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DE102006050234A1 - Schaltung und Verfahren zum Testen eines Halbleiterspeicherelements und Halbleiterspeicherelement - Google Patents

Schaltung und Verfahren zum Testen eines Halbleiterspeicherelements und Halbleiterspeicherelement Download PDF

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DE102006050234A1
DE102006050234A1 DE102006050234A DE102006050234A DE102006050234A1 DE 102006050234 A1 DE102006050234 A1 DE 102006050234A1 DE 102006050234 A DE102006050234 A DE 102006050234A DE 102006050234 A DE102006050234 A DE 102006050234A DE 102006050234 A1 DE102006050234 A1 DE 102006050234A1
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DE
Germany
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output
test
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Withdrawn
Application number
DE102006050234A
Other languages
English (en)
Inventor
Gil-Shin Hwaseong Moon
Seok-Won Hwang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of DE102006050234A1 publication Critical patent/DE102006050234A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/38Response verification devices
    • G11C29/40Response verification devices using compression techniques
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
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    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/10Test algorithms, e.g. memory scan [MScan] algorithms; Test patterns, e.g. checkerboard patterns 

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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schaltung und ein Verfahren zum Testen eines Halbleiterspeicherelements und ein Halbleiterspeicherelement. DOLLAR A Die Schaltung zum Testen eines Halbleiterspeicherelements umfasst einen Datenvergleicher (120), der dazu ausgebildet ist, erste Ausgangsdaten (DQ0, DQ8) und zweite Ausgangsdaten (DQ16, DQ24) zu vergleichen, die von einer Ausgangspufferschaltung (110) bereitgestellt werden, und der dazu ausgebildet ist, zu bestimmen, ob logische Zustände der ersten Ausgangsdaten (DQ0, DQ8) und der zweiten Ausgangsdaten (DQ16, DQ24) identisch sind, um ein Vergleichssignal (COM1) zu erzeugen; und einen Signalausrichter (130), der dazu ausgebildet ist, die ersten Ausgangsdaten (DQ0, DQ8) und das Vergleichssignal (COM1) auszurichten, und der dazu ausgebildet ist, eine Mehrzahl von Testsignalen (DOUT) in Abhängigkeit von einem Taktsignal (CLK) zu erzeugen, wobei die Testsignale (DOUT) Testdaten geradzahliger Bits, Testdaten ungeradzahliger Bits, Vergleichstestdaten geradzahliger Bits und Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits enthalten. DOLLAR A Verwendung beispielweise in der Speichertechnik.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schaltung und ein Verfahren zum Testen eines Halbleiterspeicherelements und ein Halbleiterspeicherelement.
  • Ein herkömmliches Halbleiterspeicherelement kann eine Schreiboperation und eine Leseoperation testen, indem ein Tester zum Inspizieren jeder Speicherzelle verwendet wird. Wenn eine Kapazität des Halbleiterspeicherelements zunimmt, nimmt auch eine für das Testen benötigte Zeit zu. Wenn beispielsweise ein Taktzyklus 90 ns beträgt, dauert es etwa 24 Sekunden, um Daten mit einem Wert von „0" und anschließend Daten mit einem Wert von „1" in jede Speicherzelle eines 64M DRAMs zu schreiben und daraus zu lesen. In der Massenfertigung von Halbleiterspeicherelementen nimmt die zum Testen der hergestellten Speicherelemente benötigte Zeit so stark zu, dass die Testkosten steigen und die Produktivität abnimmt. In letzter Zeit wurde eine Merged DQ (MDQ)-Testtechnik angewendet, um die Anzahl an Bits zu erhöhen, die gleichzeitig getestet werden können. Ein Beispiel der MDQ-Testtechnik ist in der koreanischen Patent-Offenlegungsschrift Nr. 10-2001-0063184 offenbart.
  • Das Halbleiterspeicherelement, welches bei hoher Geschwindigkeit arbeitet, wird in einem Hochgeschwindigkeitstakt(HSC)-Testmodus getestet, indem eine herkömmliche Testvorrichtung verwendet wird, die bei einer niedrigen Frequenz arbeitet. Allerdings können ein Testmuster für geradzahlige Daten und ein Testmuster für ungeradzahlige Daten in herkömmlichen Testvorrichtungen nicht zeitgleich getestet werden. Aus diesem Grund benötigt das Halbleiterspeicherelement, das bei hoher Geschwindigkeit arbeitet, eine relativ lange Testzeit, wodurch sich die Testkosten erhöhen.
  • Des Weiteren besteht bei der Verwendung des vorstehend beschriebenen Ansatzes und der herkömmlichen Testvorrichtung ein Risiko dahingehend, dass ein fehlerhaftes Speicherelement den Test besteht, wenn alle gelesenen Daten einen invertierten Wert der geschriebenen Daten in dem MDQ-Testmodus darstellen.
  • Der Erfindung liegt das technische Problem zugrunde, eine Schaltung zum Testen eines Halbleiterspeicherelements, ein Halbleiterspeicherelement und ein Verfahren zum Testen eines Halbleiterspeicherelements anzugeben, welche unter allen Umständen korrekte Testergebnisse liefern können.
  • Die Erfindung löst das Problem mittels einer Schaltung zum Testen eines Halbleiterspeicherelements mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1, eines Halbleiterspeicherelements mit den Merkmalen des Patentanspruchs 13 und eines Verfahrens zum Testen eines Halbleiterspeicherelements mit den Merkmalen des Patentanspruchs 14.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben, deren Wortlaut hiermit durch Bezugnahme in die Beschreibung aufgenommen wird, um unnötige Textwiederholungen zu vermeiden.
  • Einige beispielhafte Ausgestaltungen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung schaffen eine Schaltung zum Testen eines Halbleiterspeicherelements, die in der Lage ist, zeitgleich Daten geradzahliger Bits und Daten ungeradzahliger Bits zu testen, indem ein Testmuster in einem Hochgeschwindigkeitstakt-Testmodus verwendet wird, und die ein korrektes Testergebnis liefern kann, selbst wenn alle Testdaten invertiert sind.
  • Einige beispielhafte Ausgestaltungen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung schaffen ein Halbleiterspeicherelement mit einer Testschaltung, die in der Lage ist, gleichzeitig Daten geradzahliger Bits und Daten ungeradzahliger Bits zu testen, indem ein Testmuster in einem Hochgeschwindigkeitstakt-Testmodus verwendet wird, und die ein korrektes Testergebnis liefern kann, selbst wenn alle Testdaten invertiert sind.
