[go: up one dir, main page]

DE102008037051A1 - Verfahren zur Selbstjustage von Sägedrähten in vorgefertigten Rillen eines quaderförmigen Ingots - Google Patents

Verfahren zur Selbstjustage von Sägedrähten in vorgefertigten Rillen eines quaderförmigen Ingots Download PDF

Info

Publication number
DE102008037051A1
DE102008037051A1 DE102008037051A DE102008037051A DE102008037051A1 DE 102008037051 A1 DE102008037051 A1 DE 102008037051A1 DE 102008037051 A DE102008037051 A DE 102008037051A DE 102008037051 A DE102008037051 A DE 102008037051A DE 102008037051 A1 DE102008037051 A1 DE 102008037051A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wafer
normal direction
profile
separating
ingot
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102008037051A
Other languages
English (en)
Inventor
Werner Prof. Dr. Bergholz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jacobs University gGmbH
Original Assignee
Jacobs University gGmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jacobs University gGmbH filed Critical Jacobs University gGmbH
Priority to DE102008037051A priority Critical patent/DE102008037051A1/de
Publication of DE102008037051A1 publication Critical patent/DE102008037051A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/042Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with blades or wires mounted in a reciprocating frame
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00Manufacture or treatment of devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abtrennen eines Wafers insbesondere für Solarzellen von einem quaderförmigen Ingot, wobei dem Ingot wenigstens an drei Seiten ein Profil aufgeprägt ist, wobei ein Trennwerkzeug auf einer ersten Seite des Ingots entlang des dortigen Profils in Normalenrichtung zum Abtrennen des Wafers eingerichtet ist, wobei das Trennwerkzeug in wenigstens einem den zur Normalenrichtung parallelen Profil mittels einer ersten Führungsvorrichtung geführt ist und das Trennwerkzeug in Normalenrichtung den Wafer vom Ingot abtrennt.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abtrennen eines Wafers insbesondere für Solarzellen von einem quaderförmigen Ingot, wobei dem Ingot wenigstens an drei Seiten ein Profil aufgeprägt ist, wobei ein Trennwerkzeug auf einer ersten Seite des Ingots entlang des dortigen Profils in Normalenrichtung zum Abtrennen des Wafers eingerichtet ist.
  • Aus polykristalinen oder monokristalinen Ingots werden durch Abtrennprozesse Wafer für die Solar- und Elektroindustrie gewonnen. Um ein definiertes Kantenprofil für die Wafer zu erhalten, werden, wie in der DE 102006060195 beschrieben, den Ingots Profile aufgeprägt. Wird ein Wafer von einem profillosen oder profilierten Ingot ein Wafer abgetrennt, können insbesondere beim Drahtsägen Welligkeiten am Wafer auftreten. Dies kann insbesondere in der Photovoltaik dazu führen, dass die Ausbeute einer Solarzelle reduziert ist. Weiterhin kann es beim Abtrennen des Wafers dazu kommen, dass der Sägedraht beim Sägen „auswandert”, d. h., dass der Sägedraht beim Sägen die vorgegebene Richtung verlässt.
  • Aufgabe der Erfindung ist es die Nachteile des Standes der Technik zu beseitigen.
  • Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren zum Abtrennen eines Wafers insbesondere für Solarzellen von einem quaderförmigen Ingot, wobei dem Ingot wenigstens an drei Seiten ein Profil aufgeprägt ist, wobei ein Trennwerkzeug auf einer ersten Seite des Ingots entlang des dortigen Profils in Normalenrichtung zum Abtrennen des Wafers eingerichtet ist, wobei das Trennwerkzeug in wenigstens einem den zur Normalenrichtung parallelen Profil mittels einer ersten Führungsvorrichtung geführt ist und das Trennwerkzeug in Normalenrichtung den Wafer vom Ingot abtrennt.
  • Dadurch kann in vorteilhafter Weise das „Auswandern” an einer Position verhindert werden, da das Trennwerkzeug mittels des Normalenprofils stabilisiert wird. Dabei kann das Verfahren sowohl für monokristaline als auch für polykristaline Ingots eingesetzt werden. Weiterhin kann vorteilhafter Weise beim Abtrennen, fast während des gesamten Abtrennvorgangs durch Führungsvorrichtung, welche durch das Profil positionierbar ist, das Trennwerkzeug geführt werden.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltungsform der Erfindung kann bei dem Verfahren eine zweite Führungseinrichtung vorgesehen sein, welche ebenfalls das Trennwerkzeug in den zur Normalenrichtung parallelen Profil führt. Das Profil für die zweite Führungsvorrichtung liegt bevorzugter Weise gegenüber dem Profil, welches für die erste Führungsvorrichtung vorgesehen ist, auf der anderen Seite des Ingots. Dadurch kann vorteilhafter Weise das Trennwerkzeug an zwei Stellen geführt werden, wodurch sich ein „Auswandern” verhindern bzw. begrenzen lässt.
  • In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens kann das Trennwerkzeug als Säge ausgestaltet sein.
  • Insbesondere sind Sägemittel wie Sägedrähte oder andere Sägemittel wie sie zum Abtrennen von Wafern verwendet werden umfasst.
  • In eine bevorzugten Ausgestaltungsform des Verfahrens können die Führungsvorrichtungen formschlüssig mit dem Profil anhand dessen die Führung erfolgt ausgestaltet sein. Dadurch kann vorteilhafter Weise eine hohe Stabilität gewährt werden. Hier können auch Federelemente vorgesehen sein, welche die Führungsvorrichtungen in die Führung pressen.
  • In einer weiteren Ausgestaltungsform können die Führungsvorrichtungen gleitend oder rollend ausgestaltet sein. Dadurch kann das Abtrennen des Wafers in Normalenrichtung erleichtert sein, da die Führungsvorrichtungen bei Positionsveränderungen in ihren Profilen leichter bewegen lassen.
  • In einer weiteren Ausgestaltungsform können die Führungsvorrichtungen das Trennwerkzeug am Ende dessen Profils führen. Dadurch wird das Trennwerkzeug an beiden Enden des parallel zum Trennwerkzeug führenden Profils geführt.
  • Im Weiteren wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert.
  • Dabei stellt
  • 1 einen profilierten Ingot, von dem ein Wafer abgetrennt wird in Seiten- und Draufsicht,
  • 2 die erfinderische Führung für die Sägemittel und
  • 3 die Führung mit Sägemittel dar.
  • Die Säge 103 in 1 vollzieht eine Sägebewegung in AA Richtung und arbeitet sich in Normalenrichtung B durch den Ingot. Dabei wird ein Wafer 105 abgetrennt. Die Säge wird in 2 mittels der Führungsmittel 203 geführt. Durch das Einpressen mittels der Feder 201 erfolgt die Führung direkt am Ingot, wodurch ein Auswandern der Säge bzw. Sägeblatts verhindert wird. Die Führungsmittel 203 sind hier gleitend in Normalenrichtung B ausgestaltet und werden entsprechend des Sägevorgangs mit in Normalenrichtung B bewegt.
  • In 3 erfolgt die eigentliche Führung des Sägeblattes 103 mittels der herausstehenden Führungselemente 301. Die Führungselemente 301 stehen in einer festen Verbindung mit den Führungsmitteln, welche somit die Führungselemente 301 umfassen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - DE 102006060195 [0002]

