-
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
-
1. Gebiet der Erfindung
-
Die
Erfindung betrifft eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
sowie ein Objektiv, die zum Betrieb mit einem besonders breitbandigen
Wellenlängenspektrum ausgelegt sind.
-
2. Beschreibung des Standes
der Technik
-
Integrierte
elektrische Schaltkreise und andere mikrostrukturierte Bauelemente
werden üblicherweise hergestellt, indem auf ein Substrat,
bei dem es sich beispielsweise um einen Silizium-Wafer handeln kann,
mehrere strukturierte Schichten aufgebracht werden. Zur Strukturierung
der Schichten werden diese zunächst mit einem Fotolack
bedeckt, der für Licht eines bestimmten Spektralbereiches,
z. B. Licht im ultravioletten (UV) oder tiefultravioletten Spektralbereich
(DUV, "deep ultraviolet"), empfindlich ist. Anschließend
wird der so beschichtete Wafer in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
belichtet. Dabei wird ein Muster aus beugenden Strukturen, das auf
einer Maske angeordnet ist, auf den Fotolack mit Hilfe eines Projektionsobjektivs
abgebildet. Da der Abbildungsmaßstab dabei im Allgemeinen
kleiner als 1 ist, werden derartige Projektionsobjektive häufig
auch als Reduktionsobjektive bezeichnet.
-
Nach
dem Entwickeln des Fotolacks wird der Wafer einem Ätzprozess
unterzogen, wodurch die Schicht entsprechend dem Muster auf der
Maske strukturiert wird. Der noch verbliebene Fotolack wird dann
von den verbleibenden Teilen der Schicht entfernt. Dieser Prozess
wird so oft wiederholt, bis alle Schichten auf den Wafer aufgebracht
sind.
-
Aufgrund
des Trends zu immer höher integrierten elektrischen Schaltkreisen
und der damit verbundenen Verkleinerung der Strukturen werden stetig
höhere Anforderungen an das Auflösungsvermögen
der in den mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlagen verwendeten
Objektive gestellt. Diese Anforderungen spielen nicht nur bei der
Auslegung des Projektionsobjektivs eine wichtige Rolle, sondern
beispielsweise auch bei der des sogenannten ReMa-Objektiv, das in
einem Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage dazu verwendet
wird, eine Feldblende auf die Maske abzubilden. Da das Auflösungsvermögen
auch von der zur Belichtung verwendeten Wellenlänge abhängt,
wird zudem mit Strahlungsquellen, wie beispielsweise KrF-Laser mit
einer Mittenwellenlänge von 248 nm, ArF-Laser mit 193 nm
Mittenwellenlänge oder F2-Laser
mit 157 nm Mittenwellenlänge, immer kurzwelligeres Projektionslicht
zur Belichtung erzeugt.
-
Für
das maximal erreichbare Auflösungsvermögen der
Objektive ist aber auch die spektrale Breite des Projektionslichts
von großer Bedeutung. Aufgrund der Dispersion, d. h. der
Abhängigkeit des Brechungsindexes von der Wellenlänge
des Lichts, werden nämlich die verschiedenen Wellenlängen
des Projektionslichts an den in den Objektiven verwendeten Linsen
und anderen refraktiven optischen Elementen unterschiedlich gebrochen.
Der dadurch auftretende Farbfehler, die sogenannte chromatische Aberration,
begrenzt dann zusätzlich das Auflösungsvermögen
der Belichtungsanlage. Daher wird versucht, möglichst schmalbandige
Lichtquellen zu verwenden. So hat das Licht der für eine
Mittenwellenlänge von 248 nm üblicher weise verwendeten KrF-Laser
beispielsweise eine spektrale Breite von 0.3 nm FWHM ("Full Width
Half Maximum", d. h. volle Breite bei halber Höhe). Diese
wird aber vorzugsweise mit im Oszillator des Lasers angeordneten
Elementen zur Auswahl der Wellenlänge auf spektrale Breiten
von 1.0–1.5 pm begrenzt.
-
Um
das reale Auflösungsvermögen möglichst
nahe an das durch die Mittenwellenlänge des Projektionslichts
theoretisch vorgegebene Auflösungsvermögen heranzuführen,
wird zudem versucht, die chromatische Aberration des Projektionsobjektivs
sowie des ReMa-Objektivs innerhalb der spektralen Breite mit geeigneten
Mitteln weitgehend zu korrigieren. Eine solche Achromatisierung
wird herkömmlich durch die Verwendung von Kombinationen
unterschiedlicher Linsengläser und Linsenmaterialien erreicht.
