DE102005009805A1

DE102005009805A1 - Lithographiemaske und Verfahren zum Erzeugen einer Lithographiemaske

Info

Publication number: DE102005009805A1
Application number: DE102005009805A
Authority: DE
Inventors: Christoph NÖLSCHER; Thomas Henkel; Kerstin Renner; Roderick KÖHLE
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Polaris Innovations Ltd
Priority date: 2005-03-03
Filing date: 2005-03-03
Publication date: 2006-09-14
Also published as: KR20060096364A; CN1828409A; US20060210887A1; JP2006243737A; TW200632533A; KR100803401B1

Abstract

Lithographiemaske zum lithographischen Strukturieren einer Resistschicht auf einem Substrat mit ersten Bereichen 50, 52, 54, 56, in denen die Lithographiemaske 14 eine nicht-transparente Schicht aufweist, und zweite und dritte Bereiche 60, 62, 64, 66, 70, 72, 74, 76, die sich in der optischen Dicke der Lithographiemaske 14 unterscheidet und in die Lithographiemaske 14 zumindest semitransparent ist. Die Lithographiemaske umfasst einen ersten Abschnitt 44 mit einer Mehrzahl von zweiten Bereichen 62, 64 und einer Mehrzahl von dritten Bereichen 72, 74, die alternierend angeordnet und von einem ersten Bereich 50 umgeben sind, zum lithographischen Erzeugen von Resistöffnungen 34, 36 mit Abständen, die kleiner als ein vorbestimmter Grenzabstand sind. Ferner umfasst die Lithographiemaske einen zweiten Abschnitt 42, 46 mit einer Vielzahl von dritten Bereichen 70, 76, von denen jeder von einem zweiten Bereich 60, 66 umgeben ist, der von einem mehrfach zusammenhängenden ersten Bereich 50 umgeben ist, zum lithographischen Erzeugen von Resistöffnungen 32, 38 mit Abständen, die größer als ein vorbestimmter Grenzabstand sind.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Lithographiemaske zur lithographischen Erzeugung von dichten und isolierten Kontaktlöchern sowie auf Verfahren, die zur Erzeugung einer solchen Lithographiemaske besonders geeignet sind.

Bei mikroelektronischen oder mikromechanischen Bauelementen werden Strukturen mit geringen gegenseitigen Abständen, insbesondere mit Abständen, die kleiner als die für ihre lithographische Erzeugung verwendete Wellenlänge sind, als dichte Strukturen bezeichnet. Strukturen mit größeren gegenseitigen Abständen werden als halbisolierte oder isolierte Strukturen bezeichnet. Bei der Herstellung eines mikroelektronischen oder mikromechanischen Bauelements ist eine möglichst geringe Anzahl von Prozessschritten unter anderem aus Kostengründen vorteilhaft. Es ist deshalb erwünscht, dichte, halbisolierte und isolierte Strukturen in ein und demselben Schritt mikrolithographisch zu erzeugen.

Ein Beispiel für Strukturen, die dicht, halbisoliert oder isoliert auftreten können, sind Kontaktlöcher bzw. Durchgangslochleiter zur Verbindung verschiedener Verdrahtungsebenen oder von Verdrahtungsebenen mit der Bauelementschicht. Typischerweise existieren auf ein und demselben Chip Bereiche, in denen Kontaktlöcher in großer Anzahl auf geringer Fläche vorhanden sind und somit geringe gegenseitige Abstände aufweisen (dichte Strukturen), und andere Bereiche, in denen nur wenige Kontaktlöcher mit großen gegenseitigen Abständen angeordnet sind. Es ist erwünscht, alle Kontaktlöcher innerhalb einer Ebene gleichzeitig, d. h. durch Abbildung von ein und derselben Lithographiemaske zu erzeugen.

Dichte Strukturen werden herkömmlich durch alternierende Phasenmasken (altPSM; altPSM = alternating Phase Mask) erzeugt. Eine altPSM weist erste und zweite Bereiche auf, die sich in ihrer optischen Dicke so unterscheiden, dass sich Licht einer vorbestimmten Wellenlänge, das durch einen ersten Bereich der altPSM transmittiert wird, und Licht derselben Lichtquelle, das durch einen benachbarten zweiten Bereich transmittiert wird, eine Phasendifferenz aufweist, die vorzugsweise 180° +/– 60° beträgt. Benachbarte Strukturen, beispielsweise Kontaktlöcher, Gräben oder auch andere punkt- oder linienförmige Strukturen, werden durch entsprechende Bereiche unterschiedlicher optischer Dicke auf der Lithographiemaske erzeugt. Bei der Abbildung der Lithographiemaske auf einen Photoresist erzeugt jeder Phasensprung zwischen zwei benachbarten ersten und zweiten Bereichen einen dunklen Bildbereich bzw. Bildbereich mit geringer Lichtintensität, durch den die benachbarten Strukturen deutlich getrennt sind.

Für halbdichte bzw. halbisolierte und isolierte Strukturen werden Halbtonphasenmasken (HTPSM = half tone phase shifting mask) verwendet, bei denen sich die ersten und zweiten Bereiche nicht nur in der Phase des transmittierten Lichts, sondern auch in ihrer Transparenz bzw. Transmittivität unterscheiden.

Die DE 100 01 119 A1 beschreibt eine Lithographiemaske, die in Zonen, in welchen die Abstände von benachbarten lichtdurchlässigen Bereichen in wenigstens einer Raumrichtung unterhalb eines vorgegebenen Grenzabstandes liegen, jeweils als alternierende Phasenmaske ausgebildet ist. In Zonen in denen die Abstände der benachbarten lichtdurchlässigen Bereiche größer als der Grenzabstand sind, ist die Phasenmaske jeweils als Halbton-Phasenmaske oder chromlose Phasenmaske ausgebildet.

Der Artikel „Alternating Phase Shift Masks for Contact Patenting" von R. Schenker et al. (Optical mikrolithographie XVI, Anthony Yen, Editor, Proceedings of SPIE Vol. 50/40 (2003)) erwähnt eine kombinierte Verwendung von alternierenden Phasen für dichte Kontakte und phasenverschobenen Hilfsstrukturen für halbdichte und isolierte Kontakte. Diese phasenverschobenen Hilfsstrukturen bestehen aus mehreren beabstandeten transparenten Flächen, durch die Licht mit unterschiedlicher Phase transmittiert wird, und die von einem nicht-transparenten Bereich der Lithographiemaske umgeben sind.

Die EP 0 451 307 A1 beschreibt die Herstellung einer Phasenmaske mit einem Maskenmuster aus einem lichtabsorbierenden Material auf einem Träger aus Quarz. Die Dicke des Trägers ist in einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich, in denen das Maskenmuster nicht angeordnet ist, unterschiedliche Dicken auf. Zur Herstellung wird zunächst das Maskenmuster erzeugt. Der erste Bereich wird durch Photolack abgedeckt. In dem nicht abgedeckten zweiten Bereich wird der Träger geätzt, um seine Dicke zu reduzieren.

Die Technologien der genannten Druckschriften weisen spezifische Nachteile auf, insbesondere beispielsweise Einschränkungen hinsichtlich des Prozessfensters bzw. der zulässigen Parameterbereiche bei der lithographischen Abbildung der Lithographiemaske.

Ein allgemeines und grundlegendes Problem ist ferner die Herstellung von Lithographiemasken mit der erforderlichen Präzision, insbesondere beispielsweise mit der erforderlichen relativen Lagegenauigkeit von nicht-transparenten und transparenten Bereichen.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine verbesserte Lithographiemaske sowie verbesserte Verfahren zum Erzeugen einer Lithographiemaske, zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes und zum Erzeugen von Datensätzen für die Erzeugung einer Lithographiemaske zu schaffen.

Diese Aufgabe wird durch eine Lithographiemaske gemäß Anspruch 1 und Verfahren gemäß den Ansprüchen 6, 7, 16 und 17 gelöst.

Bevorzugte Weiterbildungen der vorliegenden Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen definiert.

Die vorliegende Erfindung beruht auf der Idee, auf ein und derselben Lithographiemaske altPSM-Abschnitte für dichte Strukturen sowie wenn erforderlich auch Abschnitte mit 180° Phasen-Übergängen in intransparenter Umgebung (z.B. RIM-Abschnitten) für halbisolierte und isolierte Strukturen vorzusehen. Die Lithographiemaske weist erste, nicht-transparente Bereiche sowie zweite und dritte, zumindest semitransparente Bereiche auf, die sich in der optischen Dicke der Lithographiemaske unterscheiden. In einem altPSM-Abschnitt weist die Lithographiemaske eine Mehrzahl von zweiten Bereiche und eine Mehrzahl von dritten Bereichen auf, die alternierend angeordnet und von einem ersten Bereich umgeben sind. In einem RIM-Abschnitt weist die Lithographiemaske RIM-Strukturen auf. Eine RIM-Struktur umfasst einen dritten Bereich, der von einem zweiten Bereich unmittelbar umgeben ist, der wiederum von einem mehrfach zusammenhängenden ersten Bereich umgeben ist. Der den dritten Bereich umgebende zweite Bereich ist vorzugsweise mehrfach zusammenhängend.

