[go: up one dir, main page]

DE102007047247A1 - Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren - Google Patents

Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren Download PDF

Info

Publication number
DE102007047247A1
DE102007047247A1 DE102007047247A DE102007047247A DE102007047247A1 DE 102007047247 A1 DE102007047247 A1 DE 102007047247A1 DE 102007047247 A DE102007047247 A DE 102007047247A DE 102007047247 A DE102007047247 A DE 102007047247A DE 102007047247 A1 DE102007047247 A1 DE 102007047247A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
container
electrode pad
conductive liquid
external terminal
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102007047247A
Other languages
English (en)
Inventor
In Hwaseong Lee
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020060121657A external-priority patent/KR101328551B1/ko
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of DE102007047247A1 publication Critical patent/DE102007047247A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W72/20
    • H10W90/701
    • H10W72/01223
    • H10W72/072
    • H10W72/07227
    • H10W72/07236
    • H10W72/07251
    • H10W72/224
    • H10W72/241
    • H10W72/251
    • H10W72/252
    • H10W72/29
    • H10W72/9415

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einem externen Anschluss (20) auf einer Elektrodenkontaktstelle (12), die auf einem Halbleitersubstrat (210) angeordnet ist, und auf ein Verfahren zur Herstellung desselben. In einem Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung beinhaltet der externe Anschluss eine leitfähige Flüssigkeit (24), die in einem Behälter (22) angeordnet sein kann. Verwendung z.B. in Halbleiterchippackungen.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einem externen Anschluss auf einer Elektrodenkontaktstelle, die auf einem Halbleitersubstrat angeordnet ist, sowie auf ein Verfahren zur Herstellung desselben.
  • Da die Mikroelektronikindustrie fortfährt, zunehmend komplexe Bauelemente mit extrem kleinen Merkmalabmessungen zu entwickeln, wird das Erzeugen von zuverlässigen Zwischenverbindungssystemen zu einer signifikanten Herausforderung. Ein allgemeines Verfahren zum Anbringen einer Chippackung an einer Kompositleiterplatte (PCB) erfolgt mit einer Ball-Grid-Array(BGA)-Konfiguration. In dieser Konfiguration stellen Lotkugeln sowohl die elektrische als auch die mechanische Verbindung zwischen der Chippackung und der PCB bereit.
  • Der Prozess zum Koppeln der Chippackung an die PCB beinhaltet typischerweise einen oder mehrere Temperaturzyklen, wie einen Lotmittelaufschmelzschritt als ein Beispiel. Außerdem kann eine Zuverlässigkeitsprüfung die Betriebsumgebung des resultierenden Bauelements mittels Durchführen von extremen Temperaturzyklen simulieren. Wäh rend dieser Temperaturzyklen verursacht eine Fehlanpassung zwischen dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten (CTE) des Chippackungssubstrats und dem CTE der PCB eine Lokalisierung mechanischer Spannung an den Lotkugeln. Die erzeugte mechanische Spannung ist proportional sowohl zur CTE-Fehlanpassung zwischen dem Chippackungssubstrat und der PCB als auch zur Temperaturänderung. Somit führen große Differenzen im CTE und große Temperaturvariationen zu einer hohen mechanischen Spannung, die an den Lotkugeln lokalisiert ist. Diese lokalisierte mechanische Spannung kann zu Rissen in den Lotkugeln führen. Selbst kleine Risse können zu einer Zunahme des Widerstands der Lotkugelverbindung führen, welche die Betriebszuverlässigkeit des resultierenden Bauelements nachteilig beeinflussen kann. Speziell ist die effektive Fläche für eine elektrische Leitung reduziert, wenn Risse in der Lotkugel auftreten, wodurch der Widerstand der Verbindung zunimmt. Wenn sich jedoch die Risse durch die Lotkugel hindurch fortsetzen können, zum Beispiel durch wiederholte Temperaturzyklen, kann die Lotkugelverbindung vollständig ausfallen, was eine Unterbrechung zwischen der Chippackung und der PCB verursacht.
  • 1 ist eine Mikroaufnahme, die eine gerissene Lotkugel 3 zwischen einer Halbleiterchippackung 2 mit einer Bondkontaktstelle 4 und einer Leiterplatte 6 mit einer Kontaktstelle 8 zeigt. Wie in 1 gezeigt, ist der Punkt, an dem am wahrscheinlichsten ein Riss in der Lotkugelverbindung erzeugt wird, eine der Ecken, an denen die Lotkugel 3 mit der Bondkontaktstelle 4 oder der Kontaktstelle 8 koppelt. Dies ist detailliert bei A und B von 1 gezeigt. Risse können sich jedoch auch an mittleren Teilen der Lotkugel 3 bilden. Wie ebenfalls in 1 gezeigt, befindet sich bei einem Detail C ein Riss, der sich entlang der gesamten Breite der Lotkugel 3 ausgebreitet hat. Die in den Details A, B und C gezeigten Risse können zu einer Degradation der Lotmittelverbindung, einer reduzierten Zuverlässigkeit der Lotmittelverbindung und/oder einem vollstän digen Ausfall der Lotmittelverbindung führen, was jeweils zu einem Bauelementausfall führen kann.
