DE102005011708B3 - Polyvinylammoniumverbindung und Verfahren zu deren Herstellung sowie diese Verbindung enthaltende saure Lösung und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages - Google Patents
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 94
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 93
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims description 37
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 title claims description 16
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 66
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 34
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 35
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 32
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 23
- -1 tetrafluoroborate Chemical compound 0.000 claims description 21
- 150000003868 ammonium compounds Chemical class 0.000 claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 17
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 12
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 11
- KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N benzyl chloride Chemical compound ClCC1=CC=CC=C1 KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229940073608 benzyl chloride Drugs 0.000 claims description 10
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 10
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000012435 aralkylating agent Substances 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 6
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 claims description 4
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M Trifluoroacetate Chemical compound [O-]C(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M hydrogensulfate Chemical compound OS([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 125000002577 pseudohalo group Chemical group 0.000 claims description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MNNZINNZIQVULG-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethylbenzene Chemical compound ClCCC1=CC=CC=C1 MNNZINNZIQVULG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WMPPDTMATNBGJN-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethylbromide Chemical compound BrCCC1=CC=CC=C1 WMPPDTMATNBGJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OSDWBNJEKMUWAV-UHFFFAOYSA-N Allyl chloride Chemical compound ClCC=C OSDWBNJEKMUWAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BHELZAPQIKSEDF-UHFFFAOYSA-N allyl bromide Chemical compound BrCC=C BHELZAPQIKSEDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 claims description 3
- AGEZXYOZHKGVCM-UHFFFAOYSA-N benzyl bromide Chemical compound BrCC1=CC=CC=C1 AGEZXYOZHKGVCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- PVEOYINWKBTPIZ-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid Chemical compound OC(=O)CC=C PVEOYINWKBTPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 2
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 21
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 18
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N ethenamine Chemical class NC=C UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 12
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 11
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- ZQXSMRAEXCEDJD-UHFFFAOYSA-N n-ethenylformamide Chemical compound C=CNC=O ZQXSMRAEXCEDJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- SQHWUYVHKRVCMD-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n-dimethyl-10-phenylphenazin-10-ium-2,8-diamine;chloride Chemical class [Cl-].C12=CC(N(C)C)=CC=C2N=C2C=CC(N)=CC2=[N+]1C1=CC=CC=C1 SQHWUYVHKRVCMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 4
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 4
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 4
- 125000000446 sulfanediyl group Chemical group *S* 0.000 description 4
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 4
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M Thiocyanate anion Chemical compound [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004181 carboxyalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- ZNNYSTVISUQHIF-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;thiourea Chemical compound O=C.NC(N)=S ZNNYSTVISUQHIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005246 galvanizing Methods 0.000 description 2
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N hydrogen thiocyanate Natural products SC#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 2
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002898 organic sulfur compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920000962 poly(amidoamine) Polymers 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 2
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 2
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 2
- 125000002813 thiocarbonyl group Chemical group *C(*)=S 0.000 description 2
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 2
- UGWULZWUXSCWPX-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylideneimidazolidin-4-one Chemical compound O=C1CNC(=S)N1 UGWULZWUXSCWPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBDVFOBWBHMJDG-UHFFFAOYSA-N 3-mercapto-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CCCS OBDVFOBWBHMJDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001136792 Alle Species 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- COVZYZSDYWQREU-UHFFFAOYSA-N Busulfan Chemical compound CS(=O)(=O)OCCCCOS(C)(=O)=O COVZYZSDYWQREU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVIGODVHAVLZOO-UHFFFAOYSA-N Dixanthogen Chemical compound CCOC(=S)SSC(=S)OCC FVIGODVHAVLZOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical group NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000054822 Lycaena cupreus Species 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000002193 Pain Diseases 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJTFFORYSFGNCT-UHFFFAOYSA-N Thiocarbohydrazide Chemical class NNC(=S)NN LJTFFORYSFGNCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002168 alkylating agent Substances 0.000 description 1
- 229940100198 alkylating agent Drugs 0.000 description 1
- 230000002152 alkylating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 description 1
- 150000003934 aromatic aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- DLDJFQGPPSQZKI-UHFFFAOYSA-N but-2-yne-1,4-diol Chemical compound OCC#CCO DLDJFQGPPSQZKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N carbamodithioic acid Chemical class NC(S)=S DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004651 carbonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- UGWKCNDTYUOTQZ-UHFFFAOYSA-N copper;sulfuric acid Chemical compound [Cu].OS(O)(=O)=O UGWKCNDTYUOTQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229940042396 direct acting antivirals thiosemicarbazones Drugs 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229960002377 dixanthogen Drugs 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- UIWXSTHGICQLQT-UHFFFAOYSA-N ethenyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC=C UIWXSTHGICQLQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000008394 flocculating agent Substances 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- BRWIZMBXBAOCCF-UHFFFAOYSA-N hydrazinecarbothioamide Chemical compound NNC(N)=S BRWIZMBXBAOCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N saccharin Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NS(=O)(=O)C2=C1 CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940081974 saccharin Drugs 0.000 description 1
- 235000019204 saccharin Nutrition 0.000 description 1
- 239000000901 saccharin and its Na,K and Ca salt Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003580 thiophosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000003584 thiosemicarbazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 description 1
- KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N thiram Chemical compound CN(C)C(=S)SSC(=S)N(C)C KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002447 thiram Drugs 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
- C08F222/02—Acids; Metal salts or ammonium salts thereof, e.g. maleic acid or itaconic acid
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F226/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen
- C08F226/02—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen by a single or double bond to nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
- C08F8/02—Alkylation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
- C08F8/44—Preparation of metal salts or ammonium salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2800/00—Copolymer characterised by the proportions of the comonomers expressed
- C08F2800/10—Copolymer characterised by the proportions of the comonomers expressed as molar percentages
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Polyvinylammoniumverbindung, ein Verfahren zur Herstellung dieser Verbindung, eine wässrige saure Lösung, enthaltend mindestens die Polyvinylammoniumverbindung, zur elektrolytischen Abscheidung eines Kupferniederschlages sowie ein Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages unter Verwendung der wässrigen sauren Lösung, wobei die Polyvinylammoniumverbindung der allgemeinen chemischen Formel (l) entsprechen: DOLLAR F1 DOLLAR A sowie Polyvinylammoniumverbindungen der allgemeinen chemischen Formel (l), worin eine oder beide der mit l und m indizierten Monomereinheiten in neutraler Form vorliegen.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Polyvinylammoniumverbindung und ein Verfahren zu deren Herstellung sowie eine diese Verbindung enthaltende saure Lösung zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages sowie ein Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages mit der die Verbindung enthaltenden Lösung.
- Zum Erzeugen dekorativ glänzender und eingeebneter Oberflächen, beispielsweise großflächiger Oberflächen, auf Metallen oder Kunststoffen oder zur Bildung von duktilen Schichten, beispielsweise in der Halbleiter- oder Leiterplattenproduktion, werden verschiedene Verfahren und Abscheidelösungen verwendet.
- Unter Einebnung wird dabei das Vermögen einer Metallabscheidelösung, beispielsweise einer Kupferabscheidelösung, verstanden, raue Substratoberflächen, welche auch Bürst- und Schleifriefen aufweisen können, zu glätten und nach kurzer Galvanisierzeit unsichtbar zu machen, so dass eine riefenfreie, spiegelähnliche Oberfläche entsteht.
- Zur Herstellung nicht nur glänzender sondern auch einebnender Nickelüberzüge auf Formteilen ist beispielsweise in WO 93/15241 A1 angegeben, einem wässrig-sauren Vernickelungsbad als Glanzmittel eine Mischung aus cyclischen N-Allyl- oder N-Vinylammoniumverbindungen mit der dort angegebenen chemischen Formel und acetylenisch ungesättigten Verbindungen mit der dort angegebenen chemischen Formel zuzugeben. Beispielsweise ent hält eine derartige Glanzmischung N-Allylpyridiniumchlorid und But-2-in-1,4-diol sowie weiterhin Saccharin als Glanzmittel.
- Zur Abscheidung glänzender Kupferoberflächen können den zumeist sauren Kupferelektrolyten in der Regel organische Additive in geringen Mengen zugesetzt werden, um anstelle einer kristallin-matten Abscheidung glänzende Kupferschichten zu erhalten.
- Hierbei wurden häufig Verbindungen oder ein Gemisch aus mehreren Verbindungen, wie z.B. Polyethylenglykolen, Thioharnstoff und dessen Derivaten, beispielsweise Thiohydantoin, Thiocarbaminsäureestern sowie Thiophosphorsäureestern, zugesetzt. Die so erhaltenen Überzüge sind jedoch entweder zu spröde oder besitzen einen mangelhaften Glanz sowie eine ungenügende Einebnung, sodass die Qualität der so erhaltenen Kupferschichten den heutigen hohen Anforderungen nicht mehr genügt. Daher wird diesen Additiven heutzutage keinerlei Bedeutung mehr beigemessen.