  • Einige beispielhafte Ausgestaltungen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung schaffen ein Verfahren zum Testen eines Halbleiterspeicherelements, das in der Lage ist, gleichzeitig Daten geradzahliger Bits und Daten ungeradzahliger Bits zu testen, indem ein Testmuster in einem Hochgeschwindigkeitstakt-Testmodus verwendet wird, und das ein korrektes Testergebnis liefern kann, selbst wenn alle Testdaten invertiert sind.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung schafft diese eine Schaltung zum Testen eines Halbleiterspeicherelements, die einen Datenvergleicher und einen Signalausrichter umfasst. Der Datenvergleicher ist dazu ausgebildet, erste Ausgangsdaten und zweite Ausgangsdaten zu vergleichen, die von einer Ausgangspufferschaltung geliefert werden. Der Datenvergleicher ist weiterhin dazu ausgebildet, zu bestimmen, ob logische Zustände der ersten Ausgangsdaten und der zweiten Ausgangsdaten identisch sind, um ein Vergleichssignal zu erzeugen. Der Signalausrichter ist dazu ausgebildet, die ersten Ausgangsdaten und das Vergleichssignal in Abhängigkeit von einem Taktsignal auszurich ten, um eine Mehrzahl von Testsignalen zu erzeugen. Die Testsignale können Testdaten geradzahliger Bits, Testdaten ungeradzahliger Bits, Vergleichstestdaten geradzahliger Bits und Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits enthalten.
  • Auf diese Weise können gemäß unterschiedlichen Aspekten der vorliegenden Erfindung die Daten geradzahliger Bits und die Daten ungeradzahliger Bits unter Verwendung eines Musters gleichzeitig getestet werden, und ein korrektes Testergebnis kann selbst dann erzielt werden, wenn alle Testdaten invertiert sind.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung, die nachfolgend im Detail beschrieben sind, sind in der Zeichnung dargestellt. Es zeigt/zeigen:
  • 1 ein Zeitablaufdiagramm zur Darstellung von Takten und Testmuster-Daten in einer Testvorrichtung eines Halbleiterspeicherelements;
  • 2 eine Tabelle, die Beispiele von Ausgangsdaten einer BL4 zeigt, auf die in 1 Bezug genommen ist;
  • 3 eine schematische Ansicht zur Darstellung einer Ausgestaltung einer Ausgangspufferschaltung des Halbleiterspeicherelements, das eine X32-Datenstruktur unterstützt, gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung;
  • 4 ein Blockschaltbild zur Darstellung einer Ausgestaltung einer Anordnung von Ausgangspuffern, die in einer Testschaltung des Halbleiterspeicherelements gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung verwendet werden;
  • 5-12 Blockschaltbilder zur jeweiligen Darstellung von Ausgestaltungen der Testschaltung des Halbleiterspeicherelements gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung;
  • 13 ein Schaltungsdiagramm zur Darstellung einer Ausgestaltung eines Datenvergleichers in der Testschaltung des Halbleiterspeicherelements in 5; und
  • 14 ein Blockschaltbild zur Darstellung einer Ausgestaltung eines Halbleiterspeicherelements, das die Testschaltungen der 5 bis 12 aufweist.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass ein Element, welches als mit einem anderen Element „verbunden" oder „gekoppelt" bezeichnet ist, entweder direkt mit dem anderen Element verbunden oder gekoppelt sein kann, oder dass Zwischenelemente vorhanden sein können. Wenn dagegen ein Element als mit einem anderen Element „direkt verbunden" oder „direkt gekoppelt" bezeichnet ist, sind keine Zwischenelemente vorhanden. Andere Worte oder Formulierungen, die dazu verwendet werden, die Beziehung zwischen Elementen zu beschreiben, sollten in gleicher Weise interpretiert werden (z.B. „zwischen" im Gegensatz zu „direkt zwischen", „benachbart" im Gegensatz zu „direkt benachbart" usw.).
  • 1 ist ein Zeitablaufdiagramm zur Darstellung von Taktsignalen und Testmuster-Daten in einer Testvorrichtung eines Halbleiterspeicherelements. Bezug nehmend auf 1 ist eine Frequenz eines Hochgeschwindigkeitstaktsignals HSC doppelt so hoch wie eine Frequenz eines Tester-Taktsignals TSTC. Beispielsweise können Ausgangsdaten DOUT zum Testen in Einheiten von vier Bits (E, O, E und O) ausgegeben werden, wobei „E" geradzahlige Daten und „O" ungeradzahlige Daten bezeichnet. Allerdings werden Testdaten DTEST in Einheiten von zwei Bits (E und O) getestet. Im Falle von Ausgangsdaten mit einer Burst-Länge 4 (BL4), werden vier Daten (E, O, E und O) für einen Zyklus des Tester- Taktsignals TSTC ausgegeben. Beispielsweise können in seriellen Daten mit vier Bits die ersten und dritten Bits als „E" dargestellt werden, und die zweiten und vierten Bits können als „O" dargestellt werden. Allerdings können nur zwei Daten (E und O) für einen Zyklus des Tester-Taktsignals TSTC in den herkömmlichen Testvorrichtungen getestet werden.
  • 2 ist eine Tabelle, die Beispiele von Ausgangsdaten für BL4 zeigt. Bezug nehmend auf 2 beinhaltet jedes Ausgangsdatum DQ0, DQ8, DQ16 und DQ24 vier Bits (E, O, E und O). Da die Vier-Bit-Zahl typischerweise mit 0 beginnt, können das erste Bit (Bit-Nr. 0) und das dritte Bit (Bit-Nr. 2) als geradzahlige Bits bezeichnet werden, und das zweite Bit (Bit-Nr. 1) und das vierte Bit (Bit-Nr. 3) können als ungeradzahlige Bits bezeichnet werden. Wenn beispielsweise die Ausgangsdaten DQ0 den Wert 0101 haben, sind die geradzahligen Bits „0" und die ungeradzahligen Bits „1".
  • 3 ist eine schematische Ansicht zur Darstellung einer Ausgestaltung einer Ausgangspufferschaltung des Halbleiterspeicherelements, das bzw. die eine X32-Datenstruktur unterstützt. Bezug nehmend auf 3 speichert die Ausgangspufferschaltung 32 Bits empfangener Daten D0 bis D31 und erzeugt 32 Ausgangsdaten DQ0 bis DQ31. Die Ausgangspufferschaltung umfasst erste bis vierte Blöcke, BLOCK1 bis BLOCK4 und jeder Block beinhaltet acht Puffer. Der erste Block BLOCK1 beinhaltet die Puffer null bis sieben, der zweite Block BLOCK2 beinhaltet die Puffer acht bis fünfzehn, der dritte Block BLOCK3 beinhaltet die Puffer sechzehn bis dreiundzwanzig und der vierte Block BLOCK4 beinhaltet die Puffer vierundzwanzig bis einunddreißig. Die Ausgangspufferschaltung kann abweichend von der beispielhaften Ausgestaltung in 3 konfiguriert sein, beispielsweise kann eine Ausgangspufferschaltung acht Blöcke umfassen, von denen jeder vier Puffer aufweist.