-
Transparente
optische Materialien lassen sich anhand der Abbeschen Zahl, welche
einen groben Anhaltspunkt für die Größe
der Dispersion im Bereich des sichtbaren Lichts gibt, in Kron- und
Flintgläser unterteilen. Historisch bedingt werden dabei
auch andere optische Materialien wie etwa Kristalle von dem Begriff
"Glas" umfasst. Die Abbesche Zahl ν
d ist definiert
als
wobei n
d,
n
F und n
C die Brechungsindizes
des Materials bei den Wellenlängen der d-, F- und C-Fraunhoferlinien
sind. Ein Material mit einer niedrigen Dispersion hat somit eine
hohe Abbesche Zahl. Krongläser haben eine Abbesche Zahl
größer als 55 (für Brechungsindizes über
1.6 größer 50) und weisen somit eine niedrigere
Dispersion auf. Flintgläser, die eine Abbesche Zahl kleiner
als 50 bzw. 55 haben, weisen eine höhere Dispersion als
Krongläser auf.
-
Durch
den zusätzlichen Freiheitsgrad aufgrund der verschiedenen
Dispersionen können dann Kombinationen aus Sammel- und
Zerstreuungslinsen aus Kron- und Flintglas zur Achromatisierung verwendet
werden. Die dazu notwendigen Flintgläser sind jedoch bei
Wellenlängen im UV-Bereich wegen ihrer speziellen Anforderungen
an Reinheit und Strahlungsfestigkeit besonders aufwändig
in der Herstellung und damit teuer. Zudem geht mit der Achromatisierung
mittels Flintglaslinsen meist eine Erhöhung der Gesamtzahl
an Linsen einher, da im allgemeinen für jede Flintglaslinse
mehrere zusätzliche Kronglaslinsen benötigt werden,
um die optischen Eigenschaften zu erhalten. Es ist deshalb besonders günstig,
mit möglichst wenig Flintglaslinsen auszukommen.
-
Im
tiefultravioletten Spektralbereich ab 248 nm abwärts stehen
nur noch sehr wenige Materialien wie beispielsweise Quarzglas (SiO2) und Kalziumfluorid (CaF2)
als Linsenmaterialien zur Verfügung, da die meisten optischen
Materialien in diesem Spektralbereich keine ausreichend guten Transmissionseigenschaften
mehr haben. Da es sich sowohl bei Quarzglas als auch bei Kalziumfluorid
um Krongläser handelt und beide Materialien somit ein ähnliches Dispersionsverhalten
aufweisen, wird es bei kleiner werdenden Wellenlängen zunehmend
schwieriger, die chromatische Aberration zu korrigieren. Erschwerend
kommt hinzu, dass der relative Einfluss der spektralen Breite des
Projektionslichts auf die chromatische Aberration bei kürzer
werdenden Wellenlängen steigt und somit eine gute chromatische
Korrektur immer aufwändigere und damit kostspieligere Projektions-
und ReMa-Objektive erfordert.
-
Daher
wird in der
US 5 754 340 vorgeschlagen,
ein diffraktives optisches Element zur Korrektur der chromatischen
Aberration zu verwenden. Dabei wird ausgenutzt, dass die Dispersion
eines diffraktiven optischen Elements bei qualitativ gleichartiger Brechwirkung
(Sammel- oder Zerstreuungswirkung) ein zu einem refraktiven optischen
Linsenelement gegensätzliches Dispersionsverhalten aufweist.
-
Die
US 6 266 192 offenbart ein
Projektionsobjektiv, bei dem vollständig auf ein zweites
Linsenmaterial verzichtet wurde und die chromatische Aberration
ausschließlich durch die Kombination von refraktiven optischen
Elementen aus Quarzglas und diffraktiven optischen Elementen korrigiert
wird. Diese Vorgehensweise ist aus wirtschaftlicher Sicht sehr günstig,
da es sich bei dem zweiten Linsenmaterial, auf das verzichtet wurde,
normalerweise um Kalziumfluorid handelt, das hinsichtlich Herstellung
und Bearbeitung aufwändig und damit teuer ist.