- Seit langem ist der Einsatz bestimmter Phenaziniumverbindungen und deren Derivaten zur Erzeugung glänzender Kupferschichten bekannt. So werden diese Phenaziniumverbindungen, beispielsweise in
DE 947 656 C1 beschrieben, als Additive in einem Bad zur galvanischen Herstellung von Kupferüberzügen verwendet. - Daneben können diese Verbindungen aber auch in Kombination mit anderen Zusatzstoffen verwendet werden. So werden in
DE 15 21 062 A1 für ein wässriges, saures Kupferbad Badzusammensetzungen vorgeschlagen, die ein organisches, mindestens eine Sulfonsäuregruppe enthaltendes Sulfid sowie, im Gemisch oder chemisch gebunden, einen Polyether enthalten, der mindestens drei, vorzugsweise sechs Sauerstoffatome enthält und frei ist von aliphatischen Kohlenwasserstoffketten mit mehr als sechs C-Atomen. Diese Bäder ermöglichen die Abscheidung von glänzenden und duktilen Kupferschichten. Als bevorzugte Polyether werden 1,3-Dioxolanpolymerisate mit einem Molekulargewicht von mindestens 296, vorzugsweise von etwa 5000, genannt. In Kombination mit den genannten Badadditiven können auch Phenazinfarbstoffe eingesetzt werden, beispielsweise Diethylphenosafraninazodimethylanilin, Dimethylphenosafraninazodimethylanilin, Diethylphenosafraninazophenol und Dimethylazo-(2-hydroxy-4-ethylamino-5-methyl)-benzol. Die Phenazinfarbstoffe ermöglichen eine hohe Einebnung und eine glänzende Abscheidung. Allerdings erlauben die inDE 15 21 062 A1 beschriebenen Kupferelektrolyte nicht den Einsatz einer höheren kathodischen Stromdichte. Außerdem können die abgeschiedenen Kupferoberflächen nur nach einer vorausgegangenen Zwischenbehandlung vernickelt werden. - In
DE 20 39 831 C1 ist weiter ein schwefelsaurer Kupferelektrolyt beschrieben, welcher neben einer polymeren Sauerstoff enthaltenden Verbindung und einer Thioverbindung mit funktionellen Gruppen zur Erhöhung der Wasserlöslichkeit noch mindestens einen Farbstoff aus der Gruppe der polymeren Phenaziniumver bindungen enthält. Diese Bäder können ferner nichtionische Netzmittel und organische Schwefelverbindungen enthalten. Allerdings hat sich gezeigt, dass sich mit diesen Bädern nur ungleichmäßig eingeebnete Kupferüberzüge abscheiden lassen. Dies führt bei der Anwendung dieses Bades zur Herstellung von Leiterplatten zum so genannten Phänomen der Lochrandabflachung, bei dem in der unmittelbaren Nähe von Bohrungen in der Leiterplatte eine Verringerung der Kupferschicht beobachtet wird. Dadurch können sich beim Löten an den Locheingängen Bruchstellen im Kupferüberzug ausbilden. Bei der dekorativen Kupferabscheidung führt dieser Nachteil zu einem ungleichmäßigen Aussehen der Schicht an unterschiedlichen Stellen des Werkstückes. Daher ist das Bad für die Abscheidung dekorativer, hochglänzender Überzüge nicht geeignet. - In
DE 102 61 852 B3 wird ein Gemisch von oligomeren Phenaziniumverbindungen als Zusatz zu einem sauren Bad zur elektrolytischen Abscheidung eines Kupferniederschlages offenbart. Mit derartigen Bädern können bereits gute Abscheideergebnisse erzielt werden. Nachteilig ist jedoch, dass die Herstellung der Phenaziniumverbindungen sehr teuer ist. Weiterhin nachteilig ist, dass diese Phenaziniumverbindungen sehr farbintensiv sind und den Elektrolyten verfärben. Dadurch ist ihre Handhabung oft unangenehm und aufwändig, da sie sowohl die Dosierbehälter und andere Anlagenteile als auch die Hände permanent verfärben. - Anstelle von Farbstoffen ist auch die Verwendung von Umsetzungsprodukten von Polyalkanolaminen mit einem Alkylierungs- oder Quarternisierungsagens, beispielsweise Benzylchlorid (
US 4,110,176 A ), und von Polyalkyleniminen mit Epichlorhydrin und einem Alkylierungsmittel (EP 0 068 807 A2 ) als Zusatzstoff in Kupferbädern zur Erzeugung glänzender und eingeebneter Überzüge beschrieben. - Weiterhin ist beschrieben, dass auch Polyalkylenimine mit organischen Thioverbindungen als Additive in Abscheidebädern eingesetzt werden können. In
DE 1 246 347 B1 ist beispielsweise angegeben, dass die Verwendung von einem oder mehreren geradkettigen oder verzweigten Polyalkyleniminen oder deren funktionellen Derivaten mit organischen Thioverbindungen als Glanzbildner zur Erzeugung glänzender und eingeebneter Kupferüberzüge vorteilhaft ist. Als funktionelle Derivate werden insbesondere die Salze der Polyalkylenimine und deren Umset zungsprodukte mit Kohlendioxid, Kohlensäureestern, Alkylhalogeniden oder Fettsäuren genannt. Diese Stoffe können in dem Bad zusammen mit anderen üblichen Glanzbildnern und/oder Netzmitteln eingesetzt werden. Der hier beschriebene Kupferelektrolyt erlaubt jedoch nicht den Einsatz von hohen Stromdichten, wie sie heute in der Galvanik üblich sind. Da die Wirksamkeit der beschriebenen Additive nur auf einen schmalen Stromdichtebereich begrenzt ist, finden sie heute praktisch keine Anwendung mehr. - Ferner sind in
EP 0 107 109 A2 auch Umsetzungsprodukte von Thioverbindungen mit Acrylamid für Kupferbäder beschrieben. - In
DE 27 46 938 A1 wird ein Bad offenbart, das als Zusatzstoffe unter anderem Säureamide zusammen mit einer Sauerstoff enthaltenden hochmolekularen Verbindung und einer organischen Thioverbindung mit funktionellen Gruppen zur Erhöhung der Wasserlöslichkeit enthält. Mit diesem Bad konnte jedoch nur eine Verbesserung der Glanzstreuung erreicht werden. Dagegen konnte eine Verbesserung der Einebnung und des optischen Aussehens der Kupferüberzüge nicht gelingen. - Aus der
US 3,502,551 A ist weiterhin ein wässriges, saures Kupferbad bekannt, das mindestens ein Kupfersalz, mindestens eine anorganische Säure, gegebenenfalls ein Chlorid sowie als Zusätze eine Stickstoff enthaltende aliphatische Kohlenwasserstoffverbindung, eine sauerstoffhaltige, hochmolekulare organische Verbindung und eine organische Thioverbindung mit funktionellen Gruppen zur Erhöhung der Wasserlöslichkeit enthält. Durch die Kombination der Zusätze soll die Glanzbildung und Einebnung der abgeschiedenen Kupferschicht verbessert werden. - Ferner wurde der Einsatz von Thioharnstoff-Formaldehyd-Kondensaten als Additive zu sauren Verkupferungsbädern beschrieben. So sind in
DE 1 152 863 B1 Vorkondensate von Thioharnstoff-Formaldehyd als Einebner beschrieben. Als Grundglänzer können die beschriebenen Bäder Verbindungen vom Typ der Dithiocarbaminsäurederivate enthalten. InDE 1 165 962 B1 wird die Verwendung von Vorkondensationsprodukten aus Thioharnstoff, Formaldehyd und einer Verbin dung mit mindestens zwei Aminogruppen im Molekül in einem sauren Bad zur Herstellung einebnender Kupferüberzüge beschrieben. Das Bad kann zusätzlich bekannte Grundglänzer enthalten. - In
DE 1 218 247 B1 ist ein saures elektrolytisches Kupferbad zur Herstellung hochglänzender, eingeebneter Kupferüberzüge angegeben, das in Wasser schwerlösliche Verbindungen enthält, die im Molekül Thiocarbonylgruppen und Aryl- oder Aralkylreste im Verhältnis 1:1 aufweisen, wobei diese beiden Gruppen durch aneinander gebundene oder auch durch Bestandteile eines Ringsystems bildende Heteroatome getrennt sind. Es handelt sich hierbei beispielsweise um aromatische N-Monosubstitutionsprodukte des Thiosemicarbazids, ferner um Thiosemicarbazone aromatischer Aldehyde, Derivate des Thiocarbohydrazids, um heterocyclische Verbindungen mit einer Thiocarbonylgruppe und Thiuram-mono- und -polysulfide, um Dixanthogenmono- und -polysulfide und um Hydrazindithiocarbonamide. Diese Verbindungen können zusammen mit Derivaten von Sulfonen und Sulfoxiden verwendet werden. - Ein Nachteil der in