  • Ein Verfahren zur Minimierung einer Ausbreitung von Rissen in Lotkugeln ist in der Patentschrift US 6 959 856 offenbart, die zeigt, dass ein Metallvorsprung in einem Lothügel eingebettet ist. Der Metallvorsprung wirkt als ein Hindernis für Rissausbreitung. Wenngleich jedoch diese bekannte Struktur die Rissausbreitung reduzieren kann, um eine Unterbrechung zu verhindern, beseitigt sie nicht die Zunahme des Widerstands aufgrund der Risse in der Lotkugel.
  • Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung eines Halbleiterbauelements der eingangs genannten Art sowie eines Verfahrens zur Herstellung desselben zugrunde, welche die oben erwähnten Schwierigkeiten des Standes der Technik reduzieren oder vermeiden und insbesondere eine Minimierung einer Rissausbreitung und/oder nachteiliger Effekte auf den Widerstand der externen Anschlussverbindung aufgrund von Rissen ermöglicht.
  • Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung eines Halbleiterbauelements mit den Merkmalen des Anspruchs 1, 18 oder 19 und eines Verfahrens mit den Merkmalen des Anspruchs 21. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Einige Ausführungsformen der Erfindung stellen ein Halbleiterbauelement mit einem Substrat, einer Elektrodenkontaktstelle, die auf dem Substrat angeordnet ist, einem externen Anschluss, der auf der Elektrodenkontaktstelle angeordnet ist, einem Behälter, der sich von der Elektrodenkontaktstelle in den externen Anschluss hinein erstreckt, und einer leitfähigen Flüssigkeit, die im Inneren des Behälters angeordnet ist, bereit. Die leitfähige Flüssigkeit wird fest, wenn sie Luft ausgesetzt wird. Wenn sich ein Riss in dem externen Anschluss bildet, unterdrückt der Behälter eine Ausbreitung des Risses. Wenn der Riss den Behälter durchbricht, füllt die leitfähige Flüssigkeit des Weiteren den Riss und kann sich in dem Riss verfestigen, wenn sie Luft ausgesetzt wird.
  • Gemäß der Erfindung wird eine Rissausbreitung innerhalb des externen Anschlusses unterdrückt. Wenn zum Beispiel ein Riss den Behälter durchbricht, der die leitfähige Flüssigkeit beinhaltet, füllt die leitfähige Flüssigkeit von dem Behälter den Riss, wobei der Widerstand, d.h. die Leitfähigkeitscharakteristika der Verbindung, wiederhergestellt wird. Daher weisen Verbindungen zwischen Chippackungen und PCBs gemäß Ausführungsformen der Erfindung eine verbesserte Zuverlässigkeit gegenüber den vorstehend erläuterten herkömmlichen Ausführungsformen auf.
  • Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung werden im Folgenden beschrieben und sind in den Zeichnungen gezeigt, die außerdem die vorstehend zum leichteren Verständnis der Erfindung erläuterte herkömmliche Ausführungsform zeigen. In den Zeichnungen sind:
  • 1 eine Mikroaufnahme, die eine gerissene Lotkugel zwischen einer Halbleiterchippackung und einer Leiterplatte gemäß dem Stand der Technik zeigt,
  • 2 eine Querschnittansicht eines externen Anschlusses und eines langgestreckten Behälters gemäß der Erfindung,
  • 3 eine Querschnittansicht eines externen Anschlusses und eines langgestreckten Behälters, der eine Halbleiterchippackung mit einer Leiterplatte gemäß der Erfindung verbindet,
  • 4 eine Querschnittansicht einer Halbleiterchippackung, die mit einer Leiterplatte gemäß der Erfindung verbunden ist,
  • 5 eine Querschnittansicht eines externen Anschlusses und eines langgestreckten Behälters gemäß der Erfindung,
  • 6 eine Querschnittansicht einer Halbleiterchippackung mit einem externen Anschluss und mehreren Vorsprüngen gemäß der Erfindung,
  • 7 eine Querschnittansicht einer Halbleiterchippackung mit einem langgestreckten Behälter, der auf der Elektrodenkontaktstelle ausgebildet ist, gemäß der Erfindung,
  • 8 eine Querschnittansicht einer Halbleiterchippackung mit einem teilweise gefüllten langgestreckten Behälter, der auf der Elektrodenkontaktstelle ausgebildet ist, gemäß der Erfindung,
  • 9 eine Querschnittansicht einer Halbleiterchippackung mit einem langgestreckten Behälter und einer Lotmittelpaste, die auf der Elektrodenkontaktstelle ausgebildet ist, gemäß der Erfindung,
  • 10 eine Querschnittansicht einer Halbleiterchippackung mit einem langgestreckten Behälter, der in eine externe Elektrode eingefügt ist, die auf der Elektrodenkontaktstelle ausgebildet ist, gemäß der Erfindung und
  • 11 eine Querschnittansicht einer Halbleiterchippackung, die mit einer Leiterplatte durch einen externen Anschluss verbunden ist, mit einem Riss in dem externen Anschluss, gemäß der Erfindung.