  • 4 ist ein Blockschaltbild zur Darstellung einer Ausgestaltung von Ausgangspuffern, die in einer Schaltung zum Testen von Halbleiterspeicherelementen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung enthalten sein kann bzw. können.
  • Bezug nehmend auf die 3 und 4 umfasst eine erste Ausgangspufferschaltung 110 einen ersten Puffer 0 des ersten Blocks BLOCK1, einen ersten Puffer 8 des zweiten Blocks BLOCK2, einen ersten Puffer 16 des dritten Blocks BLOCK3 und einen ersten Puffer 24 des vierten Blocks BLOCK4. Eine zweite Ausgangspufferschaltung 210 umfasst einen zweiten Puffer 1 des ersten Blocks BLOCK1, einen zweiten Puffer 9 des zweiten Blocks BLOCK2, einen zweiten Puffer 17 des dritten Blocks BLOCK3 und einen zweiten Puffer 25 des vierten Blocks BLOCK4. Eine dritte Ausgangspufferschaltung 310 umfasst einen dritten Puffer 2 des ersten Blocks BLOCK1, einen dritten Puffer 10 des zweiten Blocks BLOCK2, einen dritten Puffer 18 des dritten Blocks BLOCK3 und einen dritten Puffer 26 des vierten Blocks BLOCK4. Eine vierte Ausgangspufferschaltung 410 umfasst einen vierten Puffer 3 des ersten Blocks BLOCK1, einen vierten Puffer 11 des zweiten Blocks BLOCK2, einen vierten Puffer 19 des dritten Blocks BLOCK3 und einen vierten Puffer 27 des vierten Blocks BLOCK4. Eine fünfte Ausgangspufferschaltung 510 umfasst einen fünften Puffer 4 des ersten Blocks BLOCK1, einen fünften Puffer 12 des zweiten Blocks BLOCK2, einen fünften Puffer 20 des dritten Blocks BLOCK3 und einen fünften Puffer 28 des vierten Blocks BLOCK4. Eine sechste Ausgangspufferschaltung 610 umfasst einen sechsten Puffer 5 des ersten Blocks BLOCK1, einen sechsten Puffer 13 des zweiten Blocks BLOCK2, einen sechsten Puffer 21 des dritten Blocks BLOCK3 und einen sechsten Puffer 29 des vierten Blocks BLOCK4. Eine siebte Ausgangspufferschaltung 710 beinhaltet einen siebten Puffer 6 des ersten Blocks BLOCK1, einen siebten Puffer 14 des zweiten Blocks BLOCK2, einen siebten Puffer 22 des dritten Blocks BLOCK3 und einen siebten Puffer 30 des vierten Blocks BLOCK4. Eine achte Ausgangspufferschaltung 810 umfasst einen achten Puffer 7 des ersten Blocks BLOCK1, einen achten Puffer 15 des zweiten Blocks BLOCK2, einen achten Puffer 23 des dritten Blocks BLOCK3 und einen achten Puffer 31 des vierten Blocks BLOCK4.
  • Die erste Ausgangspufferschaltung 110 puffert vier empfangene Daten D0, D8, D16 und D24 und erzeugt vier Ausgangsdaten DQ0, DQ8, DQ16 und DQ24. Die zweite Ausgangspufferschaltung 210 puffert vier empfangene Daten D1, D9, D17 und D25 und erzeugt vier Ausgangsdaten DQ1, DQ9, DQ17 und DQ25. Die dritte Ausgangspufferschaltung 310 puffert vier empfangene Daten D2, D10, D18 und D26 und erzeugt vier Ausgangsdaten DQ2, DQ10, DQ18 und DQ26. Die vierte Ausgangspufferschaltung 410 puffert vier empfangene Daten D3, D11, D19 und D27 und erzeugt vier Ausgangsdaten DQ3, DQ11, DQ19 und DQ27. Die fünfte Ausgangspufferschaltung 510 puffert vier empfangene Daten D4, D12, D20 und D28 und erzeugt vier Ausgangsdaten DQ4, DQ12, DQ20 und DQ28. Die sechste Ausgangspufferschaltung 610 puffert vier empfangene Daten D5, D13, D21 und D29 und erzeugt vier Ausgangsdaten DQ5, DQ13 DQ21 und DQ29. Die siebte Ausgangspufferschaltung 710 puffert vier empfangene Daten D6, D14, D22 und D30 und erzeugt vier Ausgangsdaten DQ6, DQ14, DQ22 und DQ30. Die achte Ausgangspufferschaltung 810 puffert vier empfangene Daten D7, D15, D23 und D31 und erzeugt vier Ausgangsdaten DQ7, DQ15, DQ23 und DQ31.
  • 5 ist ein Blockschaltbild zur Darstellung einer Ausgestaltung einer Schaltung zum Erzeugen von Testdaten DOUT1, DOUT8, DOUT16 und DOUT24 basierend auf Ausgangsdaten DQ0, DQ8, DQ16 und DQ24 der ersten Ausgangspufferschaltung 110 in 4. Bezug nehmend auf 5 umfasst eine Testschaltung 100 eines Halbleiterspeicherelements eine Ausgangspufferschaltung 110, einen Datenvergleicher 120, einen Signalausrichter 130 und eine Ausgangspadschaltung 140.
  • Die Ausgangspufferschaltung 110, welche der Ausgangspufferschaltung 110 in 4 entspricht, umfasst Datenausgangspuffer 111, 112, 113 und 114.
  • Der Datenvergleicher 120 vergleicht die Ausgangsdaten DQ0, DQ8, DQ16 und DQ24 der Ausgangspufferschaltung 110, welche erste Datenausgangspuffer 111 und 112 und zweite Datenausgangspuffer 113 und 114 umfasst, und erzeugt ein Vergleichssignal COM1.
  • Der Signalausrichter 130 richtet die Ausgangsdaten DQ0 und DQ8 der ersten Datenausgangspuffer 111 und 112 und das Vergleichssignal COM1 in Abhängigkeit von einem Taktsignal CLK aus und erzeugt Testdaten DOUT0, DOUT8, DOUT16 und DOUT24. Die Testdaten DOUT0, DOUT8, DOUT16 und DOUT24 enthalten jeweils Testdaten geradzahliger Bits, Testdaten ungeradzahliger Bits, Vergleichstestdaten geradzahliger Bits und Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits.