Eine alternierende Anordnung bedeutet dabei insbesondere, dass bei einer linearen dichten Anordnung von Strukturen diese abwechselnd durch zweite und dritte Bereiche der Lithographiemaske erzeugt werden. Bei einer flächigen dichten Anordnung von Strukturen sind in zwei zueinander im Wesentlichen senkrechten Richtungen zweite und dritte Bereiche jeweils abwechselnd angeordnet, ähnlich den schwarzen und weißen Flächen eines Schachbretts, jedoch voneinander beabstandet. Die alternierende bzw. abwechselnde Anordnung von zweiten und dritten Bereichen bewirkt, dass in der Regel nächst benachbart zu jedem zweiten Bereich ein dritter Bereich und nächst benachbart zu jedem dritten Bereich ein zweiter Bereich angeordnet ist. Innerhalb des altPSM-Abschnitts ist vorzugsweise jeder zweite und jeder dritte Bereich einfach zusammenhängend.

Die vorliegende Erfindung beruht ferner auf der Idee, beim Erzeugen einer Lithographiemaske mit nicht-transparenten ersten Bereichen und zumindest semitransparenten zweiten und dritten Bereichen, in denen die Lithographiemaske unterschiedliche optische Dicken aufweist, eine zum Entfernen der nicht-transparenten Schicht in den zweiten Bereichen vorgesehene erste Lackmaske so zu erzeugen, dass sie einen dritten Bereich der Lithographiemaske zumindest in einem umlaufenden Randbereich nicht bedeckt. Mittels einer zweiten Lackmaske wird die optische Dicke der Lithographiemaske in den dritten Bereich, der weder von der zweiten Lackmaske noch von der nicht-transparenten Schicht bedeckt ist, geändert.

Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass auch bei einem in der Praxis nur mit unverhältnismäßigem Aufwand zu vermeidenden relativen lateralen Versatz der ersten und der zweiten Lackmaske keine Reste der nicht-transparenten Schicht zwischen zweiten und dritten Bereichen, die aneinander angrenzen sollen, stehen bleiben. Dies ist von besonderer Bedeutung bei Lithographiemasken mit den oben erwähnten RIM-Strukturen, bei denen innerhalb eines mehrfach zusammenhängenden zweiten Bereichs ein dritter Bereich angeordnet ist. Besonders eignet sich das erfindungsgemäße Verfahren deshalb für die oben beschriebene Lithographiemaske mit altPSM-Abschnitten und RIM-Abschnitten. Ein weiterer Vorteil diese Verfahrens besteht darin, dass die zweite Lackmaske mit einer geringeren lateralen Auflösung erzeugt werden kann. Der Toleranzbereich hinsichtlich eines relativen lateralen Versatzes der beiden Lackmasken und hinsichtlich der lateralen Auflösung wird durch die Breite des umlaufenden Randbereichs des dritten Bereichs, der nicht durch die zweite Lackmaske bedeckt ist, bestimmt.

Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung anhand der beiliegenden Figuren näher erläutert. Es zeigen:
1 eine schematische Darstellung eines ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung;
2 eine schematische Darstellung eines zweiten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung;
3 eine schematische Darstellung eines dritten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung;
4 eine schematische Darstellung eines vierten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung;
5 und 6 eine schematische Darstellung eines fünften Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung; und
7 eine schematische Darstellung eines sechsten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
1 ist eine schematische Darstellung eines ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung. Sie zeigt schematische Draufsichten auf eine erste Lackmaske 10, eine zweite Lackmaske 12, eine mittels der Lackmasken 10, 12 hergestellte fertige Lithographiemaske 14 und ein mittels der Lithographiemaske 14 lithographisch strukturiertes Substrat 16. Die Lackmasken 10, 12 werden während der Herstellung der Lithographiemaske 14 auf deren Maskensubstrat erzeugt. Anschließend werden ihre laterale Strukturen, wie nachfolgend beschrieben in bzw. auf das Maskensubstrat übertragen, um die Lithographiemaske 14 zu erhalten.
Das strukturierte Substrat 16 weist einen ersten Abschnitt 22, einen zweiten Abschnitt 24 und einen dritten Abschnitt 26 mit jeweils einem oder mehreren Kontaktlöchern oder Durchgangslöchern 32, 34, 36, 38 auf. Diese Durchgangslöcher 32, 34, 36, 38 durchdringen die sichtbare oberste Schicht des strukturierten Substrats 16, um beispielsweise elektrisch leitfähige Verbindungen zwischen Verdrahtungsebenen zu schaffen, die über und unter dieser elektrisch isolierenden Schicht liegen. Im ersten Abschnitt 22 und im dritten Abschnitt 26 sind die Durchgangslöcher 32, 38 isoliert oder halbisoliert angeordnet, d. h. sie weisen einen großen gegenseitigen Abstand auf, der insbesondere größer oder viel größer als die Wellenlänge des bei der lithographischen Strukturierung des Substrats 16 verwendeten Lichts ist. Im zweiten Abschnitt 24 sind die Durchgangslöcher 34, 36 dicht angeordnet, d. h. sie weisen einen kleinen gegenseitigen Abstand auf, der insbesondere kleiner als die Wellenlänge des bei einer lithographischen Strukturierung des Substrats 16 verwendeten Lichts ist.
Abschnitte 22, 26 mit isolierten oder halbisolierten Strukturen und Abschnitte 24 mit dichten Strukturen können bei einem realen strukturierten Substrat 16 deutlich ausgedehnter und/oder weiter voneinander beabstandet sein, so dass auch die Abstände zwischen den isolierten Strukturen 32, 38 einerseits und den dichten Strukturen 34, 36 andererseits wesentlich größer sind als die Abstände zwischen benachbarten dichten Strukturen 34, 36 innerhalb eines zweiten Abschnitts 24. Die relative räumliche Anordnung der Abschnitte 22, 24, 26 in 1 ist in Hinblick auf eine übersichtliche und platzsparende Darstellung gewählt und deshalb insbesondere in Hinblick auf die Abstände zwischen dichten Strukturen 34, 36 einerseits und halbisolierten oder isolierten Strukturen 32, 38 andererseits unmaßstäblich.
Bei der Darstellung der Lithographiemaske 14 zur lithographischen Strukturierung des Substrats 16 wurde die übliche verkleinernde Abbildung der Lithographiemaske auf das Substrat (beispielsweise im Maßstab 4:1) außer Acht gelassen. Die Li thographiemaske 14 weist entsprechend dem strukturierten Substrat 16 einen ersten Abschnitt 42, einen zweiten Abschnitt 44 und einen dritten Abschnitt 46 auf, die auf den ersten, zweiten bzw. dritten Abschnitt 22, 24, 26 des Substrats abgebildet werden, um dieses zu strukturieren. Die Lithographiemaske 14 weist erste, nicht-transparente Bereiche 50, 52, 54, 56, 58 auf. In diesen nicht-transparenten Bereichen weist die Lithographiemaske 14 an ihrer Oberfläche eine dünne lichtabsorbierende Schicht auf, die beispielsweise aus Chrom besteht. Diese ersten, nicht-transparenten Bereiche 50, 52, 54, 56, 58 weisen bevorzugt eine Transmittivität von 1% oder weniger und besonders bevorzugt eine Transmittivität von 1 Promille oder weniger auf.
Ferner weist die Lithographiemaske 14 zweite Bereiche 60, 62, 64, 66 und dritte Bereiche 70, 72, 74, 76 auf, in denen die Lithographiemaske 14 zumindest semitransparent ist, bzw. eine Transmittivität von 6% oder größer und bevorzugt eine Transmittivität von fast 100 aufweist. In diesen zweiten und dritten Bereichen weist die Lithographiemaske 14 die nicht-transparente Schicht vorzugsweise nicht oder nur mit einer geringeren Dicke auf.
Die zweiten Bereichen 60, 62, 64, 66 und die dritten Bereiche 70, 72, 74, 76 unterscheiden sich durch die optische Dicke der Lithographiemaske 14 so, dass Licht einer vorbestimmten Wellenlänge, das durch einen zweiten Bereich 60, 62, 64, 66 transmittiert wird, gegenüber Licht aus der gleichen Lichtquelle, das durch einen benachbarten dritten Bereich 70, 72, 74, 76 transmittiert wird, eine Phasendifferenz in einem vorbestimmten Intervall, vorzugsweise zwischen 120° und 240° und besonders bevorzugt eine Phasendifferenz von 180° aufweist.
Die Lithographiemaske 14 wird vorzugsweise aus einem Maskensubstrat aus einem hochtransparenten Material mit einer zunächst vollflächig aufgebrachten dünnen nicht-transparenten Schicht hergestellt bzw. erzeugt. Das transparente Material ist vorzugsweise Quarzglas. Die nicht transparente Schicht besteht beispielsweise aus Chrom. Die zumindest semitransparenten zweiten und dritten Bereiche 60, 62, 64, 66, 70, 72, 74, 76 werden erzeugt, indem die nicht-transparente Schicht lokal entfernt wird. In den dritten Bereichen wird die Dicke des transparenten Materials gegenüber einem benachbarten zweiten Bereich um einen Betrag Δ = λ1·(1 ± 1/3)/2(n2 – n1))verringert. Dabei sind λ₁ die Wellenlänge des zur lithographischen Abbildung der fertigen Lithographiemaske 14 auf das Substrat 16 verwendeten Lichts im die Maske umgebenden Medium (z. B. Luft, Stickstoff, Vakuum), n₁ der Brechungsindex des die Maske umgebenden Mediums und n₂ der Brechungsindex der Materialschicht, durch die sich die zweiten und dritten Bereiche unterscheiden. Dieser Abtrag einer Schicht der Dicke Δ erfolgt vorzugsweise durch Ätzen und wird nachfolgend näher beschrieben.
Zum Herstellen bzw. Erzeugen der Lithographiemaske 14 wird das Maskensubstrat mithilfe zweier Lackmasken 10, 12 strukturiert. Für die Erzeugung der Lackmasken 10, 12 werden zunächst ein erster Datensatz, der die erste Lackmaske 10 beschreibt und ein zweiter Datensatz, der die zweite Lackmaske 12 beschreibt, erzeugt. Jeder Datensatz enthält alle Daten, die erforderlich sind, um beispielsweise mittels eines Elektronen-, Ionen- oder Laserstrahls eine zunächst vollflächige auf dem Maskensubstrat vorliegenden Lackschicht so zu strukturieren (erforderlichenfalls zusammen mit einem nachfolgenden Entwicklungsschritt), dass die entsprechende Lackmaske entsteht. Insbesondere definiert jeder Datensatz die Anzahl, Anordnung, Größe und Form aller Öffnungen der Lackmaske. In der Technik sind eine Reihe von Datenformaten für derartige Datensätze bekannt, die von Entwurfsprogrammen erzeugt und von Elektronenstrahl-, Ionenstrahl- oder anderen Schreibvorrichtungen für die Strukturierung des Lacks gelesen werden können, um beispielsweise den Elektronen-, Ionen- oder Laserstrahl entsprechend zu steuern.
Der die erste Lackmaske 10 beschreibende erste Datensatz definiert Öffnungen 80, 82, 84, 86 in der ersten Lackmaske 10, welche den zweiten Bereichen 60, 62, 64, 66 zuzüglich einem Teil der dritten Bereiche entsprechen. Insbesondere umfassen die Öffnungen 80, 86 die dritten Bereiche 70, 76 in den Abschnitten 42, 46, die für eine Erzeugung halbdichter oder isolierter Strukturen 32, 38 vorgesehen sind. Diese halbdichten oder isolierten Strukturen 32, 38 werden durch RIM-ähnliche Strukturen erzeugt, bei denen ein einfach zusammenhängender dritter Bereich 70, 76 von einem unmittelbar angrenzenden mehrfach zusammenhängenden zweiten Bereich 60, 66 umgeben ist. Die dichten Strukturen 34, 36 werden durch altPSM-Strukturen auf der Lithographiemaske 14 erzeugt, welche durch eine alternierende Anordnung von einfach zusammenhängenden zweiten und dritten Bereichen 62, 64, 72, 74 gebildet werden, die jeweils von dem mehrfach zusammenhängenden ersten Bereich 50 unmittelbar umgeben sind und an diesen angrenzen. Der die erste Lackmaske 10 beschreibende erste Datensatz definiert keine Öffnungen welche dritten Bereichen 72, 74 in dem zweiten Abschnitt 44 zur Erzeugung dichter Strukturen 34, 36 entsprechen oder diese umfassen.
Somit umfassen die durch den ersten Datensatz definierten Öffnungen 80, 82, 84, 86 der ersten Lackmaske 10 alle zweiten Bereich 60, 62, 64, 66 und alle unmittelbar an zweite Bereiche 60, 66 angrenzende dritte Bereiche 70, 76.
Die zweite Lackmaske 12 wird durch einen zweiten Datensatz beschrieben. Dieser zweite Datensatz definiert Öffnungen 90, 92, 94, 96, welche allen dritten Bereichen 70, 72, 74, 76 entsprechen.
Nach der Erzeugung der beiden Datensätze wird zunächst die zweite Lackmaske 12 auf dem Maskensubstrat erzeugt. Dazu wird das Maskensubstrat zunächst vollflächig mit einem durch einen Elektronen-, Ionen- oder Laser-Strahl oder auf andere Weise strukturierbaren Lack beschichtet. Diese Lackschicht wird dann gesteuert durch den zweiten Datensatz lokal durch einen Elektronen-, Ionen, Laser-Strahl bzw. auf andere Weise belichtet bzw. beschrieben und anschließend entwickelt, um die Öffnungen 90, 92, 94, 96 in der Lackschicht zu erzeugen. Wie vom zweiten Datensatz vorgegeben entsprechen die Öffnungen 90, 92, 94, 96 den dritten Bereichen 70, 72, 74, 76 der fertigen Lithographiemaske 14.