DE 1 152 863 B1 ,DE 1 165 962 B1 undDE 1 218 247 B1 genannten Abscheidebäder liegt darin, dass mit den offenbarten Additiven zwar glänzende Kupferoberflächen erhalten werden können, wobei diese aber gleichzeitig eine nur mangelhafte Einebnung aufweisen. Neben dem weiteren Nachteil der Schwerlöslichkeit der Verbindungen in Wasser können diese Additive daher den heutigen Praxisanforderungen nicht genügen. - Ferner sind aus
DE 27 06 521 A1 Kupferelektrolyte bekannt, die als Badzusätze Umsetzungsprodukte von Epihalogenhydrinen mit substituierten Pyridinen, organische Thioverbindungen und Netzmittel enthalten. Mit diesen Bädern konnte eine Verbesserung der Glanzstreuung, nicht jedoch der Metallverteilung erreicht werden. - In
DE 196 43 091 A1 ist ein Behandlungsmittel für metallische oder metallisierte Oberflächen, enthaltend wasserlösliche Reaktionsprodukte aus wasserlöslichen Polyamidoaminen und/oder Polyaminen mit Epichlorhydrin, sowie die Verwendung des Mittels in Kupfer-, Edelmetall- oder Legierungsbädern und ein Herstell verfahren für diese Mittel beschrieben. InDE 197 58 121 A1 werden Umsetzungsprodukte von Dihalogenhydrinen und 1-Halogen-2,3-propandiol mit Polyamidoaminen beschrieben, die den Kupferbädern zugesetzt werden können. Mit den beschriebenen Abscheidebädern ist es zwar möglich, gut streuende, duktile Kupferabscheidungen zu erzielen, allerdings weisen die Überzüge fast keine Einebnung auf und sind daher für dekorative Zwecke oder zum Auffüllen von Sacklöchern nicht geeignet. - Aus
DE 15 21 031 A1 ist die Verwendung von polymeren Verbindungen in Kupferabscheidebädern bekannt, die eine Aminogruppe oder deren funktionelle Derivate oder einen über ein Stickstoffatom gebundenen heterocyclischen Rest enthalten. InDE 933 843 C1 wurde ebenfalls die Verwendung von Polyvinylamin und Polyvinylpyrrolidon für beispielsweise saure Kupferelektrolyte beschrieben. Allerdings zeigen diese Verbindungen nur einen geringen Einebnungseffekt. Außerdem ist die anwendbare Stromdichte gering bzw. wird durch Zugabe der beschriebenen Verbindungen sogar verringert. Das aufgeführte Polyvinylamin wirkt dabei aggressiv auf die Abscheidung, so dass die Abscheidung in der Praxis spröde ist und streifenartige Reliefs sichtbar werden. Daneben zeigen auch die dort erwähnten Derivate des Polyvinylamins ebenfalls nur eine schwache Glanz- und Einebnungswirkung. - Neben den vorgenannten Nachteilen im Stand der Technik hat sich auch gezeigt, dass die genannten Zusätze häufig zu einer Verschlechterung der mechanischen Eigenschaften, verglichen mit Abscheideverfahren, bei denen diese Zusätze nicht eingesetzt werden, führen. Insbesondere können sich die Härte und die Bruchelongation der Kupferüberzuge verschlechtern. Ebenso weisen die mit diesen Stoffen abgeschiedenen Kupferschichten Passivierungserscheinungen auf, die eine nachfolgende Aktivierung für die galvanotechnische Weiterbehandlung erfordern. Außerdem konnte gefunden werden, dass viele der aufgeführten Stoffe, die als Inhibitoren bei der Kupferabscheidung wirken, die Metallstreuung verschlechterten, so dass wegen stellenweise geringer Metallschichtdicke Risse in Bohrungen und Lochrändern an Leiterplatten auftraten. Insbesondere wurden diese Probleme offenbar, wenn die abgeschiedene Kupferschicht durch nachfolgende Lötprozesse thermisch belastet wurde.
- Der vorliegenden Erfindung liegt von daher das Problem zugrunde, die Nachteile der bekannten Kupferbäder und Verfahren beim Metallisieren von Werkstücken, z.B. Metall- oder Kunststoffsubstraten oder Leiterplattenmaterial, zu umgehen und insbesondere Additive zu finden, mit denen besonders brillante, d.h. hochglänzende sowie gut eingeebnete und duktile, Kupferüberzüge reproduzierbar herstellbar sind. Dabei sollen auch noch kleinste Löcher in der Oberfläche der Werkstücke, beispielsweise von Leiterplatten, ausgefüllt werden können. Die Additive sollen dabei einfach und kostengünstig und mit gleich bleibender Qualität synthetisierbar sein. Außerdem soll es auch möglich sein, die Kupferschichten bei Anwendung einer relativ hohen Stromdichte hochglänzend, eingeebnet und duktil zu erzeugen. Dabei sollen die Galvanisierzeiten durch Anwendung möglichst hoher mittlerer Stromdichten, beispielsweise von 4 A/dm2 oder größer, verkürzt werden können. So soll auch das Auffüllen von Mikrolöchern in viel kürzerer Zeit abgeschlossen werden. Die Zusammensetzung derartiger Kupferabscheidebäder soll über einen langen Zeitraum konstant bleiben.
- Gelöst werden diese Probleme durch die Polyvinylammoniumverbindung nach Anspruch 1, das Verfahren zur Herstellung der Verbindung nach Anspruch 10, die wässrige saure Lösung zur elektrolytischen Abscheidung eines Kupferniederschlages nach Anspruch 18 sowie das Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages mit einer mindestens eine Polyvinylammoniumverbindung enthaltenden Lösung nach Anspruch 22. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
- Die erfindungsgemäße Polyvinylammoniumverbindung kann aus einem entsprechenden Ausgangspolymer, welches verschiedene oder gleiche Monomereinheiten aufweisen kann, mit vorzugsweise organischen Halogeniden hergestellt werden. Die erfindungsgemäße Polyvinylammoniumverbindung kann alleine oder im Gemisch mit anderen erfindungsgemäßen Polyvinylammoniumverbindungen vorteilhaft in einer Abscheidelösung zur elektrolytischen Herstellung eines hochglänzenden, eingeebneten Kupferniederschlages zur Erzeugung dekorativer und duktiler Oberflächen verwendet werden. Beispielsweise kann die Lösung zur dekorativen Verkupferung von Kunststoffteilen für die Sanitär- und Automobilindustrie ein gesetzt werden. Ferner können die Polyvinylammoniumverbindungen auch vorteilhaft in einer Verkupferungslösung zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages auf Leiterplatten eingesetzt werden, wobei der Kupferniederschlag in den Leiterplatten enthaltene Mikrosacklöcher selektiv und vollständig auffüllt. Darüber hinaus können die Polyvinylammoniumverbindungen auch vorteilhaft in einer Verkupferungslösung zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages auf mit Vertiefungen versehenen Oberflächen von Halbleitersubstraten (Wafern) bei der Herstellung von integrierten Schaltungen, insbesondere auf Oberflächen mit Vertiefungen mit hohem Aspektverhältnis, eingesetzt werden. Dabei wird der Kupferniederschlag gleichmäßig auf der gesamten Oberfläche des Halbleitersubstrats erzeugt.
- Bei der erfindungsgemäßen Verbindung handelt es sich um eine Polyvinylammoniumverbindung entsprechend der allgemeinen chemischen Formel (I): wobei
l, m und n Monomereinheiten indizieren und den Anteil der jeweiligen Monomereinheit in der Polyvinylammoniumverbindung in Mol-% angeben, wobei l + m + n = 100 Mol-%, mit der Maßgabe, dass - 1) l + m, bezogen auf l + m + n, in einem Bereich von 1–100 Mol-% und n, bezogen auf l + m + n, in einem Bereich von 99–0 Mol-% sind, und
- 2) m, bezogen auf l + m, in einem Bereich von 1–100 Mol-% und l, bezogen auf l + m, in einem Bereich von 99–0 Mol-% sind,
- Die Reihenfolge der mit l, m und n indizierten Monomereinheiten in der erfindungsgemäßen Polyvinylammoniumverbindung ist beliebig. Die Polyvinylammoniumverbindung kann dabei die Monomereinheiten in Form von Block- oder Copolymeren enthalten, welche auch einander abwechseln können. Die freien Valenzen einer Monomereinheit in der Polyvinylammoniumverbindung am Ende einer Polymerkette können beispielsweise durch Wasserstoff abgesättigt sein. Das vorgenannte gilt gleichermaßen auch für die Ausgangspolymere bezogen auf die mit l und n indizierten Monomereinheiten.
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- Die einzelnen Formen der erfindungsgemäßen Polyvinylammoniumverbindungen lassen sich durch einfache dem Fachmann bekannte Verfahren ineinander umwandeln.