  • Die Erfindung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die begleitenden 2 bis 11 vollständiger beschrieben, in denen verschiedene Ausführungsformen der Erfindung gezeigt sind. In den Zeichnungen können die Abmessung und relative Abmessungen von Schichten und Bereichen zwecks Klarheit übertrieben dargestellt sein. Es versteht sich, dass wenn ein Element oder eine Schicht als "auf", "verbunden" oder "gekoppelt" mit einem anderen Element oder einer anderen Schicht bezeichnet wird, dieses/diese direkt auf, verbunden oder gekoppelt mit dem anderen Element oder der anderen Schicht sein kann oder zwischenliegende Elemente oder Schichten vorhanden sein können. Im Gegensatz dazu sind keine zwischenliegenden Elemente oder Schichten vorhanden, wenn ein Element als "direkt auf", "direkt verbunden" oder "direkt gekoppelt" mit einem anderen Element oder einer anderen Schicht bezeichnet wird. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich überall auf gleiche Elemente.
  • 2 stellt einen externen Anschluss und eine langgestreckte Behälteranordnung gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung dar. Bezugnehmend auf 2 beinhaltet eine Halbleiterchippackung 100 gemäß diesem Beispiel ein Halbleitersubstrat 10, eine auf dem Substrat 10 angeordnete Elektrodenkontaktstelle 12, einen externen Anschluss 20 auf der Elektrodenkontaktstelle 12, einen in dem externen Anschluss 20 angeordneten langgestreckten Behälter 22 und eine leitfähige Flüssigkeit 24 im Inneren des Behälters 22. Das Substrat 10 kann eine Passivierungsschicht 14 und eine Isolationsschicht 16 beinhalten. Die Isolationsschicht 16 definiert eine Öffnung, welche die Elektrodenkontaktstelle 12 freilegt. Die Isolationsschicht 16 kann ein anorganisches Material beinhalten, wie ein Polyimidmaterial.
  • Die Halbleiterchippackung 100 kann eine Unterhügel-Metallisierung (UBM) 18 beinhalten, die auf der Elektrodenkontaktstelle 12 angeordnet ist. Die UBM 18 kann enthalten sein, um die Benetzbarkeit zwischen dem externen Anschluss 20 und der Elektrodenkontaktstelle 12 zu verbessern. Die UBM 18 kann mehrere dünne Schichten beinhalten und kann eines oder mehrere von Cu, Au, Ni, Cr und Legierungen derselben beinhalten und wird durch herkömmliche Verfahren gebildet, die auf dem Fachgebiet bekannt sind. Der externe Anschluss 20 kann eine Lotkugel, ein Lothügel, eine leitfähige Kugel, ein leitfähiger Hügel oder jegliches andere Mittel zum Verbinden einer Bondkontaktstelle mit einer Kontaktstelle sein, wie auf dem Fachgebiet bekannt.
  • Der Behälter 22 kann in erster Linie durch den externen Anschluss 20 gehalten sein, oder er kann mit der Elektrodenkontaktstelle 12, der UBM 18 und/oder einer Kontaktstelle 52 (gezeigt in 3) gekoppelt sein. Wie des Weiteren nachstehend erläutert, kann ein Endteil des Behälters 22 teilweise in Vertiefungen in der Elektrodenkontaktstelle 12, der Kontaktstelle 52 oder beiden eingefügt sein. Der Endteil des Behälters 22 kann außerdem in die UBM 18 (nicht gezeigt) eingebettet sein. Der Endteil des Behälters 22 kann eine Oberseite der UBM 18 direkt kontaktieren, wie zum Beispiel in 2 gezeigt. Der Behälter 22 kann eine im Wesentlichen zylindrische Gestalt aufweisen. Alternativ kann der Behälter 22 jegliche langgestreckte Gestalt aufweisen, die in der Lage ist, die leitfähige Flüssigkeit 24 zu enthalten, einschließlich einer rechteckigen hohlen Form und einer dreieckigen hohlen Form, jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Ein Teil 24a der leitfähigen Flüssigkeit 24 kann gebildet sein, indem er Luft an einem oder beiden Enden des langgestreckten Behälters 22 ausgesetzt wird. Die leitfähige Flüssigkeit 24 kann ein leitfähiges Material enthalten, wie ein Metall, und verfestigt sich, wenn sie Luft ausgesetzt wird. Demzufolge kann der Teil 24a der leitfähigen Flüssigkeit 24 fest sein, wenn er Luft ausgesetzt wurde, um so die verbliebene leitfähige Flüssigkeit 24 im Inneren des Behälters 22 abzudichten. Speziell wird der Teil 24a der leitfähigen Flüssigkeit 24 fest, wenn er Luft ausgesetzt wird, die verbliebene leitfähige Flüssigkeit 24 in dem Behälter 22 verbleibt jedoch in einem flüssigen Zustand, wenn sie nicht Luft ausgesetzt wird. Die leitfähige Flüssigkeit 24 kann ein fließfähiges Material mit geringer Viskosität sein, wie eine Metallpaste, eine elektrisch leitfähige Tinte und ein Nano-Metall-Sol. Zum Beispiel kann die leitfähige Flüssigkeit 24 eine elektrisch leitfähige Tinte oder ein Nano-Tintenmaterial sein, wie sie in den koreanischen Patenten Nr. 10-20070043484 , 10-20060011083 und 10-20070043436 beschrieben sind, deren Inhalte durch Verweis hierin aufgenommen sind. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Viskosität der leitfähigen Flüssigkeit 24 etwa 10cps bis etwa 5000cps betragen. Um die leitfähige Flüssigkeit mit einer geeigneten Viskosität zu bilden, kann ein Klebematerial zu der leitfähigen Flüssigkeit 24 hinzugefügt werden.