  • Die Testdaten DOUT0, DOUT8, DOUT16 und DOUT24 können durch Ausgangspads 141, 142, 143 bzw. 144, die in der Ausgangspadschaltung 140 enthalten sind, zu einer Testvorrichtung übertragen werden.
  • 6 ist ein Blockschaltbild zur Darstellung einer Ausgestaltung einer Schaltung zum Erzeugen von Testdaten DOUT1, DOUT9, DOUT17 und DOUT25 basierend auf Ausgangsdaten DQ1, DQ9, DQ17 und DQ25 der zweiten Ausgangspufferschaltung 210 in 4. Bezug nehmend auf 6 umfasst eine Testschaltung 200 des Halbleiterspeicherelements eine Ausgangspufferschaltung 210, einen Datenvergleicher 220, einen Signalausrichter 230 und eine Ausgangspadschaltung 240.
  • Die Ausgangspufferschaltung 210, welche der Ausgangspufferschaltung 210 in 4 entspricht, umfasst Datenausgangspuffer 211, 212, 213 und 214.
  • Der Datenvergleicher 220 vergleicht die Ausgangsdaten DQ1, DQ9, DQ17 und DQ25 der Ausgangspufferschaltung 210, welche erste Datenausgangspuffer 211 und 212 und zweite Datenausgangspuffer 213 und 214 umfasst, und erzeugt ein Vergleichssignal COM2.
  • Der Signalausrichter 230 richtet die Ausgangsdaten DQ1 und DQ9 der ersten Datenausgangspuffer 211 und 212 und das Vergleichssignal COM2 in Abhängigkeit von dem Taktsignal CLK aus und erzeugt die Testdaten DOUT1, DOUT9, DOUT17 und DOUT25. Die Testdaten DOUT1, DOUT9, DOUT17 und DOUT25 enthalten jeweils Testdaten geradzahliger Bits, Testdaten ungeradzahliger Bits, Vergleichstestdaten geradzahliger Bits und Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits.
  • Die Testdaten DOUT1, DOUT9, DOUT17 und DOUT25 können über Ausgangspads 241, 242, 243 bzw. 244, die in der Ausgangspadschaltung 240 enthalten sind, zu einer Testvorrichtung übertragen werden.
  • 7 ist ein Blockschaltbild zur Darstellung einer Ausgestaltung einer Schaltung zum Erzeugen von Testdaten DOUT2, DOUT10, DOUT18 und DOUT26 basierend auf Ausgangsdaten DQ2, DQ10, DQ18 und DQ26 der dritten Ausgangspufferschaltung 310 in 4. Bezug nehmend auf 7 umfasst eine Testschaltung 300 eines Halbleiterspeicherelements eine Ausgangspufferschaltung 310, einen Datenvergleicher 320, einen Signalausrichter 330 und eine Ausgangspadschaltung 340.
  • Die Ausgangspufferschaltung 310, welche der Ausgangspufferschaltung 310 in 4 entspricht, umfasst Datenausgangspuffer 311, 312, 313 und 314.
  • Der Datenvergleicher 320 vergleicht die Ausgangsdaten DQ2, DQ10, DQ18 und DQ26 der Ausgangspufferschaltung 310, welche erste Da tenausgangspuffer 311 und 312 und zweite Datenausgangspuffer 313 und 314 enthält, und erzeugt ein Vergleichssignal COM3.
  • Der Signalausrichter 330 richtet die Ausgangsdaten DQ2 und DQ10 der ersten Datenausgangspuffer 311 und 312 und das Vergleichssignal COM3 in Abhängigkeit von dem Taktsignal CLK aus und erzeugt die Testdaten DOUT2, DOUT10, DOUT18 und DOUT26. Jede der Testdaten DOUT2, DOUT10, DOUT18 und DOUT26 enthalten Testdaten geradzahliger Bits, Testdaten ungeradzahliger Bits, Vergleichstestdaten geradzahliger Bits bzw. Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits.
  • Die Testdaten DOUT2, DOUT10, DOUT18 und DOUT26 können über Ausgangspads 341, 342, 343 bzw. 344, die in der Ausgangspadschaltung 340 enthalten sind, an eine Testvorrichtung übertragen werden.
  • 8 ist ein Blockschaltbild zur Darstellung einer Ausgestaltung einer Schaltung zum Erzeugen von Testdaten DOUT3, DOUT11, DOUT19 und DOUT27 basierend auf Ausgangsdaten DQ3, DQ11, DQ19 und DQ27 der vierten Ausgangspufferschaltung 410 in 4. Bezug nehmend auf 8 umfasst eine Testschaltung 400 des Halbleiterspeicherelements eine Ausgangspufferschaltung 410, einen Datenvergleicher 420, einen Signalausrichter 430 und eine Ausgangspadschaltung 440.
  • Die Ausgangspufferschaltung 410, welche der Ausgangspufferschaltung 410 in 4 entspricht, umfasst Datenausgangspuffer 411, 412, 413 und 414.
  • Der Datenvergleicher 420 vergleicht die Ausgangsdaten DQ3, DQ11, DQ19 und DQ27 der Ausgangspufferschaltung 410, welche erste Datenausgangspuffer 411 und 412 und zweite Datenausgangspuffer 413 und 414 aufweist, und erzeugt ein Vergleichssignal COM4.
  • Der Signalausrichter 430 richtet die Ausgangsdaten DQ3 und DQ11 der ersten Datenausgangspuffer 411 und 412 und das Vergleichssignal COM4 in Abhängigkeit von dem Taktsignal CLK aus und erzeugt die Testdaten DOUT3, DOUT11, DOUT19 und DOUT27. Jede der Testdaten DOUT3, DOUT11, DOUT19 und DOUT27 enthalten Testdaten geradzahliger Bits, Testdaten ungeradzahliger Bits, Vergleichstestdaten geradzahliger Bits bzw. Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits. Die Testdaten DOUT3, DOUT11, DOUT19 und DOUT27 können über Ausgangspads 441, 442, 443 bzw. 444, die in der Ausgangspadschaltung 440 enthalten sind, an eine Testvorrichtung übertragen werden.
  • 9 ist ein Blockdiagramm zur Darstellung einer Ausgestaltung einer Schaltung zum Erzeugen von Testdaten DOUT4, DOUT12, DOUT20 und DOUT28, basierend auf Ausgangsdaten DQ4, DQ12, DQ20 und DQ28 der fünften Ausgangspufferschaltung 510 in 4. Bezug nehmend auf 9 umfasst eine Testschaltung 500 des Halbleiterspeicherelements eine Ausgangspufferschaltung 510, einen Datenvergleicher 520, einen Signalausrichter 530 und eine Ausgangspadschaltung 540.
  • Die Ausgangspufferschaltung 510, welche der Ausgangspufferschaltung 510 in 4 entspricht, umfasst Datenausgangspuffer 511, 512, 513 und 514.