-
Die
Leistungsfähigkeit der verwendeten Projektionsbelichtungsanlagen
wird jedoch nicht nur durch das Auflösungsvermögen
und sonstige Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs oder des
ReMa-Objektivs, sondern auch durch den Belichtungsdurchsatz der
Anlagen bestimmt. Dieser hängt wiederum maßgeblich
von der zur Belichtung verfügbaren Lichtmenge ab.
-
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
-
Aufgabe
der Erfindung ist es deshalb, eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie
ein Objektiv anzugeben, mit welchen sich ein höherer Durchsatz
erreichen lässt.
-
Bezüglich
des Objektivs wird diese Aufgabe erfindungsgemäß durch
ein Objektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
gelöst, das zum Betrieb mit einem von einem Beleuchtungssystem
vorgegebenen breitbandigen Wellenlängenspektrum ausgelegt
ist. Das Wellenlängenspektrum erstreckt sich dabei um eine
Mittelwellenlänge herum, die größer als
254 nm ist und eine spektrale Breite von mindestens 0.2 nm hat.
Ferner weist das Objektiv ein diffraktives optisches Element und
ein refraktives optisches Element auf.
-
Die
Erfindung geht dabei nicht den herkömmlichen Weg, mit Hilfe
von diffraktiven optischen Elementen eine bestmögliche
Korrektur der chromatischen Aberration bei immer kürzeren
Wellenlängen und kleinerer Bandbreite des Projektionslichts
herbeizuführen, um höchste Auflösungen
zu erreichen. Stattdessen wird vorgeschlagen, die bekannten diffraktiven
optischen Elemente auch bei der Verwendung von langwelligem Projektionslicht
zur Achromatisierung des Objektivs zu verwenden. Für den
Verzicht auf höchste Auflösungen erhält
man dafür eine ausreichend gute chromatische Aberration über
eine sehr große Bandbreite hinweg, und zwar mit einer relativ
geringen Gesamtzahl an Linsen. Infolge der größeren
nutzbaren Bandbreite des Projektionslichts erhöht sich
die zur Abbildung zur Verfügung stehende Lichtmenge, was
kürzere Belichtungszeiten und damit einen höheren
Durchsatz bei dennoch sehr guten Abbildungseigenschaften ermöglicht.
So lässt sich z. B. trotz der großen Bandbreite
die Queraberration über das nutzbare Feld leicht auf Werte
unter 0.5 μm mit einem quadratischen Mittel kleiner als
0.1 μm begrenzen.
-
Vorzugsweise
weist ein erfindungsgemäßes Objektiv mindestens
ein refraktives optisches Element auf, das einen Körper
aus Flintglas hat. Dies hat den Vorteil, dass ein Großteil
der chromatischen Aberration durch das refraktive optische Element
aus Flintglas korrigiert wird und somit das verwendete diffraktive
optische Element eine geringere Brechkraft aufweisen muss.
-
Noch
günstiger ist es, wenn das Objektiv genau ein refraktives
optisches Element aufweist, das einen Körper aus Flintglas
hat. Da die zur Achromatisierung notwendigen Flintgläser
teuer sind und die zur Achromatisierung notwendige entgegengesetzte Brechkraft der
Flintglaslinsen durch entsprechend stärkere und mehr Kronglaslinsen
ausgeglichen werden muss, ist es günstig, mit möglichst
wenig Flintglaslinsen auszukommen.
-
Durch
die Kombination aus relativ langwelligem Projektionslicht und der
Verwendung eines oder mehrerer diffraktiver optischer Elemente ist
es möglich, das Objektiv zum Betrieb mit einem Wellenlängenspektrum
auszulegen, das eine spektrale Breite von mindestens 1 nm oder sogar
mindestens 3 nm hat. Entsprechend groß ist dann die Lichtmenge,
die zur Belichtung der Strukturen zur Verfügung steht.
-
In
diesem Zusammenhang ist weiterhin vorteilhaft, wenn das Wellenlängenspektrum
im Bereich zwischen 363.5 nm und 366.5 nm liegt, da dadurch ein
großer Anteil der Lichtmenge aus der i-Linie einer Quecksilberdampflampe
verwendet werden kann.
-
Bezüglich
der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage wird die
eingangs gestellte Aufgabe durch eine Anlage gelöst, die
ein Beleuchtungssystem aufweist, mit dem breitbandiges Projektionslicht
auf eine Maske richtbar ist, wobei es vorteilhaft ist, dass das
Beleuchtungssystem einen XeF-Laser, eine Quecksilberdampflampe oder
eine LED als Lichtquelle enthält. Ferner weist die Anlage
ein Objektiv auf, das ein diffraktives optisches Element und ein
refraktives optisches Element aufweist und das entweder in dem Beleuchtungssystem
enthalten ist oder mit dem die Maske in eine Bildebene abbildbar ist.