  • 3 stellt einen externen Anschluss und einen langgestreckten Behälter gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung dar, die eine Halbleiterchippackung mit einer Leiterplatte verbinden. 4 stellt eine Halbleiterchippackung, die mit einer Leiterplatte verbunden ist, gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung dar. Bezugnehmend auf die 3 und 4 ist eine Halbleiterchippackung 100 mit einer Leiterplatte 50 durch den externen Anschluss 20 verbunden. Die Leiterplatte 50 kann eine Kontaktstelle 52 beinhalten, die mit dem externen Anschluss 20 zu koppeln ist. Die Kontaktstelle 52 kann eine Vertiefung 54 beinhalten, und der langgestreckte Behälter 22 kann sich in die Vertiefung 54 erstrecken, wenn die Leiterplatte 50 mit der Halbleiterchippackung 100 verbunden wird. Die Vertiefung 54 kann die Kontaktstelle 52 vollständig durchdringen, oder sie kann die Kontaktstelle 52 nur teilweise durchdringen. Speziell kann die Vertiefung 54 die Kontaktstelle 52 bis zu einer vorgegebenen Tiefe durchdringen. Die vorgegebene Tiefe kann einem Maß entsprechen, um das der Behälter 22 von dem externen Anschluss 20 vorragt, wie in 5 gezeigt. Die Vertiefung 54 kann helfen, den externen Anschluss 20 zu der Kontaktstelle 52 zu justieren, und kann ei nen zusätzlichen mechanischen Halt für den Behälter 22 bereitstellen. Durch Zusammenwirken mit der Vertiefung kann der Behälter 22 des Weiteren eine Beständigkeit gegenüber Scherbeanspruchung bereitstellen, die durch die Halbleiterchippackung 100 und die PCB 50 auf den externen Anschluss 20 einwirkt. Die Kontaktstelle 52 kann ein leitfähiges Material beinhalten, wie ein Metall, wie auf dem Fachgebiet bekannt ist.
  • 5 stellt einen externen Anschluss und einen langgestreckten Behälter gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung dar. Die Halbleiterchippackung 105 von 5 ist der Halbleiterchippackung von 2 ähnlich, mit der Ausnahme, dass der langgestreckte Behälter 22 der Halbleiterchippackung 105 einen Teil 22a beinhaltet, der sich über der Oberseite des externen Anschlusses 20 erstreckt. Der Teil 22a des Behälters 22 kann mit einer Vertiefung 54 (wie in 3 gezeigt) in einer Leiterplatte 50 zusammenwirken, wie vorstehend erörtert. Auf diese Weise kann der Teil 22a des Behälters 22, der sich außerhalb der Oberfläche des externen Anschlusses 20 erstreckt, dahingehend wirken, die Verbindung zwischen der Halbleiterchippackung 105 und der PCB 50 zu stabilisieren. Außerdem kann der Fortsatzteil 22a helfen, die Halbleiterchippackung 105 zum Beispiel zu der PCB zu justieren, wenn sie miteinander verbunden werden. Der Teil 24a der leitfähigen Flüssigkeit 24 kann sich in dem Teil 22a des Behälters 22 verfestigen, wenn er Luft ausgesetzt wird.
  • 6 stellt eine Halbleiterchippackung mit einem externen Anschluss und mehreren Vorsprüngen oder langgestreckten Behältern gemäß einer Ausführungsform der Erfindung dar. Bezugnehmend auf 6 kann eine Halbleiterchippackung 100 einen langgestreckten Behälter 22 und Vorsprünge 22b beinhalten. Die Vorsprünge 22b können langgestreckte Behälter ähnlich dem langgestreckten Behälter 22 sein und leitfähige Flüssigkeit enthalten. Die leitfähige Flüssigkeit im Inneren der Vorsprünge 22b kann das gleiche Material wie in dem langgestreckten Behälter 22 sein, oder sie kann ein anderes Material sein. Alternativ können die Vorsprünge 22b im Wesentlichen insgesamt fest sein und entweder aus leitfähigen oder nicht leitfähigen Materialien bestehen.