  • Der Datenvergleicher 520 vergleicht die Ausgangsdaten DQ4, DQ12, DQ20 und DQ28 der Ausgangspufferschaltung 510, welche erste Datenausgangspuffer 511 und 512 und zweite Datenausgangspuffer 513 und 514 aufweist, und erzeugt ein Vergleichssignal COM5.
  • Der Signalausrichter 530 richtet die Ausgangsdaten DQ4 und DQ12 der ersten Datenausgangspuffer 511 und 512 und das Vergleichssignal COM5 in Abhängigkeit von dem Taktsignal CLK aus und erzeugt die Testdaten DOUT4, DOUT12, DOUT20 und DOUT28. Jede der Testdaten DOUT4, DOUT12, DOUT20 und DOUT28 enthalten Testdaten ge radzahliger Bits, Testdaten ungeradzahliger Bits, Vergleichstestdaten geradzahliger Bits bzw. Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits. Die Testdaten DOUT4, DOUT12, DOUT20 und DOUT28 können über Ausgangspads 541, 542, 543 bzw. 544, die in der Ausgangspadschaltung 540 enthalten sind, zu einer Testvorrichtung übertragen werden.
  • 10 ist ein Blockschaltbild zur Darstellung einer Ausgestaltung einer Schaltung zum Erzeugen von Testdaten DOUT5, DOUT13, DOUT21 und DOUT29 basierend auf Ausgangsdaten DQ5, DQ13, DQ21 und DQ29 der sechsten Ausgangspufferschaltung 610 in 4. Bezug nehmend auf 10 umfasst eine Testschaltung 600 des Halbleiterspeicherelements eine Ausgangspufferschaltung 610, einen Datenvergleicher 620, einen Signalausrichter 630 und eine Ausgangspadschaltung 640.
  • Die Ausgangspufferschaltung 610, welche der Ausgangspufferschaltung 110 in 4 entspricht, umfasst Datenausgangspuffer 611, 612, 613 und 614.
  • Der Datenvergleicher 620 vergleicht die Ausgangsdaten DQ5, DQ13, DQ21 und DQ29 der Ausgangspufferschaltung 610, welche erste Datenausgangspuffer 611 und 612 und zweite Datenausgangspuffer 613 und 614 umfasst, und erzeugt ein Vergleichssignal COM6.
  • Der Signalausrichter 630 richtet die Ausgangsdaten DQ5 und DQ13 der ersten Datenausgangspuffer 611 und 612 und das Vergleichssignal COM6 in Abhängigkeit von dem Taktsignal CLK aus und erzeugt die Testdaten DOUT5, DOUT13, DOUT21 und DOUT29. Jede der Testdaten DOUT5, DOUT13, DOUT21 und DOUT29 enthalten Testdaten geradzahliger Bits, Testdaten ungeradzahliger Bits, Vergleichstestdaten geradzahliger Bits bzw. Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits. Die Testdaten DOUT5, DOUT13, DOUT21 und DOUT29 können über Aus gangspads 641, 642, 643 bzw. 644, die in der Ausgangspadschaltung 640 enthalten sind, zu einer Testvorrichtung übertragen werden.
  • 11 ist ein Blockschaltbild zur Darstellung einer Ausgestaltung einer Schaltung zum Erzeugen von Testdaten DOUT6, DOUT14, DOUT22 und DOUT30 basierend auf Ausgangsdaten DQ6, DQ14, DQ22 und DQ30 der siebten Ausgangspufferschaltung 710 in 4. Bezug nehmend auf 11 umfasst eine Testschaltung 700 des Halbleiterspeicherelements eine Ausgangspufferschaltung 710, einen Datenvergleicher 720, einen Signalausrichter 730 und eine Ausgangspadschaltung 740.
  • Die Ausgangspufferschaltung 710, welche der Ausgangspufferschaltung 710 in 4 entspricht, umfasst Datenausgangspuffer 711, 712, 713 und 714.
  • Der Datenvergleicher 720 vergleicht die Ausgangsdaten DQ6, DQ14, DQ22 und DQ30 der Ausgangspufferschaltung 710, welche erste Datenausgangspuffer 711 und 712 und zweite Datenausgangspuffer 713 und 714 aufweist, und erzeugt ein Vergleichssignal COM7.
  • Der Signalausrichter 730 richtet die Ausgangsdaten DQ6 und DQ14 der ersten Datenausgangspuffer 711 und 712 und das Vergleichssignal COM7 in Abhängigkeit von dem Taktsignal CLK aus und erzeugt die Testdaten DOUT6, DOUT14, DOUT22 und DOUT30. Jede der Testdaten DOUT6, DOUT14, DOUT22 und DOUT30 umfasst Testdaten geradzahliger Bits, Testdaten ungeradzahliger Bits, Vergleichstestdaten geradzahliger Bits bzw. Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits. Die Testdaten DOUT6, DOUT14, DOUT22 und DOUT30 können über Ausgangspads 741, 742, 743 bzw. 744, die in der Ausgangspadschaltung 740 enthalten sind, zu einer Testvorrichtung übertragen werden.
  • 12 ist ein Blockschaltbild zur Darstellung einer Ausgestaltung einer Schaltung zum Erzeugen von Testdaten DOUT7, DOUT15, DOUT23 und DOUT31, basierend auf Ausgangsdaten DQ7, DQ15, DQ23 und DQ31 der achten Ausgangspufferschaltung 810 in 4. Bezug nehmend auf 12 umfasst eine Testschaltung 800 des Halbleiterspeicherelements eine Ausgangspufterschaltung 810, einen Datenvergleicher 820, einen Signalausrichter 830 und eine Ausgangspadschaltung 840.
  • Die Ausgangspufferschaltung 810, welche der Ausgangspufferschaltung 310 in 4 entspricht, umfasst Datenausgangspuffer 811, 812, 813 und 814.
  • Der Datenvergleicher 820 vergleicht die Ausgangsdaten DQ7, DQ15, DQ23 und DQ31 der Ausgangspufferschaltung 810, welche erste Datenausgangspuffer 811 und 812 und zweite Datenausgangspuffer 813 und 814 aufweist, und erzeugt ein Vergleichssignal COM8.
  • Der Signalausrichter 830 richtet die Ausgangsdaten DQ7 und DQ15 der ersten Datenausgangspuffer 811 und 812 und das Vergleichssignal COM8 in Abhängigkeit von dem Taktsignal CLK aus und erzeugt die Testdaten DOUT7, DOUT15, DOUT23 und DOUT31. Jede der Testdaten DOUT7, DOUT15, DOUT23 und DOUT31 enthalten Testdaten geradzahliger Bits, Testdaten ungeradzahliger Bits, Vergleichstestdaten geradzahliger Bits bzw. Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits.