Da das Objektiv an das breitbandige Projektionslicht der Lichtquelle,
das eine spektrale Breite von mindestens 0.2 nm hat und dessen Mittelwellenlänge größer
als 254 nm ist, angepasst ist, ergibt sich eine optimale Nutzung
des von der Lichtquelle erzeugten Lichts.
-
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHUNGEN
-
Weitere
Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden
Beschreibung der Ausführungsbeispiele anhand der Zeichnungen. Darin
zeigen:
-
1 eine
stark vereinfachte perspektivische Darstellung einer mikrolithographischen
Projektionsbelichtungsanlage;
-
2 einen
Meridionalschnitt durch ein besonders für einen Stepperbetrieb
geeignetes Projektionsobjektiv, das zur Nutzung von Projektionslicht der
Wellenlänge 351 nm und einer spektralen Breite von 1 nm
ausgelegt ist;
-
3 einen
Meridionalschnitt durch ein besonders für einen Scannerbetrieb
geeignetes Projektionsobjektiv, das zur Nutzung von Projektionslicht der
Wellenlänge 365 nm und einer spektralen Breite von 3 nm
ausgelegt ist;
-
4 einen
Meridionalschnitt durch ein besonders für einen Stepperbetrieb
geeignetes Projektionsobjektiv, das zur Nutzung von Projektionslicht der
Wellenlänge 365 nm und einer spektralen Breite größer
als 3 nm ausgelegt ist;
-
5 einen
Meridionalschnitt durch ein sowohl für einen Stepperbetrieb
als auch für einen Scannerbetrieb geeignetes Projektionsobjektiv,
das zur Nutzung mit Projektionslicht der Wellenlänge 365 nm
und einer spektralen Breite von 3 nm ausgelegt ist.
-
BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
-
Die 1 zeigt
in einer stark schematisierten perspektivischen Darstellung eine
Projektionsbelichtungsanlage 10, die für die lithographische
Herstellung mikrostrukturierter Bauteile geeignet ist. Die Projektionsbelichtungsanlage 10 enthält
ein Beleuchtungssystem 12, das mit Hilfe eines sogenannten
ReMa-Objektivs auf einer Maske 14 ein schmales, in dem
dargestellten Ausführungsbeispiel rechteckiges Beleuchtungsfeld 16 ausleuchtet.
Das Beleuchtungssystem 12 enthält eine Lichtquelle,
mit der Projektionslicht erzeugbar ist, dessen Mittenwellenlänge
größer als 254 nm ist. Als Lichtquelle in Betracht
kommt beispielsweise eine Quecksilberdampflampe, deren i-Linie eine
Mittenwellenlänge von 365.5 nm und einen Spektralbereich
von 363.5 nm bis 366.5 nm hat. Als Lichtquelle geeignet sind auch
XeF-Laser, die Licht mit einer Mittenwellenlänge von 351
nm und einer spektralen Breite von 0.2 nm erzeugen. Ferner kann
die Lichtquelle auch eine oder mehrere lichtstarke LED-Anordnungen
enthalten.
-
Innerhalb
des Beleuchtungsfeldes 16 liegende Strukturen 18 auf
der Maske 14 werden mit Hilfe eines Projektionsobjektivs 20 auf
eine lichtempfindliche Schicht 22 abgebildet. Die lichtempfindliche Schicht 22,
bei der es sich zum Beispiel um einen Fotolack handeln kann, ist
auf einem Wafer 24 oder einem anderen geeigneten Substrat
aufgebracht und befindet sich in der Bildebene des Projektionsobjektivs 20.
Da das Projektionsobjektiv 20 im Allgemeinen einen Abbildungsmaßstab
|β| < 1
hat, werden die innerhalb des Beleuchtungsfeldes 16 liegenden
Strukturen 18 verkleinert als 16' abgebildet.
-
Die
Projektionsbelichtungsanlage 10 kann für einen
Scannerbetrieb, einen Stepperbetrieb oder beides ausgelegt sein.
Im Scannerbetrieb werden die Maske 14 und der Wafer 24 während
der Projektion entlang einer üblicherweise als Y-Richtung
bezeichneten Richtung verfahren. Das Verhältnis der Verfahrgeschwindigkeit
ist dabei gleich dem Abbildungsmaßstab β des Projektionsobjektivs 20.