  • 7 stellt eine Halbleiterchippackung mit einem auf der Elektrodenkontaktstelle ausgebildeten langgestreckten Behälter gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung dar. Bezugnehmend auf 7 kann ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterchippackung die Bereitstellung eines langgestreckten Behälters 22 auf einer Elektrodenkontaktstelle 12 beinhalten. Die Elektrodenkontaktstelle 12 kann eine UBM 18 beinhalten, in welchem Fall der langgestreckte Behälter 22 auf der UBM 18 bereitgestellt wird. Die Elektrodenkontaktstelle 12 und/oder die UBM 18 können eine Vertiefung beinhalten, und der langgestreckte Behälter 22 kann sich in die Vertiefung erstrecken, um eine Haftung dazwischen zu verbessern. Speziell kann entweder eine oder beide der Elektrodenkontaktstelle 12 und der UBM 18 eine Vertiefung (nicht gezeigt) beinhalten, und der Behälter 22 kann sich in die Vertiefung erstrecken. Der langgestreckte Behälter 22 kann vor der Bereitstellung auf der Elektrodenkontaktstelle 12 mit einer leitfähigen Flüssigkeit 24 gefüllt werden und kann auf eine gewünschte Länge geschnitten werden. Die leitfähige Flüssigkeit 24, die durch Schneiden des langgestreckten Behälters 22 freigelegt wird, kann sich verfestigen, wenn sie Luft ausgesetzt wird, wodurch das Ende des Behälters 22 abgedichtet wird. Der Behälter 22 kann durch Bereitstellen einer Kupferlage, Rollen der Kupferlage zu einem Zylinder und Plattieren des Zylinders mit Nickel oder andere Verfahren gebildet werden.
  • 8 stellt eine Halbleiterchippackung mit einem auf der Elektrodenkontaktstelle ausgebildeten, teilweise gefüllten, langgestreckten Behälter gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung dar. Bezugnehmend auf 8 kann ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterchippackung die Bereitstellung eines langgestreckten Behälters 22 auf einer auf einem Halbleitersubstrat 10 bereitgestellten Elektrodenkontaktstelle 12 beinhalten. Die Elektrodenkontaktstelle 12 kann eine UBM 18 beinhalten, in welchem Fall der langgestreckte Behälter 22 auf der UBM 18 bereitgestellt wird. Die Elektrodenkontaktstelle 12 und/oder die UBM 18 können eine Vertiefung beinhalten, und der langgestreckte Behälter 22 kann sich in die Vertiefung erstrecken, um die Haftung dazwischen zu verbessern. Der langgestreckte Behälter 22 kann anfänglich ein hohler Behälter sein, der nachfolgend zum Beispiel mit einer leitfähigen Flüssigkeit 24 gefüllt wird, nachdem er auf der Elektrodenkontaktstelle 12 bereitgestellt wurde. Der langgestreckte Behälter 22 kann durch Injizieren der leitfähigen Flüssigkeit 24 in den Behälter 22 mit der leitfähigen Flüssigkeit 24 gefüllt werden. Die leitfähige Flüssigkeit 24 kann unter Verwenden eines unterschiedlichen Drucks zwischen dem Inneren des Behälters 22 und dem Äußeren des Behälters 22 in den Behälter 22 injiziert werden. Ein Verwenden dieses Verfahrens mit unterschiedlichem Druck kann das Auftreten von Luftblasen in dem Behälter 22 minimieren. Die leitfähige Flüssigkeit 24, die nach dem Füllen Luft ausgesetzt wird, kann sich verfestigen. Mit anderen Worten kann sich die leitfähige Flüssigkeit, die nach dem Füllen des Behälters 22 Luft ausgesetzt wird, verfestigen, wodurch das Ende des Behälters 22 abgedichtet wird.
  • 9 stellt eine Halbleiterchippackung mit einem langgestreckten Behälter und auf der Elektrodenkontaktstelle ausgebildeter Lotmittelpaste gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung dar. Bezugnehmend auf 9 kann der externe Anschluss 20 durch Drucken von Lotmittelpaste 20a auf das Substrat 10 gebildet werden. Speziell kann die Lotmittelpaste 20 durch einen Siebdruckprozess oder jeglichen anderen herkömmlichen Prozess auf das Substrat 10 gedruckt werden, wie auf dem Fachgebiet bekannt ist. Die Lotmittelpaste 20a kann im Wesentlichen den langgestreckten Behälter 22 umgeben und die Elektrodenkontaktstelle 12 und/oder die UBM 28 kontaktieren. Die Lotmittelpaste 20a kann einem Erwärmungsschritt ausgesetzt werden, um den externen An schluss 20 zu bilden. Die Lotmittelpaste 20a kann herkömmliches Lotmittel, bleifreies Lotmittel oder jegliches andere leitfähige Material beinhalten, wie auf dem Fachgebiet bekannt ist.
  • 10 stellt eine Halbleiterchippackung gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung mit einem langgestreckten Behälter dar, der in einen auf der Elektrodenkontaktselle ausgebildeten externen Anschluss eingefügt ist. Bezugnehmend auf 10 und gemäß einigen Ausführungsformen kann der langgestreckte Behälter 22 in die Lotmittelpaste 20a oder den externen Anschluss 20 eingefügt werden, nachdem die Lotmittelpaste 20a und/oder der externe Anschluss 20 auf dem Substrat 10 gebildet wurden. Speziell kann der Behälter 22 nach dem Druckprozess, jedoch vor dem Erwärmungsschritt in die Lotmittelpaste 20a eingefügt werden, oder der Behälter 22 kann nach dem Erwärmungsschritt in den externen Anschluss 20 eingefügt werden. Durch Steuern der thermischen Bedingungen des externen Anschlusses 20 kann der langgestreckte Behälter 22 ohne Schädigung des Behälters 22 und ohne Verändern der Form des externen Anschlusses 20 in den externen Anschluss 20 eingefügt werden. Der Teil 24a der leitfähigen Flüssigkeit 24 kann vor dem Einsetzen des Behälters 22 in den externen Anschluss 20 verfestigt werden, indem er Luft ausgesetzt wird. Alternativ kann der Teil 24a ein anderes Material sein, das zum Abdichten der leitfähigen Flüssigkeit 24 in dem Behälter 22 verwendet wird, bevor der Behälter 22 in den externen Anschluss 20 eingesetzt wird. Zum Beispiel kann ein Beschichtungsprozess an dem Endteil des Behälters 22 durchgeführt werden, um die leitfähige Flüssigkeit in dem Behälter 22 abzudichten.
