Das Harzanbringmittel 14 beinhaltet eine strebenförmige Platte 15 zum Anbringen des flüssiges Harzes 6 daran, eine Dreheinheit 16 zum Drehen der Platte 15 um eine vertikale Achse und eine Hebeeinheit 17 zum vertikalen Bewegen der Platte 15. Dementsprechend kann, wenn die Platte 15 durch die Dreheinheit 16 gedreht wird, die Platte 15 zwischen einer Position, in der das flüssige Harz 6 von einer Düse oder dergleichen auf die Platte 15 getropft wird, und einer Position, in der das an der Platte 15 angebrachte flüssige Harz 6 an der unteren Oberfläche Wb des Wafers W angebracht wird, bewegt werden. Die Halteoberfläche 12 der Halteeinheit 10 kann mit einer Ansaugnut ausgebildet werden, die mit der Vakuumquelle in Verbindung steht, um so den Wafer W unter Ansaugen zu halten.
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Die Halteeinheit 10 wird in einer solchen Weise betätigt, dass eine durch die Vakuumquelle erzeuge Ansaugkraft auf die Halteoberfläche 12 aufgebracht wird, um dadurch die obere Oberfläche Wa des Wafers W an der Halteoberfläche 12 unter Ansaugen zu halten, so dass die untere Oberfläche Wb des Wafers W der oberen Oberfläche der an der oberen Oberfläche 1a des Trägers 1 unter Ansaugen gehaltenen Bahn 2 gegenüberliegt. Danach wird eine geeignete Menge des flüssigen Harzes 6 an der oberen Oberfläche der Platte 15 an einem Ende derselben angebracht. Danach wird die Dreheinheit 16 betätigt, um die Platte 15 zu der Position unmittelbar unterhalb der Mitte des durch die Halteeinheit 10 gehaltenen Wafers W zu drehen. Die Menge des anzubringenden flüssigen Harzes 6 ist eine kleine Menge, so dass das flüssige Harz 6 in dem an der unteren Oberfläche Wb des Wafers W angebrachten Zustand beibehalten werden kann, ohne herabzufallen. Das flüssige Harz 6 ist ähnlich zu dem flüssigen Harz 4.
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Während bei dieser bevorzugten Ausführungsform in dem Harzanbringmittel 14 die Platte 15 durch die Dreheinheit 16 gedreht wird, um das flüssige Harz 6 an der Mitte des Wafers W anzubringen, kann die Platte 15 linear bewegt werden, um das flüssige Harz 6 an der Mitte des Wafers W anzubringen. Als eine weitere Abwandlung kann eine Waferhandhabungseinheit zum Halten des Umfangsabschnitts eines Wafers verwendet werden, wobei die Waferhandhabungseinheit eine horizontale Umdrehachse aufweist, um die der durch die Waferhandhabungseinheit gehaltene Wafer umgedreht wird. Bei dieser Abwandlung wird das flüssige Harz 6 direkt an der oberen Oberfläche des durch die Waferhandhabungseinheit gehaltenen Wafers angebracht. Danach wird der das flüssige Harz 6 haltende Wafer durch Betätigen der Waferhandhabungseinheit um die Umdrehachse umgedreht. Danach wird der das flüssige Harz 6 haltende Wafer durch die Halteeinheit 10 gehalten.
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Unter erneuter Bezugnahme auf 2 wird die Hebeeinheit 17 des Harzanbringmittels 14 betätigt, um die Platte 15 anzuheben, bis das an der Platte 15 angebrachte flüssige Harz 6 an der unteren Oberfläche Wb des Wafers W an dessen Mitte angebracht wird. 3 zeigt den Zustand, in dem das flüssige Harz 6 an der Mitte der unteren Oberfläche Wb des Wafers W angebracht ist und die Platte 15 zurückgezogen ist. Das flüssige Harz 6 wird in dessen angebrachtem Zustand an der unteren Oberfläche Wb des Wafers W aufrechterhalten, ohne von der unteren Oberfläche Wb herabzufallen. Während bei dieser bevorzugten Ausführungsform die Platte 15 angehoben wird, um das flüssige Harz 6 an der unteren Oberfläche Wb des Wafers W anzubringen, kann die Halteeinheit 10 durch Betätigen des Hebemittels 13 abgesenkt werden, bis die untere Oberfläche Wb des Wafers W mit dem an der Platte 15 angebrachten flüssigen Harz 6 in Kontakt kommt.