Die zweite Lackmaske 12 dient dann als Ätzmaske. Im Bereich der Öffnungen 90, 92, 94, 96 werden die nicht-transparente Schicht und eine Schicht der oben beschriebenen Dicke Δ des transparenten Materials des Maskensubstrats abgetragen. Dies erfolgt in einem Ätzschritt mit einem einzigen Ätzmedium oder auch in zwei Ätzschritten, wobei in einem ersten Ätzschritt mit einem ersten Ätzmedium nur die nicht transparente Schicht und in einem zweiten Ätzschritt mit einem zweiten Ätzmedium das transparente Material des Maskensubstrats abgetragen werden. Zumindest der Abtrag des transparenten Mediums erfolgt vorzugsweise in einem anisotropen Ätzschritt. Dabei kann vor dem zweiten Ätzschritt die Lackmaske entfernt und die bereits strukturierte nicht-transparente Schicht als Ätzmaske für den zweiten Ätzschritt verwendet werden.
Nachdem mithilfe der zweiten Lackmaske 12 die dritten Bereiche 70, 72, 74, 76 erzeugt und die zweite Lackmaske 12 wieder entfernt wurden, wird die erste Lackmaske 10 auf entsprechende Weise, jedoch gesteuert durch den ersten Datensatz erzeugt. Die erzeugten Öffnungen 80, 82, 84, 86 der ersten Lackmaske 10 umfassen entsprechend dem ersten Datensatz die zweiten Bereiche 60, 62, 64, 66 und zusätzlich die an zweite Bereiche 60, 66 unmittelbar angrenzenden dritten Bereiche 70, 76. Zur Verdeutlichung sind auch die Ränder 701, 721, 742, 762 der bereits erzeugten dritten Bereiche 70, 72, 74, 76 re lativ zur ersten Lackmaske 10 mit unterbrochenen Linien dargestellt.
Die erste Lackmaske 10 dient dann als Ätzmaske zum Entfernen der nicht-transparenten Schicht in den durch die Öffnungen 80, 82, 84, 86 definierten zweiten Bereichen 60, 62, 64, 66. Die nicht-transparente Schicht wird vorzugsweise mittels eines Ätzmediums entfernt, das selektiv wirkt und nur die nicht-transparente Schicht abträgt, nicht jedoch das transparente Material des Maskensubstrats.
Nach dem Entfernen der ersten Lackmaske 10 ist die Lithographiemaske 14 fertiggestellt. Es ist erkennbar, dass auch bei einem relativen lateralen Versatz der ersten Lackmaske 10 und der zweiten Lackmaske 12 keine Reste der nicht-transparenten Schicht zwischen jenen zweiten Bereichen 60, 66 und jenen dritten Bereichen 70, 76, welche unmittelbar aneinander grenzen sollen, verbleiben.
2 ist eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung. Die Lithographiemaske 14 gleicht der oben anhand der 1 dargestellten Lithographiemaske. Entsprechend gleicht auch ein mithilfe der Lithographiemaske 14 lithographisch strukturiertes Substrat 16 dem oben anhand der 1 beschriebenen Substrat. Die Lithographiemaske 14 wird wie bereits oben anhand der 1 beschrieben mithilfe zweiter Lithographiemasken erzeugt, wobei die zunächst verwendete zweite Lackmaske 12 der oben anhand der 1 dargestellten zweiten Lackmaske 12 gleicht.
Die Herstellung der Lithographiemaske 14 unterscheidet sich von der oben anhand der 1 dargestellten durch die Form bzw. laterale Struktur der ersten Lackmaske 10. Die Öffnungen 80, 86 in den zur Erzeugung halbisolierter oder isolierter Strukturen 32, 38 vorgesehener Abschnitten 42, 46 umfassen neben den zweiten Bereichen 60, 66 nicht die vollständigen an die zweiten Bereiche 60, 66 angrenzenden dritten Bereiche 70, 76, sondern nur deren unmittelbar an die zweiten Bereiche 60, 66 angrenzenden Randbereiche 702, 762. Diese an die zweiten Bereiche 60, 66 angrenzenden Randbereiche 702, 762 der dritten Bereiche 70, 76 sind vorzugsweise durch eine vorbestimmte konstante Breite gekennzeichnet. Alternativ weisen die Breite von parallel zu einer Richtung angeordneten Randabschnitten und die Breite von parallel zu einer dazu senkrechten Richtung angeordneten Randabschnitten zwei verschiedene vorbestimmte Werte auf.
Der zur Erzeugung der ersten Lackmaske 10 verwendete erste Datensatz kann besonders einfach erzeugt werden, indem eine Übergröße bzw. Vergrößerung vom Betrag der Breite der Randbereiche 702, 762 für die Öffnungen 80, 86 oder vorzugsweise für alle Öffnungen 80, 82, 84, 86 eingestellt wird. Zur Erzeugung des ersten Datensatzes werden also nur die zweiten Bereiche 60, 62, 64, 66 bzw. deren Anordnung, Größe und Form benötigt. Um eine Verschiebung all jener Ränder bzw. Kanten bzw. Grenzen der zweiten Bereiche 60, 62, 64, 66, mit denen diese nicht an dritte Bereiche, sondern an erste Bereiche 50, 52, 54, 56, 58 angrenzen, zu vermeiden, werden die zweiten Bereiche 60, 62, 64, 66 zunächst kleiner definiert bzw. kleiner definierte zweite Bereiche 60, 62, 64, 66 zur Erzeugung des ersten Datensatzes verwendet. Dies bedeutet, dass alle Grenzen bzw. Ränder 601, 621, 641, 661, mit denen diese an erste Bereiche 50, 52, 54, 56, 58 angrenzen, um die Breite der Randbereiche 702, 762 von den ersten Bereichen 50, 52, 54, 56, 58 weg verschoben werden. Diese Verschiebung wird bei der anschließenden Operation der Vergrößerung der zweiten Bereiche 60, 62, 64, 66 kompensiert, so dass sich die durch den ersten Datensatz definierten Öffnungen 80, 82, 84, 86 lediglich durch die Randbereiche 702, 762 der unmittelbar an zweite Bereiche 60, 66 angrenzenden dritten Bereiche 70, 76 von den zweiten Bereichen 60, 62, 64, 66 unterscheiden. Diese Erzeugung des ersten Datensatzes ist besonders deshalb vorteilhaft, weil die beschriebene Vergrößerung von Bereichen regel mäßig Bestandteil des Funktionsumfangs von Software ist, die zur Erstellung der Datensätze verwendet wird.
Relative Lagefehler der ersten Lackmaske 10 und der zweiten Lackmaske 12 bis zum Betrag der Breite der Randbereiche 702, 762 haben bei dieser Herstellung der Lithographiemaske 14 nicht zur Folge, dass die nicht-transparente Schicht zwischen zweiten Bereichen 60, 66 und dritten Bereichen 70, 76, welche aneinander grenzen sollen, stehen bleibt.
3 ist eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung. Die Lithographiemaske 14 gleicht den oben anhand der 1 und 2 dargestellten Lithographiemasken. Entsprechend gleicht das mittels der Lithographiemaske 14 lithographisch strukturierte Substrat 16 den oben anhand der 1 und 2 beschriebenen strukturierten Substraten.
Die Lithographiemaske 14 wird jedoch anders als oben anhand der 1 und 2 hergestellt. Zunächst werden ein erster Datensatz, der eine erste Lackmaske 10 beschreibt, und ein zweiter Datensatz, der eine zweite Lackmaske 12 beschreibt, erzeugt. Der erste Datensatz definiert Öffnungen 80, 82, 84, 86, 102, 104 der ersten Lackmaske 10. Die durch den ersten Datensatz definierten Öffnungen entsprechen den zweiten Bereichen 60, 62, 64, 66 und den dritten Bereichen 70, 72, 74, 76 der Lithographiemaske. Anders ausgedrückt entsprechen die Flächen der Öffnungen 80, 82, 84, 86, 102, 104 der Vereinigungsmenge der Flächen der zweiten Bereiche 60, 62, 64, 66 und der dritten Bereiche 70, 72, 74, 76.
Der zweite Datensatz definiert Öffnungen 90, 92, 94, 96 der zweiten Lackmaske 12. Dabei entsprechen die Öffnungen 90, 92, 94, 96 den dritten Bereichen 70, 72, 74, 76 zuzüglich unmittelbar an dritte Bereiche 72, 74 angrenzenden Randbereiche 722, 742 der ersten Bereiche 50. Diese Randbereiche sind vorzugsweise durch eine vorbestimmte Breite gekennzeichnet. Al ternativ sind die Randbereiche 722, 742 durch eine erste vorbestimmte Breite von parallel zu einer Richtung angeordneten Abschnitten und durch eine zweite vorbestimmte Breite von in einer dazu senkrechten Richtung angeordneten Abschnitten der Randbereiche 722, 742 gekennzeichnet. Da dritte Bereiche 70, 72, 74, 76 nur in dem für die Erzeugung dichter Strukturen 34, 36 vorgesehenen zweiten Abschnitt 44, der Lithographiemaske 14 unmittelbar an erste Bereiche 50, 52, 54, 56, 58 angrenzen, sind auch nur in diesem zweiten Abschnitt 44 die Öffnungen 92, 94 gegenüber den dritten Bereichen 72, 74 vergrößert.
Gesteuert durch den ersten Datensatz wird zunächst eine auf dem unstrukturierten Maskensubstrat vollflächig aufgebrachte Lackschicht strukturiert. Dies erfolgt vorzugsweise, wie oben bereits anhand der 1 und 2 dargestellt, mithilfe eines Elektronen-, Ionen- oder Laserstrahls oder auch auf andere Weise. Erforderlichenfalls wird die Lackschicht dann entwickelt, um die durch den Elektronen-, Ionen- oder Laserstrahl beschriebenen Flächen zu entfernen und so die Öffnungen 80, 82, 84, 86, 102, 104 zu erzeugen (Negativlack). Alternativ werden bei der Entwicklung jene Flächen entfernt, die nicht durch den Elektronen-, Ionen- oder Laserstrahl verändert wurden, um die Öffnungen 80, 82, 84, 86, 102, 104 zu erzeugen (Positivlack). Wenn durch das Beschreiben bzw. Bestrahlen die Lackschicht bereits lokal entfernt wird, kann auf einen Entwicklungsschritt verzichtet werden.
Die nun vorliegende erste Lackmaske 10 wird in einem Ätzschritt verwendet, um die nicht transparente Schicht des Maskensubstrats im Bereich der Öffnungen 80, 82, 84, 86, 102, 104 zu entfernen. Das dabei verwendete Ätzmedium trägt vorzugsweise lediglich die nicht-transparente Schicht, nicht jedoch das transparente Material des Maskensubstrats ab und wirkt isotrop oder auch anisotrop. Anschließend wird die erste Lackmaske 10 entfernt.
Danach wird eine weitere Lackschicht vollflächig auf dem Maskensubstrat erzeugt und gesteuert durch den zweiten Datensatz lateral strukturiert. Dies erfolgt vorzugsweise ähnlich wie die Strukturierung der ersten Lackschicht. Es entstehen die Öffnungen 90, 92, 94, 96. Die so erzeugte zweite Lackmaske 12 deckt die nicht-transparente Schicht in den an die dritten Bereiche 72, 74 angrenzenden Randbereichen 722, 742 in den Öffnungen 92, 94 nicht ab. Die zweite Lackmaske 12 und die in den Öffnungen 92, 94 offen liegende nicht-transparente Schicht dienen in einem nachfolgenden Ätzschritt als Ätzmaske zum Ätzen des transparenten Materials des Maskensubstrats. Dabei wird das transparente Material nur in jenen Bereichen abgetragen, die weder durch die zweite Lackmaske 12 noch durch die nicht-transparente Schicht bedeckt sind. Dies sind die dritten Bereiche 70, 72, 74, 76. Durch den Ätzschritt wird das transparente Material des Maskensubstrats wie oben beschrieben in einer Dicke Δ abgetragen.
Nach dem Entfernen der zweiten Lackmaske 12 liegt die Lithographiemaske 14 fertig vor. Da die erste Lackmaske 10 ähnlich wie bei den oben anhand der 1 und 2 dargestellten Verfahren Öffnungen 80, 86 aufweist, welche neben den zweiten Bereichen 60, 66 auch die an diese unmittelbar angrenzenden dritte Bereiche 70, 76 umfassen, ist es auch bei diesem Herstellungsverfahren ausgeschlossen, dass Reste der nicht-transparenten Schicht zwischen zweiten Bereichen 60, 66 und dritten Bereichen 70, 76, die unmittelbar aneinander angrenzen sollen, aufgrund eines relativen Lageversatzes der Lackmasken 10, 12 stehen bleibt. Ein ähnlicher Effekt ist, wie oben anhand der 2 dargestellt, auch erzielbar, wenn die Öffnungen 80, 86 nicht die gesamten an zweite Bereiche 60, 66 angrenzenden dritten Bereiche 70, 76, sondern nur deren Randbereiche umfassen.