- Wird im Folgenden der Begriff Polyvinylammoniumverbindung verwendet, so umfasst er neben den salzhaltigen Polyvinylammoniumverbindungen der allgemeinen chemischen Formel (I) immer auch Polyvinylammoniumverbindungen der allgemeinen chemischen Formeln (Ia), (Ib) und (Ic), worin eine oder beide der mit l und m indizierten Monomereinheiten in neutraler Form vorliegen.
- Der Anteil der mit l indizierten Monomereinheiten in denen R2=H, bezogen auf alle mit l indizierten Monomereinheiten in der Polyvinylammoniumverbindung, ergibt sich durch die Wahl der Edukte im Herstellungsverfahren für die Ausgangspolymere sowie auch aus dem Herstellungsverfahren selbst. Dieser Anteil kann auch im Herstellungsverfahren der erfindungsgemäßen Verbindungen verändert werden, beispielsweise durch eine nachgeschaltete Hydrolyse der erfindungsgemäßen Verbindungen.
- In Abhängigkeit vom Herstellungsverfahren für die Ausgangspolymere können in der erfindungsgemäßen Polyvinylammoniumverbindung verschiedene mit n indizierte Monomereinheiten neben den mit m und gegebenenfalls l indizierten Mo nomereinheiten vorhanden sein, welche entsprechend unterschiedliche Reste R3 aufweisen.
- Vorzugsweise ist Aralkyl Benzyl oder Phenylethyl und Alkenyl Vinyl oder Allyl. Substituiertes Aralkyl und Alkenyl kann vorzugsweise Substituenten aufweisen, welche aus einer Gruppe ausgewählt sind, umfassend niederes Alkyl, Sulfo- oder Carboxylalkyl, Hydroxy, Nitril, Thiocyanat, Cyanat, Thiol und Amino, wobei Amino NH2, NHR' oder NR'R'' sein kann, wobei R' und R'' wiederum niederes Alkyl ist.
- Wird der Begriff niederes Alkyl im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung verwendet, handelt es sich vorzugsweise um Alkyl mit 1–5 Kohlenstoffatomen, vorzugsweise um Methyl, Ethyl, n-Propyl, iso-Propyl, n-Butyl, iso-Butyl oder tert-Butyl.
- Als gesättigte Carbonsäuren können vorzugsweise Ethansäure, Propionsäure und Butyrsäure in der Polyvinylammoniumverbindung vorhanden sein. Als ungesättigte Carbonsäuren können vorzugsweise Acrylsäure, Methacrylsäure, Crotonsäure, Vinylessigsäure, Maleinsäure, Fumarsäure und Itaconsäure vorhanden sein.
- Das Säureanion A– kann vorzugsweise aus der Gruppe der folgenden Anionen ausgewählt sein: Hydrogensulfat, Halogenid, Pseudohalogenid, Tetrafluoroborat, Hexafluorophosphat, Nitrat, Acetat, Trifluoracetat und Methansulfonat.
- Vorzugsweise können die Polyvinylammoniumverbindungen ein Molgewicht Mw im Bereich von 500 bis 500.000 aufweisen.
- Besonders bevorzugt sind Polyvinylammoniumverbindungen, in welchen der Anteil der mit l indizierten Monomereinheiten, in denen R2=H, bezogen auf alle mit l indizierten Monomereinheiten in der Polyvinylammoniumverbindung, in einem Bereich von 90–95 Mol-% ist und der Anteil der CHO enthaltenden mit l indizierten Monomereinheiten in einem Bereich von 5–10 Mol-% ist, wobei diese Polyvinylammoniumverbindungen bevorzugt ein MW im Bereich von 500 bis 500.000 aufweisen, besonders bevorzugt sind 15.000 bis 45.000. Weiterhin bevorzugt sind dabei Polyvinylammoniumverbindungen, bei denen n = 0 Mol-% ist.
- Die erfindungsgemäße Polyvinylammoniumverbindung kann durch Umsetzen von
- a) mindestens einem Ausgangspolymer der folgenden allgemeinen chemischen Formel (II) worin R2 und R3 sowie l und n dieselben Bedeutungen haben, wie zuvor angegeben, wobei l + n = 100 Mol-% ist, mit der Maßgabe, dass l im Bereich von 1–100 Mol-% und n im Bereich von 99–0 Mol-% liegt, mit
- b) mindestens einem einen organischen Rest in das Ausgangspolymer einführenden Reagenz, ausgewählt aus der Gruppe, umfassend substituierte und unsubstituierte Alkenylierungs- und Aralkylierungsmittel, erhalten werden.
- Vorzugsweise wird eine Temperatur für die Umsetzung im Bereich der Raumtemperatur bis zum Wert der Siedetemperatur des Reaktionsgemisches gewählt. Besonders bevorzugt sind Temperaturen im Bereich von 20 bis 100°C.
- Vorzugsweise werden die Umsetzung im wässrigen, bevorzugt sauren Milieu durchgeführt und das Reaktionsgemisch gerührt.
- Die einen organischen Rest einführenden Reagenzien werden vorzugsweise in einem Unterschuss in Bezug auf die Menge der in der Polyvinylammoniumverbindung vorhandenen mit l indizierten Monomereinheiten des Ausgangspolymers eingesetzt. Vorzugsweise wird das Ausgangspolymer mit 1–50 Mol-% des mindestens einen Reagenzes, bezogen auf die Menge der in der Polyvinylammoniumver bindung vorhandenen mit l indizierten Monomereinheiten des Ausgangspolymers, umgesetzt.
- Die Konzentrationsabnahme des eingesetzten Reagenzes bei der Reaktion kann durch Probenentnahme und beispielsweise mittels Gaschromatographie kontrolliert werden. Ist kein freies Reagenz mehr vorhanden, wird die Reaktion abgebrochen.
- Mit Hilfe der einen organischen Rest in das Ausgangspolymer einführenden Reagenzien wird in die Stickstoffgruppe der mit l indizierten Monomereinheit in der Formel (II) des Ausgangspolymers der Rest R1 unter Bildung der mit m indizierten Monomereinheiten in der erfindungsgemäßen Polyvinylammoniumverbindung, entsprechend der Formel (I) oder deren neutraler oder halbneutraler Formen, eingeführt. Wenn nicht alle mit l indizierten Monomereinheiten des Ausgangspolymers umgesetzt werden, entstehen entsprechend erfindungsgemäße Polyvinylammoniumverbindungen, in denen mindestens die mit l und m indizierten Monomereinheiten enthalten sind.
- Die verwendeten Reagenzien umfassen substituierte oder unsubstituierte Alkenylierungs- und Aralkylierungsmittel. Besonders bevorzugt sind Alkenyl- und Aralkylhalogenide, z.B. Allylchlorid, Allylbromid, Benzylchlorid, Benzylbromid, Phenylethylchlorid und Phenylethylbromid. Die Alkenylierungs- und Aralkylierungsmittel können Substituenten, wie niederes Alkyl und/oder Sulfo- oder Carboxylalkyl, Hydroxy, Nitril, Thiocyanat, Cyanat, Thiol und Amino, aufweisen, wobei Amino NH2, NHR' oder NR'R'' sein kann, wobei R' und R'' wiederum niederes Alkyl ist.
- Bevorzugte Ausgangspolymere haben einen Anteil der mit l indizierten Monomereinheiten, in denen R2=H, bezogen auf alle mit l indizierten Monomereinheiten, in einem Bereich von 90–95 Mol-% und einen Anteil der CHO enthaltenden mit l indizierten Monomereinheiten in einem Bereich von 5–10 Mol-%, wobei diese Ausgangspolymere bevorzugt ein MW im Bereich von 500 bis 500.000 aufweisen, besonders bevorzugt sind 15.000 bis 45.000. Weiterhin bevorzugt sind dabei Polyvinylammoniumverbindungen, bei denen n = 0 Mol-% ist.
- Bei den erfindungsgemäßen Polyvinylammoniumverbindungen handelt es sich vorzugsweise um Umsetzungsprodukte der folgenden Ausgangspolymere:
- i) Ausgangspolymere entsprechend der Formel (II) mit n = 0 Mol-% und einer Menge der mit l indizierten Monomereinheiten, in denen R2=H, von 100 Mol-% (Polyvinylamin), oder
- ii) Ausgangspolymere entsprechend der Formel (II) in Form von Copolymeren aus mit n indizierten Monomereinheiten mit n = 1–99 Mol-% und 99–1 Mol-% von mit l indizierten Monomereinheiten, in denen R2 ausschließlich =H, oder
- iii) Ausgangspolymere entsprechend der Formel (II) mit n = 0 Mol-% in Form von Copolymeren aus mit l indizierten Monomereinheiten, in denen der Anteil der Monomereinheiten in denen R2=H, 99–1 Mol-% beträgt, und in denen der Anteil mit R2=CHO von 1–99 Mol-% beträgt (Copolymer aus Vinylamin-Monomereinheiten und N-Vinylformamid-Monomereinheiten).