Falls das Projektionsobjektiv 20 eine Invertierung des
Bildes erzeugt, verlaufen die Verfahrbewegungen der Maske 14 und
des Wafers 22 gegenläufig, wie dies in der 1 durch
Pfeile A1 und A2 angedeutet ist. Auf diese Weise wird das Beleuchtungsfeld 16 in
einer Scanbewegung über die Maske 14 geführt,
so dass auch größere strukturierte Bereiche zusammenhängend
auf die lichtempfindliche Schicht 22 projiziert werden
können.
-
Bei
einem Stepperbetrieb hingegen findet die Verfahrbewegung der Maske 14 und
des Wafers 24 nicht während der Projektion statt.
Stattdessen werden die Maske 14 und der Wafer 24 während
kurzen Belichtungspausen verfahren und so schrittweise der gesamte
strukturierte Bereich projiziert.
-
Im
Folgenden werden anhand der 2 bis 5 verschiedene
Ausführungsbeispiele für das Projektionsobjektiv 20 beschrieben,
die für einen Stepperbetrieb, einen Scannerbetrieb oder
sowohl für einen Stepperbetrieb als auch einen Scannerbetrieb
optimiert sind.
-
Die 2 zeigt
in einem Meridionalschnitt ein erstes, mit 120 bezeichnetes
Ausführungsbeispiel für das Projektionsobjektiv 20.
Entsprechend der in der Optik üblichen Konvention erfolgt
die Lichtausbreitung in der Zeichnung von links nach rechts. Das
Projektionsobjektiv 120 ist so ausgelegt, dass es eine
Maskenebene 126 mit einem Abbildungsmaßstab von β = – 0.25
in eine Bildebene 128 abbildet, d. h. ein verkleinertes
Bild der in der Maskenebene 126 liegenden Strukturen 18 erzeugt.
Das Projektionsobjektiv 120 stellt hierzu ein Objektfeld von
26 mm × 33 mm Größe bei einer numerischen Apertur
von NA = 0.62 zur Verfügung. Ein solches Objektfeld ist
besonders für einen Stepperbetrieb der mikrolithographischen
Projektionsbelichtungsanlage 10 geeignet. Wie aus der 2 ersichtlich
ist, weist das Projektionsobjektiv 20 hierzu eine Anordnung von
refraktiven optischen Elementen L101 bis L114 auf, die ausschließlich
aus Krongläsern, nämlich Quarzglas und FK5-Glas,
bestehen und gegebenenfalls Antireflexschichten tragen. Die Antireflexschichten
können beispielsweise Anordnungen von Schichten mit unterschiedlichen
Brechungsindizes aufweisen.
-
Damit
das Projektionsobjektiv
120 mit Projektionslicht mit einer
Mittenwellenlänge von 351 nm und einer Bandbreite von 1
nm betrieben werden kann, wird in diesem Ausführungsbeispiel
die chromatische Aberration allein mit Hilfe eines in der Nähe einer
Pupilleebene
130 angeordneten diffraktiven optischen Elements
132 korrigiert.
Ein solches diffraktives optisches Element
132 kann beispielsweise ähnlich
oder genauso wie das in der
US
7 149 030 offenbarte diffraktive optische Element ausgebildet
sein. Bei dem dort offenbarten diffraktiven optischen Element variiert
die Höhe der beugenden Strukturen über den Radius
des Elements hinweg derart, dass am Rand des Elements die lokale
Beugungseffizienz nicht abfällt, wie dies wegen der kleiner
werdenden Beugungsstrukturen normalerweise der Fall ist. Auf diese
Weise hat das dort beschriebene diffraktive optische Element eine
weitgehend ortsunabhängige Beugungseffizienz.
-
Im
vorliegenden Ausführungsbeispiel weist das diffraktive
optische Element 132 eine große Brennweite von
etwa f = 1600 mm auf und hat somit nur eine verhältnismäßig
schwache Brechkraft. Die minimalen Gitterperioden, die am Rande
des diffraktiven optischen Elements 132 auftreten, sind
deshalb in einer Größenordnung von circa p = 4 μm
und lassen sich mit gängigen Verfahren relativ leicht herstellen.