Das anhand der 3 beschriebene Verfahren weist jedoch als zusätzlichen Vorteil auf, dass die Ränder 721, 741 der dritten Bereiche 72, 74 in dem für die Erzeugung dichter Strukturen 34, 36 vorgesehenen zweiten Abschnitt 44 der Lithographiemaske 14 durch Öffnungen in der nicht-transparenten Schicht definiert sind. Diese Öffnungen in der nicht-transparenten Schicht werden gleichzeitig mit den zweiten Bereichen 62, 64 mittels der ersten Lackmaske 10 erzeugt. Die relative Anordnung der zweiten und dritten Bereiche 62, 64, 72, 74 in dem für die Erzeugung dichter Strukturen 34, 36 vorgesehenen zweiten Abschnitt 44 der Lithographiemaske 14 ist somit ausschließlich durch die erste Lackmaske 10 definiert. Deshalb hat ein relativer Versatz der Lackmasken 10, 12 keinen Einfluss auf die relative Anordnung der zweiten und dritten Bereiche 62, 64, 72, 74 im zweiten Abschnitt 44 der Lithographiemaske 14. Dies gilt solange die Lackmasken 10, 12 um nicht mehr als die Breite der Randbereiche 722, 742 gegeneinander versetzt sind.
4 ist eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung. Die fertige Lithographiemaske 14 und das (in 4 nicht dargestellte) mittels der Lithographiemaske 14 lithographisch strukturierte Substrat 16 gleichen den oben anhand der 1 bis 3 dargestellten. Zur Erzeugung der Lithographiemaske 14 werden drei Lackmasken 10, 12, 110 verwendet. Diese werden, ähnlich wie oben anhand der 1 bis 3 dargestellt, gesteuert durch drei zuvor erzeugte Datensätze strukturiert.
Ein erster Datensatz beschreibt Öffnungen 80, 82, 84, 86, 102, 104 der ersten Lackmaske 10. Diese Öffnungen 80, 82, 84, 86, 102, 104 entsprechen hinsichtlich ihrer Anordnung Form und Größe den zweiten Bereichen 60, 62, 64, 66 und den dritten Bereichen 70, 72, 74, 76 der fertigen Lithographiemaske 14 abzüglich an dritte Bereiche 70 76, angrenzende rahmenförmige Randbereiche der zweiten Bereiche 60, 66.
Ein die zweite Lackmaske 12 beschreibender bzw. zur Steuerung ihrer Erzeugung vorgesehener zweiter Datensatz definiert Öffnungen 90, 92, 94, 96 der zweiten Lackmaske 12, die den drit ten Bereichen 70, 72, 74, 76 zuzüglich an diese angrenzenden Randbereichen 702, 722, 742, 762 der ersten Bereiche 50 (im zweiten Abschnitt 44) und der zweiten Bereiche 60, 66 (im ersten und im dritten Abschnitt 42, 46) entsprechen. Diese Randbereiche sind wiederum durch eine vorbestimmte Breite oder durch eine erste vorbestimmte Breite von zu einer ersten Richtung parallelen Abschnitten und eine zweite vorbestimmte Breite von zu einer dazu senkrechten zweiten Richtung parallelen Abschnitten gekennzeichnet.
Ein dritter Datensatz definiert Öffnungen 130, 132, welche hinsichtlich ihrer Anordnung, Form und Größe den Hilfsrahmen 122, 124 zuzüglich an diese außen angrenzenden Randbereiche 134, 136 sind.
Die gesteuert durch den ersten Datensatz erzeugte erste Lackmaske 10 umfasst Öffnungen 80, 86, die im Wesentlichen den zweiten Bereichen 60, 66 und den dritten Bereichen 70, 76 entsprechen, innerhalb derer jedoch Lack-Hilfsrahmen 112, 114 angeordnet sind. Diese Lack-Hilfsrahmen 112, 114 entsprechen den unmittelbar an dritte Bereiche 70, 76 angrenzenden Randbereichen zweiter Bereiche 60, 66. Sie sind vorzugsweise ähnlich wie die oben anhand der 2 und 3 gekennzeichneten Randbereiche 702, 722, 742, 762 durch eine vorbestimmte Breite oder durch eine erste vorbestimmte Breite der zu einer ersten Richtung parallelen Abschnitte und eine zweite vorbestimmte Breite der zu einer dazu senkrechten zweiten Richtung parallelen Abschnitte gekennzeichnet.
Die erste Lithographiemaske 10 dient als Ätzmaske, wobei innerhalb der Öffnungen 82, 84, 86, 102, 104 offenliegende Bereiche der nicht-transparenten Schicht des Maskensubstrats entfernt werden. Entsprechend den Öffnungen 80, 82, 84, 86, 102, 104 der ersten Lackmaske wird die nicht-transparente Schicht in den nicht an dritte Bereiche angrenzenden zweiten Bereichen 62, 64 und in den dritten Bereichen 70, 72, 74, 76 vollständig entfernt. In den an dritte Bereiche 70, 76 an grenzenden zweiten Bereichen 60, 66 wird die nicht-transparente Schicht teilweise entfernt, wobei entsprechend den Lack-Hilfsrahmen 112, 114 an die dritten Bereiche 70, 76 unmittelbar angrenzende Hilfsrahmen aus der nicht-transparenten Schicht stehen bleiben. Die Ränder 601, 621, 641, 661, 701, 721, 741, 761 der zweiten und dritten Bereiche 60, 62, 64, 66, 70, 72, 74, 76 sowie die äußeren Ränder 1221, 1241 der Hilfsrahmen 122, 124 sind bei der nachfolgend beschriebenen zweiten Lackmaske 12 mit unterbrochenen Linien dargestellt. Die inneren Ränder der Hilfsrahmen 122, 124 entsprechen den Rändern 701, 761 der unmittelbar an zweite Bereiche 60, 66 angrenzenden dritten Bereiche 70, 76.
Nach dem Entfernen der ersten Lackmaske wird ähnlich wie oben bereits mehrfach erwähnt gesteuert durch den zweiten Datensatz die zweite Lackmaske 12 erzeugt. Diese und die innerhalb der Öffnungen 90, 92, 94, 96 rahmenförmig freiliegenden Bereiche der nicht-transparenten Schicht dienen als Ätzmaske zum Abtragen einer Schicht der Dicke Δ (siehe oben) des transparenten Materials des Maskensubstrats. Das transparente Material des Maskensubstrats wird somit nur in den weder durch die zweite Lackmaske 12 noch durch die nicht-transparente Schicht bedeckten Bereichen abgetragen. Die Ränder 701, 721, 741, 761 der so strukturierten dritten Bereiche 70, 72, 74, 76 sind somit ebenso wie die Ränder 601, 621, 641, 661 der zweiten Bereiche 60, 62, 64, 66 durch die erste Lackmaske 10 festgelegt. Damit ist die relative Anordnung der zweiten Bereiche 60, 62, 64, 66 und der dritten Bereiche 70, 72, 74, 76 eindeutig definiert und wird durch einen relativen Versatz der ersten Lackmaske 10 und der zweiten Lackmaske 12 nicht beeinflusst. Dies gilt solange der relative Versatz der ersten Lackmaske 10 und der zweiten Lackmaske 12 nicht größer als die Breite der Randbereiche 702, 722, 742, 762 ist, um die die Öffnungen 90, 92, 94, 96 größer als die dritten Bereiche 70, 72, 74, 76 sind.
Nach dem Entfernen der zweiten Lackmaske 12 wird ähnlich, wie oben bereits mehrfach beschrieben gesteuert durch den dritten Datensatz die dritte Lackmaske 110 auf dem Maskensubstrat erzeugt. Diese dritte Lackmaske 110 wird als Ätzmaske zum Entfernen der Hilfsrahmen 122, 124 verwendet. Dazu wird vorzugsweise das gleiche Ätzmedium verwendet, wie bei der Übertragung der ersten Lackmaske 10 in die nicht-transparente Schicht, dass das transparente Material des Maskensubstrats nicht abträgt. Nach der Entfernung der Hilfsrahmen 122, 124 und der dritten Lackmaske 110 liegt die fertige Lithographiemaske 14 vor.
Abweichend von den anhand der 1 bis 3 dargestellten Lackmasken weisen die in 4 dargestellten Lackmasken 10, 12, 110 nicht nur rechteckige Strukturen, sondern auch Strukturen mit abgerundeten Ecken auf. Eine Abrundung von Ecken kann bereits in dem die Erzeugung der entsprechenden Lackmaske steuernden Datensatz vorgesehen sein und/oder durch das Auflösungsvermögen des Prozesses, mit dem die Lackmaske bildende Lackschicht lateral strukturiert wird, bedingt sein. Wie bereits erwähnt werden die Anordnung, Größe und Form aller zweiter und dritter Bereiche 60, 62, 64, 66, 70, 72, 74, 76 ausschließlich durch die erste Lackmaske 10 definiert. Es ist deshalb wünschenswert, die erste Lackmaske 10 mit einer maximalen Auflösung zu erzeugen. Hingegen können die zweite Lackmaske 12 und die dritte Lackmaske 110 mit einer geringeren Auflösung erzeugt werden. Dadurch können die Herstellungskosten für die Lithographiemaske 14 gesenkt werden. Beispielsweise wird die erste Lackmaske 10 mittels eines Elektronenstrahlschreibers strukturiert, während die zweite Lackmaske 12 und die dritte Lackmaske 110 mittels (sichtbaren oder unsichtbaren) Lichts und geringerer Auflösung aber auch geringeren Kosten strukturiert werden. In diesem Fall sind abweichen von 4 alle Ecken der zweiten und der dritten Lackmaske 12, 110 verrundet.
Eine Verrundung von Ecken ist aber auch insofern sinnvoll als ein gleichzeitiger maximaler relativer Lageversatz zwischen den Lackmasken unwahrscheinlich ist. Gleichzeitig verringert die Eckenverrundung die Gefahr einer Überlappung von diagonal benachbarten Strukturen, beispielsweise der Öffnung 96 oder 132 mit einem ersten Bereich 52, 54, 56, 58.
Die 5 und 6 sind schematisch Darstellungen, anhand derer im Folgenden die Erzeugung der oben in den Beschreibungen der 1 bis 4 erwähnten Datensätze erläutert wird. Zeilenweise sind Hilfsdatensätze 152, 154, 156, 158, 160, 162 und die daraus wie nachfolgend beschriebenen erzeugten Datensätze 164, 166, 168 zum Steuern der Erzeugung von Lackmasken dargestellt. Dabei sind in den 5 und 6 die durch die Datensätze definierten Flächen dargestellt. Entsprechend den Darstellungen der Lackmasken 10, 12, 110 und der Lithographiemaske 14 in den 1 bis 4 sind auch in den 5 und 6 links außen und rechts außen die für die lithographische Erzeugung von halbisolierten oder isolierten Strukturen 32, 38 vorgesehenen ersten und dritten Abschnitte 42, 46 dargestellt. In der Mitte ist jeweils der für die lithographische Erzeugung von dichten Strukturen 34, 36 vorgesehene zweite Abschnitt 44, dargestellt. Beispielhaft ist in den 5 und 6 die Erzeugung der Datensätze des oben anhand der 4 dargestellten Ausführungsbeispiels dargestellt.
Der erste Hilfsdatensatz 152 definiert die mit einer nach links geneigten Schraffur gekennzeichneten zweiten Bereiche 60, 62, 64, 66 und die mit einer nach rechts geneigten Schraffur gekennzeichneten dritten Bereiche 70, 72, 74, 76. Die Information über die Anordnung, Form und Größe von jedem dieser zweiten und dritten Bereiche liegt vorzugsweise in einem einzigen Datensatz vor. Alternativ besteht der erste Hilfsdatensatz 152 aus mehreren Teildatensätzen, welche jeweils nur einen oder mehrere der Abschnitte 42, 44, 46 beschreiben und/oder nur zweite Bereiche 60, 62, 64, 66 oder nur dritte Bereiche 70, 72, 74, 76 definieren.