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(3) Verteilungsschritt
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In dem in 3 gezeigten Zustand wird die Mitte des Trägers 1 in einer horizontalen Richtung so eingestellt, dass sie mit der Mitte des Wafers W in einer horizontalen Richtung übereinstimmt. Danach wird, wie in 4 gezeigt ist, das Hebemittel 13 betätigt, um die Halteeinheit 10 in Richtung auf den Träge 1 abzusenken, bis das an der unteren Oberfläche Wb des Wafers W angebrachte flüssige Harz 6 mit dem an der Bahn 2 vorliegenden flüssigen Harz 40 in Kontakt kommt. Spezieller kommt das flüssige Harz 6 mit dem unteren Ende der an der Mitte des an der Bahn 2 angesammelten flüssigen Harzes 40 ausgebildeten Aussparung 5 in Kontakt, bevor die untere Oberfläche Wb des Wafers W mit dem angesammelten flüssigen Harz 40 an der Bahn 2 in Kontakt kommt. Wenn die Halteeinheit 10 weiter abgesenkt wird, wird das flüssige Harz 6, das mit dem unteren Ende der Aussparung 5 in Kontakt gekommen ist, in das flüssige Harz 40 gedrückt, wodurch die Aussparung 5 gefüllt wird. Das heißt, das flüssige Harz 6 wird mit dem flüssigen Harz 40 integriert, so dass die Aussparung 5 gefüllt wird. Danach wird die Halteeinheit 10 weiter abgesenkt, um eine Herabdrückkraft auf das flüssige Harz 40 auszuüben. Als Folge dessen wird das flüssige Harz 40 in der radialen Richtung des Wafers W verteilt, so dass es zwischen dem Wafer W und der Bahn 2 eingefügt wird, wie in 5 gezeigt ist. In einem solchen verteilen Zustand des flüssigen Harzes 40 ist keine Aussparung an dem flüssigen Harz 40 ausgebildet, so dass keine Möglichkeit besteht, dass Luft in das flüssige Harz 40 eintreten kann. In dieser Weise wird das flüssige Harz 40 über die gesamte untere Oberfläche Wb des Wafers W verteilt.
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Während bei dieser bevorzugten Ausführungsform die Halteeinheit 10 in dem Verteilungsschritt abgesenkt wird, kann stattdessen der Träger 1 angehoben werden. Mit anderen Worten können der Träger 1 oder die Halteeinheit 10 aufeinander zu bewegt werden, um das flüssige Harz 40 herabzudrücken.
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(4) Aushärteschritt
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Nachdem der Verteilungsschritt durchgeführt wurde, wird ein Aushärteschritt durchgeführt, indem ultraviolettes Licht von mehreren Ultraviolettleuchten 18 auf das flüssige Harz 40 aufgebracht wird, wie in 6 gezeigt ist, um dadurch das in 5 gezeigte flüssige Harz 40 auszuhärten. Die mehreren Ultraviolettleuchten 18 sind innerhalb des Trägers 1 vorgesehen. Daher wird das flüssige Harz 40 durch das ultraviolette Licht ausgehärtet, um dadurch ein Schutzelement 41 zum Schützen der gesamten unteren Oberfläche Wb des Wafers W auszubilden, wie in 6 gezeigt ist. Danach wird das Halten der oberen Oberfläche Wa des Wafers an der Halteoberfläche 12 der Halteeinheit 10 unter Ansaugen aufgehoben. Danach wird das Hebemittel 13 betätigt, um die Halteeinheit 10 anzuheben, so dass die Halteoberfläche 12 von der oberen Oberfläche Wa des Wafers W getrennt wird. Danach wird die obere Oberfläche Wa des Wafers W durch Verwenden einer Schleifscheibe oder dergleichen geschliffen. Danach wird das Schutzelement 41 von der unteren Oberfläche Wb des Wafers W abgezogen und anschließend die untere Oberfläche Wb durch die Schleifscheibe in dem Zustand geschliffen, in dem die obere Oberfläche Wa an einem horizontalen Tisch gehalten wird.