  • Die Testdaten DOUT7, DOUT15, DOUT23 und DOUT31 können über Ausgangspads 841, 842, 843 bzw. 844, die in der Ausgangspadschaltung 840 enthalten sind, zu einer Testvorrichtung übertragen werden.
  • 13 ist ein Schaltungsdiagramm zur Darstellung eines Beispiels eines Datenvergleichers, der in der Testschaltung des Halbleiterspeicherelements in 5 verwendet werden kann. Die Datenvergleicher 220, 320, 420, 520, 620, 720 und 820 der 6 bis 12 können in gleicher Weise konfiguriert sein.
  • Bezug nehmend auf 13 weist der Datenvergleicher 120 XOR-Gatter 121 und 122 und ein OR-Gatter bzw. ODER-Gatter 123 auf. Wenn logische Zustände der Ausgangsdaten DQ0, DQ8, DQ16 und DQ24 jeweils alle „low" oder alle „high" sind, ist das Vergleichssignal COM1 logisch „low". Wenn logische Zustände der Ausgangsdaten DQ0, DQ8, DQ16 und DQ24 nicht identisch sind, ist das Vergleichssignal COM1 logisch „high".
  • Nachfolgend wird ein Betrieb der Testschaltung des Halbleiterspeicherelements gemäß beispielhafter Ausgestaltungen in Übereinstimmung mit Aspekten der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 3 bis 13 beschrieben. Die Schaltungen der 5 bis 12 sind bei dieser beispielhaften Ausgestaltung in der Testschaltung des Halbleiterspeicherelements beinhaltet. Beispielsweise verarbeitet jede Testschaltung unter den Schaltungen der 5 bis 12 vier Daten aus den 32 Ausgangsdaten, das heißt DQ0 bis DQ31, die von den Ausgangspufferschaltungen in 4 empfangen werden. Dementsprechend erzeugt jede der Schaltungen der 5 bis 12 vier Testdaten entsprechend den von ihr empfangenen Ausgangsdaten.
  • Bezug nehmend auf 5 vergleicht der Datenvergleicher 120 die Ausgangsdaten DQ0, DQ8, DQ16 und DQ24 und bestimmt, ob logische Zustände der Ausgangsdaten DQ0, DQ8, DQ16 und DQ24 identisch sind. Der Datenvergleicher 120 erzeugt das Vergleichssignal COM1 in Abhängigkeit von dem Vergleichsergebnis.
  • Der Signalausrichter 130 empfängt die Ausgangsdaten DQ0 und DQ8 der Datenausgangspuffer 111 und 112 und das Vergleichssignal COM1. Der Signalausrichter 130 richtet die Ausgangsdaten DQ0 und DQ8 und das Vergleichssignal COM1 aus. Dies bedeutet, dass der Signalausrich ter 130 die Ausgangsdaten DQ0 und DQ8 und das Vergleichssignal COM1 zwischenspeichert und die Testdaten DOUT0, DOUT8, DOUT16 und DOUT24 synchron mit dem Taktsignal CLK erzeugt.
  • Bei den Testdaten DOUT0, DOUT8, DOUT16 und DOUT24 kann es sich um Testdaten geradzahliger Bits, um die Testdaten ungeradzahliger Bits, die Vergleichstestdaten geradzahliger Bits und die Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits handeln. Die Testdaten werden über unterschiedliche Pads der entsprechenden Ausgangspadschaltung ausgegeben, hier der Ausgangspadschaltung 140 mit Pads 141, 142, 143 bzw. 144 gemäß 5.
  • Beispielsweise kann es sich bei den Testdaten DOUT0 um Testdaten geradzahliger Bits handeln, die in Abhängigkeit von den Ausgangsdaten DQ0 erzeugt und über das Ausgangspad 141 ausgegeben werden. Bei den Testdaten DOUT8 kann es sich um Testdaten ungeradzahliger Bits handeln, die in Abhängigkeit von den Ausgangsdaten DQ8 erzeugt und über das Ausgangspad 142 ausgegeben werden. Bei den Testdaten DOUT16 kann es sich um Vergleichstestdaten geradzahliger Bits handeln, die in Abhängigkeit von dem Vergleichssignal COM1 erzeugt und über das Ausgangspad 143 ausgegeben werden. Bei den Testdaten DOUT24 kann es sich um Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits handeln, die in Abhängigkeit von dem Vergleichssignal COM1 erzeugt und über das Ausgangspad 144 ausgegeben werden. Bei den Ausgangsdaten DQ0, DQ8, DQ16 und DQ24 kann es sich um serielle Daten handeln, die Daten geradzahliger Bits und Daten ungeradzahliger Bits enthalten.
  • Die Daten DOUT16 können in Abhängigkeit von dem Vergleichssignal COM1 erzeugt werden, wenn die Ausgangsdaten DQ0, DQ8, DQ16 und DQ24 Daten geradzahliger Bits sind, und die Daten DOUT24 können in Abhängigkeit von dem Vergleichssignal COM1 erzeugt werden, wenn die Ausgangsdaten DQ0, DQ8, DQ16 und DQ24 Daten ungeradzahliger Bits sind.
  • Auf diese Weise werden die Testdaten geradzahliger Bits über das Ausgangspad 141 und die Testdaten ungeradzahliger Bits über das Ausgangspad 142 ausgegeben. Die Vergleichstestdaten geradzahliger Bits werden über das Ausgangspad 143 ausgegeben und die Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits werden über das Ausgangspad 144 ausgegeben.
  • Die Testschaltungen des Halbleiterspeicherelements in den 6 bis 12 arbeiten in vergleichbarer Weise zu der Testschaltung in 5, sodass auf weitere Beschreibungen des Betriebs der Schaltungen in den 6 bis 12 verzichtet wird.
  • Die Testschaltungen des Halbleiterspeicherelements in den 5 bis 11 können einen I/O-Format-Test durchführen. Die Schreibdaten zum Testen eines Halbleiter-Speicherzellenfelds sind in einem herkömmlichen Testmodus entweder vollständig logische „1"-Werte oder logische „0"-Werte. In den Testschaltungen des Halbleiterspeicherelements gemäß beispielhaften Ausgestaltungen müssen jedoch logische Zustände zum Schreiben von Daten, die mit einer einzelnen Testschaltung unter den Testschaltungen der 5 bis 12 verknüpft sind, identisch sein, allerdings können logische Zustände zum Schreiben von Daten, die zu den unterschiedlichen Testschaltungen gehören, voneinander verschieden sein.