- Diese Ausgangspolymere werden vorzugsweise mit 1–50 Mol-% des mindestens einen einen organischen Rest einführenden Reagenzes, bezogen auf die Menge der in der Polyvinylammoniumverbindung vorhandenen mit l indizierten Monomereinheit des Ausgangspolymers, umgesetzt.
- Die Ausgangspolymere lassen sich durch Polymerisation herstellen. So beschreibt z.B.
EP 0 071 050 A1 die Herstellung von wasserlöslichen Copolymeren aus 10 bis 90 Mol-% Vinylamin und 90 bis 10 Mol-% N-Vinylformamid und K-Werten von 10 bis 200 zur Verwendung z.B. als Flockungsmittel für Schlämme. AusEP 0 216 387 A2 undUS 4,774,285 A ist die Herstellung von wasserlöslichen Copolymeren aus 10 bis 95 Mol-% N-Vinylformamid und 90 bis 5 Mol-% Vinylacetat, Vinylpropionat, C1- bis C4-Alkylvinylether, N-Vinylpyrrolidon sowie Estern, Amiden und Nitrilen von Acryl- und Methacrylsäure, aus denen mindestens 30% der Formamidgruppen hydrolytisch abgespalten werden, bekannt. - Der K-Wert ist dabei ein Maß für das mittlere Molekulargewicht einer polymeren Substanz in der Lösung und wurde von Fikentscher aus Messungen der relativen Viskosität von Lösungen eines Polymers abgeleitet (Fikentscher, Cellulosechemie 13:(1932) 58)). Der K-Wert berechnet sich nach folgender Gleichung: worin c die Konzentration der polymeren Substanz in der Lösung [g/100 ml], ηc die Viskosität der Lösung, η0 die Viskosität des Lösemittels und k ein Wert nach Fikentscher (K = 1000·k) ist.
- Ebenso sind die Ausgangspolymere käuflich erhältlich. Beispielsweise können Produkte der BASF AG, z.B. Lupamin® 1595 (wässrige Lösung eines Copolymers aus 95 Mol-% Vinylamin-Monomereinheiten und 5 Mol-% N-Vinylformamid-Monomereinheiten; Mw 15.000), Lupamin® 9095 (wässrige Lösung eines Copolymers aus 95 Mol-% Vinylamin-Monomereinheiten und 5 Mol-% N-Vinylformamid-Monomereinheiten; Mw 340.000) oder Lupamin® 4595 (wässrige Lösung eines Copolymers aus 95 Mol-% Vinylamin-Monomereinheiten und 5 Mol-% N-Vinylformamid-Monomereinheiten; Mw 45.000) verwendet werden. Die aus diesen Ausgangspolymeren hergestellten erfindungsgemäßen Polyvinylammoniumverbindungen haben sich einzeln oder im Gemisch bei der Kupferabscheidung besonders bewährt, da sie eine hervorragende Brillanz bei hohen Stromdichten im Kupferelektrolyten zeigen.
- Je nach verwendeter Abscheidelösung kann es vorteilhaft sein, das aus der Reaktion resultierende Säureanion in den Polyvinylammoniumverbindungen gegen andere Säureanionen durch Umsalzen auszutauschen. So können die Polyvinylammoniumverbindungen nach der Reaktion gewaschen und das Säureanion beispielsweise mittels Ionentauscherchromatographie und nachfolgender entsprechender Elution ausgetauscht werden. Beispielsweise kann ein Halogenid gegen ein anderes Säureanion, ausgewählt aus der Gruppe, umfassend Hydrogensulfat, Pseudohalogenid, Tetrafluoroborat, Hexafluorophosphat, Nitrat, Acetat, Trifluoracetat und Methansulfonat, ausgetauscht werden.
- Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren wird durch folgende Herstellungsbeispiele erläutert:
- Herstellungsbeispiel 1
- 100 g Lupamin® 1595 (wässrige Lösung eines Copolymers aus 95 Mol-% Vinylamin-Monomereinheiten und 5 Mol-% N-Vinylformamid-Monomereinheiten; Mw 15.000) wurden mit 3,2 g Benzylchlorid (11 Mol-% bezogen auf die Vinylamin-Monomereinheit) unter Rühren 2 Stunden auf 100°C erhitzt, bis das Produkt kein freies Benzylchlorid mehr enthielt (geprüft mit Gaschromatographie). Die Reaktion wurde abgebrochen und das Produkt isoliert.
- Herstellungsbeispiel 2
- 100 g Lupamin® 9095 (wässrige Lösung eines Copolymers aus 95 Mol-% Vinylamin-Monomereinheiten und 5 Mol-% N-Vinylformamid-Monomereinheiten; Mw 340.000) wurden mit 3,2 g Benzylchlorid (15 Mol-% bezogen auf die Vinylamin-Monomereinheit) unter Rühren 2 Stunden auf 100°C erhitzt, bis das Produkt kein freies Benzylchlorid mehr enthielt (geprüft mit Gaschromatographie). Die Reaktion wurde abgebrochen und das Produkt isoliert.
- Herstellungsbeispiel 3
- 1000 g Lupamin® 4595 (wässrige Lösung eines Copolymers aus 95 Mol-% Vinylamin-Monomereinheiten und 5 Mol-% N-Vinylformamid-Monomereinheiten; Mw 45.000) wurden mit 26,5 g Benzylchlorid (10 Mol-% bezogen auf die Vinylamin-Monomereinheit) unter Rühren 2 Stunden auf 100°C erhitzt, bis das Produkt kein freies Benzylchlorid mehr enthielt (geprüft mit Gaschromatographie). Die Reaktion wurde abgebrochen und das Produkt isoliert.
- Das der Erfindung zugrunde liegende Problem wird weiterhin durch eine wässrige saure Lösung zum galvanischen Abscheiden von Kupferüberzügen gelöst, enthaltend mindestens eine erfindungsgemäße Polyvinylammoniumverbindung, und das entsprechende Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages unter Verwendung dieser Lösung. Es hat sich gezeigt, dass sich die Polyvinylammoniumverbindungen in Kupferabscheidebädern als besonders vorteilhaft erweisen, da sie durch eine hohe galvanotechnische Aktivität gekennzeichnet sind.
- Bei Verwendung der erfindungsgemäßen Polyvinylammoniumverbindungen in einer sauren elektrolytischen Verkupferungslösung ist es möglich, diese bei einer hohen Stromdichte zu betreiben. Außerdem werden in Verbindung mit an sich bekannten anderen Additiven besonders gleichmäßige, brillante, Spiegel glänzende Kupferabscheidungen ermöglicht. Ferner ist die Wirksamkeit der Polyvinylammoniumverbindungen durch deren erfindungsgemäße Synthese verstärkt. Durch Zusatz mindestens einer erfindungsgemäßen Polyvinylammoniumverbindung in einem Kupferelektrolyten wird daher eine hervorragende Brillanz und Einebnung erzielt, so dass auch Mikrosacklöcher mit hohem Aspekt-Verhältnis gefüllt werden können.
- Die erfindungsgemäßen Polyvinylammoniumverbindungen können allein oder in Kombination mit Glanzbildnern oder Netzmitteln einem Kupferelektrolyten, insbesondere einer sauren, vorzugsweise schwefelsauren Lösung, zugesetzt werden.
- Um auf einem Werkstück eine Kupferschicht mit einem elektrolytischen Verfahren abscheiden zu können, wird dieses zusammen mit einer Anode mit der Abscheidelösung in Kontakt gebracht. Zur Metallabscheidung wird dann ein elektrischer Stromfluss zwischen dem Werkstück und der Anode erzeugt.
- Die Grundzusammensetzung eines Kupferelektrolyten kann in weiten Grenzen schwanken. Im Allgemeinen wird eine saure Kupferionen enthaltende, wässrige Lösung folgender Zusammensetzung benutzt:
Kupfersulfat (CuSO4·5H2O) vorzugsweise 20–300 g/L 180–220 g/L Schwefelsäure, konz. vorzugsweise 50–350 g/L 50–90 g/L Chloridionen vorzugsweise 0,01–0,25 g/L, 0,05–0,14 g/L - Anstelle von Kupfersulfat können zumindest teilweise auch andere Kupfersalze benutzt werden. Auch die Schwefelsäure kann teilweise oder ganz durch Fluoroborsäure, Methansulfonsäure oder andere Säuren ersetzt werden. Die Chloridionen werden als Alkalichlorid (z.B. Natriumchlorid) oder in Form von Salzsäure p.A. zugesetzt. Die Zugabe von Natriumchlorid kann ganz oder teilweise entfallen, wenn in den Zusätzen bereits Halogenidionen enthalten sind.
- Die erfindungsgemäße Polyvinylammoniumverbindung oder Gemische dieser Polyvinylammoniumverbindungen werden der Lösung bevorzugt in einer Konzentration von 0,0001–0,4 g/L, besonders bevorzugt von 0,005–0,05 g/L, zugegeben.