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In dem oben beschriebenen Schutzelementausbildeverfahren wird der Harzanbringschritt durchgeführt, nachdem der Harzzuführschritt durchgeführt wurde, um das flüssige Harz 6 an der Mitte der oberen Oberfläche Wb des an der Halteoberfläche 12 der Halteeinheit 10 unter Ansaugen gehaltenen Wafers W in einer kleinen Menge anzubringen, so dass das flüssige Harz 6 in dem an der unteren Oberfläche Wb angebrachten Zustand beibehalten werden kann, ohne herabzufallen. Danach wird der Verteilungsschritt durchgeführt, um das flüssige Harz 40 über die gesamte untere Oberfläche Wb des Wafers W zu verteilen. Das heißt, in dem Verteilungsschritt wird das an der unteren Oberfläche Wb des Wafers W angebrachte flüssige Harz 6 zuerst mit dem unteren Ende der an dem angesammelten flüssigen Harz 40 ausgebildeten Aussparung 5 in Kontakt gebracht und kommt anschließend die untere Oberfläche Wb des Wafers W in dem anderen Bereich mit dem flüssigen Harz 40 in Druckkontakt, um das flüssige Harz 40 herabzudrücken. Dementsprechend wird die Aussparung 5 durch das flüssige Harz 6 beim Herabdrücken des flüssigen Harzes 40 beseitigt, so dass beim Verteilen des flüssigen Harzes 40 über die gesamte untere Oberfläche Wb des Wafers W keine Luftblasen in das flüssige Harz 40 eintreten.
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Danach wird der Aushärteschritt durchgeführt, um das verteilte flüssige Harz 40 auszuhärten, wodurch das Schutzelement 41 zum Schützen der gesamten unteren Oberfläche Wb des Wafers W ausgebildet wird. Dementsprechend können in dem nachfolgenden Schleifschritt beide Seiten des Wafers W geglättet werden.
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2. Zweite bevorzugte Ausführungsform des Schutzelementausbildeschritts
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Die zweite bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform mit der Ausnahme, dass der Träger 1 zum Halten der Bahn 2 und die Halteeinheit 10 zum Halten des Wafers W, die in 1A bis 6 gezeigt sind, umgedreht sind. Das heißt, wie in 7 gezeigt ist, ist bei der zweiten bevorzugten Ausführungsform eine Halteeinheit 20 zum Halten des Wafers W unterhalb eines Trägers 23 zum Halten einer Bahn 2a angeordnet. In diesem Fall ist der Träger 23 vertikal bewegbar.