  • Zusätzlich werden in der Testschaltung des Halbleiterspeicherelements gemäß beispielhaften Ausgestaltungen die Testdaten nicht nur in Abhängigkeit von dem Vergleichssignal COM1 des Datenvergleichers 120, sondern auch in Abhängigkeit von den Ausgangsdaten DQ0 und DQ8 ausgegeben, die nicht durch den Datenvergleicher 120 geleitet wurden. Auf diese Weise kann eine Testschaltung gemäß beispielhaften Ausges taltungen der vorliegenden Erfindung ein korrektes Testergebnis liefern, selbst wenn alle Testdaten invertiert sind. In den herkömmlichen Testschaltungen werden die Testdaten durch alle Ausgangspads in Abhängigkeit von den geradzahligen Ausgangs-Daten bei einer ersten Flanke des Taktsignals ausgegeben, und anschließend werden die Testdaten durch alle Ausgangspads in Abhängigkeit von den ungeradzahligen Ausgangsdaten bei einer zweiten Flanke des Taktsignals ausgegeben. Auf diese Weise kann die Leseoperation der geradzahligen Daten und die Leseoperation der ungeradzahligen Daten nicht gleichzeitig unter Verwendung eines Musters durchgeführt werden.
  • Die Testschaltung des Halbleiterspeicherelements gemäß einer beispielhaften Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung umfasst die Signalausrichter 130, 230, 330, 430, 530, 630, 730 und 830, welche einen Teil der Ausgangsdaten DQ0 bis DQ31 und das Vergleichssignal zwischenspeichern, um die Testdaten synchron mit dem Taktsignal CLK auszugeben. Auf diese Weise können die Testdaten geradzahliger Bits, welche den Ausgangsdaten geradzahliger Bits entsprechen, die Testdaten ungeradzahliger Bits, welche den Ausgangsdaten ungeradzahliger Bits entsprechen, die Vergleichstestdaten geradzahliger Bits, welche dem Vergleichssignal entsprechen, wenn es sich bei den Ausgangsdaten um die Daten geradzahliger Bits handelt, und die Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits, welche dem Vergleichssignal entsprechen, wenn es sich bei den Ausgangsdaten um die Daten ungeradzahliger Bits handelt, bei der steigenden Flanke oder der fallenden Flanke des Taktsignals CLK erzeugt werden. Dies bedeutet, dass die Testdaten geradzahliger Bits, die Testdaten ungeradzahliger Bits, die Vergleichstestdaten geradzahliger Bits und die Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits durch unterschiedliche Pads während eines Zyklus des Hochgeschwindigkeitstakts HSC ausgegeben werden.
  • 14 ist ein Blockschaltbild zur Darstellung einer Ausgestaltung eines Halbleiterspeicherelements, welches die Testschaltung gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung enthält. Bezug nehmend auf 14 umfasst ein Halbleiterspeicherelement 1000 einen Speicherkern 1100 mit einem Speicherzellenfeld, einen Zeilendecodierer 1200, einen Spaltendecodierer 1300, eine Spaltenauswahlumschaltschaltung 1400, einen I/O-Leseverstärker 1500, eine Ausgangspufferschaltung 1600, eine Testschaltung 1700 und eine Ausgangspadschaltung 1800.
  • Der Zeilendecodierer 1200 decodiert ein niedriges Adresssignal X und erzeugt Wortleitungsauswahlsignale WL1, WL2, ..., WLn. Die Speicherzellen, die in dem Speicherkern 1100 enthalten sind, werden in Abhängigkeit von den Wortleitungsauswahlsignalen WL1, WL2, ..., WLn ausgewählt. Der Spaltendecodierer 1300 decodiert eine Spaltenadresse Y und erzeugt Spaltenauswahlsignale Y1, Y2, ... Yn. Die Spaltenauswahlschalter 1410, 1420 und 1430, die in der Spaltenauswahlumschaltschaltung 1400 enthalten sind, empfangen die entsprechenden Spaltenauswahlsignale Y1, Y2, ... Yn und übertragen die Daten, welche von dem ausgewählten Bitleitungspaar empfangen werden, an das Datenleitungspaar DL und DLB.
  • Der I/O-Leseverstärker 1500 wird bei der Leseoperation aktiviert und verstärkt die gelesene Datendifferenz, die von dem Datenleitungspaar WL und WLB empfangen wird, um ein Leseausgangssignal SAS zu erzeugen. Das Leseausgangssignal SAS entspricht den 32 Daten D0 bis D31 in 3. Die Ausgangspufferschaltung 1600 puffert das Leseausgangssignal SAS und erzeugt die Ausgangsdaten DQ. Die Ausgangsdaten DQ werden durch die Ausgangspadschaltung 1800 in dem normalen Modus ausgegeben. Die Ausgangspadschaltung 1800 umfasst eine Mehrzahl von Pads. In dem Testmodus empfängt die Testschaltung 1700 die Ausgangsdaten DQ und gibt die Testdaten DOUT an die Ausgangspadschaltung 1800 aus.
  • Obwohl vorstehend die Testschaltung des Halbleiterspeicherelements mit der X32-Datenstruktur beschrieben wurde, erkennt der Fachmann, dass die vorliegende Erfindung auch auf eine Testschaltung des Halbleiterspeicherelements mit einer beliebigen Datenstruktur angewendet werden kann.
  • Wie oben beschrieben, kann das Halbleiterspeicherelement, welches die Testschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung enthält, gleichzeitig die Daten geradzahliger Bits und die Daten ungeradzahliger Bits testen, wobei ein Muster verwendet wird, sodass eine Testzeit und mit dem Testen verbundene Kosten verringert werden können.
  • Zusätzlich gibt das Halbleiterspeicherelement, welches die Testschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung aufweist, die Testdaten nicht nur in Abhängigkeit von dem Vergleichssignal des Datenvergleichers, sondern auch in Abhängigkeit von denjenigen Ausgangsdaten aus, die nicht durch den Datenvergleicher geleitet wurden, um die Testdaten auszugeben, sodass ein korrektes Testergebnis erhalten wird, selbst wenn alle Testdaten invertiert sind.

Claims (17)

  1. Schaltung zum Testen eines Halbleiterspeicherelements (1000), aufweisend: einen Datenvergleicher (120), der dazu ausgebildet ist, erste Ausgangsdaten (DQ0, DQ8) und zweite Ausgangsdaten (DQ16, DQ24) zu vergleichen, die von einer Ausgangspufferschaltung (110) bereitgestellt werden, und der dazu ausgebildet ist zu bestimmen, ob logische Zustände der ersten Ausgangsdaten (DQ0, DQ8) und der zweiten Ausgangsdaten (DQ16, DQ24) identisch sind, um ein Vergleichssignal (COM1) zu erzeugen; und einen Signalausrichter (130), der dazu ausgebildet ist, die ersten Ausgangsdaten (DQ0, DQ8) und das Vergleichssignal (COM1) auszurichten, und der dazu ausgebildet ist, eine Mehrzahl von Testsignalen (DOUT) in Abhängigkeit von einem Taktsignal (CLK) zu erzeugen, wobei die Testsignale (DOUT) Testdaten geradzahliger Bits, Testdaten ungeradzahliger Bits, Vergleichstestdaten geradzahliger Bits und Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits umfassen.