  • 11 stellt eine durch einen externen Anschluss mit einer Leiterplatte verbundene Halbleiterchippackung mit einer Fissur oder einem Riss in dem externen Anschluss gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung dar. Bezugnehmend auf 11 kann sich in einem externen Anschluss 20 ein Riss oder eine Fissur 28 bilden, wenn der externe An schluss 20 einer mechanischen Spannung ausgesetzt wird, wie während eines Erwärmungsschritts. Eine Ausbreitung des Risses 28 in den externen Anschluss 20 kann durch das Vorhandensein des Behälters 22 unterdrückt werden. Außerdem kann der Riss 28 den Behälter 22 durchbrechen. Wenn der Riss 28 den Behälter 22 durchbricht, verlässt ein Teil 24s der leitfähigen Flüssigkeit 24 den Behälter 22 und füllt wenigstens teilweise den Riss 28. Der Teil 24s der leitfähigen Flüssigkeit 24 kann den Riss 28 vollständig füllen. Der Teil 24s der leitfähigen Flüssigkeit 24, der den Behälter 22 verlassen hat, kann Luft ausgesetzt und verfestigt werden, um ein elektrisch leitfähiges Material zu bilden. Als ein Ergebnis kann der Teil 24s der leitfähigen Flüssigkeit 24 den Riss abdichten und die mechanische Stabilität des externen Anschlusses 20 wiederherstellen. Des Weiteren kann der Teil 24s der leitfähigen Flüssigkeit 24 die Widerstandscharakteristik des externen Anschlusses 20 auf einen Pegel wiederherstellen, der im Wesentlichen der gleiche wie vor dem Auftreten des Risses 28 ist.
  • Wie vorstehend im Detail angegeben, stellen Ausführungsformen der Erfindung einen externen Anschluss mit einem mit einer leitfähigen Flüssigkeit gefüllten Behälter bereit. Eine Rissausbreitung innerhalb des externen Anschlusses wird durch den Behälter unterdrückt. Wenn der Riss des Weiteren den Behälter durchbricht, füllt die leitfähige Flüssigkeit von dem Behälter wenigstens teilweise den Riss, was die Widerstandscharakteristika der Verbindung verbessert oder wiederherstellt. Daher weisen Verbindungen zwischen Chippackungen und PCBs gemäß Ausführungsformen der Erfindung eine gegenüber herkömmlichen Verfahren verbesserte Zuverlässigkeit auf.
  • Verschiedene Vorgänge werden als mehrere diskrete Schritte beschrieben, die in einer Weise durchgeführt werden, die beim Verständnis der Erfindung am hilfreichsten ist. Die Reihenfolge, in der die Schritte beschrieben sind, impliziert jedoch nicht, dass die Vorgänge reihenfolge abhängig sind oder dass die Reihenfolge, in der die Schritte durchgeführt werden, die Reihenfolge sein muss, in der die Schritte präsentiert werden. Des Weiteren sind allgemein bekannte Strukturen und Bauelemente nicht gezeigt, um die Beschreibung der Erfindung nicht mit unnötigen Details zu verschleiern.
  • Wenngleich die Erfindung in Verbindung mit dem langgestreckten Behälter erörtert wurde, ist der Behälter möglicherweise nicht langgestreckt oder kann in einer Weise langgestreckt sind, die sich von jener in den Zeichnungen gezeigten unterscheidet, solange der Behälter die gleiche Funktion des beschriebenen langgestreckten Behälters durchführt. Daher versteht es sich, dass das Vorstehende illustrativ für die Erfindung ist und nicht dazu gedacht ist, auf die spezifischen offenbarten Ausführungsformen beschränkt zu sein, und dass Modifikationen der offenbarten Ausführungsformen ebenso wie weiterer Ausführungsformen als in dem Umfang der beigefügten Ansprüche enthalten gedacht sind.

Claims (36)

  1. Halbleiterbauelement mit – einem Halbleitersubstrat (10), – einer Elektrodenkontaktstelle (12), die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, und – einem externen Anschluss (20), der auf der Elektrodenkontaktstelle angeordnet ist, wobei der externe Anschluss eine leitfähige Flüssigkeit (24) beinhaltet.
  2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, das des Weiteren einen auf dem externen Anschluss angeordneten Behälter (22) beinhaltet, wobei die leitfähige Flüssigkeit in dem Behälter angeordnet ist.
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, wobei sich der Behälter von der Elektrodenkontaktstelle in den externen Anschluss erstreckt.
  4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die leitfähige Flüssigkeit so konfiguriert ist, sich zu verfestigen, wenn sie Luft ausgesetzt wird.