Der zweite Hilfsdatensatz 154 definiert Bereiche 172, 174, die aus den im ersten Abschnitt 42 oder im dritten Abschnitt 46 angeordneten dritten Bereichen 70, 76 bzw. aus den unmittelbar an zweite Bereiche 60, 66 angrenzenden dritten Bereichen 70, 76 durch eine allseitige Vergrößerung um einen Betrag k bzw. durch Hinzufügung eines rahmenförmigen Randbereichs mit der Breite k hervorgeht. Die Bereiche 172, 174 entsprechen den Öffnungen 90, 96 der oben anhand der 4 dargestellten zweiten Lackmaske 12.
Der dritte Hilfsdatensatz 156 definiert Bereiche 176, 178, die aus den im ersten Abschnitt 42 oder im dritten Abschnitt 46 angeordneten dritten Bereichen 70, 76 bzw. aus den unmittelbar an zweite Bereiche 60, 66 angrenzenden dritten Bereichen 70, 76 durch eine allseitige Vergrößerung um einen Betrag a bzw. durch Hinzufügung eines unmittelbar angrenzenden rahmenförmigen Randbereichs mit der Breite a hervorgehen.
Der vierte Hilfsdatensatz 158 definiert Bereiche 180, 182, die aus den im ersten Abschnitt 42 oder im dritten Abschnitt 46 angeordneten dritten Bereichen 70, 76 bzw. aus den unmittelbar an zweite Bereiche 60, 66 angrenzenden dritten Bereichen 70, 76 durch allseitige Vergrößerung um einen Betrag a + k bzw. durch Hinzufügung eines unmittelbar angrenzenden rahmenförmigen Randbereichs der Breite a + k hervorgehen. Die Bereiche 180, 182 entsprechen den Öffnungen 130, 132 der oben anhand der 4 dargestellten dritten Lackmaske 110.
Der fünfte Hilfsdatensatz 160 definiert rahmenförmige Bereiche 184, 186, welche einer Subtraktion der unmittelbar an zweite Bereiche 60, 66 angrenzenden bzw. in dem ersten oder dritten Abschnitt 42, 46 angeordneten dritte Bereiche 70, 76 von den Bereichen 176, 178 des dritten Hilfsdatensatzes 156 entsprechen. Diese rahmenförmige Bereiche 184, 186 entsprechen hinsichtlich Anordnung, Größe und Form den oben anhand der 4 dargestellten Lack-Hilfsrahmen 112, 114.
Der sechste Hilfsdatensatz 162 definiert Bereiche 188, 190, welche aus den nicht unmittelbar an zweite Bereiche angrenzenden bzw. im zweiten Abschnitt 44 angeordneten dritten Bereichen 72, 74 durch eine allseitige Vergrößerung um den Betrag k bzw. durch Hinzufügen von unmittelbarer an diese angrenzenden rahmenförmigen Randbereichen der Breite k hervorgehen. Die Bereiche 188, 190 entsprechen den Öffnungen 92, 94 der oben anhand der 3 und 4 dargestellten zweiten Lackmasken 12.
Der erste Datensatz 164 definiert Bereiche, die den Öffnungen 80, 82, 84, 86, 102, 104 der oben in 4 dargestellten ersten Lackmaske 10 entsprechen und deshalb hier mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind. Diese gehen aus der Summe bzw. Vereinigungsmenge der im ersten Datensatz 152 definierten zweiten und dritten Bereiche 60, 62, 64, 66, 70, 72, 74, 76 abzüglich der im fünften Hilfsdatensatz 160 definierten rahmenförmigen Bereiche 184, 186 hervor.
Der zweite Datensatz 166 definiert Bereiche, die den Öffnungen 90, 92, 94, 96 der oben anhand der 4 dargestellten zweiten Lackmaske 12 entsprechen und deshalb hier mit denselben Bezugszeichen versehen sind. Diese gehen aus einer Summe bzw. Vereinigungsmenge der im zweiten Hilfsdatensatz 154 definierten Bereiche 172, 174 und der im sechsten Hilfsdatensatz 162 definierten Bereiche 188, 190 hervor.
Der dritte Datensatz 168 definiert Bereiche, die den Öffnungen 130, 132 der oben anhand der 4 dargestellten dritten Lackmaske 110 entsprechen und deshalb hier mit denselben Bezugszeichen versehen sind. Diese Bereiche 130, 132 gehen aus den im vierten Hilfsdatensatz 158 definierten Bereichen 180, 182 hervor bzw. sind mit diesen Identisch.
Die in 6 dargestellten Datensätze 164, 166, 168 definieren die Anordnung, Größe und Form der Öffnungen der zu er zeugenden Lackmasken. Im Falle eines Negativlacks werden die in den Datensätzen 164, 166, 168 definierten und in 6 schraffiert dargestellten Bereiche 80, 82, 84, 86, 102, 104, 90, 92, 94, 96, 130, 132 mit einem Elektronen-, Ionen- oder Laserstrahl oder auf anderer Weise belichtet oder beschrieben, um (erforderlichenfalls nach einem Entwicklungsschritt) entsprechende Öffnungen in der Lackschicht zu erhalten. Im Falle eines Positivlacks werden stattdessen die umgebenden in 6 unschraffierten Bereiche beschrieben bzw. belichtet.
Der Betrag k ist der Maximalbetrag eines relativen Versatzes der Lackmasken 10, 12, 110. Der Betrag a entspricht der Breite der im fünften Hilfsdatensatz 160 definierten rahmenförmigen Bereiche 184, 186 bzw. der oben anhand der 4 dargestellten Hilfsrahmen 122, 124 aus der nicht-transparenten Schicht. Vorzugsweise entspricht der Betrag a mindestens dem doppelten Betrag k, a = 2k oder a > 2k.
In den 5 und 6 sind die vergrößerten Bereiche 172, 174, 176, 178, 180, 182, 188, 190 und die daraus abgeleiteten Bereiche 184, 186, 90, 92, 94, 96, 130, 132 mit abgerundeten Ecken dargestellt. Die Radien betragen vorzugsweise k bzw. a bzw. a + k. Alternaiv erfolgt die Vergrößerung jeweils so, dass ein Rechteck ohne verrundete Ecken entsteht.
Bei dem anhand der 5 und 6 dargestellten Ausführungsbeispiel erfolgt die Vergrößerung jeweils in alle Richtungen mit dem gleichen Betrag k bzw. a bzw. a + k. Alternaiv erfolgt die Vergrößerung in zwei zueinander senkrechten Richtungen mit unterschiedlichen Beträgen. Dies kann vorteilhaft sein, wenn bereits bekannt ist, dass in einer Richtung ein größerer relativer Versatz von Lackmasken auftreten kann, als in einer anderen dazu senkrechten Richtung. Ferner ist es möglich, verschiedene dritte Bereiche 70, 72, 74, 76 um verschiedene Beträge k, k' bzw. a, a' bzw. a + k, a' + k' zu vergrößern.
Aus den Abmessungen und Abständen der zweiten und dritten Bereiche der Lithographiemaske ergeben sich Anforderungen an die minimale Auflösung und an die relative Kantenlagengenauigkeit bzw. den maximalen relativen Versatz der Lackmasken 10, 12, 110. Aus einem Mindestabstand benachbarter zweiter und dritter Bereiche 62, 64, 72, 74 im zweiten Abschnitt 44 der Größe d folgt, dass der maximale relative Versatz zwischen der ersten Lackmaske 10 und der zweiten Lackmaske 12 d/2 und der Betrag k ebenfalls k = d/2 betragen sollte. Ferner folgt, dass die Auflösung besser als d/2 sein sollte. Aus der Betrachtung der zweiten und dritten Bereiche 60, 70 im ersten Abschnitt 42 der Lithographiemaske 14 ist ersichtlich, dass der Betrag a die Hälfte des allseitigen Mindestabstandes des dritten Bereichs 70 von ersten Bereich 50 sein sollte.
Typische Werte sind k = 15 nm, a = 35 nm ... 40 nm für einen Mindestabstand des dritten Bereichs 70 vom ersten Bereich 50 im ersten Abschnitt 42 der Lithographiemaske in der Größenordnung von 70 nm bis 80 nm. Damit ist eine Eignung für eine lithographische Abbildung der Lithographiemaske 14 auf ein Substrat 16 mittels einer Wellenlänge von 193 nm gegeben.
Wie bereits erwähnt können Lithographiemasken 14 gemäß der vorliegenden Erfindung bzw. gemäß der vorliegenden Erfindung erzeugte Lithographiemasken 14 abweichend von den Darstellungen in den Figuren zur Erzeugung einer wesentlich größeren Anzahl von Strukturen 32, 34, 36, 38 in einer größeren Anzahl von Abschnitten 42, 44, 46 eine wesentlich größere Anzahl zweiter und dritter Bereiche 60, 62, 64, 66, 70, 72, 74, 76 aufweisen. Auch die Anordnung, Form und Größe jeder einzelnen Struktur 32, 34, 36, 38 und der für ihre lithographische Erzeugung vorgesehenen zweiten und dritten Bereiche können von den Darstellungen in den Figuren erheblich abweichen. Anstelle der in den Figuren dargestellten Durchgangslöcher könne auch andere Strukturen, beispielsweise Gräben oder andere lineare Strukturen lithographisch erzeugt werden.
Bei den oben dargestellten Ausführungsbeispielen wird die Dicke des transparenten Materials in den dritten Bereichen 70, 72, 74, 76 verringert. Dazu kann das Maskensubstrat eine Schicht der oben beschriebenen Dicke Δ aufweisen, die selektiv ätzbar ist, so dass die Dicke Δ der abgetragenen Schicht weitgehend unabhängig von Ätzparametern durch die Dicke der selektiv ätzbaren Schicht gegeben ist. Alternativ wird die Dicke Δ durch die Ätzparameter wie Ätzmedium, Zeit, Temperatur und Konzentration des Mediums eingestellt. Ferner ist es möglich, die Dicke Δ in den dritten Bereichen 70, 72, 74, 76 nicht durch Materialabtrag sondern durch lokales Aufbringen von zusätzlichem Material zu ändern oder die optische Dicke des Maskensubstrats durch eine lokale Veränderung des Brechungsindex lokal zu modifizieren.
7 ist ein schematisches Flussdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen einer Lithographiemaske und zum Herstellen eines Halbleiterbauelements beschreibt. In einem ersten, einem zweiten bzw. einem dritten Schritt 202, 204, 206 werden ein erster Datensatz, ein zweiter Datensatz bzw. ein dritter Datensatz erzeugt, welche zum Steuern der Strukturierens dreier Lackmasken vorgesehen sind. In einem vierten Schritt 208 wird ein Maskensubstrat mit einer nicht-transparenten Schicht auf einer transparenten oder semitransparenten Trägerschicht bereitgestellt. In einem fünften Schritt 210 wird gesteuert durch den im ersten Schritt 202 erzeugten ersten Datensatz eine erste Lackmaske auf dem Maskensubstrat erzeugt. In einem sechsten Schritt 212 wird in den durch die erste Lackmaske nicht bedeckten Bereichen die nicht-transparente Schicht entfernt. In einem siebten Schritt 214 wird gesteuert durch den im zweiten Schritt 204 erzeugten zweiten Datensatz eine zweite Lackmaske auf dem Maskensubstrat erzeugt. In einem achten Schritt 216 wird die Dicke des Maskensubstrats in den weder durch die zweite Lackmaske noch durch die nicht-transparente Schicht bedeckten Bereichen geändert. In einem neunten Schritt 218 wird gesteuert durch den im dritten Schritt 206 erzeugten dritten Datensatz eine drit te Lackmaske erzeugt, welche einen im sechsten Schritt 212 aus der nicht-transparenten Schicht erzeugten Hilfsrahmen nicht bedeckt. In einem zehnten Schritt 220 wird der Hilfsrahmen entfernt. Mithilfe der so erzeugten Lithographiemaske wird in einem elften Schritt 222 eine Resistschicht auf einem Substrat lithographisch strukturiert, um aus dem Substrat ein Halbleiterbauelement herzustellen.