  2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Signalausrichter (130) dazu ausgebildet ist, die ersten Ausgangsdaten (DQ0, DQ8) und das Vergleichssignal (COM1) auszurichten, indem er die ersten Ausgangsdaten (DQ0, DQ8) und das Vergleichssignal (COM1) zwischenspeichert, und dass er weiterhin dazu ausgebildet ist, die Testsignale (DOUT) synchron mit dem Taktsignal (CLK) auszugeben.
  3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Testdaten geradzahliger Bits und die Testdaten ungeradzahliger Bits gleichzeitig in Abhängigkeit von einer ersten Flanke des Taktsignals (CLK) ausgegeben werden, wobei die erste Flanke entwe der einer steigenden Flanke oder einer fallenden Flanke des Taktsignals (CLK) entspricht.
  4. Schaltung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergleichstestdaten geradzahliger Bits und die Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits gleichzeitig in Abhängigkeit von einer ersten Flanke des Taktsignals (CLK) ausgegeben werden, wobei die erste Flanke entweder einer steigenden Flanke oder einer fallenden Flanke des Taktsignals (CLK) entspricht.
  5. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Testdaten geradzahliger Bits, die Testdaten ungeradzahliger Bits, die Vergleichstestdaten geradzahliger Bits und die Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits über unterschiedliche Ausgangspads (141, 142, 143, 144) aus einer Gruppe von Ausgangspads ausgegeben werden.
  6. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Ausgangsdaten dritte Ausgangsdaten (DQ0) und vierte Ausgangsdaten (DQ8) aufweisen und dass die zweiten Ausgangsdaten fünfte Ausgangsdaten (DQ16) und sechste Ausgangsdaten (DQ24) aufweisen.
  7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Testdaten geradzahliger Bits einem geradzahligen Bit der dritten Ausgangsdaten (DQ0) entsprechen und dass die Testdaten ungeradzahliger Bits einem ungeradzahligen Bit der vierten Ausgangsdaten (DQ8) entsprechen.
  8. Schaltung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergleichstestdaten geradzahliger Bits dem Vergleichssignal (COM1) entsprechen, wenn die dritten, vierten, fünften und sechsten Ausgangsdaten (DQ0, DQ8, DQ16, DQ24) Daten geradzahli ger Bits sind, und dass die Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits dem Vergleichssignal (COM1) entsprechen, wenn die ersten, zweiten, dritten und vierten Ausgangsdaten (DQ0, DQ8, DQ16, DQ24) Daten ungeradzahliger Bits sind.
  9. Schaltung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Datenvergleicher (120) dazu ausgebildet ist, die dritten, vierten, fünften und sechsten Ausgangsdaten (DQ0, DQ8, DQ16, DQ24) zu vergleichen, um das Vergleichssignal (COM1) zu erzeugen.
  10. Schaltung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Datenvergleicher (120) aufweist: ein erstes XOR-Gatter (121), welches dazu ausgebildet ist, eine XOR-Operation an den dritten und vierten Ausgangsdaten (DQ0, DQ8) durchzuführen, um ein erstes Logiksignal zu erzeugen; ein zweites XOR-Gatter (122), welches dazu ausgebildet ist, eine XOR-Operation an den fünften und sechsten Ausgangsdaten (DQ16, DQ24) durchzuführen, um ein zweites Logiksignal zu erzeugen; und ein OR-Gatter (123), welches dazu ausgebildet ist, eine OR-Operation an den ersten und zweiten Logiksignalen durchzuführen, um das Vergleichssignal (COM1) zu erzeugen.
  11. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterspeicherelement eine X32-Ausgangsdatenstruktur aufweist, wobei die X32-Ausgangsdatenstruktur vier Datengruppen (DQ0–DQ4) aufweist, wobei jede Datengruppe (DQ0–DQ4) acht Daten enthält.
  12. Schaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterspeicherelement (1000) mit einer Burst-Länge von vier arbeitet.
  13. Halbleiterspeicherelement (1000), aufweisend: einen Speicherkern (1100), der ein Speicherzellenfeld enthält; einen Input/Output-Leseverstärker (1500), der dazu ausgebildet ist, Daten zu verstärken, die von dem Speicherkern (1100) ausgegeben werden, um ein Leseausgangssignal (SAS) zu erzeugen; eine Ausgangspufferschaltung (1600), die dazu ausgebildet ist, das Leseausgangssignal (SAS) zu puffern, um eine Mehrzahl von Ausgangsdaten (DQ) zu erzeugen; und eine Testschaltung (1700) nach einem der Ansprüche 1 bis 12, die dazu ausgebildet ist, die Mehrzahl von Ausgangsdaten (DQ) zu verarbeiten, um die Mehrzahl von Testsignalen (DOUT) zu erzeugen.
  14. Verfahren zum Testen eines Halbleiterspeicherelements (1000) mit den Schritten: Vergleichen erster Ausgangsdaten (DQ0, DQ8) und zweiter Ausgangsdaten (DQ16, DQ24), die von einem Leseverstärker (1500) ausgegeben werden, um ein Vergleichssignal (COM1) zu erzeugen; und Ausrichten der ersten Ausgangsdaten (DQ0, DQ8) und des Vergleichssignals (COM1), um eine Mehrzahl von Testsignalen (DOUT) in Abhängigkeit von einem Taktsignal (CLK) zu erzeugen.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Testsignale (DOUT) Testdaten geradzahliger Bits, Testdaten ungeradzahliger Bits, Vergleichstestdaten geradzahliger Bits und Vergleichstestdaten ungeradzahliger Bits aufweisen.
  16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausrichten der ersten Ausgangsdaten (DQ0, DQ8) und des Vergleichssignals (COM1) ein Zwischenspeichern der ersten Ausgangsdaten (DQ0, DQ8) und des Vergleichssignals (COM1) beinhaltet, um die Testsignale (DOUT) synchron mit dem Taktsignal (CLK) auszugeben.
  17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Testdaten geradzahliger Bits und die Testdaten ungeradzahliger Bits gleichzeitig in Abhängigkeit von einer ersten Flanke des Taktsignals (CLK) ausgegeben werden, wobei die erste Flanke entweder einer steigenden Flanke oder einer fallenden Flanke des Taktsignals (CLK) entspricht.
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