  5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die leitfähige Flüssigkeit eine Viskosität in einem Bereich von etwa 10cps bis etwa 5000cps aufweist.
  6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die leitfähige Flüssigkeit ein Metall beinhaltet.
  7. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die leitfähige Flüssigkeit eine Metallpaste, eine elektrisch leitfähige Tinte oder ein Nano-Metall-Sol beinhaltet.
  8. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, das des Weiteren eine Unterhügel-Metallisierung (UBM) 18 auf der Elektrodenkontaktstelle beinhaltet, wobei der Behälter eine Oberseite der UBM direkt kontaktiert oder der Behälter in die UBM eingebettet ist.
  9. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Behälter die Elektrodenkontaktstelle direkt kontaktiert.
  10. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Elektrodenkontaktstelle eine Vertiefung beinhaltet und der Behälter sich in die Vertiefung erstreckt.
  11. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei sich der Behälter über einer Oberseite des externen Anschlusses erstreckt.
  12. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 11, das des Weiteren einen oder mehrere Vorsprünge beinhaltet, die in der externen Elektrode angeordnet sind.
  13. Halbleiterbauelement nach Anspruch 12, wobei wenigstens einer der Vorsprünge fest ist.
  14. Halbleiterbauelement nach Anspruch 12 oder 13, wobei wenigstens einer der Vorsprünge eine darin angeordnete leitfähige Flüssigkeit (24) beinhaltet.
  15. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 14, das des Weiteren beinhaltet: – eine Leiterplatte (50) und – eine Kontaktstelle (52), die entsprechend einer Position der Elektrodenkontaktstelle zwischen der Leiterplatte und dem externen Anschluss angeordnet ist.
  16. Halbleiterbauelement nach Anspruch 15, wobei die Kontaktstelle eine darin ausgebildete Vertiefung (54) beinhaltet und wobei sich der Behälter von der Elektrodenkontaktstelle durch den externen Anschluss und in die Vertiefung in der Kontaktstelle erstreckt.
  17. Halbleiterbauelement nach Anspruch 15, wobei die Kontaktstelle eine durch sie hindurch gebildete Durchkontaktöffnung beinhaltet und wobei sich der Behälter durch die Durchkontaktöffnung erstreckt.
  18. Halbleiterbauelement mit – einem Halbleitersubstrat (10), – einer Elektrodenkontaktstelle (12), die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, – einem externen Anschluss (20), der auf der Elektrodenkontaktstelle angeordnet ist, und – einem Riss (28), der sich innerhalb des externen Anschlusses erstreckt, – wobei der Riss wenigstens teilweise mit einem elektrisch leitfähigen Material (24s) gefüllt ist, der von einer leitfähigen Flüssigkeit (24) verfestigt ist.
  19. Halbleiterbauelement mit – einem Halbleitersubstrat (10), – einer Elektrodenkontaktstelle (12), die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, – einem externen Anschluss (20), der auf der Elektrodenkontaktstelle angeordnet ist, – einem Behälter (22), der so angeordnet ist, dass er sich von der Elektrodenkontaktstelle in den externen Anschluss erstreckt, – einer Leiterplatte (50), – einer Kontaktstelle (52), die zwischen der Leiterplatte und dem externen Anschluss angeordnet ist, – einem Riss (28) im Inneren des externen Anschlusses, wobei sich der Riss von einer Außenwand des langgestreckten Behälters zu dem langgestreckten Behälter erstreckt, und – einem leitfähigen Material (24s), das im Inneren des langgestreckten Behälters und dem Riss angeordnet ist.
  20. Halbleiterbauelement nach Anspruch 19, wobei das leitfähige Material ein Feststoff ist, der sich von einer in den Behälter gefüllten Flüssigkeit verfestigt.
  21. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, das die folgenden Schritte umfasst: – Bilden einer Elektrodenkontaktstelle (12) auf einem Halbleitersubstrat (10) und – Bilden eines externen Anschlusses (20) auf der Elektrodenkontaktstelle, wobei der externe Anschluss einen Behälter (22) beinhaltet, der eine leitfähige Flüssigkeit enthält.
  22. Verfahren nach Anspruch 21, wobei der Behälter (22) auf der Elektrodenkontaktstelle derart ausgebildet ist, dass er sich von der Elektrodenkontaktstelle aus erstreckt, und der externe Anschluss (20) auf der Elektrodenkontaktstelle und um den Behälter herum ausgebildet ist.
  23. Verfahren nach Anspruch 22, wobei der Behälter als ein hohler Behälter, der mit der leitfähigen Flüssigkeit gefüllt ist, auf der Elektrodenkontaktstelle ausgebildet ist.
  24. Verfahren nach Anspruch 21, wobei der Behälter als ein langgestreckter Behälter in den externen Anschluss eingesetzt ist.
  25. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 24, das des Weiteren das Bilden einer Unterhügel-Metallisierung (18) auf der Elektrodenkontaktselle beinhaltet, wobei der Behälter eine Oberseite der Unterhügel-Metallisierung direkt kontaktiert oder der Behälter in die Unterhügel-Metallisierung eingebettet ist.
  26. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 25, wobei die leitfähige Flüssigkeit Metall beinhaltet.