- Außerdem können in der Lösung übliche Glanzbildner, Einebner oder Netzmittel enthalten sein. Um glänzende Kupferniederschläge mit vorbestimmten physikalischen Eigenschaften zu erhalten, können zur erfindungsgemäßen sauren Lösung mindestens eine wasserlösliche Schwefelverbindung und eine sauerstoffhaltige, hochmolekulare Verbindung zugesetzt werden. Weitere Zusätze wie stickstoffhaltige Schwefelverbindungen sind ebenfalls verwendbar. Die sauerstoffhaltigen, hochmolekularen Verbindungen sind insbesondere Glykolether von Alkylphenolen, Alkanolen und Alkandiolen, ferner Glykolester von aliphatischen Carbonsäuren sowie Polyether und Polyalkohole.
- Diese Einzelkomponenten sind innerhalb folgender Grenzkonzentrationen in der anwendungsfertigen Lösung enthalten:
übliche sauerstoffhaltige, hochmolekulare Verbindungen vorzugsweise 0,005–20 g/L 0,01–5 g/L übliche wasserlösliche organische Schwefelverbindungen vorzugsweise 0,0005–0,4 g/L 0,001–0,15 g/L - In Tab. 1 sind einige anwendbare sauerstoffhaltige, hochmolekulare Verbindungen aufgeführt.
- In Tab. 2 sind einige Schwefelverbindungen aufgeführt. Zur Wasserlöslichkeit sind entsprechende funktionelle Gruppen eingearbeitet.
- Schwefelhaltige Stickstoffverbindungen, insbesondere stickstoffhaltige Thioverbindungen, vorzugsweise Thioharnstoffderivate, können in folgenden Konzentrationen eingesetzt werden:
0,0001–0,50 g/L vorzugsweise 0,0005–0,04 g/L - Bevorzugte stickstoffhaltige Thioverbindungen sind in Tab. 3 aufgeführt.
- Zur Herstellung der Lösung werden die Einzelkomponenten der Grundzusammensetzung hinzugefügt. Die Arbeitsbedingungen bei der Abscheidung können insbesondere wie folgt eingestellt werden:
pH-Wert: < 1 Temperatur: 15°C–50°C, vorzugsweise 20°C–40°C kathodische Stromdichte: 0,5–12 A/dm2, vorzugsweise 3–7 A/dm2 - Die Abscheidelösung kann durch starke Anströmung und gegebenenfalls durch Einblasen von sauberer Luft bewegt werden, so dass sich die Elektrolytoberfläche in starker Bewegung befindet. Dies maximiert den Stofftransport in Elektrodennähe und erlaubt möglichst große Stromdichten. Auch die Bewegung der Kathoden bewirkt eine Verbesserung des Stofftransportes an den jeweiligen Oberflächen. Durch die erhöhte Konvektion und Elektrodenbewegung wird eine konstante diffusionskontrollierte Abscheidung erzielt. Die Bewegungen können horizontal, vertikal und/oder durch Vibration erfolgen. Eine Kombination mit der Lufteinblasung ist besonders wirksam.
- Kupfer kann elektrochemisch durch Auflösen von Kupferanoden ergänzt werden, um den Kupfergehalt konstant zu halten. Für die Anoden kann Kupfer mit einem Gehalt von 0,02 bis 0,07 Gew.-% Phosphor verwendet werden. Die Kupferanoden sollten mit einem Filterbeutel ummantelt sein. Die Verwendung von inerten Anoden aus platiniertem Titan oder anderen Beschichtungen ist ebenfalls möglich. Stand der Technik sind heute Anlagen, bei denen das Behandlungsgut in vertikaler oder horizontaler Lage beschichtet wird.
- In die Elektrolytkreisläufe können bedarfsweise Filter zur Abscheidung mechanischer und/oder chemischer Rückstände eingefügt werden.
- Die erfindungsgemäße Abscheidelösung eignet sich hervorragend, um eine dekorative Kupferabscheidung zu erzeugen. Darüber hinaus kann sie für das elektrolytische Auffüllen von Mikrosacklöchern (Mikroblindvias) auf Leiterplatten eingesetzt werden. Insbesondere für die Herstellung von Chip-Carrier stellt dies eine zukunftsträchtige Technologie dar, da hierfür eine erhöhte Zuverlässigkeit besonders bei schmalen Leiterbahnen gegenüber der Kupferhülsentechnik erreicht wird. In ähnlicher Weise können mit der erfindungsgemäßen Lösung elegant Leiterstrukturen auf mit Vertiefungen versehenen Oberflächen von Halbleitersubstraten (Wafern) bei der Herstellung integrierter Schaltungen erzeugt werden. Bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verkupferungsverfahrens wird über die gesamte Waferoberfläche eine fast konstante Schichtdicke (Planarität) unabhängig von den Vertiefungen mit großem Aspektverhältnis (1:10) erreicht, so dass derartige Vertiefungen (Mikrosacklöcher) mit Kupfer gefüllt werden.
- Die folgenden Verfahrensbeispiele dienen zur näheren Erläuterung.
- Verfahrensbeispiel 1 (Vergleichsversuch):
- In einer Elektrolysezelle mit löslichen, phosphorhaltigen Kupferanoden wurde eine Kupferlösung mit folgender Zusammensetzung eingesetzt:
200 g/L Kupfersulfat (CuSO4·5H2O) 60 g/L Schwefelsäure konz. 0,12 g/L Natriumchlorid - Folgende Glanzbildner wurden zugesetzt:
1,5 g/L Polypropylenglykol (800 Da (Dalton)), 0,006 g/L 3-Mercaptopropan-1-sulfonsäure, Natriumsalz - Bei einer Elektrolyttemperatur von 25°C wurde bei einer Stromdichte von 4 A/dm2 auf gebürstetem Messingblech eine gleichmäßig glänzende jedoch nicht hochglänzende, leicht verschleierte Abscheidung erhalten.
- Verfahrensbeispiel 2 (Vergleichsversuch):
- Der Abscheidelösung gemäß Verfahrensbeispiel 1 wurden zusätzlich 25 mg/L Polyvinylpyrrolidon zugesetzt. Nach dem Abscheiden von Kupfer unter den in Verfahrensbeispiel 1 angegebenen Bedingungen wurde eine leicht verbessert aussehende Kupferschicht erhalten. Das Messingblech sah in diesem Falle glänzender, jedoch immer noch nicht hochglänzend aus. Außerdem zeigte das Blech an den Kanten auf Grund der auftretenden hohen Stromdichten Anbrennungen (pulvrige Abscheidung von Kupfer).
- Verfahrensbeispiel 3 – Erfindungsgemäßes Beispiel:
- Dem Elektrolyten gemäß Verfahrensbeispiel 1 wurden zusätzlich 25 mg/L der erfindungsgemäßen Verbindung, hergestellt nach Herstellungsbeispiel 3, zugesetzt. Nach dem Abscheiden von Kupfer unter den in Verfahrensbeispiel 1 angegebenen Bedingungen wurde ein sehr gutes Aussehen der Kupferschicht auf dem Messingblech erhalten. Die Abscheidung war äußerst brillant, so dass man sich in der Abscheidung spiegeln konnte. Das Blech zeigte keine Anbrennungen. Die Bürststriche waren überhaupt nicht mehr zu erkennen. Dies wies auf eine hervorragende Einebnungskraft des Kupferelektrolyten hin.
- Entsprechend den Verfahrensbeispielen 1 bis 3 konnte gezeigt werden, dass ohne die erfindungsgemäßen Polyvinylammoniumverbindungen nur eine geringe einebnende Wirkung erzielt wird. In einem separaten Vergleichsversuch konnte darüber hinaus gezeigt werden, dass die Verwendung eines möglichen Ausgangspolymers für die Herstellung der erfindungsgemäßen Polyvinylammoniumverbindungen, entsprechend Verfahrensbeispiel 2, nicht das gewünschte Ergebnis erbringt. Nur die erfindungsgemäßen Polyvinylammoniumverbindungen zeigen dagegen einen guten Effekt.
- Verfahrensbeispiel 4 (Vergleichsversuch):
- Zum Beschichten einer Leiterplatte mit Mikroblindvias wurde eine Kupferabscheidelösung mit folgender Zusammensetzung in einer Elektrolysezelle mit löslichen, phosphorhaltigen Kupferanoden eingesetzt:
120 g/L Kupfersulfat (CuSO4·5H2O) 200 g/L Schwefelsäure konz. 0,05 g/L Natriumchlorid - Folgende Glanzbildner wurden zugesetzt:
0,5 g/L Polypropylenglykol (820 Da), 0,005 g/L Bis-(ω-sulfopropyl)-disulfid, Di-Natriumsalz - Bei einer Elektrolyttemperatur von 25°C konnte bei einer Stromdichte von 1 A/dm2 auf einer mit 16 μm Kupfer vorverstärkten Leiterplatte mit kleinen Sacklöchern (Mikroblindvias) nach 110 Minuten Expositionszeit eine leicht verschleierte Abscheidung erhalten werden, wobei ein Sackloch mit einer Breite von 120 μm und einer Tiefe von 60 μm kaum mit Kupfer aufgefüllt war.