Claims (9)

  1. Verfahren zum Abtrennen eines Wafers (105) insbesondere für Solarzellen von einem quaderförmigen Ingot (101), wobei dem Ingot (101) wenigstens an drei Seiten ein Profil (107) aufgeprägt ist, wobei ein Trennwerkzeug (103) auf einer ersten Seite des Ingots (101) entlang des dortigen Profils in Normalenrichtung (B) zum Abtrennen des Wafers (105) eingerichtet ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Trennwerkzeug (103) in wenigstens einem den zur Normalenrichtung (B) parallelen Profil mittels einer ersten Führungsvorrichtung (203) geführt ist und das Trennwerkzeug (103) in Normalenrichtung (B) den Wafer (105) vom Ingot (101) abtrennt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei eine zweite Führungseinrichtung vorgesehen ist, welche ebenfalls das Trennwerkzeug in den zur Normalenrichtung parallelen Profil führt.
  3. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Trennwerkzeug als Säge ausgestaltet ist.
  4. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Führungsvorrichtungen formschlüssig mit dem Profil anhand dessen die Führung erfolgt ausgestaltet sind.
  5. Verfahren nach einem der Vorherigen Ansprüche, wobei die Führungsvorrichtungen gleitend oder rollend entlang des Profils ausgestaltet sind.
  6. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Führungsvorrichtungen das Trennwerkzeug am Ende dessen Profils führen.
  7. Vorrichtung, welche das Verfahren der Ansprüche 1 bis 5 ausführt.
  8. Wafer, welcher durch das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5 entsteht.
  9. Solarpanel, welches einen Wafer nach Anspruch 7 umfasst.
DE102008037051A 2008-08-09 2008-08-09 Verfahren zur Selbstjustage von Sägedrähten in vorgefertigten Rillen eines quaderförmigen Ingots Withdrawn DE102008037051A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008037051A DE102008037051A1 (de) 2008-08-09 2008-08-09 Verfahren zur Selbstjustage von Sägedrähten in vorgefertigten Rillen eines quaderförmigen Ingots

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008037051A DE102008037051A1 (de) 2008-08-09 2008-08-09 Verfahren zur Selbstjustage von Sägedrähten in vorgefertigten Rillen eines quaderförmigen Ingots

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102008037051A1 true DE102008037051A1 (de) 2010-02-11

Family

ID=41501278

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008037051A Withdrawn DE102008037051A1 (de) 2008-08-09 2008-08-09 Verfahren zur Selbstjustage von Sägedrähten in vorgefertigten Rillen eines quaderförmigen Ingots