10: erste Lackmaske
12: zweite Lackmaske
14: Lithographiemaske
16: strukturiertes Substrat
22: erster Abschnitt des strukturierten Substrats 16
24: zweiter Abschnitt des strukturierten Substrats 16
26: dritter Abschnitt des strukturierten Substrats 16
32: erstes Durchgangsloch
34: zweites Durchgangsloch
36: drittes Durchgangsloch
38: viertes Durchgangsloch
42: erster Abschnitt der Lithographiemaske 14
44: zweiter Abschnitt der Lithographiemaske 14
46: dritter Abschnitt der Lithographiemaske 14
50: erster Bereich
52: erster Bereich
54: erster Bereich
56: erster Bereich
58: erster Bereich
60: zweiter Bereich
601: Rand des zweiten Bereichs 60
62: zweiter Bereich
621: Rand des zweiten Bereichs 62
64: zweiter Bereich
641: Rand des zweiten Bereichs 64
66: zweiter Bereich
661: Rand des zweiten Bereichs 66
70: dritter Bereich
701: Rand des dritten Bereichs 70
702: Randbereich des dritten Bereichs 70
72: dritter Bereich
721: Rand des dritten Bereichs 72
722: Randbereich des dritten Bereichs 72
74: dritter Bereich
741: Rand des dritten Bereichs 74
742: Randbereich des dritten Bereichs 74
76: dritter Bereich
761: Rand des dritten Bereichs 76
762: Randbereich des dritten Bereichs 76
80: Öffnung
82: Öffnung
84: Öffnung
86: Öffnung
90: Öffnung
92: Öffnung
94: Öffnung
96: Öffnung
102: Öffnung
1021: Rand der Öffnung 102
104: Öffnung
1041: Rand der Öffnung 104
110: dritte Lackmaske
112: Lack-Hilfsrahmen
114: Lack-Hilfsrahmen
122: Hilfsrahmen
1221: äußerer Rand des Hilfsrahmens 122
124: Hilfsrahmen
1241: äußerer Rand des Hilfsrahmens 124
130: Öffnung
132: Öffnung
134: Randbereich
136: Randbereich
152: erster Hilfsdatensatz
154: zweiter Hilfsdatensatz
156: dritter Hilfsdatensatz
158: vierter Hilfsdatensatz
160: fünfter Hilfsdatensatz
162: sechster Hilfsdatensatz
164: erster Datensatz
166: zweiter Datensatz
168: dritter Datensatz
172: Bereich
174: Bereich
176: Bereich
178: Bereich
180: Bereich
182: Bereich
184: rahmenförmiger Bereich
186: rahmenförmiger Bereich
188: Bereich
190: Bereich
202: erster Schritt
204: zweiter Schritt
206: dritter Schritt
208: vierter Schritt
210: fünfter Schritt
212: sechster Schritt
214: siebter Schritt
216: achter Schritt
218: neunter Schritt
220: zehnter Schritt
222: elfter Schritt