- Verfahrensbeispiel 5 – Erfindungsgemäßes Beispiel:
- Dem Elektrolyten aus Verfahrensbeispiel 5 wurden zusätzlich 30 mg/L der erfindungsgemäßen Verbindung nach Herstellungsbeispiel 2, zugesetzt. Nach dem Abscheiden von Kupfer unter den in Verfahrensbeispiel 4 angegebenen Bedingungen konnte eine Verbesserung des Aussehens der Leiterplatte erreicht werden. Die Sacklöcher mit einer Breite von 120 μm und einer Tiefe von 60 μm waren vollständig und selektiv mit Kupfer aufgefüllt. Nach der Verkupferung war praktisch keine Vertiefung auf der Kupferoberfläche mehr feststellbar. Die Menge an insge samt aufgebrachtem Kupfer war gering.
- Gegenüber der bisherigen Technik zur elektrolytischen Verkupferung der Sacklöcher stellt dieses Ergebnis einen weiteren Fortschritt dar, da die Auffüllung der Sacklöcher wesentlich besser gelingt. Darüber hinaus konnte die Oberfläche ohne Aktivierung weiter behandelt werden. Tabelle 1: Sauerstoffhaltige hochmolekulare Verbindungen Tabelle 2: Schwefelverbindungen Tabelle 3: Stickstoffhaltige Thioverbindungen:
R2 CHO oder H ist, wobei R2 in allen mit l indizierten Monomereinheiten in der Polyvinylammoniumverbindung gleich oder verschieden ist, mit der Maßgabe, dass der Anteil der H enthaltenden mit l indizierten Monomereinheiten, bezogen auf alle mit l indizierten Monomereinheiten, in einem Bereich von 1–100 Mol-% und der Anteil der CHO enthaltenden mit l indizierten Monomereinheiten in einem Bereich von 99–0 Mol-% liegen,
R3 ein Rest ist, ausgewählt aus der Gruppe, umfassend gesättigte Carbonsäuren mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen, ungesättigte Carbonsäuren mit 3 bis 8 Kohlenstoffatomen sowie Ester, Anhydride, Amide und Nitrile der vorstehend genannten Carbonsäuren, wobei R3 in allen mit n indizierten Monomereinheiten in der Polyvinylammoniumverbindung gleich oder verschieden ist, und
A– ein Säureanion ist,
sowie Polyvinylammoniumverbindungen der allgemeinen chemischen Formel (I), worin eine oder beide der mit l und m indizierten Monomereinheiten in neutraler Form vorliegen.
Claims (25)
- Polyvinylammoniumverbindung entsprechend der allgemeinen chemischen Formel (I): wobei l, m und n Monomereinheiten indizieren und den Anteil der jeweiligen Monomereinheit in der Polyvinylammoniumverbindung in Mol-% angeben, wobei l + m + n = 100 Mol-%, mit der Maßgabe, dass 1) l + m, bezogen auf l + m + n, in einem Bereich von 1–100 Mol-% und n, bezogen auf l + m + n, in einem Bereich von 99–0 Mol-% sind, und 2) m, bezogen auf l + m, in einem Bereich von 1–100 Mol-% und l, bezogen auf l + m, in einem Bereich von 99–0 Mol-% sind, R1 ein Rest ist, ausgewählt aus der Gruppe, umfassend substituiertes und unsubstituiertes Aralkyl und Alkenyl, R2 CHO oder H ist, wobei R2 in allen mit l indizierten Monomereinheiten in der Polyvinylammoniumverbindung gleich oder verschieden ist, mit der Maßgabe, dass der Anteil der H enthaltenden mit l indizierten Monomereinheiten, bezogen auf alle mit l indizierten Monomereinheiten, in einem Bereich von 1–100 Mol-% und der Anteil der CHO enthaltenden mit l indizierten Monomereinheiten in einem Bereich von 99–0 Mol-% liegen, R3 ein Rest ist, ausgewählt aus der Gruppe, umfassend gesättigte Carbonsäuren mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen, ungesättigte Carbonsäuren mit 3 bis 8 Kohlenstoffatomen sowie Ester, Anhydride, Amide und Nitrile der vorstehend genannten Carbonsäuren, wobei R3 in allen mit n indizierten Monomereinheiten in der Polyvinylammoniumverbindung gleich oder verschieden ist, und A– ein Säureanion ist, sowie Polyvinylammoniumverbindungen der allgemeinen chemischen Formel (I), worin eine oder beide der mit l und m indizierten Monomereinheiten in neutraler Form vorliegen.
- Polyvinylammoniumverbindung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Aralkyl Benzyl oder Phenylethyl ist.
- Polyvinylammoniumverbindung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Alkenyl Vinyl oder Allyl ist.
- Polyvinylammoniumverbindung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Säureanion ausgewählt ist aus der Gruppe, umfassend Hydrogensulfat, Halogenid, Pseudohalogenid, Tetrafluoroborat, Hexafluorophosphat, Nitrat, Acetat, Trifluoracetat und Methansulfonat.
- Polyvinylammoniumverbindung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die gesättigten Carbonsäuren aus der Gruppe ausgewählt sind, umfassend Ethansäure, Propionsäure und Butyrsäure.
- Polyvinylammoniumverbindung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die ungesättigten Carbonsäuren aus der Gruppe ausgewählt sind, umfassend Acrylsäure, Methacrylsäure, Crotonsäure, Vinylessigsäure, Maleinsäure, Fumarsäure und Itaconsäure.
- Polyvinylammoniumverbindung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie ein Molgewicht Mw im Bereich von 500 bis 500.000 aufweist.
- Polyvinylammoniumverbindung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie durch Umsetzen von a) mindestens einem Ausgangspolymer der folgenden allgemeinen chemischen Formel (II) worin R2 und R3 sowie l und n dieselben Bedeutungen haben, wie zuvor angegeben, wobei l + n = 100 Mol-% ist, mit der Maßgabe, dass l im Bereich von 1–100 Mol-% und n im Bereich von 99–0 Mol-% liegt, mit b) mindestens einem einen organischen Rest in das Ausgangspolymer einführenden Reagenz, ausgewählt aus der Gruppe, umfassend substituierte und unsubstituierte Alkenylierungs- und Aralkylierungsmittel, erhältlich ist.
- Polyvinylammoniumverbindung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Alkenylierungs- und Aralkylierungsmittel ausgewählt sind aus der Gruppe umfassend Allylchlorid, Allylbromid, Benzylchlorid, Benzylbromid, Phenylethylchlorid und Phenylethylbromid.
- Verfahren zur Herstellung einer Polyvinylammoniumverbindung gemäß einem der Ansprüche 1–9, dadurch gekennzeichnet, dass a) mindestens ein Ausgangspolymer der allgemeinen chemischen Formel (II) worin R2 und R3 sowie l und n dieselben Bedeutungen haben, wie zuvor angegeben, wobei l + n = 100 Mol-% ist, mit der Maßgabe, dass l im Bereich von 1–100 Mol-% und n im Bereich von 99–0 Mol-% liegt, mit b) mindestens einem einen organischen Rest in das Ausgangspolymer einführenden Reagenz, ausgewählt aus der Gruppe, umfassend substituierte und unsubstituierte Alkenylierungs- und Aralkylierungsmittel, umgesetzt wird.
- Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass beim Umsetzen eine Temperatur im Bereich von 20 bis 100°C eingestellt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10 und 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Umsetzung im Wässrigen durchgeführt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10–12, dadurch gekennzeichnet, dass die Alkenylierungs- und Aralkylierungsmittel aus der Gruppe ausgewählt sind, umfassend Allylchlorid, Allylbromid, Benzylchlorid, Benzylbromid, Phenylethylchlorid und Phenylethylbromid.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10–13, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausgangspolymer mit 1–50 Mol-% des mindestens einen Alkenylierungs- und Aralkylierungsmittels, bezogen auf die Menge der in der Polyvinylammoniumverbindung vorhandenen mit l indizierten Monomereinheiten des Ausgangspolymers, umgesetzt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10–14, dadurch gekennzeichnet, dass im Ausgangspolymer die mit l indizierten Monomereinheiten, bei denen R2=H, bezogen auf alle mit l indizierten Monomereinheiten, in einem Bereich von 90–95 Mol-% und der Anteil der CHO enthaltenden mit l indizierten Monomereinheiten in einem Bereich von 10–5 Mol-% liegen.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10–15, dadurch gekennzeichnet, dass im Ausgangspolymer l = 100 Mol-% ist.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10–16, dadurch gekennzeichnet, dass die Polyvinylammoniumverbindung nach der Reaktion gewaschen und das Säureanion A– gegen ein anderes Säureanion durch Umsalzen ausgetauscht wird, ausgewählt aus der Gruppe, umfassend Hydrogensulfat, Pseudohalogenid, Tetrafluoroborat, Hexafluorophosphat, Nitrat, Acetat, Trifluoracetat und Methansulfonat.