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102008037051A1 (de)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3036406A1 (de) * 1980-09-26 1982-05-13 Peter Ing.(grad.) 8221 Stein Herkt Bandsaege, insbesondere fuer kirstalline oder kristallaehnliche materialien, mit einem um umlaufrollen umlaufenden endlosen saegeband
JPH02155231A (ja) * 1988-12-08 1990-06-14 Fujitsu Ltd ウェーハの製造方法
JPH07232319A (ja) * 1994-02-24 1995-09-05 M Setetsuku Kk インゴットのスライス方法
JPH08155948A (ja) * 1994-12-06 1996-06-18 Disco Abrasive Syst Ltd インゴット溝付け装置
US20060174862A1 (en) * 2005-02-08 2006-08-10 Sumco Corporation Method for cutting a single crystal ingot
DE102006060195A1 (de) 2006-12-18 2008-06-26 Jacobs University Bremen Ggmbh Kantenverrundung von Wafern
DE112006003567T5 (de) * 2005-12-27 2008-10-30 Bp Corporation North America Inc., Warrenville Verfahren zum Ausbilden elektrischer Kontakte auf einem Halbleiterwafer unter Verwendung einer Phasenwechsel-Druckfarbe

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3036406A1 (de) * 1980-09-26 1982-05-13 Peter Ing.(grad.) 8221 Stein Herkt Bandsaege, insbesondere fuer kirstalline oder kristallaehnliche materialien, mit einem um umlaufrollen umlaufenden endlosen saegeband
JPH02155231A (ja) * 1988-12-08 1990-06-14 Fujitsu Ltd ウェーハの製造方法
JPH07232319A (ja) * 1994-02-24 1995-09-05 M Setetsuku Kk インゴットのスライス方法
JPH08155948A (ja) * 1994-12-06 1996-06-18 Disco Abrasive Syst Ltd インゴット溝付け装置
US20060174862A1 (en) * 2005-02-08 2006-08-10 Sumco Corporation Method for cutting a single crystal ingot
DE112006003567T5 (de) * 2005-12-27 2008-10-30 Bp Corporation North America Inc., Warrenville Verfahren zum Ausbilden elektrischer Kontakte auf einem Halbleiterwafer unter Verwendung einer Phasenwechsel-Druckfarbe
DE102006060195A1 (de) 2006-12-18 2008-06-26 Jacobs University Bremen Ggmbh Kantenverrundung von Wafern

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2874804B1 (de) Keiltrieb
DE102013020662B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Lamellen für ein Lamellenpaket, insbesondere für elektrische Maschinen und Generatoren, Vorrichtung mit wenigstens einer Stanzpresse sowie nach dem Verfahren hergestellte Lamelle und Lamellenpaket
EP2882042A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Montage eines Kennzeichnungsschildes
DE102016114344B3 (de) Schneidklemmwerkzeug und Schneidklemme
DE102007000409A1 (de) Kreissägenständer
DE102015204844A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Verbinden von Batteriezellen sowie Batteriepack, Batteriemodul, Batterie sowie Fahrzeug
EP2922659A1 (de) Verfahren zum herstellen einer ventileinrichtung sowie entsprechende ventileinrichtung
DE102016202796A1 (de) Scherenschnittsystem für Drahtverformungsmaschine sowie Drahtverformungsmaschine mit Scherenschnittsystem
DE2743242C2 (de)
DE102008037051A1 (de) Verfahren zur Selbstjustage von Sägedrähten in vorgefertigten Rillen eines quaderförmigen Ingots
DE102010008998A1 (de) Vorrichtung zur Bearbeitung eines Kunststoffwerkstückes
EP3382865B1 (de) Schneidvorrichtung zum abschneiden von drahtbündelenden und verfahren zur herstellung eines stators
EP1462808B1 (de) Anschlussvorrichtung für einen Stromzähler
DE2831882C3 (de) Stromabnehmerwagen
DE102014116972A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Einstellen eines Messerpakets eines Messerrings auf einen vorbestimmten Messervorstand
DE3115285A1 (de) Verfahren zur herstellung einer kontaktflaeche und einrichtung zu seiner durchfuehrung
DE10357923A1 (de) Vorrichtung zum Umformen oder Zerteilen von Werkstücken mit integrierter Absaugeinrichtung
DE10305931B4 (de) Vorrichtung zur Befestigung von Bauteilen elektrischer Zähler- und Verteilereinrichtungen an einer Trägerschiene
DE102019135706A1 (de) Verfahren und Bondkopf zum Herstellen einer gebondeten selbsttragenden Leiter-Verbindung
DE102012005157B4 (de) Verfahren zur Stanzung von zwei übereinander angeordneten, auf einer Seite miteinander verbundenen flachen Teilstücken eines Werkstückes sowie Stanzvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102008036447A1 (de) Zange
DE3105181A1 (de) Schneidwerkzeug
DE102013201932A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks
DE102013019598B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Aussparungen in Haltestangen
DE102009009921A1 (de) Niederzugspannbacken

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
R082 Change of representative

Representative=s name: WEIDNER STERN JESCHKE PATENTANWAELTE PARTNERSC, DE

R005 Application deemed withdrawn due to failure to request examination