Claims

Lithographiemaske (14) mit ersten Bereichen (50, 52, 54, 56, 58), in denen die Lithographiemaske (14) eine nicht-transparente Schicht aufweist, und zweiten und dritten Bereichen (60, 62, 64, 66, 70, 72, 74, 76), die sich in der optischen Dicke der Lithographiemaske (14) unterscheiden, und in denen die Lithographiemaske (14) zumindest semitransparent ist, zum lithographischen Strukturieren einer Resistschicht auf einem Substrat, mit: einem ersten Abschnitt (44) mit einer Vielzahl von zweiten Bereichen (62, 64) und einer Vielzahl von dritten Bereichen (72, 74), die alternierend angeordnet und von einem ersten Bereich (50) umgeben sind, zum lithographischen Erzeugen von Resistöffnungen (34, 36) mit Abständen, die kleiner als ein vorbestimmter Grenzabstand sind; und einem zweiten Abschnitt (42, 46) mit einer Vielzahl von dritten Bereichen (70, 76), von denen jeder von einem zweiten Bereich (60, 66) umgeben ist, der von einem mehrfach zusammenhängenden ersten Bereich (50) umgeben ist, zum lithographischen Erzeugen von Resistöffnungen (32, 38) mit Abständen, die größer als ein vorbestimmter Grenzabstand sind.
Lithographiemaske (14) nach Anspruch 1, bei der im ersten Abschnitt (44) nächst benachbart zu jedem zweiten Bereich (62, 64) ein dritter Bereich (72, 74) und nächst benachbart zu jedem dritten Bereich (72, 74) ein zweiter Bereich (62, 64) angeordnet ist.
Lithographiemaske (14) nach Anspruch 1 oder 2, bei der die zweiten Bereiche (62, 64) der Vielzahl von zweiten Bereichen (62, 64) des ersten Abschnitts (44) und die dritten Bereiche (72, 74) der Vielzahl von dritten Bereichen (72, 74) des ersten Abschnitts (42) jeweils einfach zusammen hängend sind, und bei der jeder dritte Bereich (70, 76) der Vielzahl von dritten Bereichen (70, 76) des zweiten Abschnitts (42, 46) einfach zusammenhängend und von je einem mehrfach zusammenhängenden zweiten Bereichen (60, 66) umgeben ist.
Lithographiemaske (14) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die mittels der Lithographiemaske (14) zu erzeugenden Resistöffnungen (32, 34, 36, 38) zum Erzeugen von Durchgangslöchern oder Gräben in dem Substrat vorgesehen sind.
Lithographiemaske (14) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der die optischen Dicken der Lithographiemaske (14) in benachbarten zweiten und dritten Bereichen (60, 62, 64, 66, 70, 72, 74, 76) sich so unterscheiden, dass durch einen zweiten Bereich (60, 62, 64, 66) transmittiertes Licht gegenüber durch einen benachbarten dritten Bereich (70, 72, 74, 76) transmittiertes Licht eine Phasendifferenz im Bereich von 120° bis 240° aufweist.
Verfahren zum Erzeugen einer Lithographiemaske (14) mit ersten Bereichen (50, 52, 54, 56, 58), in denen die Lithographiemaske (14) eine nicht-transparente Schicht aufweist, und zweiten und dritten Bereichen (60, 62, 64, 66, 70, 72, 74, 76), die sich in der optischen Dicke der Lithographiemaske (14) unterscheiden, und in denen die Lithographiemaske (14) zumindest semitransparent ist, zum lithographischen Strukturieren einer Resistschicht auf einem Substrat, mit folgenden Schritten: Erzeugen (212, 216, 220) einer Vielzahl von zweiten Bereichen (62, 64) und einer Mehrzahl von dritten Bereichen (72, 74) in einem ersten Abschnitt (44), die alternierend angeordnet und von einem ersten Bereich (50) umgeben sind, zum lithographischen Erzeugen von Resistöffnungen (34, 36) mit Abständen, die kleiner als ein vorbestimmter Grenzabstand sind; und Erzeugen (212, 216, 220) einer Vielzahl von dritten Bereichen (70, 76) in einem zweiten Abschnitt (42, 46), von denen jeder von einem zweiten Bereich (60, 66) umgeben ist, der von einem mehrfach zusammenhängenden ersten Bereich (50) umgeben ist, zum lithographischen Erzeugen von Resistöffnungen (32, 38) mit Abständen, die größer als ein vorbestimmter Grenzabstand sind.
Verfahren zum Erzeugen einer Lithographiemaske (14) mit einem ersten Bereich (50, 52, 54, 56, 58), in dem die Lithographiemaske (14) eine nicht-transparente Schicht aufweist, und mit einem zweiten und einem dritten Bereich (60, 62, 64, 66, 70, 72, 74, 76), in denen die Lithographiemaske (14) zumindest semitransparent ist und unterschiedliche optische Dicken aufweist, mit folgenden Schritten: a) Bereitstellen (208) eines Maskensubstrats mit der nicht-transparenten Schicht; b) Erzeugen (210) einer ersten Lackmaske (10) auf dem Maskensubstrat; c) Entfernen (212) der nicht-transparenten Schicht in den von der ersten Lackmaske (10) nicht bedeckten Bereichen; d) Erzeugen (214) einer zweiten Lackmaske (12) auf dem Maskensubstrat; und e) Ändern (216) der optischen Dicke des Maskensubstrats in einem dritten Bereich (70, 72, 74, 76), der weder von der zweiten Lackmaske (12) noch von der nicht-transparenten Schicht bedeckt ist, wobei die erste Lackmaske (10) im Schritt b) (210) so erzeugt wird, dass sie einen dritten Bereich (70, 76) der Lithogra phiemaske (14) zumindest in einem umlaufenden Randbereich (702, 762) nicht bedeckt.
Verfahren nach Anspruch 7, bei dem der Schritt b) mit einer höheren lateralen Auflösung ausgeführt wird als der Schritt d).
Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, bei dem die Schritte in der Reihenfolge a), d), e), b), c) ausgeführt werden, wobei ferner zwischen den Schritten d) und e) folgender Schritt ausgeführt wird: f) Entfernen der nicht-transparenten Schicht in den von der zweiten Lackmaske (12) nicht bedeckten Bereichen (70, 72, 74, 76).
Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, bei dem die Schritte in der Reihenfolge a), b), c), d), e) ausgeführt werden, wobei im Schritt b) (210) Öffnungen (80, 82, 84, 86, 102, 104) in der ersten Lackmaske (10) erzeugt werden, die zu erzeugenden zweiten und dritten Bereichen (60, 62, 64, 66, 70, 72, 74, 76) entsprechen, wobei im Schritt c) die nicht-transparente Schicht in zweiten und dritten Bereichen (60, 62, 64, 66, 70, 72, 74, 76) entfernt wird, und wobei im Schritt d) die zweite Lackmaske (12) so erzeugt wird, dass sie zweite Bereiche (60, 62, 64, 66) abdeckt, welche von der nicht-transparenten Schicht nicht mehr bedeckt sind.
Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, bei dem die Schritt in der Reihenfolge a), b), c), d), e) ausgeführt werden, wobei im Schritt b) (210) die erste Lackmaske (10) mit einem Lack-Hilfsrahmen (212, 214) erzeugt wird, dessen innerer Rand (701, 761) dem äußeren Umfang eines zu erzeugenden dritten Bereichs (70, 76,) entspricht, wobei im Schritt c) (212) ein dem Lack-Hilfsrahmen entsprechender rahmenförmiger Bereich der nicht-transparenten Schicht als Hilfsrahmen (122, 124) auf dem Maskensubstrat verbleibt, und wobei im Schritt d) (214) die zweite Lackmaske (12) mit einer Öffnung (90, 96) erzeugt wird, deren Rand vom inneren Rand (701, 761) des Hilfsrahmens (122, 124) beabstandet ist, so dass die Öffnung (90, 96) einen mehrfach zusammenhängenden Teilbereich des Hilfsrahmens (122, 124) freigibt, ferner mit folgendem Schritt nach dem Schritt e) (216): g) Entfernen (218, 220) des Hilfsrahmens (122, 124).
Verfahren nach Anspruch 11, bei dem im Schritt g) eine dritte Lackmaske (110) mit einer Öffnung (130, 132), die den Hilfsrahmen (122, 124) freigibt, erzeugt wird (218).
Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12, bei dem im Schritt e) (216) die optische Dicke der Lithographiemaske (14) in den dritten Bereichen (70, 72, 74, 76) so weit reduziert wird, dass durch einen zweiten Bereich (60, 62, 64, 66) transmittiertes Licht und durch einen benachbarten dritten Bereich (70, 72, 74, 76) transmittiertes Licht derselben vorbestimmten Wellenlänge eine Phasendifferenz innerhalb eines vorbestimmten Intervalls aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 13, bei dem das vorbestimmte Intervall Phasendifferenzen zwischen 120° und 240° umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 14 zum Erzeugen einer Lithographiemaske (14) nach einem der Ansprüche 1 bis 5.
Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei eine Lithographiemaske (14) nach einem der Ansprüche 1 bis 5 verwendet wird, um eine Resistschicht auf einem Substrat lithographisch zu strukturieren.
Verfahren zum Erzeugen eines ersten Datensatzes (164) zum Steuern des Strukturierens einer ersten Lackmaske (10), und eines zweiten Datensatzes (166) zum Steuern des Strukturierens einer zweiten Lackmaske (12), wobei die erste Lackmaske (10) und die zweite Lackmaske (12) für die Erzeugung einer Lithographiemaske (14) mit ersten, zweiten und dritten Bereichen (50, 52, 54, 56, 58, 60, 62, 64, 66, 70, 72, 74, 76) vorgesehen ist, wobei die Lithographiemaske (14) in den ersten Bereichen (50, 52, 54, 56, 58) eine nicht-transparente Schicht aufweist und in den zweiten und dritten Bereichen (60, 62, 64, 66, 70, 72, 74, 76) zumindest semitransparent ist, und wobei die zweiten und dritten Bereiche sich in der optischen Dicke der Lithographiemaske (14) unterscheiden, mit folgenden Schritten: Erzeugen des ersten Datensatzes (164) so, dass er zumindest Teilbereiche der zweiten Bereiche (60, 62, 64, 66) und zumindest unmittelbar an zweite Bereiche (60, 66) angrenzende Randbereiche (702, 704) von dritten Bereichen (70, 76) umfasst; und Erzeugen des zweiten Datensatzes (166) so, dass er die dritten Bereiche (70, 72, 74, 76) umfasst.
Verfahren nach Anspruch 17, wobei der erste Datensatz (164) so erzeugt wird, dass er die zweiten Bereiche (60, 62, 64, 66) und zumindest unmittelbar an zweite Bereiche (60, 66) angrenzende Randbereiche (702, 762) von dritten Bereichen (70, 76) umfasst.
Verfahren nach Anspruch 17, wobei der erste Datensatz (164) so erzeugt wird, dass er die zweiten und die dritten Bereiche (60, 62, 64, 66, 70, 72, 74, 76) umfasst, und wobei der zweite Datensatz (166) so erzeugt wird, dass er die dritten (70, 72, 74, 76) und die unmittelbar an dritte Bereiche (72, 74) angrenzende Randbereiche (722, 742) von ersten Bereichen (50) umfasst.
Verfahren nach Anspruch 17, wobei der erste Datensatz (164) so erzeugt wird, dass er die nicht an dritte Bereiche (70, 72, 74, 76) angrenzenden zweiten Bereiche (62, 64), die an dritte Bereiche (70, 76) angrenzenden zweiten Bereich (60, 66) jeweils ohne einen an den dritten Bereich (70, 76) angrenzenden erste Randbereich (112, 114) mit einer ersten Randbreite und die dritten Bereiche (70, 72, 74, 76) umfasst, und wobei der zweite Datensatz (166) so erzeugt wird, dass er die dritten Bereiche (70, 72, 74, 76) und an die dritten Bereiche (70, 76) angrenzende zweite Randbereiche (702, 722, 742, 762) von ersten oder zweiten Bereichen (50, 60, 66) mit einer zweiten Randbreite umfasst, wobei die zweite Randbreite geringer als die erste Randbreite ist, ferner mit folgendem Schritt: Erzeugen eines dritten Datensatzes (168) so, dass er die zwei ersten Randbereiche (112, 114) zuzüglich an die zweiten Randbereiche (112, 114) angrenzende dritte Randbereiche mit einer dritten Randbreite umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 16, bei dem Datensätze (164, 166, 168) nach einem der Ansprüche 17 bis 20 erzeugt werden, und bei dem die Lackmasken (10, 12, 110) mit Hilfe der Datensätze (164, 166, 168) erzeugt werden.