- Wässrige saure Lösung zum elektrolytischen Abscheiden von Kupferüberzügen enthaltend Kupferionen, dadurch gekennzeichnet, dass in der Lösung mindestens eine Polyvinylammoniumverbindung gemäß einem der Ansprüche 1–9 enthalten ist.
- Wässrige saure Lösung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Polyvinylammoniumverbindung in einer Konzentration von 0,0001–4 g/l enthalten ist.
- Wässrige saure Lösung nach einem der Ansprüche 18 und 19, dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich Verbindungen, ausgewählt aus der Gruppe, umfassend Stickstoff enthaltende Schwefelverbindungen und polymere Stickstoffverbindungen, enthalten sind.
- Wässrige saure Lösung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Stickstoff enthaltenden Schwefelverbindungen und die polymeren Stickstoffverbindungen zusammen in einer Konzentration von 0,0001–0,50 g/l enthalten sind.
- Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages, bei dem ein Werkstück und eine Anode in Kontakt mit einer sauren Lösung, enthaltend Kupferionen, gebracht werden und ein elektrischer Stromfluss zwischen dem Werkstück und der Anode erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Lösung mindestens eine Polyvinylammoniumverbindung gemäß einem der Ansprüche 1–9 enthält.
- Verfahren nach Anspruch 22 zur Abscheidung eines hochglänzenden, eingeebneten Kupferniederschlages zur Erzeugung dekorativer Oberflächen.
- Verfahren nach Anspruch 22 zur Erzeugung eines Kupferniederschlages auf mit Mikrosacklöchern versehenen Leiterplatten.
- Verfahren nach Anspruch 22 zur Erzeugung eines Kupferniederschlages auf Halbleitersubstraten.
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102005011708A DE102005011708B3 (de) | 2005-03-11 | 2005-03-11 | Polyvinylammoniumverbindung und Verfahren zu deren Herstellung sowie diese Verbindung enthaltende saure Lösung und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages |
| US11/816,717 US8114263B2 (en) | 2005-03-11 | 2006-03-01 | Polyvinylammonium compound, method of manufacturing same, acidic solution containing said compound and method of electrolytically depositing a copper deposit |
| PCT/EP2006/002064 WO2006094755A1 (en) | 2005-03-11 | 2006-03-01 | Polyvinylammonium compound, method of manufacturing same, acidic solution containing said compound and method of electrolytically depositing a copper deposit |
| BRPI0608290-4A BRPI0608290A2 (pt) | 2005-03-11 | 2006-03-01 | composto de polivinilamÈnio, método de produção do composto, solução ácida contendo esse composto e método de eletroliticamente depositar um depósito de cobre |
| CN2006800078743A CN101137680B (zh) | 2005-03-11 | 2006-03-01 | 聚乙烯基铵化合物、及其制法、包含该化合物的酸性溶液和电解沉积铜沉积物的方法 |
| EP06723262.9A EP1856167B1 (de) | 2005-03-11 | 2006-03-01 | Saure Lösung enthaltend eine Polyvinylammoniumverbindung und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlags |
| ES06723262.9T ES2543805T3 (es) | 2005-03-11 | 2006-03-01 | Disolución ácida que contiene un compuesto de polivinilamonio y método de depositar electrolíticamente un depósito de cobre |
| JP2008500108A JP5103372B2 (ja) | 2005-03-11 | 2006-03-01 | ポリビニルアンモニウム化合物、ポリビニルアンモニウム化合物の製造方法、ポリビニルアンモニウム化合物を含有する酸性溶液及び銅めっきを電気分解的に析出する方法 |
| CA2599183A CA2599183C (en) | 2005-03-11 | 2006-03-01 | Polyvinylammonium compound, method of manufacturing same, acidic solution containing said compound and method of electrolytically depositing a copper deposit |
| KR1020077020833A KR101242879B1 (ko) | 2005-03-11 | 2006-03-01 | 폴리비닐암모늄 화합물, 이의 제조 방법, 상기 화합물을함유하는 산성 용액 및 구리 침착물의 전해 침착 방법 |
| MYPI20060986A MY142821A (en) | 2005-03-11 | 2006-03-08 | Polyvinylammonium compound, method of manufacturing same, acidic solution containing said compound and method of electrolytically depositing a copper deposit |
| TW095108233A TWI379841B (en) | 2005-03-11 | 2006-03-10 | Polyvinylammonium compound, method of manufacturing same, acidic solutioin containing said compound and method of electrolytically depositing a copper deposit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102005011708A DE102005011708B3 (de) | 2005-03-11 | 2005-03-11 | Polyvinylammoniumverbindung und Verfahren zu deren Herstellung sowie diese Verbindung enthaltende saure Lösung und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102005011708B3 true DE102005011708B3 (de) | 2007-03-01 |
Family
ID=36569982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102005011708A Expired - Fee Related DE102005011708B3 (de) | 2005-03-11 | 2005-03-11 | Polyvinylammoniumverbindung und Verfahren zu deren Herstellung sowie diese Verbindung enthaltende saure Lösung und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8114263B2 (de) |
| EP (1) | EP1856167B1 (de) |
| JP (1) | JP5103372B2 (de) |
| KR (1) | KR101242879B1 (de) |
| CN (1) | CN101137680B (de) |
| BR (1) | BRPI0608290A2 (de) |
| CA (1) | CA2599183C (de) |
| DE (1) | DE102005011708B3 (de) |
| ES (1) | ES2543805T3 (de) |
| MY (1) | MY142821A (de) |
| TW (1) | TWI379841B (de) |
| WO (1) | WO2006094755A1 (de) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7883720B2 (en) | 2003-07-09 | 2011-02-08 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Charge-dynamic polymers and delivery of anionic compounds |
| JP4816901B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2011-11-16 | 上村工業株式会社 | 電気銅めっき浴 |
| JP2008088524A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Ebara Udylite Kk | プリント基板用硫酸銅めっき液 |
| US7557049B2 (en) * | 2006-10-30 | 2009-07-07 | Nitto Denko Corporation | Producing method of wired circuit board |
| TWI441955B (zh) | 2007-05-21 | 2014-06-21 | 上村工業股份有限公司 | Electroplating copper bath |
| WO2009049100A2 (en) * | 2007-10-09 | 2009-04-16 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Ultrathin multilayered films for controlled release of anionic reagents |
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-
2005
- 2005-03-11 DE DE102005011708A patent/DE102005011708B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-01 ES ES06723262.9T patent/ES2543805T3/es active Active
- 2006-03-01 BR BRPI0608290-4A patent/BRPI0608290A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2006-03-01 CA CA2599183A patent/CA2599183C/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-01 US US11/816,717 patent/US8114263B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-01 CN CN2006800078743A patent/CN101137680B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-01 EP EP06723262.9A patent/EP1856167B1/de not_active Not-in-force
- 2006-03-01 JP JP2008500108A patent/JP5103372B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-01 WO PCT/EP2006/002064 patent/WO2006094755A1/en not_active Ceased
- 2006-03-01 KR KR1020077020833A patent/KR101242879B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-08 MY MYPI20060986A patent/MY142821A/en unknown
- 2006-03-10 TW TW095108233A patent/TWI379841B/zh not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE1521031A1 (de) * | 1966-08-20 | 1969-09-04 | Schering Ag | Saurer Elektrolyt zur Abscheidung glaenzender,einebnender Kupferueberzuege |
| WO1993015241A1 (de) * | 1992-01-25 | 1993-08-05 | Basf Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung vernickelter formteile |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101242879B1 (ko) | 2013-03-13 |
| CA2599183A1 (en) | 2006-09-14 |
| US8114263B2 (en) | 2012-02-14 |
| TWI379841B (en) | 2012-12-21 |
| EP1856167B1 (de) | 2015-05-06 |
| WO2006094755A1 (en) | 2006-09-14 |
| BRPI0608290A2 (pt) | 2009-12-22 |
| ES2543805T3 (es) | 2015-08-24 |
| TW200640965A (en) | 2006-12-01 |
| US20080210569A1 (en) | 2008-09-04 |
| MY142821A (en) | 2011-01-14 |
| KR20080000563A (ko) | 2008-01-02 |
| JP5103372B2 (ja) | 2012-12-19 |
| EP1856167A1 (de) | 2007-11-21 |
| JP2008533224A (ja) | 2008-08-21 |
| CA2599183C (en) | 2013-05-14 |
| CN101137680A (zh) | 2008-03-05 |
| CN101137680B (zh) | 2011-08-17 |
| WO2006094755A8 (en) | 2007-04-19 |
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| R082 | Change of representative | ||
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