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(1) Harzzuführschritt
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Wie in 7 gezeigt ist, weist die Halteeinheit 20 ein poröses Element 21 mit einer Halteoberfläche 22 auf. Die Halteoberfläche 22 ist mit einer Vakuumquelle (nicht gezeigt) verbunden. Die untere Oberfläche Wb des Wafers W wird an der Halteoberfläche 22 der Halteeinheit 20 unter Ansaugen gehalten und eine vorgegebene Menge eines flüssigen Harzes wird auf die Mitte der oberen Oberfläche Wa des an der Halteoberfläche 22 unter Ansaugen gehaltenen Wafers W getropft, wodurch eine Ansammlung von flüssigem Harz 40a an der oberen Oberfläche Wa des Wafers W an dessen mittlerem Abschnitt ausgebildet wird. Das angesammelte flüssige Harz 40a weist eine mittlere Aussparung (Ausnehmung) 5a auf. Die Menge des zu tropfenden flüssigen Harzes wird durch die Dicke des Schutzelements, das später durch Aushärten des flüssigen Harzes 40a ausgebildet werden soll, und die Fläche des Wafers W in ähnlicher Weise wie bei der ersten bevorzugten Ausführungsform bestimmt. Die Halteoberfläche 22 der Halteeinheit 20 kann mit einer Ansaugnut ausgebildet werden, die mit der Vakuumquelle in Verbindung steht, um so den Wafer W unter Ansaugen zu halten.
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(2) Harzanbringschritt
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Wie in 7 gezeigt ist, liegt der an der Halteoberfläche 22 der Halteeinheit 20 gehaltene Wafer W der unteren Oberfläche (Halteoberfläche) 23a des Trägers 23 gegenüber. Die Halteoberfläche 23a des Trägers 23 ist mit einer Vakuumquelle (nicht gezeigt) verbunden. Eine durch die Vakuumquelle erzeugte Ansaugkraft wird auf die Halteoberfläche 23a des Trägers 23 aufgebracht, um dadurch die Bahn 2a an der Halteoberfläche 23a unter Ansaugen zu halten. Dementsprechend liegt die untere Oberfläche der an der Halteoberfläche 23a des Trägers 23 unter Ansaugen gehaltenen Bahn 2a der oberen Oberfläche Wa des an der Halteoberfläche 22 der Halteeinheit 20 unter Ansaugen gehaltenen Wafers W gegenüber.
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Danach wird ein Harzanbringmittel 14a, das ähnlich zu dem Harzanbringmittel 14 in der ersten bevorzugten Ausführungsform ist, betätigt, um eine geeignete Menge eines flüssigen Harzes 6a an der unteren Oberfläche der Bahn 2a anzubringen. Das heißt, das Harzanbringmittel 14a beinhaltet eine strebenförmige Platte 15 zum Anbringen des flüssigen Harzes 6a daran, eine Dreheinheit 16 zum Drehen der Platte 15 um eine vertikale Achse und eine Hebeeinheit 17 zum vertikalen Bewegen der Platte 15. Wie in 7 gezeigt ist, wird das flüssige Harz 6a an der oberen Oberfläche der Platte 15 an einem Ende derselben angebracht. Danach wird die Dreheinheit 16 betätigt, um die Platte 15 zu der Position unmittelbar unterhalb der Mitte der durch den Träger 23 gehaltenen Bahn 2a zu drehen. Danach wird die Hebeeinheit 17 betätigt, um die Platte 15 anzuheben, bis das an der Platte 15 angebrachte flüssige Harz 6a an der untere Oberfläche der Bahn 2a an deren Mitte angebracht wird. Wie in 8 gezeigt ist, wird das flüssige Harz 6a in dessen an der unteren Oberfläche der Bahn 2a angebrachtem Zustand aufrechterhalten, ohne von dieser herabzufallen. Die Menge des anzubringenden flüssigen Harzes 6a ist eine kleine Menge, so dass das flüssige Harz 6a in dem an der unteren Oberfläche der Bahn 2a angebrachten Zustand beibehalten werden kann, ohne herabzufallen. Während bei dieser bevorzugten Ausführungsform die Platte 15 angehoben wird, um das flüssige Harz 6a an der unteren Oberfläche der Bahn 2a anzubringen, kann der Träger 23 stattdessen abgesenkt werden.