-
Die 3 zeigt
in einem Meridionalschnitt ein zweites, mit 220 bezeichnetes
Ausführungsbeispiel für das Projektionsobjektiv 20,
das für den Betrieb mit dem Licht der i-Linie einer Quecksilberdampflampe
geeignet ist. Das Projektionsobjektiv 220 hat eine nu merische
Apertur von NA = 0.65 bei einem Objektfeld von 26 mm × 13.9
mm Größe und ist somit besonders für
den Scannerbetrieb geeignet. Wie in der 3 erkennbar
ist, bildet eine Anordnung von refraktiven optischen Elementen L201
bis L214 sowie ein diffraktives optisches Element 232,
das nahe der Pupillenebene 230 angeordnet ist, die Maskenebene 226 in
die Bildebene 228 ab.
-
Im
Gegensatz zum vorherigen Ausführungsbeispiel weist das
Projektionsobjektiv 220 in diesem Ausführungsbeispiel
allerdings eine zerstreuend wirkende Linse L211 auf, deren Linsenkörper
aus LF5-Flintglas hergestellt ist und die zu einem großen Teil
die Korrektur der chromatischen Aberration übernimmt. Die
Kombination von Elementen mit drei unterschiedlichen Dispersionen,
nämlich der refraktiven optischen Elemente L201–L210
sowie L212–L214 aus Kronglas, der Flintglaslinse L211 und
dem diffraktiven optischen Element 232 macht es möglich, auch
das sogenannte sekundäre Spektrum der chromatischen Aberration über
einen großen Spektralbereich zu korrigieren (sog. Apochromat).
Daher ist das Projektionsobjektiv 220 zur Nutzung bei einer
Mittenwellenlänge vom 365 nm und einer spektralen Breite von
3 nm geeignet, ohne dass die Abbildungsqualität wegen chromatischer
Aberrationen in untolerierbarer Weise leidet. Da zudem das diffraktive
optische Element 232 eine relativ große Brennweite
von etwa f = 2000 mm aufweist, sind die minimalen Gitterperioden der
Beugungsstrukturen, die am Rande des diffraktiven optischen Elements 232 auftreten,
in einer Größenordnung von circa p = 7.5 μm.
Das diffraktive optische Element 232 lässt sich
daher durch gängige Verfahren noch leichter herstellen
als das in 2 gezeigte diffraktive optische
Element 132.
-
Die 4 zeigt
ein drittes, mit 320 bezeichnetes Ausführungsbeispiel
für das Projektionsobjektiv 20. Das Projektionsobjektiv 320 weist
eine Anordnung von refraktiven optischen Elementen L301 bis L316
sowie das diffraktive optische Element 332 auf. Wie das Projektionsobjektiv 220 gemäß dem
zweiten Ausführungsbeispiel ist es für Projektionslicht
mit einer Mittenwellenlänge von 365 nm und einer spektralen
Breite von 3 nm ausgelegt. Das vorliegende Projektionsobjektiv 320 stellt
jedoch ein Objektfeld von 26 mm × 33 mm Größe
bei einer numerischen Apertur von NA = 0.62 zur Verfügung,
so dass es besonders für den Stepperbetrieb geeignet ist.
Die minimale Gitterperiode am Rand des diffraktiven optischen Elements 332 beträgt
p = 10 μm bei einer Brennweite von etwa f = 2300 mm.
-
Die 5 zeigt
ein viertes, mit 420 bezeichnetes Ausführungsbeispiel
für das Projektionsobjektiv 20, das sowohl im
Scannerbetrieb mit einem Objektfeld von 26 mm × 13.9 mm
Größe und einer numerischen Apertur von NA = 0.65,
als auch im Stepperbetrieb mit einem Objektfeld von 26 mm × 33
mm Größe und einer numerischen Apertur von NA
= 0.62 nutzbar ist. Da das Projektionsobjektiv 420 wiederum für
eine Mittenwellenlänge von 365 nm und einer spektralen
Breite von 3 nm des Projektionslichts ausgelegt ist, ist es zum
Betrieb mit dem breitbandigen Licht der i-Linie einer Quecksilberdampflampe
als Projektionslicht geeignet.
-
All
die oben aufgeführten Erfindungsgedanken lassen sich auch
in entsprechender Weise bei der Konstruktion eines ReMa-Objektivs
verwenden.
-
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
-
Diese Liste
der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert
erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information
des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen
Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt
keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
-
Zitierte Patentliteratur
-
- - US 5754340 [0010]
- - US 6266192 [0011]
- - US 7149030 [0033]