  27. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 26, wobei die leitfähige Flüssigkeit eine Metallpaste, eine elektrische leitfähige Tinte oder ein Nano-Metall-Sol beinhaltet.
  28. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 27, das des Weiteren ein Schneiden des Behälters auf eine gewünschte Länge beinhaltet.
  29. Verfahren nach Anspruch 28, wobei ein Teil der leitfähigen Flüssigkeit, die durch Schneiden des Behälters freigelegt wird, dadurch verfestigt wird, dass er Luft ausgesetzt wird, um den Behälter abzudichten.
  30. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 29, wobei das Bilden des externen Anschlusses umfasst: – Drucken einer Lotmittelpaste auf das Halbleitersubstrat derart, dass sie den Behälter umgibt, und – Erwärmen der Lotmittelpaste, um eine Lotkugel zu bilden.
  31. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 30, das des Weiteren das Bilden einer Vertiefung in der Elektrodenkontaktstelle beinhaltet, wobei der Behälter in die Vertiefung eingesetzt wird.
  32. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 31, das des Weiteren das Bilden von einem oder mehreren Vorsprüngen auf der Elektrodenkontaktstelle beinhaltet.
  33. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 32, wobei die leitfähige Flüssigkeit eine Viskosität in einem Bereich von etwa 10cps bis etwa 5000cps aufweist.
  34. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 33, wobei die leitfähige Flüssigkeit als ein Material gewählt wird, das sich verfestigt, wenn es Luft ausgesetzt wird.
  35. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 34, das des Weiteren umfasst: – Erzeugen einer mechanischen Spannung in dem externen Anschluss, um einen Riss im Inneren des externen Anschlusses zu bilden, und – wenigstens teilweises Füllen des Risses mit der leitfähigen Flüssigkeit aus dem Behälter.
  36. Verfahren nach Anspruch 35, wobei das Erzeugen der mechanischen Spannung das Durchführen einer Wärmebehandlung beinhaltet.
DE102007047247A 2006-10-02 2007-09-26 Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren Withdrawn DE102007047247A1 (de)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2006-0097307 2006-10-02
KR20060097307 2006-10-02
KR10-2006-0121657 2006-12-04
KR1020060121657A KR101328551B1 (ko) 2006-10-02 2006-12-04 반도체 장치
US11/858,078 US7675171B2 (en) 2006-10-02 2007-09-19 Semiconductor package and fabricating method thereof
US11/858,078 2007-09-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102007047247A1 true DE102007047247A1 (de) 2008-05-15

Family

ID=39277837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102007047247A Withdrawn DE102007047247A1 (de) 2006-10-02 2007-09-26 Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2008091926A (de)
DE (1) DE102007047247A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5642623B2 (ja) 2011-05-17 2014-12-17 株式会社東芝 半導体発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008091926A (ja) 2008-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69024669T2 (de) Elektrische Verbinderstruktur und Verfahren, einen elektrischen Verbindungsaufbau zu erhalten
DE10228509B4 (de) Lotstruktur zur elektrischen und/oder mechanischen Kontaktierung sowie Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE60219779T2 (de) Flussmittelfreie flip-chip-verbindung
US7675171B2 (en) Semiconductor package and fabricating method thereof
DE19848834A1 (de) Verfahren zum Montieren eines Flipchips und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung
DE69834702T2 (de) Packung für eine Halbleiteranordnung, Verfahren zu ihrer Herstellung und Leiterplatte dafür
DE10309502B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Lothügelstruktur und Lothügelstruktur
DE69602686T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Elektrodenstruktur für eine Halbleitervorrichtung
DE112010000715B4 (de) Bauteilanordnung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102012109319B4 (de) Bump-on-Trace-Baugruppenstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben
DE19524739A1 (de) Kernmetall-Lothöcker für die Flip-Chip-Technik
DE102011013225A1 (de) Weiterentwickeltes Wafer-Level-Packaging (WLP) für verbesserte Temperaturwechsel,- Fallversuchs- und Hochstromanwendung
DE10333841A1 (de) Halbleiterbauteil in Halbleiterchipgröße mit flipchipartigen Außenkontakten und Verfahren zur Herstellung desselben
DE112021005501T5 (de) Struktur und verfahren zur brücken-chip-montage mit kapillarenhinterfüllung
DE10018126A1 (de) Halbleitervorrichtung und zugehöriges Herstellungsverfahren
WO2018202439A1 (de) Elektronische baugruppe mit einem zwischen zwei substraten eingebauten bauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE10011368A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10022982A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE68914927T2 (de) Halbleiteranordnung vom mit Plastik umhüllten Typ und Verfahren zur Herstellung derselben.
DE112010005383B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE112009001736T5 (de) Verfahren zum Herstellen eines komponenteneingebetteten Moduls
DE102006033222B4 (de) Modul mit flachem Aufbau und Verfahren zur Bestückung
DE102005015109B4 (de) Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips auf einem Substrat und entsprechende Anordnung
DE102014019169A1 (de) Gehäuse mit einem Substrat mit eingebetteter Metallspur überlappt von Verbindungsstelle
DE19729073A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Klebeverbindung zwischen einem elektronischen Bauelement und einem Trägersubstrat

Legal Events

Date Code Title Description
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20110401