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Während bei dieser bevorzugten Ausführungsform in dem Harzanbringmittel 14a die Platte 15 durch die Dreheinheit 16 gedreht wird, um das flüssige Harz 6a an der Mitte der Bahn 2a anzubringen, kann die Dreheinheit 16 durch eine Linearbewegungseinheit zum linearen Bewegen der Platte 15 von der Außenseite der Bahn 2a in Richtung auf die Mitte der Bahn 2a ersetzt werden. Das heißt, die Platte 15 kann linear bewegt werden, um das flüssige Harz 6a an der Mitte der Bahn 2a anzubringen.
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(3) Verteilungsschritt
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Nachdem der Harzanbringschritt durchgeführt wurde, wird die Mitte des Trägers 23 in einer horizontalen Richtung so eingestellt, dass sie mit der Mitte des Wafers W in einer horizontalen Richtung übereinstimmt. Danach wird, wie in 8 gezeigt ist, der Träger 23 abgesenkt, um die durch den Träger 23 gehaltene Bahn 2a mit dem angesammelten flüssigen Harz 40 an dem Wafer W in Druckkontakt zu bringen. Spezieller kommt das an der unteren Oberfläche der Bahn 2a angebrachte flüssige Harz 6a mit dem unteren Ende der an der Mitte des angesammelten flüssigen Harzes 40a an dem Wafer W ausgebildeten Aussparung 5a in Kontakt, bevor die untere Oberfläche der Bahn 2a mit dem angesammelten flüssigen Harz 40a an dem Wafer W in Kontakt kommt. Danach wird, wenn der Träger 23 weiter abgesenkt wird, das flüssige Harz 6a, das mit dem unteren Ende der Aussparung 5a in Kontakt gekommen ist, in das flüssige Harz 40a gedrückt, wodurch die Aussparung 5a gefüllt wird. Das heißt, das flüssige Harz 6a wird mit dem flüssigen Harz 40a integriert, um so die Aussparung 5a zu füllen. Danach wird der Träger 23 weiter abgesenkt, um dadurch das flüssige Harz 40a an der oberen Oberfläche Wa des Wafers W radial zu verteilen. In einem solchen verteilten Zustand des flüssigen Harzes 40a ist keine Luft in dem flüssigen Harz 40a beinhaltet.
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Während bei dieser bevorzugten Ausführungsform der Träger 23 in dem Verteilungsschritt abgesenkt wird, kann stattdessen die Halteeinheit 20 angehoben werden. Mit anderen Worten können der Träger 23 oder die Halteeinheit 20 aufeinander zu bewegt werden, um das flüssige Harz 40a herabzudrücken.
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(4) Aushärteschritt
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Nachdem der Verteilungsschritt durchgeführt wurde, wird ein Aushärteschritt durchgeführt, indem ultraviolettes Licht von mehreren Ultraviolettleuchten 18a auf das flüssige Harz 40a aufgebracht wird, wie in 9 gezeigt ist, um dadurch das in 8 gezeigte flüssige Harz 40a auszuhärten. Die mehreren Ultraviolettleuchten 18a sind innerhalb des Trägers 23 vorgesehen. Daher wird das flüssige Harz 40a durch das ultraviolette Licht ausgehärtet, um dadurch ein Schutzelement 41a zum Schützen der gesamten oberen Oberfläche Wa des Wafers W auszubilden, wie in 9 gezeigt ist. In dem Verteilungsschritt treten beim Verteilen des flüssigen Harzes 40a über die gesamte obere Oberfläche Wa des Wafers W keine Luftblasen in das flüssige Harz 40a ein. Dementsprechend können in dem nachfolgenden, nach dem Aushärteschritt durchzuführenden Schleifschritt beide Seiten des Wafers W geglättet werden.
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Der Aufbau des Harzanbringmittels 14 oder 14a ist nicht auf den oben beschriebenen beschränkt. Zum Beispiel kann eine Leitung innerhalb der Platte 15 vorgesehen werden, um das flüssige Harz 6 oder 6a durch diese Leitung dem vorderen Ende der Platte 15 zuzuführen, von dem das flüssige Harz 6 oder 6a abgeführt werden kann.